聚乙烯醇系聚合物膜的制作方法

聚乙烯醇系聚合物膜的制作方法
【专利摘要】提供能够收率良好地制造缺陷少的偏光膜以及偏光板的PVA系聚合物膜，和提供能够制造从PVA系聚合物膜的卷绕开始部分直至卷绕结束部分的表面特性的差异小且品质稳定的偏光膜以及偏光板的膜卷。本发明提供PVA系聚合物膜，其中，自膜表面凹陷并且面积为400μm2以上且深度为0.3μm以上的缺点的数目为0.25个/m2以下；和提供膜卷，其是长条的PVA系聚合物膜连续卷绕而成的膜卷，其中，对于自膜表面凹陷并且面积为400μm2以上且深度为0.3μm以上的缺点，PVA系聚合物膜的卷绕结束部分的该缺点的数目相对于PVA系聚合物膜的卷绕开始部分的该缺点的数目为1.4倍以下。
【专利说明】聚乙烯醇系聚合物膜

【技术领域】
[0001] 本发明涉及作为偏光膜制造用的初始膜等有用的聚乙烯醇系聚合物膜（以下，有 时将"聚乙烯醇"简称为"PVA")、使用其的偏光膜的制造方法和偏光膜、PVA系聚合物膜连 续卷绕而成的膜卷、以及PVA系聚合物膜的制造方法。

【背景技术】
[0002] PVA系聚合物膜被用于利用与透明性·光学特性·机械强度·水溶性等相关的独特 性质的各种用途，特别是最近，利用其优异的光学特性而扩大了作为构成液晶显示器（LCD) 的基本构成要素即偏光板的偏光膜的制造原料(初始膜）的用途。虽然在液晶监视器、液晶 电视的领域中大画面化急速发展，但若偏光板具有缺陷则无法装配于制品，成品率(制品收 率）降低，因而需要与目前相比缺陷更少的偏光板以及偏光膜。
[0003] 然而，关于包含偏光膜、以及保护膜、相位差膜等的光学膜，迄今为止已知有各种 技术。例如，在将聚酯、聚酰胺、聚烯烃等热塑性树脂加热至其熔点以上制为熔融聚合物， 将其通过喷嘴挤出并冷却而制造用于光学用途等的膜时等情况中，聚合物中存在的低聚体 (低聚物）在膜制造中析出至表面并附着于流延滚筒或辊的表面，成为膜的表面缺点，制为 用于解决该问题的方案，已知有使用一种膜的制造装置的方案，该装置使用了外周面的表 面粗糙度为1S以下且表面具有相对于铬原子含有碳原子（以原子个数计)0. 5?5%的镀铬 被膜的膜制造用滚筒或辊(参照专利文献1)。专利文献1中具体记载了：将聚对苯二甲酸 乙二醇酯在275°C下熔融，由T模挤出并用冷却至25°C的流延滚筒进行骤冷而制为非晶片 材后，通过配置于该流延滚筒的下游侧的多根金属辊进行加热或冷却时，作为该多根金属 辊的一部分，使用具有特定镀铬皮膜的辊。
[0004] 此外，在将高分子树脂溶液流延于支持体上以溶液制膜制造膜时，为了得到消除 了表面缺点(在膜表面以突起状浮起的缺点)、且光学用途上有用的透明性和表面平坦性优 异的高分子树脂膜，而使存在于所用支持体表面的特定尺寸的缺点在每单位面积中的数 目为特定数值以下(参照专利文献2)。专利文献2中具体记载了：使用将芳香族聚碳酸酯 树脂溶解于乙醇和二氯甲烷的混合溶剂而成的溶液与具有特定的表面特性的支持体（由 SUS-316形成的镜面研磨板)，将它们的温度均调节至15°C左右，将该溶液手工涂布于支持 体上并进行干燥，而制为芳香族聚碳酸酯膜。
[0005] 进而，还已知在通过将从挤出机熔融挤出的膜状的热塑性树脂(含有脂环式结构 的聚合物或纤维素酯等）用冷却滚筒冷却的熔融流延制膜法来制造光学膜时，作为用于消 除污垢或异物强烈附着于冷却滚筒而产生被称为"压伤"的外观缺陷的问题等的方法，是使 有机溶剂附着于冷却滚筒的表面，接着通过擦拭装置擦拭冷却滚筒的表面而将冷却滚筒表 面的污垢与有机溶剂一起除去，接着使由挤出机熔融挤出的膜状的热塑性树脂附着在该擦 拭后的冷却滚筒表面部分并进行冷却，由此制造光学膜(参照专利文献3)。专利文献3中 记载了，将含有降冰片烯系开环聚合物的氢化物或乙酸纤维素丙酸酯的混合物熔融挤出， 使膜状的树脂熔融物密合于具备特定清扫装置的冷却滚筒(具有维氏硬度800的硬化镀铬 被膜表面或维氏硬度1200的非晶质镀铬被膜表面)，一边运输一边冷却固化，而制为树脂片 材。
[0006] 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开平9-207210号公报 专利文献2 :日本特开2000-84960号公报 专利文献3 :日本特开2006-82261号公报 专利文献4 :特公平1-19477号公报 专利文献5 :日本特开2005-238833号公报 专利文献6 :日本特开平9-1568号公报 专利文献7 :日本特开2001-315138号公报。


