导电性粘结剂组合物、电子装置、阳极层压体以及电子装置的制备方法

文档序号:3750343阅读:339来源:国知局
专利名称:导电性粘结剂组合物、电子装置、阳极层压体以及电子装置的制备方法
技术领域
本发明涉及导电性粘结剂组合物、电子装置、阳极层压体以及电子装置的制备方法。
背景技术
近年来,在有机电致发光、各种太阳能电池、触控式面板或移动电话、电子纸等方面,正积极地研究使用透明导电膜的透明电极。例如,以有机薄膜太阳能电池为代表的有机光电转换或电光转换装置,通常为在由透明导电膜所构成的电极上层压材料来制作。作为透明导电膜,正研究金属薄膜、金属氧化物薄膜、导电性氮化物薄膜等的 各种导电膜,由于能够兼具透光性和导电性且耐久性也优良,目前主要是以金属氧化物薄膜为主流。其中,特别是掺杂锡的氧化铟(ΙΤ0),由于透光性与导电性的平衡良好且通过使用酸溶液的湿式蚀刻容易形成电极微细图案,因此被广泛地使用(专利文献I)。另一方面,公开了一种在PET等的透明基材上形成了金属制的微细网孔或网格的薄片(专利文献2)。由于这些薄片的透光性及导电性能够依据筛孔的设计(依照间距、线宽而决定开口率)而控制,从而具有作为透明电极的利用可能性。在此,以往的电子装置,在将由有机元件材料所形成的层进行层压的情况下,通过以真空蒸镀法及与其类似的干式工序或者以涂布为代表的湿式工序、或经由粘结层的层压工序来制备(专利文献3 )。在这种层压工序中,期望具有粘结性的透明导电膜和透明导电薄膜,但是以往的透明导电薄膜,其透明性、粘结性及低电阻率的平衡成为课题。因此,作为导电性粘结剂组合物中的导电性成分,公开了使用如聚噻吩或其衍生物那样的导电性有机高分子化合物,更具体地,公开了通过经由含有导电性有机高分子化合物的粘结层的层压工序(参照专利文献4)来制备电子装置。然而,经由含有导电性有机高分子化合物的粘结层的层压工序,在界面的清洁性、均匀性为重要要素的用途方面,其利用受到限制。此外,存在粘结层的导电性低、在层压界面的载体注入效率降低、或者界面的粘着力低等电子装置的性能降低的问题。在先技术文献专利文献专利文献1:特开2007-305351号公报专利文献2:特开2008-288102号公报专利文献3:特开2006-352073号公报专利文献4:特表2009-500832号公报

发明内容
本发明鉴于上述问题而完成,目的在于提供一种解决了上述问题的导电性粘结剂组合物、具有由导电性粘结剂组合物所形成的导电层的电子装置、层压该导电层而成的阳极层压体、以及该电子装置的制备方法。为了解决上述问题,本发明的发明人进行了深入研究,结果发现通过在水溶性聚乙烯基聚合物中与导电性有机高分子化合物一起添加特定的有机添加物,能够解决上述问题,从而完成了本发明。S卩,本发明提供下述:(I) 一种导电性粘结剂组合物,该导电性粘结剂组合物为含有水溶性聚乙烯基聚合物A、有机添加剂B以及导电性有机高分子化合物C的导电性粘结剂组合物,其特征在于,有机添加剂B为选自水溶性多元醇、水溶性吡咯烷酮类或亲水性的非质子性溶剂的至少一种,导电性有机高分子化合物C为选自聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类及其衍生物的至少一种;(2)根据(I)所述的导电性粘结剂组合物,其中,以水溶性聚乙烯基聚合物的玻璃化温度为Tl、以有机添加剂B的熔点为T2、以有机添加剂在0.1OlMPa (760mmHg)下的沸点为T3时,满足T2〈T1〈T3 ;(3)根据的导电性粘结剂组合物,其中,水溶性聚乙烯基聚合物为选自聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮以及聚丙烯酸的至少一种;(4) 一种电子装置,其特征在于,该电子装置具有由上述(I)所述的导电性粘结剂组合物所形成的导电层;(5)根据上述(4)所述的电子装置,其中,该电子装置为按照阳极层、由上述(I)所述的导电性粘结剂组合物所形成的导电层、光电转换层、以及阴极层的顺序进行配置而形成;(6)根据上述(4)所述的电子装置,其中,该电子装置为按照阳极层、由上述(I)所述的导电性粘结剂组合物所形成的导电层、发光层以及阴极层的顺序进行配置而形成;(7) —种阳极层压体,该阳极层压体为在基材上按照阳极层和由上述(I)所述的导电性粘结剂组合物所形成的导电层的顺序进行层压而形成;以及,
(8)—种电子装置的制备方法,该制备方法为上述(4)所述的电子装置的制备方法,其特征在于,在阳极层上形成由上述(I)所述的导电性粘结剂组合物形成的导电层,以形成阳极层压体的工序;在阴极层上形成所述光电转换层或发光层,以形成阴极层压体的工序;在所述导电性粘结剂组合物软化的温度以上,将所述阴极层压体的光电转换层或发光层表面与所述阳极层压体的导电层表面贴合。本发明的导电性粘结剂组合物,通过向导电性有机高分子化合物中添加特定的(共)聚合物和特定的有机添加剂,使得由该导电性粘结剂组合物所形成的层,表面电阻低且透明性高,能够作为电子装置的导电层使用。此外,由本发明的导电性粘结剂组合物所形成的导电层,由于其本身具有优良的粘结性,能够通过层压工序制备电子装置。


[图1]图1 (a)为表示具有本发明的导电层的电子装置的一个例子的截面的示意图。图1 (b)为表示本发明的电子装置的制备方法的示意图。[图2]图2为表示本发明的电子装置之一的太阳能电池的电流密度与电压的关系的图。
