专利名称：：含缩聚物的光刻胶组合物的制作方法光刻胶组合物用于光刻法制造微型电子元件，如制造计算机芯片和集成电路。一般来说，在这些方法中，将光刻胶组合物首先涂于底材成薄膜涂层，如用于制造集成电路的硅片。然后将涂布过的底材烘烤以蒸发除去光刻胶组合物中的任何溶剂，将涂层固定于底材上。接着将烘烤过的涂布的底材表面进行图象的射线曝光。射线曝光引起涂布过表面曝光区的化学变化。可见光、紫外光(UV)、电子束、X-射线的辐射能是目前光刻法通常所用的射线类型。在成象暴光后，用显影溶液处理涂布的底材，以溶解和除去底材涂布表面的射线曝光区或未曝光区。有两种光刻胶组合物，即负性光刻胶和正性光刻胶。当负性光刻胶组合物进行图象的射线曝光时，曝光于射线的光刻胶组合物则不易溶解于显影溶液(即发生交联反应)，而未曝光的光刻胶涂层区仍然易溶于显影溶液。因此，用显影剂处理曝光的负性光刻胶，可除去未曝光的光刻胶涂布区域，并在涂层上生成负象，从而露出在沉积有光刻胶组合物的下面底材表面所需要的部分。相反，当正性光刻胶组合物的进行图象射线曝光时，光刻胶组合物曝光于射线的区域则更易溶于显影剂溶液(发生重排反应)，而未曝光的区域仍然不溶于显影剂溶液。因此，用显影剂处理曝光的正性光刻胶可除去涂层的曝光区域，在光刻胶涂层生成正象。从而露出下面底材表面的所需要部分。经过显影步骤后，部分未保护的底材可以用底材-蚀刻剂溶液或等离子体气体等处理。蚀刻剂溶液或等离子气体蚀刻在显影时除去光刻胶涂层的底材部分。仍保持光刻胶的区域受到保护。这样，在底材材料生成蚀刻的图案，这相当于用于射线的成象暴光的光掩膜。稍后，光刻胶涂层的其余区域可以在去膜操作中除去，留下干净的蚀刻过的底材表面。在某些情况下，在显影后和蚀刻前需要对其余的光刻胶层进行热处理以增加其对下面底材的粘合和其对蚀刻溶液的抗性。正性光刻胶组合物近来比负性光刻胶受到青睐，因为前者一般具有更好的分辨能力和图案转移特性。光刻胶分辨率的定义是，在曝光和显影后光刻胶组合物能由光掩膜转移到底材的图象边缘锐利的最小特征。在目前的许多制造用途中，要求光刻胶分辨率低于1微米左右。此外，几乎总是要求，显影的光刻胶壁的剖面几乎垂直于底材。光刻胶涂层的显影的和未显影的区域的这些边界在底材上转变成掩膜图象的精确的图案转移。随着向微型化的推进降低装置的临界尺寸，这会变得更严格。半导体装置的微型化已经导致基本光刻胶化学的变化，其中分辨率、光敏性、热稳定性现在已经成为决定选择用于半导体装置加工光刻胶的重要因素。光刻胶分辨率越高，在光刻胶中要描绘的尺寸可以越小，具有较高光敏性的光刻胶可以使经过曝光步骤的底材通过量高，较高热稳定性的光刻胶可以对光刻胶使用较高的加工温度，而不会使成象的光刻胶变形。长期以来金属污染已经成为在制造高密度集成电路中和计算机芯片中的问题，常导致缺陷增加、产量损失、降解和性能降低。在等离子体的加工中，金属如钠和铁，当它们在光刻胶中存在时，能引起污染，特别是硅片涂以液体正性光刻胶和随后剥离时，如用氧微波等离子体。半导体装置的性能和稳定性常会降低。随着重复等离子体剥离，常发生装置的更多的退化。这些问题的主要原因是在光刻胶中有金属污染，特别是钠和铁离子。已经发现，在光刻胶中金属量低于1．0ppm就会对这些半导体装置有不利的影响。本发明涉及新的聚合物，这种聚合物在光敏组合物中存在时可以改进光刻胶的性能，因为它可以提供更高的感光性、干净的图象以及特别是更高的热稳定性。