求9所定义，和A。为不同于U和Ar1-3的芳基或 杂芳基，具有5-30个环原子，任选被一个或多个如权利要求9所定义的基团Rs取代，和选 自具有电子受体性质的芳基或杂芳基，其中所述聚合物包含至少一种式Ilia或Illb的重 复单元，其中b为至少1。
11. 根据权利要求1-10 -项或多项的聚合物，特征在于其选自式IV:
其中 A、B、C彼此独立地表示不同的如权利要求1-10 -项或多项所定义的式I、Ila、lib、Ilia、Illb、或它们子式的单元， x为>0和< 1， y为彡0和〈1， z为彡0和〈1， x+y+z为 1，和 n为>1的整数。
12. 根据权利要求1-11 一项或多项的聚合物，特征在于其选自以下子式 [ (Ar^U-Ar2) x- (Ar3) y] n-* IVa [ (Ar^U-Ar2) x- (Ar3-Ar3) y] n-* IVb [ (Ar^U-Ar2) x- (Ar3-Ar3-Ar3) y] n-* IVc *_ [ (Ar1) a-⑶ b- (Ar2) c- (Ar3) d] n_* IVd *_ ([ (Ar1) a-⑶ b_ (Ar2)「(Ar3)丄-[(Ar1) a- (Ac) b- (Ar2)「(Ar3) d] y) n_* IVe *- [ (U-Ar'-U) x- (Ar2-Ar3) y] n-* IVf [ (IJ-Ar1-!!) x- (Ar2-Ar3-Ar2) y] n-* IVg *_ [ (U) b_ (Ar1) a- (U) b- (Ar2) c] n_* IVh *_ ([⑶ b_ (Ar1) a-⑶ b_ (Ar2)丄-[(Ae) b- (Ar1) a- (Ae) b- (Ar2) d] y) n_* IVi *- [ (U-Ar1) x- (U-Ar2) y- (U-Ar3)Jn_* IVk 其中U、Ar1、Ar2、Ar3、a、b、c和d每次出现时相同或不同地具有权利要求9所给出的 含义之一，f每次出现时相同或不同地具有权利要求10所给出的含义之一，和x、y、z和 n如权利要求11所定义的，其中这些聚合物可为交替或无规共聚物，和其中式IVd和IVe 中的至少一个重复单元[(ArUuKAr2)。-^3)」中和至少一个重复单元[(Ar'-W) 中，b为至少1，和其中式IVh和IVi中的至少一个重复单元[(U)b-(Ar1) a-(U)b-(Ar2)d]中和至少一个重复单元[(ULl-^L2)」中b为至少1。
13. 根据权利要求1-12 -项或多项的聚合物，特征在于其选自式V R5-链-R6V 其中"链"为选自如权利要求11或12所定义的式IV或IVa-IVk的聚合物链，R5和R6彼此独立地具有如权利要求9所定义的Rs含义之一，或者彼此独立地表示H、F、Br、C1、 I、-CH2C1、-CH0、-CR，=CR" 2、-SiR，R"R"，、-SiR，X，X"、-SiR，R"X，、-SnR，R"R"，、-BR'R"、-B(OR'）（OR" )、-B(OH)2、-0-S02-R'、-CeCH、-Cec-SiR'3、-ZnX' 或封端基团，其 中X'和X"表示卤素，R'、R"和R" '彼此独立地具有权利要求1给出的R°含义之一，且 R'、R"和R" '中的两个还可以和与它们相连的杂原子一起形成环。
14. 根据权利要求1-13-项或多项的聚合物，其中Ar^Ar2和Ar3的一个或多个表示选 自下式的芳基或杂芳基
其中X11和X12之一为S而另一个为Se，和Rn、R12、R13、R14、R15、R16、R17和R18彼此独立 地表不H或具有如权利要求9所定义的Rs含义之一。
15.根据权利要求1-14 一项或多项的聚合物，其中A^和/或Ar3表示选自下式的芳基 或杂芳基
其中X11和X12之一为S而另一个为Se，和Rn、R12、R13、R14和R15彼此独立地表示H或具 有如权利要求9所定义的Rs含义之一。
16. 混合物或聚合物共混物，其包含一种或多种根据权利要求1-15 -项或多项的聚合 物和一种或多种化合物或聚合物，所述化合物或聚合物具有半导体、电荷传输、空穴/电子 传输、空穴/电子阻挡、导电、光导或发光的性质。
17. 根据权利要求16的混合物或聚合物共混物，特征在于其包含一种或多种根据权利 要求1-15 -项或多项的聚合物和一种或多种n-型有机半导体化合物。