【发明内容】

[0007] 发明要解决的技术问题 然而，若仅单纯采用上述以往的技术，则难以以近年来所要求的水平制造缺陷少的偏 光膜、偏光板。即，专利文献1的方法中，需要将热塑性树脂加热至其熔点以上制为熔融聚 合物，但PVA系聚合物除了特殊的改性PVA系聚合物之外，并不是热塑性树脂，难以将这种 制膜方法用于PVA系聚合物膜的制造中，即使能够使用，也无法得到表面特性优异的膜。此 夕卜，作为PVA系聚合物膜的制膜方法，已知有使用PVA系聚合物溶解于液体介质而成的制膜 原液或含有PVA系聚合物和液体介质并将PVA系聚合物熔融而成的制膜原液，将其在金属 支持体上流延并干燥来制膜的方法，但该方法与将实质上不含如专利文献1中所记载的液 体介质的熔融聚合物在流延滚筒上进行冷却并制膜的方法大不相同，因而假设单纯地使用 专利文献1中记载的膜制造用滚筒，使用上述制膜原液，即使将其在该膜制造用滚筒上流 延并进行干燥而制造 PVA系聚合物膜，也无法充分控制存在于该膜制造用滚筒所具有的镀 铬被膜的表面的微细裂纹所致的微细缺点，使用所得的PVA系聚合物膜制造的偏光板或偏 光膜也无法充分实现近年来所要求的品质水平。
[0008] 另一方面，专利文献2涉及将以高分子树脂和溶剂为主成分的溶液在支持体上流 延后、进行干燥而除去溶剂的制膜方法，但即使可通过单纯地采用专利文献2的方法消除 在膜表面以突起状浮起的缺点，也无法充分控制自膜表面凹陷的缺点，使用所得PVA系聚 合物膜制造的偏光板或偏光膜也无法实现近年来所要求的品质水平。
[0009] 此外，专利文献3的方法与专利文献1的方法相同，是将热塑性树脂的熔融物用冷 却滚筒冷却的方法，因而难以将专利文献3的方法用于PVA系聚合物膜的制造中，即使可 以使用，也无法得到表面特性优异的膜。此外，假设单纯地采用专利文献3中记载的擦拭 方法，使用PVA系聚合物溶解于液体介质而成的制膜原液或含有PVA系聚合物和液体介质 并将PVA系聚合物熔融而成的制膜原液，即使将其在金属支持体上流延并干燥来制造 PVA 系聚合物膜，也无法充分控制凹状的缺点，反而是由于使金属支持体表面与擦拭装置接触 而在金属支持体表面产生刮痕等缺陷，反而可能会使所得的PVA系聚合物膜的表面特性变 差。
[0010] 在如上所述的状况下，本发明的目的在于提供能够效率良好地制造缺陷少的偏光 膜以及偏光板的PVA系聚合物膜。另外，本发明的目的还在于提供膜卷，该膜卷是长条的 PVA系聚合物膜连续卷绕而成的膜卷，其能够制造从PVA系聚合物膜的卷绕开始部分直至 卷绕结束部分的表面特性的差异小且品质稳定的偏光膜以及偏光板。
[0011]另外，PVA系聚合物膜因保管或运输的容易性或能够连续使用等的原因，多是制为 长条的PVA系聚合物膜连续卷绕而成的膜卷的形态，这种膜卷中，由于膜间的滑动性不良 等而使膜容易产生皱折，这种皱折容易成为所制造的偏光膜的品质降低的原因。另一方面， 对于偏光膜，有时也要求降低与上述缺陷不同的染色不均。因此，本发明在另一方面，其目 的在于提供能够容易地制造膜卷难以产生皱折、而且染色不均得到降低了的偏光膜的PVA 系聚合物膜和将其连续卷绕而成的膜卷。
[0012] 另外，在将PVA系聚合物膜用作初始膜来制造偏光膜的情形中，通常对PVA系聚合 物膜实施染色、单轴拉伸、固定处理等，但在以干式进行单轴拉伸时，在染色工序或固定处 理工序中，以及在以湿式进行单轴拉伸时，除了这些工序，在单轴拉伸前的膨润工序或在单 轴拉伸工序中，存在PVA系聚合物的一部分在所使用的处理浴中溶出的情况，溶出的PVA系 聚合物在处理浴中析出而附着于膜、或在膜上析出，作为异物而残留于所得的偏光膜，而有 使其品质、收率降低的情形。因此，本发明的目的在于提供用于制造这种异物少的偏光膜的 偏光膜的制造方法、和通过该方法制造的异物少的偏光膜。
[0013] 进而，本发明的目的还在于提供能够简便地制造如上所述的PVA系聚合物膜、膜 卷的PVA系聚合物膜的制造方法。
[0014] 用于解决技术问题的方法 本发明人为了实现上述目的而反复深入研究，结果发现，在滚筒或带等金属支持体的 表面上将溶液状态或熔融状态的PVA系聚合物流延并干燥来制造 PVA系聚合物膜时，存在 于该金属支持体的表面的无数裂纹中的一小部分上会附着被视为树脂堆积物的异物并将 其所造成的凸形状转印至膜等而形成自膜表面凹陷的缺点的数目多的PVA系聚合物膜；以 及对于这种PVA系聚合物膜，在由其制造的偏光膜、偏光板中缺陷变多，具有无法充分实现 近年来所要求的品质水平，或与偏光膜、偏光板的收率降低相关等的问题。