具体实施例方式以下,针对本发明的导电性粘结剂组合物、电子装置、阳极层压体及电子装置的制备方法,详细地进行说明。[I]导电性粘结剂组合物首先,针对导电性粘结剂组合物中的各成分进行说明。水溶性聚乙烯基聚合物成分(A)的水溶性聚乙烯基聚合物,为用于不降低导电层的导电性而对由导电性粘结剂组合物所形成的导电层赋予充分的粘结性的物质。水溶性聚乙烯基聚合物还含有温水可溶性聚乙烯基聚合物。从成膜性、粘结性及操作性的观点考虑,水溶性聚乙烯基聚合物的玻璃化温度(Tg),优选-50°C至150°C的范围,优选为20-140°C,更优选为30_130°C,进一步优选为40-120°C。水溶性聚乙烯基聚合物,为在聚合物中具有-CH2-CH(R)-的结构单元的聚合物。只要在聚合物中至少含有该结构单元30mol%以上,则没有特别的限定。水溶性聚乙烯基聚合物可以为含有该结构单元的均聚物,也可以为共聚物。这些中,优选R为羟基、羧基、吡咯烷酮基、丙烯酰胺基的任意 一种。在聚合物中具有羧基是指具有-CH2-CH(COOH)-的结构单元。作为具有羧基的水溶性聚乙烯基聚合物的具体例子,例如可举出聚丙烯酸(PAA)等。在聚合物中具有羟基为具有-CH2-CH(OH)-的结构单元。作为具有羟基的水溶性聚乙烯基聚合物的具体例子,例如可举出聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇-乙烯共聚物、聚乙烯醇- (N-乙烯基甲酰胺)共聚物、聚乙烯醇-乙酸乙烯酯共聚物等。具有羟基的水溶性聚乙烯基聚合物,可以为部分被皂化而成的,也可以为完全被皂化而成的。皂化度优选20-100mol%,更优选35_100mol%,进一步优选40_100mol%。皂化度不足20mol%时,溶解性降低。具有吡咯烷酮基的水溶性聚乙烯基聚合物为具有-CH2-CH(NC4O)-的结构单元的聚合物;作为具体例子,例如可举出聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、N-乙烯基-2-吡咯烷酮-乙烯共聚物、N-乙烯基-2-吡咯烷酮-乙酸乙烯酯共聚物等。具有丙烯酰胺基的水溶性聚乙烯基聚合物为具有-CH2-CH(CONH2)-的结构单元的聚合物;作为具体例子,例如可举出聚丙烯酰胺等。以赋予各种功能作为目的,水溶性聚乙烯基聚合物也可以含有上述结构单元以外的疏水基或阳离子性基、含磺酸基的阴离子性基、硫醇基、羰基、硅烷醇基等的官能团。从能够容易地制备后述的电子装置的观点考虑,这些水溶性聚乙烯基聚合物中优选R为羟基、羧基、吡咯烷酮基中任意一种,优选PVA或PVP、PAA ;其中,从所得到的导电层的导电性和粘结性的观点考虑,进一步优选为R为羧基的PAA。水溶性聚乙烯基聚合物的重均分子量(Mw)通常为500-50万,优选为500-30万,更优选为1000-20万,进一步优选为3000-15万。水溶性聚乙烯基聚合物的Mw在该范围时,在本发明的电子装置或阳极层压体中可显现充分的成膜性及粘结性。而且,所述Mw为使用凝胶渗透层析法(GPC)所测定的标准聚苯乙烯换算的数值。上述水溶性聚乙烯基聚合物,只要具有30mol%以上的上述结构单元即可,也可以共聚合I种或2种以上的可共聚合的其它乙烯性不饱和单体。作为可共聚合的其它乙烯性不饱和单体,例如可举出甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、乙酸异丙烯酯、戊酸乙烯酯、癸酸乙烯酯、癸酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯、叔碳酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯等的羧酸乙烯酯单体;乙烯、丙烯、丁烯等的烯烃类;苯乙烯、α -甲基苯乙烯等的芳香族乙烯类;甲基丙烯酸、反丁烯二酸、顺丁烯二酸、衣康酸、反丁烯二酸单乙酯、顺丁烯二酸酐、衣康酸酐等的乙烯性不饱和羧酸单体;(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、反丁烯二酸二甲酯、顺丁烯二酸二甲酯、顺丁烯二酸二乙酯、衣康酸二异丙酯等的乙稀性不饱和竣酸烧基酷单体;甲基乙稀基酿、正丙基乙稀基酿、异丁基乙稀基酿、十_■烧基乙烯基醚等的乙烯基醚单体;(甲基)丙烯腈等的乙烯性不饱和腈单体;氯乙烯、偏二氯乙烯、氟化乙烯、偏二氟乙烯等的卤化乙烯基单体或亚乙烯基单体;乙酸烯丙酯、烯丙基氯等的烯丙基化合物;乙烯磺酸、(甲基)烯丙基磺酸、2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸等的含磺酸基的单体;氯化3-(甲基)丙烯酰胺丙基三甲铵等含四级铵基的单体;乙烯基三甲氧基硅烷、N-乙烯基甲 酰胺、甲基丙烯酰胺等,能够使用这些中的I种或2种以上。其次,对成分(B)的有机添加剂进行说明。本发明的成分(B)的有机添加剂,其特征在于,为选自水溶性多元醇、水溶性吡咯烷酮类和亲水性的非质子性溶剂的至少一种。有机添加剂以提高导电性为目的而添加。虽然详细情况不清楚,但通过添加这样的有机添加剂,与后述成分(C)的导电性有机高分子化合物的取向性(配向性)提高,使得导电性提闻。作为成分(B)的有机添加剂,优选在1.1OlMPa (760mmHg)下的沸点为100°C以上的有机添加剂。沸点低于100°c时,在导电性粘结剂组合物的混合过程、保存中或后述的制备电子装置时的各种加热过程中,由于有机添加剂的挥发.飞散,其掺合比率降低,导致提高导电性的效果下降,因而不优选。更优选沸点为120_300°C,进一步优选为140_300°C的范围。作为成分(B)的有机添加剂之一的水溶性多元醇,可举出甘油、双甘油、聚甘油、乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇、1,3-丁二醇(1,3- 7''夕' > '7' 才一 >)、1,4_ 丁二醇、赤藓糖醇、山梨糖醇、山梨糖醇酐、葡萄糖、麦芽糖醇、聚乙二醇、1,2- 丁二醇、1,3- 丁二醇(1,3-7''^- 'J -一>)、2,3-丁二醇、3-甲基-1,3-丁二醇、四甲撑二醇、1,2-戊二醇、1,2-己二醇、三羟甲基丙烷、季戊四醇、甲基葡糖苷、聚丙二醇、木糖醇、海藻糖、麦芽糖醇、甘露糖醇以及它们的环氧烷烃衍生物等,可以使用它们中的I种或2种以上。