本发明涉及光刻胶组合物，它包括光活性化合物、溶剂组合物以及由通式(1)的取代的二苯醚与通式(2)的酚的酸催化反应的产物的新聚合物的光刻胶组合物，上述通式中，R1-R9相互无关地是H、OH、卤素、(C1-C4)烷基、(C1-C4)烷氧基、芳基或芳烷基，m=1-5和n=1-4。在本发明的一个实施方案中，在组合物中可以加入碱溶性树脂。本发明还涉及此光敏组合物的成象方法。本发明还涉及制造此新的聚合物的方法和由此聚合物衍生的光活性化合物。本发明公开了新的聚合物、其制法以及包括这种新聚合物的光敏组合物，其中聚合物是结构(1)的取代的二苯醚与结构(2)的酚的酸催化的反应产物，式中，R1-R9相互无关地是H、OH、卤素、(C1-C4)烷基、(C1-C4)烷氧基、芳基或芳烷基，m=1-5和n=1-4。本发明的光敏组合物包括聚合物、光活性化合物和溶剂，其中新聚合物可以单独使用，或与另一碱溶性成膜树脂混合使用。本发明的新的聚合物是由结构(1)的取代的二苯醚和结构(2)的酚的酸催化的缩聚反应得到。取代的二苯醚，优选为双羟甲基化的或双甲氧基羟甲基化的二苯醚，在酸催化剂存在下，成为具有两个活性点的高活性的亲电子试剂，从而提供能够同酚类物质聚合的共缩合物。酚是在基本苯环上可含1-4个羟基，优选1-3个羟基，此外还可含诸如卤素、烷基(C1-C4)或烷氧基(C1-C4)、芳基或芳烷基等取代基的酚类化合物。优选的酚是连苯三酚、间苯二酚或邻苯二酚。最优选的酚是连苯三酚。多羟基酚还可以是含有连接基团的连接酚盐基团，其中连接基团可以是氧、砜、羰基或烷基。这些化合物的实例不限于双酚A、二羟基二苯酮、二羟基砜、双酚醚等。聚合反应使用酸催化剂，例如盐酸或对甲苯磺酸。也可以使用本专业领域人员熟悉的其它酸催化剂。反应可以在没有溶剂下进行，也可以在单一溶剂或混合溶剂存在下进行。溶剂在反应条件下应是非活性的。可以使用的溶剂有丙二醇甲醚、2-庚酮、3-乙氧基-3-甲基丁醇、醋酸丁酯、二甲苯、二甘醇二甲醚、乙二醇单甲醚。反应优选在温度60℃-200℃之间进行，进行时间应足以使反应完成，优选为3-12小时。聚合反应由碱中和停止以防止在随后的蒸馏中其它的反应或链断裂。通过真空蒸馏将溶剂除去，这时，固体聚合物可以由冷却分离出来或聚合物可以作为在所选用于配制光刻胶的溶剂中的浓缩体分离出来。也可以采用其它的精制方法，如分馏，从而将特别分子量的部分除去。虽然分馏是优选的方法，但蒸馏或提取也可以采用。此外还可以对聚合物进行处理以除去存在的金属离子杂质，这样，最后的光刻胶配方中杂质含量很低。可以使用涉及含水酸提取或离子交换方法。新的聚合物可以配制成包括新聚合物、光活性化合物和溶剂组合物的光敏组合物。在本发明的另一实施方案中，在组合物中可以加入另一碱溶性树脂。光刻胶组合物的碱溶性而水不溶性树脂可以包括树脂如聚羟基苯乙烯、取代的聚羟基苯乙烯、由甲酚和醛制造的酚醛清漆树脂、分级的酚醛清漆树脂以及在本领域熟知的其他类似树脂。特别优选的组合物包括本发明的新聚合物、分级的酚醛清漆树脂、光敏化合物以及适宜的溶剂。已经发现，在树脂组合物总量中含量为约5-50重量％的新聚合物具有有利的光刻性能。当新树脂同其它树脂混合使用时，优选的重均分子量为500-4000道尔顿。可以用作碱溶性树脂的成膜酚醛清漆树脂或聚羟基苯乙烯的制造在该领域是众所周知的。制造酚醛清漆的方法在1979年纽约SpringerVerlag出版的KnopA．