[0015] 继而，发现在使用表面具有镀铬层并且表面硬度为特定的范围的金属支持体时， 通过如抛光研磨等的在制膜开始前对金属支持体表面实施的通常的处理，可容易地降低存 在于金属支持体表面的裂纹的数目，可以比以往更加降低所得PVA系聚合物膜的自膜表面 凹陷的缺点的数目，在将这种PVA系聚合物膜用作偏光膜制造用的初始膜时，可以收率良 好地制造缺陷少且满足近年来所要求的品质水平的偏光膜、偏光板。
[0016] 另外，除了上述见解之外，还发现：在使用表面具有镀铬层并且表面硬度为特定的 范围的金属支持体时，即使持续长时间连续制造 PVA系聚合物膜，也可以将自膜表面凹陷 的缺点的数目的变动保持在较以往更低的水平，例如，在制造长条的PVA系聚合物膜连续 卷绕而成的膜卷时，可以减小从PVA系聚合物膜的卷绕开始部分直至卷绕结束部分为止的 表面特性的差异，可容易地得到能够制造品质稳定的偏光膜以及偏光板的膜卷。
[0017] 进而还发现，在使用表面具有镀铬层并且表面硬度为特定的范围的金属支持体 时，可容易地得到膜的两面的表面特性为特定的范围的PVA系聚合物膜，该PVA系聚合物膜 连续卷绕而成的膜卷中难以产生皱折，可以抑制偏光膜的品质降低，而且根据该PVA系聚 合物膜可容易地得到染色不均得到降低的偏光膜；和在使用该PVA系聚合物膜通过特定的 方法制造偏光膜时，可容易地得到异物少的偏光膜。
[0018] 本发明人基于上述见解进一步反复研究，从而完成了本发明。
[0019] 即，本发明涉及：
[1] PVA系聚合物膜（以下，有时将该PVA系聚合物膜称为"PVA系聚合物膜（1)")，其 中，自膜表面凹陷并且面积为400 μ m2以上且深度为0. 3 μ m以上的缺点的数目为0. 25个/ m2以下；
[2] 上述[1]的PVA系聚合物膜，其中，前述缺点的数目为0. 15个/m2以下；
[3] 上述[1]或[2]的PVA系聚合物膜，其中，PVA系聚合物膜中所含的PVA系聚合物 的聚合度为3000以上且10000以下；
[4] 上述[1]?[3]中任一项的PVA系聚合物膜，其为长条的PVA系聚合物膜；
[5] 上述[4]的PVA系聚合物膜，其长度为6000m以上；
[6] 上述[4]或[5]的PVA系聚合物膜，其中，前述缺点包含在膜的长度方向上实质上 以一定的间隔且在膜的宽度方向上实质上存在于相同位置的缺点；
[7] 膜卷（以下，有时将该膜卷称为"膜卷（1 )")，其是长条的PVA系聚合物膜连续卷绕 而成的膜卷，其中，对于自膜表面凹陷并且面积为400 μ m2以上且深度为0. 3 μ m以上的缺 点，PVA系聚合物膜的卷绕结束部分的该缺点的数目相对于PVA系聚合物膜的卷绕开始部 分的该缺点的数目为1. 4倍以下；
[8] 上述[7]的膜卷，其中，前述缺点的数目为0· 25个/m2以下；
[9] 上述[7]的膜卷，其中，前述缺点的数目为0· 15个/m2以下；
[10 ]上述[7 ]?[9 ]中任一项的膜卷，其中，PVA系聚合物膜中所含的PVA系聚合物的 聚合度为3000以上且10000以下；
[11] 上述[7]?[10]中任一项的膜卷，其中，PVA系聚合物膜的长度为6000m以上；
[12] 上述[7]?[11]中任一项的膜卷，其中，前述缺点包含在膜的长度方向上实质上 以一定的间隔且在膜的宽度方向上实质上存在于相同位置的缺点；
[13] PVA系聚合物膜（以下，有时将该PVA系聚合物膜称为"PVA系聚合物膜（2)")，其 中，在对膜的两面分别测定均方根粗糙度时，所得的2个均方根粗糙度之差为0. 3nm以上且 10nm以下，较小的均方根粗糙度为10nm以下；
[14] 上述[13]的PVA系聚合物膜，其中，较大的均方根粗糙度为lnm以上且20nm以 下；
[15] 上述[13]或[14]的PVA系聚合物膜，其为长条的PVA系聚合物膜；
[16] 上述[15]的PVA系聚合物膜连续卷绕而成的膜卷（以下，有时将该膜卷称为"膜 卷（2)"）；
[17] 使用上述[13]?[15]中任一项的PVA系聚合物膜作为初始膜的偏光膜的制造方 法，该方法具有染色工序、单轴拉伸工序、固定处理工序和干燥工序，在离开进入干燥工序 前的最后的处理浴时，处理浴的液面与膜面所成的角度为30°以上且85°以下，并且膜的 上方侧的面是在聚乙烯醇系聚合物膜中具有较小的均方根粗糙度的面；