作为成分(B)的有机添加剂之一的水溶性吡咯烷酮类,可举出N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-丙基吡咯烷酮、N-异丙基吡咯烷酮、N- 丁基吡咯烷酮、N-叔丁基吡咯烷酮、N-戊基吡咯烷酮、N-己基吡咯烷酮、N-庚基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮、N-辛基吡咯烷酮、N-(2-乙基己基)吡咯烷酮、N-苯基吡咯烷酮、N-苄基吡咯烷酮、苯乙基吡咯烷酮、2-甲氧基乙基吡咯烷酮、2-甲氧基丙基吡咯烷酮、2-羟丙基吡咯烷酮、乙烯基吡咯烷酮、2-吡咯烷酮等,可以使用它们中的I种或2种以上。本发明中,作为成分(B)的有机添加剂之一,可以添加非质子性溶剂。本发明中,非质子性溶剂是不挥发.飞散地掺合在导电性粘结剂组合物中的溶剂。作为这样的成分(B)的有机添加剂之一的亲水性非质子性溶剂,可举出二甲基亚砜及N,N- 二甲基甲酰胺。本发明中,优选选定成分(B)与成分(A)之间满足以下的关系的组合。S卩,以成分(A)的水溶性聚乙烯基聚合物的玻璃化温度(Tg)为Tl、以成分(B)的有机添加剂的熔点为T2、以有机添加剂在0.1OlMPa (760mmHg)下的沸点为T3时,满足T2〈T1〈T3的组合。在此,成分(A)的水溶性聚乙烯基聚合物的玻璃化温度Tl为使用[示差扫描型热量测定(DSC)测定器]所测定的值。作为与成分(A)之间满足上述的关系的成分(B)的水溶性多元醇的具体例子,例如可举出甘油[熔点Τ2:18°C、沸点Τ3:2900C ]、乙二醇[熔点T2:-11.5°C、沸点T3:1970C ]、二乙二醇[熔点 T2:-6.5°C、沸点 T3:245°C ]、丙二醇[熔点 T2:_59°C、沸点 T3:188.20C ]、二丙二醇[熔点 T2:-40°C、沸点 T3:232°C ]、1,3- 丁二醇[熔点 T2:-50°C、沸点T3:207.5°C ]、1,4-丁二醇[熔点T2:19°C、沸点T3:235°C ]等。其中,从提高导电性、粘结性的观点考虑,优选甘油、1,4-丁二醇。作为这样的成分(B)的水溶性吡咯烷酮衍生物,可举出N-甲基吡咯烷酮[熔点T2:-24°C、沸点 T3:2020C ]、乙烯基吡咯烷酮[熔点 T2:13.5°C、沸点 T3:214.5°C ]、2_ 吡咯烷酮[熔点T2:24.6°C、沸点T3:245°C ]等。作为亲水性的非质子性溶剂,可举出二甲基亚砜(DMSO)[熔点T2:19°C、沸点T3:189°C ]、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)[熔点 T2:_61°C、沸点 T3:153°C ]等。(C)导电性有机高分子化合物本发明中,成分(C)的导电性有机高分子化合物,其特征在于,为选自聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类及它们的衍生物的至少一种。聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类及它们的衍生物为通过π电子共轭而具有导电性的导电性高分子。聚苯胺类为将苯胺的2或3位或N位使用碳原子数为1-18的烷基、烷氧基、芳基、磺酸基等取代而得到的化合物的高分子聚物,例如可举出聚2-甲基苯胺、聚3-甲基苯胺、聚2-乙基苯胺、聚3-乙基苯胺、聚2-甲氧基苯胺、聚3-甲氧基苯胺、聚2-乙氧基苯胺、聚3-乙氧基苯胺、聚N-甲基苯胺、聚N-丙基苯胺、聚N-苯基-1-萘基苯胺、聚8-苯胺基-1-萘磺酸、聚2-胺基苯磺酸、聚7-苯胺基-4-羟基-2-萘磺酸等。聚吡咯类是指将吡咯的I或3、4位使用碳原子数为1-18的烷基或烷氧基等取代而得到的化合物的高分子聚物,例如可举出聚1-甲基吡咯、聚3-甲基吡咯、聚1-乙基吡咯、聚3-乙基吡咯、聚1-甲氧基吡咯、 3-甲氧基吡咯、聚1-乙氧基吡咯、聚3-乙氧基吡咯等。聚噻吩类为将噻吩的3或4位使用碳原子数为1-18的烷基或烷氧基等取代而得到的化合物的高分子聚物,例如可举出聚3-甲基噻吩、聚3-乙基噻吩、聚3-甲氧基噻吩、聚3-乙氧基噻吩、聚3,4- 二氧乙基噻吩(PEDOT)等的高分子体。作为聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类的衍生物,可举出它们的掺杂物。作为掺杂物,可举出氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子等的卤化物离子;过氯酸离子;四氟硼酸离子;六氟砷酸离子;硫酸离子;硝酸离子;硫氰酸离子;六氟化硅酸离子;磷酸离子、苯基磷酸离子、六氟磷酸离子等的磷酸系离子;三氟乙酸离子;甲苯磺酸盐离子、乙基苯磺酸离子、十二烷基苯磺酸离子等的烷基苯磺酸离子;甲基磺酸离子、乙基磺酸离子等的烷基磺酸离子;或聚丙烯酸离子、聚乙烯磺酸离子、聚苯乙烯磺酸离子(PSS)、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸)离子等的高分子离子;它们可以单独使用或组合2种以上使用。它们中,从能够容易地调整高导电性、且作为水分散液时具有用于容易地进行分散而有用的亲水骨架出发,对于导电性有机高分子化合物,作为掺杂物,优选聚丙烯酸离子、聚乙烯磺酸离子、聚苯乙烯磺酸离子(PSS)、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸)离子等的高分子离子,更优选聚苯乙烯磺酸离子(PSS )。上述的导电性有机高分子化合物中,从能够容易地调整高导电性且从分散性的观点考虑,优选聚噻吩类的衍生物,例如作为这样的衍生物,优选聚(3,4-环氧乙烷噻吩)与作为掺杂物的聚苯乙烯磺酸离子的混合物(以下有时记载为“PEDOT:PSS”)等。本发明的导电性粘结剂组合物为含有水溶性聚乙烯基聚合物(A )、有机添加剂(B)及导电性有机高分子化合物(C)的组合物,各成分的掺合量[有效成分基准],以成分(A)、(B)及(C)的总量为100质量份时,成分(A)为1-60质量份,优选为10-50质量份,更优选为15-40质量份。成分(B)为0.1-90质量份,优选为10-70质量份,更优选为20-65质量份。成分(C)为0.1-90质量份,优选为0.5-75质量份,更优选为5-55质量份。成分(A)不足I质量份时,不显现粘结性,相反地,大于60质量份时,导电性降低,因而不优选。成分(B)不足0.1质量份时,导电性降低,相反地,大于90质量份时,粘结性降低,因而不优选。成分(C)不足0.1质量份时,导电性降低,相反地,大于90质量份时,不显现粘结性,因而不优选。此外,本发明中,所述导电性粘结剂组合物,也可以为与成分(A)、(B)及(C) 一起,进一步掺合水、甲苯、乙酸乙酯、甲基乙基酮等的溶剂而成的溶液。其中,从成分(A)、(B)及(C)的溶解性的观点考虑,优选为水溶液。从操作性的观点考虑,优选有效成分浓度为
