技术特征：
技术总结
本发明提供一种包含n‑掺杂的导电聚合物的材料，该导电聚合物包含：气相电子亲和力(EA)为1‑3eV的至少一个缺电子芳族部分和至少一个与所述聚合物或材料中包含的其它聚合物共价结合的抗衡阳离子，该聚合物被n‑掺杂至电荷密度为0.1‑1电子/缺电子芳族部分，所述聚合物能形成真空功函(WF)为2.5‑4.5eV的层，其中材料中包含的所有抗衡阳离子被固定，这样所述聚合物中任何电子都无法明显扩散或迁移出所述聚合物。本发明还提供一种制备该材料的方法。
技术研发人员：L-L·蔡;P·K-H·何;R-Q·彭;M·C-Y·昂;K-K·楚;C·G-Y·唐
受保护的技术使用者：新加坡国立大学
技术研发日：2016.07.01
技术公布日：2018.04.17