[18] 通过上述[17]的制造方法制造的偏光膜；
[19] PVA系聚合物膜的制造方法，其包括在表面具有镀铬层、表面硬度以维氏硬度计为 550HV以上且小于900HV、表面温度为50°C以上且115°C以下的金属支持体的表面上，将溶 液状态或熔融状态的PVA系聚合物进行流延并干燥来进行制膜的工序；在将溶液状态或熔 融状态的PVA系聚合物开始流延前，金属支持体的表面的面积(最大宽度与最大端部间距 的乘积）为200 μ m2以上的裂纹的数目为0. 7个/mm2以下；
[20] 上述[19]的制造方法，其中，溶液状态或熔融状态的PVA系聚合物是含有PVA系 聚合物和水的制膜原液的形态；
[21] 上述[19]或[20]的制造方法，其中，前述PVA系聚合物的聚合度为3000以上且 10000以下；
[22] 上述[19]?[21]中任一项的制造方法，其中，前述金属支持体的表面硬度以维氏 硬度计为600HV以上且小于800HV ;
[23] 上述[19]?[22]中任一项的制造方法，其具有以0. 5°C /小时以上的变温速度 使表面具有镀铬层、表面硬度以维氏硬度计为550HV以上且小于900HV的金属支持体的表 面温度为50°C以上且115°C以下的工序；
[24] [19]?[23]中任一项的制造方法，其是制造上述[1]?[6]和[13]?[15]中 任一项的PVA系聚合物膜的方法。
[0020] 发明效果 根据本发明，可以提供能够收率良好地制造缺陷少的偏光膜以及偏光板的PVA系聚合 物膜。另外，根据本发明，可以提供膜卷，该膜卷是长条的PVA系聚合物膜连续卷绕而成的 膜卷，其能够制造从PVA系聚合物膜的卷绕开始部分直至卷绕结束部分的表面特性的差异 小且品质稳定的偏光膜以及偏光板。
[0021] 另外，根据本发明可以提供膜卷中难以产生皱折，而且能够容易地制造染色不均 得到降低的偏光膜的PVA系聚合物膜和将其连续卷绕而成的膜卷、以及用于制造异物少的 偏光膜的偏光膜的制造方法、和通过该方法制造的异物少的偏光膜。
[0022] 进而，根据本发明还可提供能够简便地制造上述PVA系聚合物膜、膜卷的PVA系聚 合物膜的制造方法。

【具体实施方式】
[0023] 以下，更具体地说明本发明。
[0024] [PVA系聚合物膜（1)] 本发明的PVA系聚合物膜（PVA系聚合物膜（1))中，自膜表面凹陷并且面积为400 μ m2 以上且深度为0. 3μηι以上的缺点（以下，有时将该缺点称为"缺点A")的数目为0. 25个/m2 以下。作为塑料膜中存在的缺点，可举出：膜中的空隙(气泡）；异物的混入·附着所致的所 谓鱼眼；膜的操作中产生的伤痕(多为沟状的凹陷）；制膜装置上的凸形状转印所造成的缺 点等，本发明人发现，通过特别控制上述缺点A的数目，则可实现能够收率良好地制造缺陷 少的偏光膜、偏光板等的优异效果。对于该缺点A，上述制膜装置上的凸形状的转印被认为 是原因之1，特别是在如下所述使用滚筒、带等金属支持体来制造 PVA系聚合物膜时，认为 其原因之一是被视为附着于金属支持体上的树脂堆积物的异物所致的凸形状被转印于膜。 由于这样的原因而在长条的PVA系聚合物膜上产生缺点A时，缺点A中的至少一部分具有 下述倾向：在膜的长度方向上实质上以一定的间隔且在膜的宽度方向上实质上多个(例如 3个以上）排列于相同的位置。这里，上述的实质上以一定的间隔，典型地对应于滚筒或带 等金属支持体的1周大小的长度(全周长度)，但根据情形，有时也对应于1周大小的长度的 整数倍。此外，异物所致的凸形状能够在金属支持体上形成多个，因而如上所述排列的缺点 A的组也可存在多个。
[0025] 如上所述，本发明的PVA系聚合物膜（1)中需要缺点A的数目为0. 25个/m2以下。 缺点A的数目若超过0. 25个/m2,则由其制造的偏光膜、偏光板中缺陷变多，无法充分实现 近年来所要求的品质水平，或由于将缺陷多的偏光膜、偏光板废弃等而造成这些制品的收 率降低。从这种观点出发，缺点A的数目优选为0. 20个/m2以下、更优选为0. 15个/m2以 下、进一步优选为〇. 10个/m2以下、特别优选为0. 075个/m2以下。