0.5-80质量%,更优选1-70质量%。本发明的导电性粘结剂组合物中,除了所述成分(A)、(B)、(C)以外,也可根据需要适当地添加粘着赋予剂、可塑剂、增稠剂、湿润剂、消泡剂、成膜助剂、防腐剂、防锈剂、冷冻熔融稳定剂、颜料、着色剂、填充剂、金属粉末、抗氧化剂、光稳定剂、紫外线吸收剂等。〔2〕电子装置本发明的电子装置,其特征在于,具有由导电性粘结剂组合物所形成的导电层。所述由导电性粘结剂组合物所形成的导电层的厚度,优选为5-10000nm,更优选为30-3000nm。不足5nm时,无法显现粘结性,大于IOOOOnm时,导电性降低。导电层具有能够应用在电子装置的高导电性。这样的导电层的表面电阻优选为1-1.0X 101°Ω/ □,更优选为1-1.0X IO9 Ω/ 口,进一步优选为1-1.0X108。大于1-1.0X10、/□时,导电性降低,导致作为电子装置的性能变差。导电层的表面电阻为上述范围时,适合作为各种电子装置。由所述导电性粘结剂组合物所形成的导电层透明性高且全光透过率为70%以上。全光透过率在该范围时,特别是作为有机电致发光(以下,记载为有机EL)元件、太阳能电池等各种电子装置的导电层,透明性充分,适合使用。作为电子装置的具体例子,除了有机EL、太阳能电池以外,也可举出有机晶体管、有机内存等的有机装置;液晶显示器;电子纸;薄膜晶体管;电致变色;电化学发光显示器;触控式面板;显示器;热电转换装置;压电转换装置;蓄电装置、有机光电转换元件等的各种电子装置。此外,本发明的电子装置,其特征在于,为按照阳极层、所述导电层、电转换层或发光层以及阴极层的顺序 进行配置而形成。作为这样的电子装置,可举出有机太阳能电池、光二极管、有机EL等各种电子装置。以下,通过图1 (a)对构成本发明的电子装置的各层进行说明。在图1 (a)中,I为阳极层,4为导电层,3为光电转换层或发光层,2为阴极层。〈光电转换层〉光电转换层为接受构成有机光电转换元件的中心的光电效果的层,可以为由单层构成,也可以为由多层构成。单层时,光电转换层通常由本征半导体层(i型半导体)所形成。多层时,为(p型半导体层/n型半导体层)的层压、或(P型半导体层/本征半导体层/n型半导体层)等。光电转换层为进行光电转换的层,从原料的低成本化、柔软性、形成的容易性、吸光系数的高低、轻量化、耐冲击性等观点考虑,优选有机半导体。所谓本征半导体,是由具有p-n接合界面的有机层所形成,该p-n接合界面是由电子供给性材料(后述的P型半导体材料)及电子接受性材料(后述的η型半导体材料)所构成。图1 (a)表示由单层所构成的本征半导体。光电转换层的厚度因单层或多层的情况而不同,从导电性、激子扩散距离的观点考虑,通常优选为30nm_2 μ m,更优选为40nm-300nm。以下,对光电转换层所使用的半导体材料进行说明。(I)本征半导体作为本征半导体的材料,例如能够使用将第I材料及第2材料以所得到的半导体成为本征半导体的方式混合而成的混合物,其中该第I材料由富勒烯、富勒烯衍生物、具有半导体性的纳米碳管(CNT)及CNT化合物中的至少I种所形成;该第2材料由聚亚苯基亚乙烯基的衍生物或聚噻吩系的高分子材料所形成。作为富勒烯衍生物,例如能够使用[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)等,此外,也能够使用有富勒烯的二聚物、或是导入有碱金属或碱土类金属等的富勒烯化合物等。此夕卜,作为CNT,能够使用内含富勒烯或内含金属富勒烯的碳纳米管等。进一步,也能够使用在CNT的侧壁或前端附加有各种分子的CNT化合物等。作为聚亚苯基亚乙烯基的衍生物,能够使用聚[2-甲氧基_5-(2’ -乙基-己氧基)-对亚苯基-亚乙烯基](MEH-PPV)等,作为聚噻吩系高分子材料,能够使用聚-3-己基噻吩(P3HT)等的聚(3-烷基噻吩)、二辛基芴烯-双噻吩共聚物(F8T2)等。作为特别优选的本征半导体,可举出将PCBM与P3HT以质量比为1:0.3-1:4混合而成的混合物。(2) P型半導体作为P型半导体,例如可举出聚3-己基噻吩(P3HT)等的聚烷基噻吩及其衍生物;聚亚苯基及其衍生物;聚[2-甲氧基-5-(2’ -乙基-己氧基)_对亚苯基-亚乙烯基](MEH-PPV)等的聚亚苯基亚乙烯基及其衍生物;聚硅烷及其衍生物;卟啉衍生物;酞菁衍生物、聚烷基噻吩及其衍生物;有机金属聚合物等。其中优选聚烷基噻吩及其衍生物。此外,也可以是这些有机材料的混合物。作为导电性高分子,能够使用聚(3,4)-二氧乙基噻吩/聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT:PSS)。(3) η型半导体作为η型半导体的材料,没有特别限定,可举出1,4,5,8_萘四羧酸二酐(NTCDA)、