andScheib，W．的“酚醛树脂的化学和应用”(ChemistryandApplicationofPhenolicResins，第四章)中讨论过，在此引为参考。聚羟基苯乙烯在美国专利3，869，292和美国专利4，439，516中讨论过，在此引为参考。同样，使用邻-重氮萘醌作为光活性化合物对于该领域专业人员是熟知的，这由纽约JohnWiley&Sons，1965年出版的Kosar，J．所著的“光敏系统”(LightSensitiveSystems)7．4节可以证实，这篇文献在此也引为参考。包括本发明成分的这些敏化剂优选是取代的重氮萘醌敏化剂，这些敏化剂传统上用于正性光刻胶配方。有效的光敏剂包括但不限于由酚化合物如羟基二苯酮、低聚的酚类和多取代的多羟基苯基烷烃同萘醌(1，2)-二叠氮-5-磺酰氯、萘醌-(1，2)-二叠氮-4-磺酰氯或萘醌-(1，2)-二叠氮-6-磺酰氯或它们的混合物缩合得到的磺酸酯。这些光敏组合物的适宜的溶剂可以包括丙二醇单烷基醚、丙二醇烷基(例如甲基)醚醋酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、乳酸乙酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯和乳酸乙酯的混合物、2-庚酮、3-甲氧基-3-甲基丁醇、醋酸丁酯、苯甲醚、二甲苯、二甘醇二甲醚、乙二醇单乙醚醋酸酯。优选的溶剂是丙二醇甲基醚醋酸酯(PGMEA)、乳酸乙酯、2-庚酮、苯甲醚、乙基-3-乙氧基丙酸酯(EEP)和3-甲氧基-3-甲基丁醇。在此优选的实施方案中，在光刻胶组合物中的树脂总量为光刻胶固体成分总重量的约60％-95％，更优选为约70％-90％，最优选为约75％-85％。在此优选的实施方案中，光刻胶中存在的光活性化合物的用量为固体成分重量的约1％-35％，更优选为约5％-30％，最优选为约10％-20％。在将溶液涂于底材之前，在本发明的光刻胶溶液中可以加入其它任选的成分如着色剂、染料、抗辉纹剂、流平剂、增塑剂、粘结增进剂、增速剂、溶剂和如非离子表面活性剂的表面活性剂。可以同本发明的光刻胶组合物一起使用的染料添加剂的实例包括占树脂和光敏剂总量的1-10％重量的甲基紫2B(Cl．No．42535)、结晶紫(Cl．No．42555)、MalachiteGreen(Cl．No．42000)、VctoriaBlueB(Cl．No．44045)和天然红(Cl．No．50040)。染料添加剂通过抑制从底材的光反向散射可提高分辨率。抗辉纹剂的用量可以占树脂和光敏剂总量的至多5％。可以使用的增塑剂包括，占树脂和光敏剂总重量1％-10％重量的例如磷酸三-(β-氯乙基)酯、硬脂酸、二樟脑、聚丙烯、缩醛树脂、苯氧基树脂和烷基树脂。增塑剂添加剂改进了材料的涂布性能，使能在底材上涂布光滑和均匀厚度的薄膜。可以使用的粘结增进剂包括例如，β-(3，4-环氧-环己基)-乙基三甲氧基硅烷、对-甲基-二硅烷-甲基丙烯酸甲酯、乙烯基三氯硅烷以及γ-氨基丙基三乙氧基硅烷。用量占酚醛清漆树脂和光敏剂总重量的至多4％重量。在组合物总量中涂料溶剂用量占组合物的至多95％重量。当然，在光刻胶溶液涂于底材和干燥后溶剂基本上除去。可以使用的非离子表面活性剂包括，例如壬基苯氧基多(亚乙基氧)乙醇、辛基苯氧基乙醇，用量占固体总量的至多10％。