[0026] 另一方面，对于缺点A的数目的下限不需进行限定，在极度减少缺点A的数目时， 有可能使用于设置制膜设备的成本极度变高等，因而缺点A的数目优选为0. 001个/m2以 上、更优选为〇. 003个/m2以上、进一步优选为0. 005个/m2以上。
[0027] 缺点A是自膜表面凹陷并且面积为400μπι2以上且深度为0. 3μπι以上的缺点。这 里，缺点Α可以从膜的两面中的任一面朝向膜内部凹陷，通常，缺点Α的大部分是从与制膜 时所使用的后述金属支持体接触的面朝向膜内部凹陷。另外，缺点A的面积意指缺点A的 开口部面积。进而，缺点A的深度意指从缺点A的开口部起的相对于膜面为垂直方向，并且 最深位置处的深度。
[0028] 缺点A的数目（单位为个/m2)可通过从作为对象的PVA系聚合物膜的一端起寻找 缺点A，将直至发现10个缺点A为止所检查的PVA系聚合物膜的面积(单位为m 2)除以10 (个）而求出，具体地，可通过在实施例中后述的方法求出。这里，各个缺点是否为缺点A的 判定可使用非接触表面形状测定机来进行。
[0029] PVA系聚合物膜（1)的形状没有特别限制，在将该PVA系聚合物膜（1)用作偏光膜 制造用的初始膜的情形等中，从能够生产率良好地连续制造偏光膜等出发，优选为长条的 PVA系聚合物膜。
[0030] 该长条的PVA系聚合物膜的长度没有特别限制，可以对应于PVA系聚合物膜（1) 的用途等而适宜设定，具体地，该长度优选为l〇〇〇m以上、更优选为4000m以上、进一步优选 为6000m以上、特别优选为7000m以上、最优选为8000m以上。特别是根据后述的PVA系 聚合物膜的制造方法，可以降低PVA系聚合物膜的缺点A的数目，同时即使经长时间连续 制造 PVA系聚合物膜也可以将缺点A的数目的的变动保持在低的水平，因而即使是在上述 长度较长时(例如6000m以上)，也可以简便地获得缺点A的数目得到降低的PVA系聚合物 膜。继而，利用这种较长的PVA系聚合物膜连续制造偏光膜时，可以经长时间收率稳定地制 造缺陷少，且满足近年来所要求的品质水平的制品，此外，还可以降低伴随于更换膜卷的麻 烦或时间损失。长条的PVA系聚合物膜的长度的上限没有特别限制，若过长则在制为膜卷 时重量或辊径过于变大等，操作性降低，保管或运输有时变难等，因而该长度优选为30000m 以下、更优选为25000m以下、进一步优选为20000m以下。
[0031] 长条的PVA系聚合物膜的宽度没有特别限制，例如可以为0. 5m以上，由于近年来 需求宽幅的偏光膜，故优选为lm以上、更优选为2m以上、进一步优选为4m以上。该长条的 PVA系聚合物膜的宽度的上限没有特别限制，该宽度若过宽，则在用实用化的装置制造偏光 膜的情形等中，具有难以均匀地进行拉伸的倾向，因而PVA系聚合物膜的宽度优选为7m以 下。
[0032] PVA系聚合物膜（1)的厚度没有特别限制，可以对应于PVA系聚合物膜的用途等适 宜设定，具体地，该厚度优选为300 μ m以下、更优选为150 μ m以下、进一步优选为100 μ m 以下。此外，近年来也需要更薄的偏光膜，从这样的观点等出发，PVA系聚合物膜（1)的厚度 优选为45 μ m以下、更优选为35 μ m以下、进一步优选为25 μ m以下。PVA系聚合物膜（1)的 厚度的下限没有特别限制，从能够更顺利地制造偏光膜的方面等出发，该厚度优选为3 μ m 以上、更优选为5 μ m以上。
[0033] 作为构成PVA系聚合物膜（1)的PVA系聚合物，可以使用对聚合乙烯基酯系单体而 得的乙烯基酯系聚合物进行皂化而制造的那些。作为乙烯基酯系单体，可举出例如：甲酸乙 烯酯、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、戊酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯、 特戊酸乙烯酯、叔碳酸乙烯酯等，其中，优选乙酸乙烯酯。
[0034] 上述乙烯基酯系聚合物优选为仅使用作为单体的1种或2种以上的乙烯基酯系单 体而得到的那些，更优选为仅使用作为单体的1种乙烯基酯系单体而得到的那些，但也可 以是1种或2种以上的乙烯基酯系单体与能够与之共聚的其它单体的共聚物。