3,4, 9, 10-茈四羧酸二酐(PTCDA)、3,4,9,10-茈四羧酸二苯并咪唑(PTCBI)、N,N,-二辛基-3,4,9,10-萘基四羧基二酰亚胺(PTCD1-C8H)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)_1,3,4-噁二唑(PBD)、2,5- 二(1-萘基)_1,3,4-噁二唑(BND)等的噁二唑衍生物、3- (4-联苯基)-4-苯基-5- (4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)等的三唑衍生物、邻二氮杂菲衍生物、氧化膦衍生物、富勒烯化合物、纳米碳管(CNT)、在CNT的侧壁或前端附加有各种分子的CNT化合物、在聚对亚苯基亚乙烯基系聚合物中导入了氰基的衍生物(CN-PPV)等。

它们中,从作为稳定且载体移动度高的η型半导体考虑,特别优选富勒烯化合物。作为富勒烯化合物,例如能够使用[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)等。此外,可举出富勒烯的二聚物、或是导入有碱金属或碱土类金属等的富勒烯化合物等。它们中,从具有优良的电子接受性的观点考虑,优选PCBM。而且,这些η型半导体可以单独使用或组合2种以上而使用。〈发光层>本发明的电子装置中,层压发光层来代替层压光电转换层时,能够作为有机EL元件使用。发光层可以使用通过电子与电洞(* 一>)的再结合而产生激子,且在该激子放出能量而恢复至基底状态时发光的发光性有机化合物,没有特别的限定。通常,是由发射荧光的有机物、发射磷光的有机物、或该有机物与辅助它的掺杂剂所形成。此外,为了提高所述发光层的电荷输送性,也可在所述发光层中混合电子输送性化合物和/或电洞输送性化合物来使用。作为发光层而使用的材料,例如可举出金属络合物系材料、高分子系材料、色素系材料、掺杂剂材料等的发光性材料。作为金属络合物系材料,例如可举出铝络合物、铍络合物、锌络合物、铝喹啉酚(7 ^ y y ') V — >)络合物、铕络合物、铟络合物、苯并喹啉酚铍络合物、苯并噁唑基锌络
合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、叶啉锌络合物或稀土类金属络合物等的有机金属络合物化合物。作为高分子系材料,可举出聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物等。作为色素系材料,例如可举出环戊丙甲胺(^ Π > 夕' S >)衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基芳基醚衍生物、吡咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、茈衍生物、寡聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖酮衍生物、香豆素衍生物等。作为掺杂剂材料,例如可举出茈衍生物、香豆素衍生物、红萤烯衍生物、喹吖酮衍生物、方酸内鎗盐夕了 Λ)衍生物、叶啉衍生物、苯乙烯基系色素、稠四苯衍生物、批唑啉酮衍生物、十环烯、吩恶嗪酮等。作为形成发光层的方法,能够按照所述发光材料而适当地选择真空蒸镀法、离子化蒸镀法、旋涂(旋涂法)、喷涂、凹版涂布、棒涂、刮刀涂布等各种的涂布法。发光层优选使用涂布法形成。 发光层的厚度为1-100 μ m,优选为2-lOOOnm,更优选为5nm-500nm,进一步优选为20nm_200nm。〈阳极层>作为阳极层的材料,优选对P型的有机半导体的HOMO等级的能量障碍小且功函数比较高的材料。此外,优选能够形成透明的阳极层的材料,作为这样的材料,可举出金属氧化物。作为金属氧化物,例如可举出掺杂锡的氧化铟(ΙΤ0)、氧化铱(Ir02)、氧化铟(In2O3)、氧化锡(Sn02)、掺杂氟的氧化锡(FT0)、氧化铟-氧化锌(ΙΖ0)、氧化锌(ZnO)、掺杂镓的氧化锌(GZO )、掺杂铝的氧化锌(AZO )、氧化钥(MoO3)、氧化钛(TiO2)等。从透明性和导电性的平衡的观点考虑,优选阳极层的厚度为10_500nm,更优选为30_300nm。作为形成阳极层的方法,没有特别的限制,例如能够使用真空蒸镀、各种溅射等的方法。〈阴极层>作为阴极层的材料,只要具有作为电极的功能,就没有特别的限制,优选对η型半导体的LUMO等级的能量障碍小且功函数比较小的材料。例如可举出除了钼、金、银、铜、铝、铟、铬、氧化锌等的金属、金属氧化物或合金以外、还可举出纳米碳管、或纳米碳管与上述金属、金属氧化物或合金的复合体。阴极层的厚度优选为20nm-l μ m,特别优选为30_200nm。作为形成阴极层的方法,没有特别的限制,例如能够使用真空蒸镀、各种溅射等的方法。本发明的电子装置优选所述阳极层及阴极层均设置在基材上。〔基材〕作为基材,可以根据用途适当地选择,通常使用玻璃(板)等的无机材料或塑料薄膜。作为塑料薄膜,例如可举出由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯、四乙酰基纤维素、间规聚苯乙烯、聚苯硫醚、聚碳酸酯、聚芳酯、聚砜、聚酯砜、聚醚酰亚胺、环状聚烯烃等的树脂所形成的薄膜,其中,优选机械强度、耐久性等优良的薄膜。从机械强度、耐久性的观点考虑,基材的厚度通常为3 μ m-5mm,优选为10 μ m-lmm,更优选为 20 μ m-300 μ m。(4)电子装置的制备方法本发明的电子装置的制备方法,其特征在于,在阳极层上形成由所述的导电性粘结剂组合物所形成的导电层以形成阳极层压体的工序;在阴极层上形成所述光电转换层或发光层以形成阴极层压体的工序;在所述导电性粘结剂组合物软化的温度以上,将所述阴极层压体的光电转换层或发光层表面与所述阳极层压体的导电层表面贴合。以下,通过图1 (b)依次说明本发明的电子装置的制备方法。将阳极层I与导电层4 一体化后称为阳极层压体(后述)。将2的阴极层与3的光电转换层或发光层一体化后称为阴极层压体(后述)。朝向下方的箭头表示将阳极层压体及阴极层压体在加热下进行加压且一体化而形成电子装置。