18. 根据权利要求17的混合物或聚合物共混物，特征在于所述n-型有机半导体化合物 为富勒烯或取代的富勒烯。
19. 组合物，其包含一种或多种根据权利要求1-18 -项或多项的聚合物、混合物或聚 合物共混物，以及一种或多种溶剂，所述溶剂优选选自有机溶剂。
20. 根据权利要求1-19 一项或多项的聚合物、混合物、聚合物共混物或组合物在光学、 光电学、电子、电致发光或光致发光器件中、或在这些器件的组件中、或在包含这些器件或 组件的装配中作为电荷传输、半导体、导电、光导或发光材料的用途。
21. 电荷传输、半导体、导电、光导或发光材料，其包含根据权利要求1-20-项或多项 的聚合物、组合物、混合物或聚合物共混物。
22. 光学、光电学、电子、电致发光或光致发光器件，或其组件、或包含它的装配，其包含 根据权利要求1-21 -项或多项的电荷传输、半导体、导电、光导或发光材料，或者包含聚合 物、混合物、聚合物共混物或组合物。
23. 根据权利要求22的器件、其组件或包含它的装配，其中所述器件选自有机场效应 晶体管（OFET)、薄膜晶体管（TFT)、有机发光二极管（OLED)、有机发光晶体管（OLET)、有机 光伏器件（OPV)、有机光探测器（OPD)、有机太阳能电池、激光二极管、肖特基二极管和光导 体，所述组件选自电荷注入层、电荷传输层、中间层、平坦化层、抗静电膜、聚合物电解质膜 (PEM)、导电基材、导电图案，且所述装配选自集成电路（1C)、射频识别（RFID)标签或含有 它们的安全标记或安全器件、平板显示器或其背光、电子照相器件、电子照相记录器件、有 机存储器件、传感器件、生物传感器和生物芯片。
24. 根据权利要求23的器件，其为OFET、体异质结（BHJ)OPV器件或倒置式BHJOPV器 件。
25. 式Via或VIb单体 R7- (Ar1)a-U- (Ar2)C-R8Via R7-U- (Ar1)a-U-R8VIb 其中a和c如权利要求9所定义，Ujr1和Ar2如权利要求9或15所定义，R7和R8选自Cl、Br、I、0-甲苯磺酸酯基、0-三氟甲磺酸酯基、0-甲磺酸酯基、0-全氟丁磺酸酯基、-SiM ef'-SiMeFp-O-SOJ^-B^ZSp-CZ3:C(Z3)2、-CeCH、-CecSiOp-ZnX。和-Sn(Z4)3， 其中X°是卤素，优选Cl、Br或I，Z14选自烷基和芳基，每个为任选取代的，且两个基团Z2还 可以一起形成环状基团。
26. 根据权利要求25的单体，其选自下式 R7-Ar-U-Ar2-R8VII R7-U-R8VI2 R7-Ar-U-R8VI3 R7-U-Ar2-R8VI4 R7-U-Ar-U-R8VI5 其中U、Ar1、Ar2、R7和R8如权利要求25所定义。
27. 在芳基-芳基偶联反应中通过将一种或多种根据权利要求25或26的单体，其中R7 和R8选自（：1、81~、1、-8(022)2和-511(2 4)3，与彼此和/或与一种或多种选自下式的单体偶联 来制备根据权利要求1-15 -项或多项的聚合物的方法 R7- (Ar1)-Ac~(Ar2)C-R8VIII R7-Ar-R8IX R7-Ar3-R8X 其中Ar\Ar2、a和c如权利要求25所定义，Ar3如权利要求9、14或15所定义，A。如权 利要求10或11所定义，和R7和R8选自Cl、Br、I、-B(0Z2) 2和-Sn(Z4) 3。
【专利摘要】本发明涉及含有一种或多种多环重复单元的新的共轭聚合物；涉及它们的制备方法和其中使用的析出物或中间体；涉及含有它们的聚合物共混物、混合物和组合物；涉及所述聚合物、聚合物共混物、混合物和组合物在有机电子器件(OE)、特别是有机光伏器件(OPV)和有机光探测器(OPD)中作为有机半导体的用途；和涉及包含这些聚合物、聚合物共混物、混合物或组合物的OE、OPV和OPD器件。
【IPC分类】C08G61-12, H01L51-05, H01L51-00, H01B1-12, C07D495-22
【公开号】CN104583267
【申请号】CN201380043654
【发明人】W·米歇尔, 王常胜, N·布劳因, M·德拉瓦利, 宋晶尧
【申请人】默克专利股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年7月10日
【公告号】EP2888307A1, WO2014029453A1