含二苯砜噻二唑硫醚的二巯基高折射率单体及合成方法

文档序号:8354184阅读:279来源:国知局
含二苯砜噻二唑硫醚的二巯基高折射率单体及合成方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及光学树脂技术领域,具体是设及一种含二苯讽唾二挫硫離的二琉基高 折射率单体及合成方法。
【背景技术】
[0002] 由于具有高折射率的光学材料在光纤、LED封装材料、建筑材料、触摸屏、镜片树 月旨、光学滤镜、光电器件W及减反射涂层领域中具有很好的的发展前景,因此高折射率光学 材料一直是人们重点研究的材料之一。
[0003] 传统无机材料虽然具有很高的折射率,但无机材料因为密度大,初性差,不易加 工,不易染色,尤其是在制备减反射涂层中,由于不易做到无机材料的折射率连续可调,该 就无疑增加了加工过程的成本。
[0004] 相比较于无机材料,光学树脂由于其质轻、抗冲击、易加工成型、可染色及优异的 光学性能,越来越受到人们的青睐。但是,通常光学树脂的折射率只能通过基团的改变在 一个相对较小的范围内进行调节,较低的折射率且综合性能不太理想限制了光学树脂的适 用范围,所W合成新的高性能透明树脂成为光学塑料发展的必然趋势,根据经典的电磁理 论,为提高树脂的折射率,可W通过在聚合物分子结构中引入具有较高的摩尔折射度和较 小分子体积的基团,如硫、苯环、面素、重金属等。
[0005] 含硫光学树脂具有折光指数高,色散低,比重小,环境稳定性好,固化成膜后机械 性能优异,耐刮擦性强等优点,因此含硫树脂的综合性能一般优于其它树脂,也是近几年研 究较为热口的一类光学树脂。本发明就采用引入硫離和讽基来制备一种含二苯讽唾二挫硫 離的二琉基高折射率单体。

【发明内容】

[0006] 本发明要解决的技术问题为克服现有技术中的不足指出,提供一种含二苯讽唾二 挫硫離的二琉基高折射率单体,该单体不仅自身具有较高的折射率,而且采用多种方法制 备成聚合物后,其聚合物也有着很高的折射率,同时满足作为光学材料要求的透光率W及 较好的机械性能,拓宽了实际应用范围,可作为减反射涂层,LED封装材料等多种场合使用。
[0007] 本发明要解决的另一个技术问题为提供上述含二苯讽唾二挫硫離的二琉基高折 射率单体的合成方法。
[000引为解决本发明的技术问题,所采用的技术方案为:一种含二苯讽唾二挫硫離的二 琉基高折射率单体,其分子结构如式(I)所示:
【主权项】
1. 一种含二苯砜噻二唑硫醚的二巯基高折射率单体,其分子结构如式(I)所示:
2. -种如权利要求1所述含二苯砜噻二唑硫醚的二巯基高折射率单体的合成方法,包 括Wi 11 iamson合成法,其特征在于:在保护气氛条件下,将2, 5-二巯基-1,3, 4-噻二唑、碱 以及4, 4'-二氯二苯砜于反应容器中反应过夜,反应温度为150~240°C,反应结束后冷却, 加入萃取剂,收集有机相,用水洗去无机物,再用醇洗去未反应掉的反应物,干燥产物,得到 式(I)所示树脂单体。
3. 根据权利要求2所述的含二苯砜噻二唑硫醚的二巯基高折射率单体的合成方 法,其特征在于:2, 5-二巯基-1,3, 4-噻二唑与碱的摩尔比为1:0. 5~1. 1,2, 5-二巯 基-1,3, 4-噻二唑与4, 4' -二氯二苯砜的摩尔比为2~2. 6:1。
4. 根据权利要求2或3所述的含二苯砜噻二唑硫醚的二巯基高折射率单体的合成方 法,其特征在于:所述碱是似0!1、1(0!1、似 20)3、1(20)3、似!10)3、腿0) 3、三乙胺和对二甲胺基吡啶 中的一种或几种的混合物。
5. 根据权利要求2所述的含二苯砜噻二唑硫醚的二巯基高折射率单体的合成方法,其 特征在于:洗去未反应掉的反应物所用的醇为无水乙醇或无水甲醇。
6. -种如权利要求1所述含二苯砜噻二唑硫醚的二巯基高折射率单体的应用,其特征 在于:式(I)所示单体与环氧氯丙烷反应制备如式(II)所示的环氧单体,
【专利摘要】本发明涉及光学树脂技术领域,具体是涉及一种含二苯砜噻二唑硫醚的二巯基高折射率单体及合成方法。通过Williamson合成法将2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑、碱以及4,4’-二氯二苯砜于反应容器中反应,冷却,加入萃取剂,收集有机相,用水洗去无机物,再用醇洗去未反应掉的反应物,干燥产物,得到该含二苯砜噻二唑硫醚的二巯基高折射率单体,该单体含有硫醚键和砜基的对称二巯基分子,在保证较高折射率的基础上解决了后续反应选择反应物的问题,两端的巯基可以与多种官能团反应制备相应的具有较高折射率的聚合物,并且具有较好的透光率、机械性能以及附着力,可作为减反射涂层以及LED封装等多种场合的应用。
【IPC分类】C07D285-125, C07D417-14
【公开号】CN104672175
【申请号】CN201510098886
【发明人】徐卫兵, 陈凯, 毛亚俊, 周正发
【申请人】合肥工业大学
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2015年3月5日
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