〔阳极层压体〕阳极层压体是在阳极层I上形成由本发明的导电性粘结剂组合物所形成的所述导电层4。通常,阳极层设置在基材上。作为在基材上设置阳极的方法,可举出真空蒸镀、溅射、离子喷镀等的PVD(物理气相蒸镀)、或热CVD、原子层蒸镀(ALD)等的CVD (化学气相蒸镀)等的干式工序、或浸涂、旋涂、喷涂、棒涂、凹版涂布、模涂、刮刀涂布等的各种涂布或电化学性沉积等的湿式工序,可根据阳极层的材料而适当地选择。在阳极层上的形成导电层的形成方法,可以通过将导电性粘结剂组合物使用纯水等适当的溶剂溶解或分散而得到的导电层形成用溶液,涂布在阳极层上且使所得到的涂膜干燥,根据需要以导电性粘结剂组合物中的有机添加剂不会挥发的程度进行加热来形成。作为形成方法,可举出浸涂、旋涂、喷涂、棒涂、凹版涂布、模涂、刮刀涂布等的各种涂布或电化学性沉积等的湿式工序,可适当进行选择。〔阴极层压体〕阴极层压体是在所述阴极层2上形成所述光电转换层或发光层3。通常,阴极层2设置在基材上。作为在基材上设置阴极层的方法,可举出真空蒸镀、溅射、离子喷镀等的PVD(物理气相蒸镀)、或热CVD、原子层蒸镀(ALD)等的CVD (化学气相蒸镀)等的干式工序等,可按照阴极层的材料而适当地选择。阴极层上形成光电转换层或发光层的形成方法,可举出真空蒸镀、溅射、离子喷镀等的PVD (物理气相蒸镀)、或热CVD、原子层蒸镀(ALD)等的CVD (化学气相蒸镀)等的干式工序、或浸涂、旋涂、喷涂、凹版涂布、棒涂、刮刀涂布等的各种涂布和电化学性沉积等的湿式工序,可按照光电转换层或发光层的材料而适当地选择。所述导电性粘结剂组合物软化的温度为成分(A)的玻璃化温度(Tg)以上的温度。从容易制备的观点考虑,贴合时的加工温度具体为100°C左右。
本发明的电子装置的制备方法,由于是将由本发明的导电性粘结剂组合物所形成的导电层表面与光电转换层或发光层表面贴合,因此通过层压工序能够容易地制备电子装置。此外,由于该方法在使光电转换层或发光层形成之后,不存在形成金属层作为阴极层的工序,不会有金属层变为不均匀、或因金属层成膜时的能量导致光电转换层或发光层遭受损伤的情形,因此,不存在电子装置的性能降低的情形。[实施例]以下,通过实施例和比较例更详细地说明本发明,但是本发明不受它们的任何限
定。 〈实施例1>[导电性粘结剂组合物的配制]作为成分(A)的水溶性聚乙烯基聚合物,使用50质量份的聚乙烯醇['> V T )VK ') y子社制、产品名为“聚乙烯醇”、分子量Mw=9100、Tg (T1):50°C、表I中记载为PVA]。作为成分(B)的有机添加剂,使用50质量份的甘油[fT ^ r Y 〃 ★社制、产品名为“甘油”、熔点(T2): 18°C、沸点(T3):290°C ]。作为成分(C)的导电性高分子的聚噻吩类,使用10000质量份的聚(3,4-环氧乙烷噻吩)(PEDOT)与聚苯乙烯磺酸(PSS)的混合物(PED0T:PSS) [H.C.Starck社制、产品名为“Clevious PVP.AI4083、有效成分为I质量%”、在表I中记载为聚噻吩类]。使所述成分(A)、(B)及(C)溶解于200质量份纯水,配制导电性粘结剂组合物的涂布液(有效成分:1.9质量%)。[阳极层压体的制备]将掺杂锡的氧化铟(ITO)层以厚度为150nm的方式进行溅射而成的ITO玻璃[今” 7。V >卜社制、产品名为“ιτο力' 9 >,,]用作阳极层。随后,在上述阳极层上,使用旋转涂布法涂布上述所得到的导电性粘结剂组合物的涂布液,且在100°c下使其干燥30分钟,形成厚度为IOOnm的由导电性粘结剂组合物所形成的导电层。[阴极层压体的制作]通过在作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东洋纺绩社制、产品名为“ - ^ ^ ^ Α4100”)上,在lX10_3Pa以下的减压下、使用蒸镀法将铝进行制膜,使厚度IOOnm
的铝层成膜,形成阴极层。随后,作为光电转换层,将聚3-己基噻吩(P3HT)与[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)以质量比1:0.8混合而成的混合物的氯苯溶液(浓度:2%)通过旋涂法涂布,在120°C下干燥10分钟,形成厚度为IOOnm的本征半导体层。[电子装置(太阳能电池)的制作]将所得到的阳极层压体的导电层表面与阴极层压体的光电转换层表面,通过将辊层压机[a 4 Y > y 7。」>社制、产品名为“RSL-328S”的辊温度加热至120°C且加压而贴合,得到电子装置。〈实施例2 、3>除了变更为下述表I的掺合以外,与实施例1同样地进行操作,得到电子装置。
〈实施例4>除了将成分(B)的有机添加剂变更为N-甲基吡咯烷酮[和光纯药工业株式会社制、T2:熔点-24°C、T3:沸点202°C ],且变更为下述表I的掺合以外,与实施例1同样地进行操作,得到电子装置。〈实施例5>除了将成分(A)的PVA变更为聚乙烯基吡咯烷酮['> V ^ -T Y 'V f社制、Tg(Tl):80°C,在表I中记载为PVP],且变更为下述表I的掺合以外,与实施例1同样地进行操作,得到电子装置。〈实施例6>除了将成分(A)的PVA变更为聚乙烯基吡咯烷酮['> V ^ -T Y 'V f社制、Tg(Tl):80°C ]、将成分(B)的有机添加剂变更为N-甲基吡咯烷酮(T2:熔点-24。。、T3:沸点202°C),且变更为下述表I的掺合以外,与实施例1同样地进行操作,得到电子装置。〈实施例7>除了将成分(B)的有机添加剂变更为二甲基亚砜[和光纯药工业株式会社制、表I中的记载为DMSO、T2:熔点19°C、T3:沸点189°C ],且变更为下述表I的掺合以外,与实施例I同样地进行操作,得到电子装置。〈实施例8>除了将成分(B)的有机添加剂变更为二甲基甲酰胺[和光纯药工业株式会社制、表I中的记载为DMF、T2:熔点-61°C、T3:`沸点153°C ],且变更为下述表I的掺合以外,与实施例1同样地进行操作,得到电子装置。〈实施例9>除了变更为聚苯胺[fTK.; 〃 f株式会社制、有效成分I质量%、表I中记载为聚苯胺类I]作为成分(C)的导电性有机高分子化合物的聚苯胺类,且变更为下述表I的掺合以外,与实施例1同样地进行操作,得到电子装置。