新的聚合物还可以同萘醌-(1，2)二叠氮-5-磺酰氯、萘醌-(1，2)二叠氮-4-磺酰氯、萘醌-(1，2)-二叠氮-6-磺酰氯或它们的混合物反应得到可配制成包括新的光活性化合物和溶剂的光刻胶新的光活性化合物。在此光刻胶中任选可以加入碱溶性树脂和／或另一光活性化合物。所制备的光刻胶溶液可以通过光刻胶领域中所用的任何传统的方法涂于底材上，这些方法包括浸涂、喷涂、离心甩漆和旋涂。如果旋涂，例如，可以调节光刻胶溶液的固体的百分比以提供所用的旋涂设备类型所要求的厚度的涂层以及对旋涂过程所允许的时间。适宜的底材包括硅、铝、聚合树脂、二氧化硅、掺杂的二氧化硅、氮化硅、钽、铜、多晶硅、陶瓷、铝／铜混合物、砷化镓和其它Ⅲ／Ⅴ族化合物。由上述方法得到的光刻胶涂料特别适用于涂于热生长的硅／二氧化硅涂布的晶片，如用在生产微处理器和其它微型集成电路元件。也可以使用铝／氧化铝晶片。底材也可以包括各种聚合树脂，特别是透明聚合物如聚酯。底材可以有适宜的组合物如含六烷基二硅烷基胺的粘结增进剂。然后将光刻胶溶液涂于底材上，底材在热板上在约80℃-110℃热处理约30秒-180秒或在对流炉中处理15-40分钟。温度处理的选择是为了降低在光刻胶中残余溶剂的浓度而又不会引起光敏剂的明显的热降解。总之，要求将溶剂浓度降至最低，因此第一次温度处理进行直到几乎所有的溶剂已经完全蒸发，厚度微米级的光刻胶组合物的薄涂层保持在底材上。在优选的实施方案中，温度为约85℃-95℃。处理进行直到溶剂除去的变化率不再显著。温度和时间的选择取决于用户所要求的光刻胶的性质以及所用的设备和商业上要求的涂布时间。然后将涂布的底材曝光于光化射线特别是波长为约300毫微米-450毫微米(优选为约365毫微米)紫外线、X-射线、电子束、离子束或激光辐射下，通过用适宜的掩膜、负片、型板、模板等得到的任何要求的图案。然后在显影前或后，将光刻胶任选进行后曝光第二次烘烤或热处理。加热温度可以为约90℃-150℃，更优选为约110℃-150℃。在热板上加热时间可以为约10秒-30分钟，更优选为约45秒-90秒，或者在对流炉中约10-30分钟。将曝光的涂有光刻胶的底材用碱性的显影溶液通过喷雾显影以除去成象暴光的非图象区域。优选将溶液加以搅拌，例如用氮气泡搅拌。将底材保持在显影剂中直到所有的或基本上所有的光刻胶涂层由曝光区溶解。显影剂可以包括氢氧化铵或碱金属氢氧化物的水溶液。一种优选的氢氧化物是四甲基氢氧化铵。适宜的显影剂是AZDeveloper，是由新泽西州Somerville的AZElectronicMaterials，ClariantCorporation购得。从显影溶液中取出涂布的晶片后，可以进行任选的后显影处理或烘烤以增加涂层的粘合以及对蚀刻溶液和其它物质的化学光敏电阻。后显影热处理可以包括在涂料的软化点以下的涂层和底材的炉烘烤。工业应用，特别是在制造硅／二氧化硅型底材上的微电路装置中，显影后的底材可以用缓冲的氢氟酸碱蚀刻溶液处理。本发明的光刻胶组合物是抗酸-碱蚀刻溶液的，并对底材未曝光的光刻胶涂布区域提供了有效的保护。底材也可以由等离子体蚀刻或使金属沉积。下面的特别实施例将对生产和利用本发明组合物提供详细的说明。这些实施例决不打算限制本发明的范围，不应该看作为了实现本发明所必须唯一使用的条件、参数或数值。实施例1在装有搅拌器、温度计和恒温槽的1升圆底烧瓶中，将63克(0．