[0035] 作为这种能够与乙烯基酯系单体共聚的其它单体，可举出例如：乙烯；丙烯、1- 丁 烯、异丁烯等碳原子数3?30的烯烃；丙烯酸或其盐；丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正 丙酯、丙烯酸异丙醇酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、 丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸十八烷基酯等丙烯酸酯；甲基丙烯酸或其盐；甲基丙烯酸甲酯、 甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸异丙醇酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯 酸异丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸十二烷基酯、甲基丙烯 酸十八烷基酯等甲基丙烯酸酯；丙烯酰胺、N-甲基丙烯酰胺、N-乙基丙烯酰胺、N，N-二甲基 丙烯酰胺、双丙酮丙烯酰胺、丙烯酰胺丙磺酸或其盐、丙烯酰胺丙基二甲基胺或其盐、N-羟 甲基丙烯酰胺或其衍生物等丙烯酰胺衍生物；甲基丙烯酰胺、N-甲基甲基丙烯酰胺、N-乙 基甲基丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺丙磺酸或其盐、甲基丙烯酰胺丙基二甲基胺或其盐、N-羟甲 基甲基丙烯酰胺或其衍生物等甲基丙烯酰胺衍生物；N-乙烯基甲酰胺、N-乙烯基乙酰胺、 N-乙烯基吡咯烷酮等N-乙烯基酰胺；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、正丙基乙烯基醚、异丙 基乙稀基酿、正丁基乙稀基酿、异丁基乙稀基酿、叔丁基乙稀基酿、十_烧基乙稀基酿、硬脂 基乙烯基醚等乙烯基醚；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰化乙烯基；乙烯基氯、偏氯乙烯、乙烯基 氟、偏氟乙烯等卤化乙烯；乙酸烯丙酯、烯丙基氯等烯丙基化合物；马来酸或其盐、酯或酸 酐；衣康酸或其盐、酯或酸酐；乙烯基三甲氧基硅烷等乙烯基甲硅烷基化合物；乙酸异丙烯 酯等。上述乙烯基酯系聚合物可以具有来源于上述其它单体中的1种或2种以上的结构单 J Li 〇
[0036] 来源于上述其它单体的结构单元在上述乙烯基酯系聚合物中所占的比例没有特 别限制，基于构成乙烯基酯系聚合物的全部结构单元的摩尔数，优选为15摩尔％以下、更优 选为5摩尔％以下。
[0037] PVA系聚合物的聚合度不需要限制，由于具有随着聚合度的降低膜强度降低的倾 向，因而优选为200以上、更优选为300以上、进一步优选为400以上、特别优选为500以上。 此外，聚合度若过高则水溶液或熔融的PVA系聚合物的粘度变高，存在制膜变难的倾向，因 而优选为10000以下、更优选为9000以下、进一步优选为8000以下、特别优选为7000以 下。这里，PVA系聚合物的聚合度意指依照JIS K6726-1994的记载测定的平均聚合度，可 根据将PVA系聚合物再皂化、进行精制后在30°C的水中测定的特性粘度[η ](单位：分升 /g)由下式求出。 聚合度=([n ] X 103/8. 29) (1/0·62) 此外，使用聚合度在3000以上且10000以下的范围内的PVA系聚合物并通过后述方法 制造 PVA系聚合物膜时，可以得到缺点A的数目极小的PVA系聚合物膜，并且即使经长时间 连续制造 PVA系聚合物膜也可以将缺点A的数目的变动保持在较低水平，故优选。从这样 的观点出发，PVA系聚合物的聚合度更优选为4000以上、进一步优选为5000以上。应予说 明，通过使用聚合度在3000以上且10000以下的范围内的PVA系聚合物而实现上述效果的 理由不一定明确，但认为溶液状态或熔融状态的PVA系聚合物越容易进入存在于金属支持 体的表面的裂纹，则PVA系聚合物膜中的缺点A的数目越增加，故推测是在使用上述聚合度 的PVA系聚合物时上述进入受到了抑制的缘故。
[0038] PVA系聚合物的皂化度没有特别限制，可以使用例如60摩尔％以上的PVA系聚合 物，但特别在将PVA系聚合物膜用作偏光膜等光学膜制造用的初始膜的情形等中，PVA系聚 合物的皂化度优选为95摩尔％以上、更优选为98摩尔％以上、进一步优选为99摩尔％以 上。这里，PVA系聚合物的皂化度意指相对于PVA系聚合物所具有的、可通过皂化转化为乙 烯醇单元的结构单元(典型地为乙烯基酯系单体单元）和乙烯醇单元的总计摩尔数，该乙烯 醇单元的摩尔数所占的比例(摩尔％)。PVA系聚合物的皂化度可依照JIS K6726-1994的 记载进行测定。