〈实施例10>除了变更为聚吡咯['> VY 'y f社制、有效成分I质量%、表I中记载为聚吡咯类]作为成分(C)的导电性有机高分子化合物的聚吡咯类以外,与实施例1同样地进行操作,得到电子装置。< 比较例 1_7>除了将成分(A)、(B)、(C)变更为下述表I的掺合以外,与实施例1同样地进行操作,得到电子装置。将实施例1-10所得到的导电层及电子装置的各物性及比较例1-7所得到的导电层的各物性表示在表I。〈实施例11>[导电性粘结剂组合物的配制]作为成分(A)的水溶性聚乙烯基聚合物,使用45质量份以有效成分计的丙烯酸聚合物[ -^r )V K.; 'y f制、产品名为“聚丙烯酸”、重均分子量100000、有效成分:40质量%、18(11):1021:、表2中记载为?44]。作为成分(B)的有机添加剂,使用90质量份甘油["了 ^ K ') '7予社制、产品名为“甘油”、熔点(T2):18°C、沸点(T3):290°C ]。作为成分(C)的导电性高分子的聚噻吩类,使用1500质量份(有效成分为15质量份)的聚(3,4-环氧乙烷噻吩)(PEDOT)与聚苯乙烯磺酸(PSS)的混合物(PEDOT:PSS) [H.C.Starck社制、产品名为“CleviousP VP.AI4083”、有效成分为I质量%、在表2中记载为聚噻吩类]。使所述成分(A)、(B)及(C)溶解于200质量份纯水中,来配制导电性粘结剂组合物的涂布液(有效成分:7.8质量%)。[阳极层压体的制作]除了变更为下述表2的掺合,且使导电层的厚度为IOOOnm以外,与实施例1同样地进行操作,制备阳极层压体。[电子装置(太阳能电池)的制作][阴极层压体的制作]除了将导电层变更为下述表2的掺合,且作为光电转换层形成厚度为IOOOnm的本征半导体,在阴极层压体上形成光电转换层以外,与实施例1同样地进行操作。将所得到的阳极层压体的导电层表面与阴极层压体的光电转换层表面,通过将辊层压机[a 4 Y > y 7。」>社制、产品名为“RSL-328S”的辊温度加热至100°C且加压而贴合,来得到电子装置(太阳能电池)。[电子装置(有机EL元件)的制作]通过在作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东洋纺绩株式会社制、产品名为-^ ^ V ^ ^ > Α4100”)上,在IXlO-3Pa以下的减压下、使用蒸镀法将银以厚度为IOOnm的方式制膜,随后以镁的厚度为IOnm的方式蒸镀来形成阴极层。随后,将株式会社Luminescence Technology 制的(聚(2_ 甲氧基 _5_ (3,,7’- 二甲基辛氧基)-1,4_亚苯基-亚乙烯基))[商品名“MDM0-PPV”]溶解于二甲苯(浓度:1质量%),使用旋涂法涂布,在100°C干燥10分钟,形成厚度为IOOnm的发光层。[通过贴合的电子装置(有机EL元件)的制作]将除了变更为下述表2的掺合且使导电层的厚度为IOOOnm以外,与实施例1同样地进行操作而得到的阳极层压体的导电层表面,与阴极层压体的发光层表面,通过将辊层压机[a 4 Y > y 7。」>社制、产品名为“RSL-328S”的辊温度加热至100°C且加压而贴合,来得到电子装置(有机EL元件)。〈实施例12、13>除了变更为下述表2的掺合以外,与实施例11同样地进行操作,得到电子装置(太阳能电池及有机EL元件)。〈实施例14_15、17>除了变更为下述表2的掺合以外,与实施例11同样地进行操作,得到电子装置(太阳能电池及有机EL元件)。< 实施例 16>除了变更为聚苯胺[日产化学工业株式会社制、产品名为“D1033W”、表2中记载为聚苯胺类2]作为成分(C)的导电性有机高分子化合物的聚苯胺类,且变更为下述表I的掺合以外,与实施例1同样地 进行操作,得到电子装置。< 比较例 8-15〉除了将成分(A)、(B)、(C)变更为下述表2的掺合,且使导电层的厚度为下述表2所记载以外,与实施例11同样地进行操作,得到电子装置(太阳能电池及有机EL元件)。但是,在比较例11-14中,阳极层压体的导电层表面,与阴极层压体的光电转换层或发光层表面无法贴合,无法制备电子装置。将实施例11-17及比较例8_10、15所得到的导电层及电子装置的各物性表示在表2中。将实施例1-17及比较例1-15所使用的材料汇总记载如下。(I)丙烯酸聚合物(表2中记载为PAA)V夕'' 7 V V,子制、产品名为“聚丙烯酸”(3)甘油V夕'' T V V,子制、产品名为“甘油,,(4) N-甲基吡咯烷酮和光纯药工业株式会社制、产品名为“N-甲基吡咯烷酮”(5) 二甲基亚砜(表2中记载为DMS0)和光纯药工业株式会社制、产品名为“二甲基亚砜”(6) N,N-二甲基甲酰胺(表2中记载为DMF)和光纯药工业株式会社制、产品名为“N,N- 二甲基甲酰胺”(7) 聚塞吩类H.C.Starck 社制、产品名为 “CleviousP VP.AI4083”(8)聚苯胺类IV V ^ r IV Y 'V f株式会社制、产品名为“聚苯胺”(实施例9)聚苯胺类2日产化学工业株式会社制、产品名为“D1033W”(实施例16)(9)聚吡咯类V夕'' 7 H K -J 'y子社制、产品名为“聚吡咯’’在表I及表2所记载的特性如下述进行测定。(I)导电层的厚度由导电性粘结剂组合物所形成的导电层的厚度,通过触针式表面形状测定装置[Veeco社制、产品名为“Dektakl50”]来测定。(2)表面电阻值将所得到的阳极层压体的导电层表面,通过表面电阻值测定装置[三菱化学社制、产品名为“ 口 > 7夕GP MCP-T600”],使用四端子法测定导电层的表面电阻值。(3)全光透过率将所得到的阳极层压体,使用光线透过率测定装置[日本电色工业社制、产品名为“NDH-5000”,按照JIS K7631-1,测定全光透过率,作为导电层的全光透过率。(4)粘结性将实施例及比较例所得到的导电性粘结剂组合物的涂布液,涂布在聚对苯二甲酸乙二醇酯(东洋纺绩社制、产品名为“ 2 7 \ 4 > Α4100”、厚度为100 μ m)上,在100°C下干燥10分钟,使其形成膜厚度为IOOnm的由导电性粘结剂组合物所形成的导电层,来制作测定用试样(5 X 5cm)。