5摩尔)的连苯三酚、90．6克的(0．35摩尔)的双甲氧基甲基二苯醚(MMDPE)和0．6克的(0．003摩尔)的对-甲苯磺酸(PTSA)在室温下溶解于100克的丙二醇甲醚(PGME)中。将恒温槽设置在100℃，用变阻器控制的加热罩将混合物加热到回流。温度升至110℃，这时，恒温槽被调节到相同温度。回流温度在下一个1．5小时中从110℃降到95℃，并在反应过程中保持在此温度。溶液在回流下加热共6小时，这时，加入1．3克(0．008摩尔)的三乙醇胺以中和酸催化剂。陆续将恒温槽调节到190℃、210℃最后到220℃，分步将挥发性物质蒸出直到再没有蒸馏液出来。在树脂仍是熔融的同时，在搅拌的混合物中加入乳酸乙酯直到得到溶液。将溶液调节为约固体40％重量。用凝胶透过色谱(GPC)测定的重均分子量(Mw)约为4400道尔顿。实施例2用实施例1的同样方法制备了一批树脂，不同的是用甲醇(沸点64℃-64℃)作溶剂替代PGME(沸点119℃)。得到Mw为1479道尔顿的聚合物。实施例3在装有冷凝器、顶上搅拌器和温度计以及恒温槽的500毫升的圆底烧瓶中，将63．0克(0．5摩尔)的连苯三酚、77．4克(0．3摩尔)的MMDPE和0．6克(0．003摩尔)的对甲苯磺酸溶解于100克的PGME中。恒温槽设置于110℃。将溶液在6小时反应过程中加热至回流。6小时后，加入1．3克三乙醇胺以中和酸催化剂。将溶液分步蒸馏至多220℃直到没有整流液出来。将熔融的树脂倾入结晶皿中使其固化。树脂的Mw是3647道尔顿。实施例4用下面所示的成分和比例制备了两种光刻胶，即对比样品的和试验样品。对比样品不含任何新的聚合物，而试验样品所含的树脂总浓度和对比样品相同，但用实施例1的新聚合物代替了2．46％的总树脂。两者的光活性化合物是70％酯化的71％NK280和60％酯化(由NipponZeonCo．得到的专有的2，1，5重氮萘醌化合物)(PAC)的29％NK240。用于两种样品的碱溶性树脂是由以5∶4∶2之比的间-甲酚、对甲酚和2，3，5-三羟基苯甲醛或低聚甲醛，以酚和甲醛1-0．68总摩尔比用0．03％的草酸作酸催化剂(碱树脂)缩合得到的分级树脂(原料树脂)。样品如下制备<tablesid="table1"num="001"><table>成分对比样品试验样品PAC2．86克2．86克原料树脂8．14克6．91克实施例1的新聚合物0．00克1．23克乳酸乙酯33．15克33．15克醋酸正丁酯5．85克5．85克</table></tables>硅片用样品涂成0．97微米厚的涂层。在90℃软烘烤90秒，在Nikon-i-line曝光装置上用0．54NA曝光，接着在110℃进行60秒的后曝光烘烤(PEB)，然后在AZMIF300显影剂(四甲基氢氧化铵)(由新泽西的Somerville的AZElectronicMaterials，ClariantCorporation购得)中在23℃显影70秒。两种样品的电子显微照片(SEM)比较了拍摄速度、驻波、侧壁剖面以及严格尺寸的再现。为了复制标定的最佳剖面，试验样品的照相速度比对比样品快26％。此外，试验样品显示出更敏锐的侧壁剖面、较少的驻波和在最细的分辨线有更好的分辨率。实施例5光刻胶配方制备如下试验样品用实施例1的新聚合物制成，而对比样品通过用B1-126X(由NipponZeonCo．购得的专有的单体酚拍摄速度增进化合物)替代新聚合物。