[0039] 在制造 PVA系聚合物膜（1)时，可以单独使用1种PVA系聚合物，也可以并用聚合 度、皂化度、改性度等中的1者或2者以上相互不同的2种以上的PVA系聚合物。PVA系聚 合物膜（1)中的PVA系聚合物的含有率优选为50质量％以上、更优选为70质量％以上、进 一步优选为85质量％以上。
[0040] PVA系聚合物膜（1)优选含有增塑剂。PVA系聚合物膜（1)通过含有增塑剂，可以 防止制为膜卷时的皱折的产生、或使二次加工时的工序通过性提高。作为增塑剂，优选为多 元醇，具体可举出例如：乙二醇、甘油、二甘油、丙二醇、二甘醇、三甘醇、四甘醇、三羟甲基丙 烷等。这些增塑剂可以单独使用1种或并用2种以上。这些增塑剂中，从与PVA系聚合物 的相溶性或获得性等观点出发，优选乙二醇或甘油。
[0041] PVA系聚合物膜（1)中的增塑剂的含量相对于PVA系聚合物100质量份优选为1? 30质量份的范围内、更优选为3?25质量份的范围内、进一步优选为5?20质量份的范围 内。
[0042] PVA系聚合物膜（1)，从提高自其制造中所使用的金属支持体剥离的性能、提高 PVA系聚合物膜的操作性等观点出发，优选含有表面活性剂。表面活性剂的种类没有特别限 制，可优选使用阴离子性或非离子性的表面活性剂。
[0043] 作为阴离子性表面活性剂，可举出例如：月桂酸钾等羧酸型、硫酸辛酯等硫酸酯 型、十二烷基苯磺酸酯等磺酸型等。
[0044] 作为非离子性表面活性剂，可举出例如：聚氧乙烯油基醚等烷基醚型、聚氧乙烯辛 基苯基醚等烷基苯基醚型、聚氧乙烯月桂酸酯等烷基酯型、聚氧乙烯月桂基氨基醚等烷基 胺型、聚氧乙烯月桂酰胺等烷基酰胺型、聚氧乙烯聚氧丙烯醚等聚丙二醇醚型、月桂酸二乙 醇酰胺、油酸二乙醇酰胺等烷醇酰胺型、聚氧亚烷基烯丙基苯基醚等烯丙基苯基醚型等。
[0045] 这些表面活性剂可以单独使用1种或并用2种以上。
[0046] PVA系聚合物膜（1冲的表面活性剂的含量，从由金属支持体剥离的性能或PVA系 聚合物膜的操作性等观点出发，相对于PVA系聚合物100质量份，优选为0. 01?1质量份 的范围内、更优选为0. 02?0. 5质量份的范围内、进一步优选为0. 05?0. 3质量份的范围 内。
[0047] PVA系聚合物膜（1)中还可根据需要进一步含有上述PVA系聚合物、增塑剂、和表 面活性剂以外的其它成分。作为这种其它成分，可举出例如：水分、抗氧化剂、紫外线吸收 齐U、润滑剂、着色剂、充填剂(无机物粒子、淀粉等)、防腐剂、防霉剂、上述成分以外的其它高 分子化合物等。
[0048] [膜卷（1)] 本发明的膜卷(膜卷（1))是长条的PVA系聚合物膜连续卷绕而成的膜卷，其中，相对于 PVA系聚合物膜的卷绕开始部分(开始将PVA系聚合物膜卷绕为膜卷时的膜部分)中的上述 缺点A的数目，PVA系聚合物膜的卷绕结束部分(将PVA系聚合物膜卷绕为膜卷结束时的膜 部分)中的上述缺点A的数目为1. 4倍以下。这种膜卷中，由于从PVA系聚合物膜的卷绕开 始部分直至卷绕结束部分的表面特性的差异小，因而根据该膜卷，可以制造品质稳定的偏 光膜以及偏光板。从这样的观点出发，相对于PVA系聚合物膜的卷绕开始部分的上述缺点A 的数目，PVA系聚合物膜的卷绕结束部分的上述缺点A的数目优选为1. 3倍以下、更优选为 1. 2倍以下、进一步优选为1. 1倍以下。此外，长条的PVA系聚合物膜的制膜中，缺点A的 数目通常具有经时性增加的倾向，因而相对于PVA系聚合物膜的卷绕开始部分的上述缺点 A的数目，PVA系聚合物膜的卷绕结束部分的上述缺点A的数目通常多为0. 6倍以上，此外， 从制造品质稳定的偏光膜以及偏光板等观点出发，相对于PVA系聚合物膜的卷绕开始部分 的上述缺点A的数目，PVA系聚合物膜的卷绕结束部分的上述缺点A的数目优选为0. 7倍 以上、更优选为〇. 75倍以上、进一步优选为0. 8倍以上、特别优选为0. 9倍以上。