将所得到的测定用试样,使用层压机[口 4 Y > V >社制、产品名为“RSL-328J”在温度120°C下贴合在玻璃板(25mmX25mm、厚度为1_)上。随后,冷却至常温
后,使测定用试样垂直,调查是否粘着。按照下述的基准,以“贴合评价”的方式记载在表I及表2中。O:测定用试样粘着,未从玻璃板掉落。X:测定用试样未粘着,从玻璃板剥离。(5)粘着力表2所记载的粘着力,将实施例11-17及比较例8_10所得到的导电性粘结剂组合物的涂布液涂布在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东洋纺绩社制、产品名为m < PA4100”、厚度为100 μ m)上,在100°C下干燥10分钟,使其形成膜厚度为IOOOnm的由导电性粘结剂组合物所形成的导电层,来制作测定用试样。使用所得到的测定用试样,按照JIS Z0237 (2009),将在23°C、50%RH (相对湿度)环境下切割成25mmX 300mm的测定用·试样,使用层压机[口 4 Y > V7'' U >社制、产品名为“RSL-328J”],在温度100°C下贴合在被粘物(玻璃板、800_X1500mm、厚度为3_)。通过180°剥离法,以拉伸速度为300mm/分钟测定贴合后24小时的粘着力。(6)玻璃化温度成分(A)的水溶性聚乙烯基聚合物的玻璃化温度Tl,按照JIS K7121,使用输入功率补偿示差扫描型热量测定装置[^ 一々>二>7—社制、装置名为“Pyrisl DSG”],在-80°C至250°C的温度范围内,测定外推玻璃转移开始温度而求得。[电子装置(太阳能电池)的评价]将实施例及比较例所得到的电子装置,使用V — W ” \ 一工二”卜电创社制]测定电流电压特性,观察所得到的整流曲线。O:有整流性X:无整流性(由于贴合不良而无作为电子装置的功能)关于使用实施例11的掺合所得到的电子装置(太阳能电池),将所得到的电流密度-电压曲线显示在第2图。[电子装置(有机EL元件)的评价方法]实施例11-17及比较 例8-10、15所得到的电子装置(有机EL元件)的电流-电压特性,使用有机EL发光效率测定装置[PRECISE GAUGES社制、产品名为“EL1003” ]测定电流电压特性,观察所得到的整流曲线。O:有整流性X:无整流性(由于贴合不良而无作为电子装置的功能)此外,施加电压时的电子装置(有机EL元件)的亮度(cd/cm2)使用亮度计[- 二力$ ) >夕社制、产品名为“LS-110”]进行测定。结果表示在表2中。表I
权利要求
1.一种导电性粘结剂组合物,该导电性粘结剂组合物为含有水溶性聚乙烯基聚合物A、有机添加剂B以及导电性有机高分子化合物C的导电性粘结剂组合物,其特征在于, 有机添加剂B为选自水溶性多元醇、水溶性吡咯烷酮类或亲水性的非质子性溶剂的至少一种,导电性有机高分子化合物C为选自聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类及其衍生物的至少一种。
2.根据权利要求1所述的导电性粘结剂组合物,其中,以水溶性聚乙烯基聚合物的玻璃化温度为Tl、以有机添加剂B的熔点为T2、以有机添加剂在0.1OlMPa (760mmHg)下的沸点为T3时,满足T2〈T1〈T3。
3.根据权利要求1所述的导电性粘结剂组合物,其中,水溶性聚乙烯基聚合物为选自聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮以及聚丙烯酸的至少一种。
4.一种电子装置,其特征在于,该电子装置具有由权利要求1所述的导电性粘结剂组合物所形成的导电层。
5.根据权利要求4所述的电子装置,其中,该电子装置为按照阳极层、由权利要求1所述的导电性粘结剂组合物所形成的导电层、光电转换层、以及阴极层的顺序进行配置而形成。
6.根据权利要求4所述的电子装置,其中,该电子装置为按照阳极层、由权利要求1所述的导电性粘结剂组合物所形成的导电层、发光层以及阴极层的顺序进行配置而形成。
7.一种阳极层压体,该阳极层压体为在基材上按照阳极层和由权利要求1所述的导电性粘结剂组合物所形成的导电层的顺序进行层压而形成。
8.一种电子装置 的制备方法,该制备方法为权利要求4所述的电子装置的制备方法,其特征在于, 在阳极层上形成由所述权利要求1所述的导电性粘结剂组合物形成的导电层,以形成阳极层压体的工序;在阴极层上形成所述光电转换层或发光层,以形成阴极层压体的工序;在所述导电性粘结剂组合物软化的温度以上,将所述阴极层压体的光电转换层或发光层表面与所述阳极层压体的导电层表面贴合。
全文摘要
本发明提供了一种具有优良的粘结性且表面电阻低,能够作为电子装置的缓冲层使用的导电性粘结剂组合物。本发明的导电性粘结剂组合物,含有水溶性聚乙烯基聚合物A、有机添加剂B以及导电性有机高分子化合物C,其特征在于,有机添加剂B为选自水溶性多元醇、水溶性吡咯烷酮类或亲水性的非质子性溶剂的至少一种,导电性有机高分子化合物C为选自聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类、以及它们的衍生物的至少一种。此外,通过本发明,能够提供一种具有由所述导电性粘结剂组合物所形成的导电层的电子装置、层压由该导电性粘结剂组合物所形成的导电层而形成的阳极层压体,以及该电子装置的制备方法。
文档编号C09J179/00GK103189463SQ20118004634
公开日2013年7月3日 申请日期2011年7月20日 优先权日2010年9月30日
发明者加藤邦久, 武藤豪志, 中岛惠美 申请人:琳得科株式会社
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