<tablesid="table2"num="002"><table>成分对比样品实验样品PAC2．86克2．86克原料树脂6．91克6．91克B1-126X1．23克0．00克实施例1的新聚合物0．00克1．23克乳酸乙酯33．15克33．15克醋酸正丁酯5．85克5．86克</table></tables>在实施例4所述条件下，将硅片涂布、曝光和显影。使用大特征尺寸的图象，调节曝光使每个样品分辨率最佳。在热板上将各个涂布的晶片加热，温度范围为110℃-130℃，每次增加5℃。用第二个电子显微镜检查样品，记录保持完整特征的可能的最高温度。实验样品在120℃-125℃保持了侧壁剖面，而对比样品在115℃-120℃只能保持相同的剖面水平。这样，用本发明的新聚合物制造的实验样品与对比样品相比有较好的热稳定性。实施例6在1升的圆底烧瓶中，在200克的醋酸正丁酯中溶解108克(1摩尔)的65／35％间／对甲酚的混合物。在此溶液中，将0．85克(0．005摩尔)的对甲苯磺酸和180．6克(0．7摩尔)的双甲氧基甲基二苯醚(MMDPE)溶解。将溶液加热回流6小时。溶液变为暗橙红色，而且更粘。将溶液在大气压下在200℃蒸馏，然后在220℃30毫米汞柱下蒸馏直到没有凝结液体出来。将熔融的材料倾入结晶皿中，使之冷却。得到褐色固体，凝胶透过色谱测定的重均分子量约15，000。将5．7克的聚合物同2．4克的三羟基苯基乙烷的2，1，5重氮萘醌酯，2．45克B1-126X在78．1克的乳酸乙酯(EL)中配制成光刻胶。涂布光刻胶并如实施例4中成象，得到图象。实施例7将108克(1摩尔)的65／35％混合的间／对甲酚和0．85克(0．005摩尔)对甲苯磺酸溶解在200克的醋酸正丁酯中，将此溶液加热到95℃，并缓慢加入52．7克(0．65摩尔)甲醛(37％的福尔马林溶液)和15．5克(0．06摩尔)的MMDPE混合物。将反应混合物加热回流6小时，然后在大气压下蒸馏到200℃，最后在30毫米汞柱真空下蒸馏到200℃。然后使熔融树脂在结晶皿中冷却。得到褐色的固体树脂，用凝胶透过色谱测定的重均分子量为约12，000。当配制成光刻胶并按照实施例6的相同的方法成象时，得到图象。实施例8用在实施例2中所示的相同的反应和分离条件，通过使1摩尔的65／35％混合的间／对-甲酚混合物同0．65摩尔MMDPE的反应，制备了实施例6的低分子量的类似物。分离的树脂的Mw为约1400。在装有水／乙二醇的循环冷却浴的1升水夹套的烧瓶中，将制备的30．2克(0．1摩尔)树脂同18．8克(0．07摩尔)2，1，5重氮萘醌磺酰氯在490克的γ-丁内酯中混合。在这冷却后溶液中，缓慢加入8．09克(0．08摩尔)的吗啉，同时保持温度低于15℃。加完后，将溶液加热到30℃6小时。加入1克醋酸猝灭剩余的碱。将悬浮的盐滤出，滤液通过缓慢加入10升的冷蒸馏水使之沉淀。固体在50℃的真空下干燥。产物是光活性化合物，可以用于制造典型的正性光刻胶配方。光活性化合物可以在溶剂中单独使用，或作为光活性化合物加到酚醛清漆树脂和／或本发明新聚合物在乳酸乙酯中的混合物使用。权利要求1．光刻胶组合物，包括下面成分a)新聚合物，此聚合物是由结构(1)的取代的二苯醚与结构(2)的酚进行酸催化反应的产物，其中R1-R9相互无关地为H、OH、卤素、(C1-C4)烷基、(C1-C4)烷氧基、芳基或芳烷基，m=1-5，n=1-4，b)光活性化合物，以及c)光刻胶溶剂组合物。2．权利要求1的光刻胶组合物，其中该光刻胶还包括碱溶性成膜树脂。3．权利要求2的光刻胶组合物，其中碱溶性成膜树脂选自酚醛清漆、聚羟基苯乙烯以及取代的聚羟基苯乙烯。4．权利要求2的光刻胶组合物，其中碱溶性成膜树脂占树脂组合物总量的约50-95％。5．权利要求2的光刻胶组合物，其中新聚合物的重均分子量为500-4000道尔顿。6．权利要求1的光刻胶组合物，其中取代的二苯醚是双甲氧基甲基二苯醚。7．权利要求1的光刻胶组合物，其中酚选自连苯三酚、间苯二酚和邻苯二酚。8．权利要求1的光刻胶组合物，其中光活性化合物选自2，1，4-重氮萘醌磺酸酯、2，1，5-重氮萘醌磺酸酯、2，1，6-重氮萘醌磺酸酯或它们的混合物。9．权利要求1的光刻胶组合物，其中光刻胶溶剂组合物选自丙二醇单烷基醚、丙二醇甲醚醋酸酯、2-庚酮、醋酸丁酯、苯甲醚、醋酸戊酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乳酸乙酯、乙二醇单甲醚醋酸酯以及它们的混合物。10．权利要求1的光刻胶组合物还包括一种或多种选自着色剂、流平剂抗辉纹剂、增塑剂、粘结增进剂、速度增进剂以及表面活性剂的添加剂。11．制造新聚合物的方法，此聚合物是结构(1)的取代的二苯醚与结构(2)的酚进行酸催化反应的产物，其中R1-R9相互无关地为H、OH、卤素、(C1-C4)烷基、(C1-C4)烷氧基、芳基或芳烷基，m=1-5，n=1-4。12．权利要求11的方法，其中酸催化剂是对甲苯磺酸。13．权利要求11的方法，其中反应在溶剂存在下进行。14．权利要求13的方法，其中溶剂选自丙二醇甲醚、2-庚酮、3-乙氧基-3-甲基丁醇、醋酸丁酯、二甲苯、二甘醇二甲醚、乙二醇单乙醚以及它们的混合物。15．权利要求11的方法，新聚合物还同2，1，5-萘醌二叠氮、2，1，4-萘醌二叠氮、2，1，6-类醌二叠氮或它们的混合物反应。16．光刻胶成象方法，包括以下步骤a)用权利要求1的正性光刻胶组合物涂布底材，b)将涂布的底材热处理直至除掉基本上所有的溶剂组合物，c)将涂布的光刻胶组合物在光化射线下进行成象暴光，d)用显影剂将所说的涂布的光刻胶组合物的曝光的图象区域除去，e)在上述除去步骤之前或之后，任选地将底材加热。17．权利要求16的方法，还包括在曝光后但在显影前将所说的涂布的底材在热板上在温度约90℃-150℃加热约30秒-180秒，或在炉中加热15分钟-40分钟。18．权利要求16的方法，还包括在显影后将所说的涂布的底材在热板上在温度约90℃-150℃加热约30秒-180秒，或在炉中加热15分钟-40分钟。19．权利要求16的方法，其中用波长约180毫微米-450毫微米的射线进行曝光。20．权利要求16的方法，其中显影剂是四甲基氢氧化铵的水溶液。全文摘要一种包括成膜树脂、光活性组合物以及溶剂的光刻胶组合物。成膜树脂是由酚衍生物和取代的二苯醚缩合得到的。此光刻胶还可以含碱溶性的成膜树脂,如酚醛清漆树脂。本发明的光刻胶改进了光刻胶图象的拍摄速度、分辨率和热稳定性。文档编号C08L61/04GK1279777SQ98811345公开日2001年1月10日申请日期1998年11月10日优先权日1997年11月21日发明者S·F·瓦奈特,K·H·詹森,卢炳宏,D·S·麦肯基申请人:克拉里安特国际有限公司