[0049] 本发明的膜卷（1)中的PVA系聚合物膜中，每单位面积的缺点A的数目没有特别 限制，作为本发明的PVA系聚合物膜（1)中的缺点A的数目，若满足上述数目，S卩，若缺点A 的数目为0.25个/m2以下(关于上限，优选为0.20个/m2以下、更优选为0. 15个/m2以下、 进一步优选为〇. 10个/m2以下、特别优选为0. 075个/m2以下，且关于下限，优选为0. 001 个/m2以上、更优选为0. 003个/m2以上、进一步优选为0. 005个/m2以上)，则在连续制造 偏光膜时，可以经长时间收率良好而稳定地制造缺陷少且满足近年来所要求的品质水平的 制品，故优选。对于上述每单位面积的缺点A的数目，只要在PVA系聚合物膜的卷绕开始部 分和卷绕结束部分的两部分中满足上述的数目，则可认为在该PVA系聚合物膜整体中满足 该数目。
[0050] 本发明的膜卷（1)中使用的PVA系聚合物膜的长度(卷绕长度）没有特别限制，可 以对应于PVA系聚合物膜的用途等适宜设定，具体地，可以使该长度为1000m以上。然而， 近年来在偏光膜的制造中，为了降低伴随于更换膜卷的麻烦或时间损失，有时需要比以往 4000m左右的长度更长的PVA系聚合物膜，即使使用这种更长的PVA系聚合物膜经长时间 连续制造偏光膜，也可以使制品的品质稳定，因而PVA系聚合物膜的长度优选为6000m以 上、更优选为7000m以上、进一步优选为8000m以上。长条的PVA系聚合物膜的长度的上限 没有特别限制，若过长则在制为膜卷时重量或辊径过于变大等，操作性降低，保管或运输有 时变难，此外，还具有难以制造满足本发明规定的膜卷的倾向等，因此该长度优选为30000m 以下、更优选为25000m以下、进一步优选为20000m以下。应予说明，若该长度为14000m以 下、进而为10000m以下，则更加容易制造满足本发明规定的膜卷。
[0051 ] 作为与本发明的膜卷（1)中使用的PVA系聚合物膜相关的其它构成，可以是与作 为本发明的PVA系聚合物膜（1)的说明的上述内容相同的构成，因而这里省略重复的说明。
[0052] 本发明的膜卷（1)是长条的PVA系聚合物膜连续卷绕而成，例如，将长条的PVA系 聚合物膜连续卷绕于圆筒状的芯而成。使用有圆筒状的芯时，该芯的两端部优选形成有从 膜卷的端面突出的突出部。
[0053] 上述圆筒状的芯的种类没有特别限制，可举出例如，金属制的芯、塑料制的芯、纸 制的芯、木制的芯等。此外，还可以使用：使用有金属和塑料这两者的芯、使用有金属和纸这 两者的芯、使用有塑料和纸这两者的芯等复合体形态的芯。其中，若考虑强度、耐久性、低发 尘性等，则优选金属和/或塑料制的芯，从重复使用也难以受到摩耗等影响的角度出发，更 优选金属制的芯。作为上述金属，可举出例如，铁、不锈钢、铝等，可以单独使用它们中的1 种，也可以并用2种以上。此外，作为上述塑料，可举出例如，聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚酯、 聚碳酸酯、聚酰胺、环氧树脂、聚氨酯、聚脲、有机硅树脂等，可以单独使用它们中的1种、也 可并用2种以上。另外，从强度等观点出发，该塑料可以为碳纤维强化塑料等纤维强化塑料 (FRP)。
[0054] [PVA系聚合物膜（2)] 本发明的PVA系聚合物膜（PVA系聚合物膜（2))，在对膜的两面分别测定均方根粗糙度 时，所得的2个均方根粗糙度之差为0· 3nm以上且10nm以下，较小的均方根粗糙度为10nm 以下。PVA系聚合物膜连续卷绕而成的以往的膜卷中，膜间的滑动性不良等导致膜容易产 生皱折，而通过本发明的PVA系聚合物膜（2)，可以降低该皱折的发生。应予说明，膜卷的 皱折有：卷绕PVA系聚合物膜时产生的皱折，与一旦制为膜卷后将其在仓库等保管时因残 留于PVA系聚合物膜的应力而产生绷紧，由于此时膜间的滑动性不良而产生的皱折；通过 本发明的PVA系聚合物膜（2)，可以有效地降低前者皱折的发生，也可以降低后者皱折的发 生。除此之外，根据本发明的PVA系聚合物膜（2)，还可容易地制造与上述缺陷不同的染色 不均得到降低的偏光膜。
[0055] 本发明中的均方根粗糙度意指JIS B0601 :2001中记载的均方根粗糙度（Rq)，可 通过在从膜的表面得到的粗糙度曲线中，将其平均线至粗糙度曲线的偏差的平方进行平均 来求出。PVA系聚合物膜的两面的各面的均方根粗糙度可通过实施例中后述的方法测定。
[0056] 对于本发明的PVA系聚合物膜（2)，在对膜的两面分别测定均方根粗糙度时，需要 所得的2个均方根粗糙度之差为0· 3nm以上且10nm以下。通过两者之差为0· 3nm以上，可 以有效地降低膜卷中皱折的发生。另一方面，通过两者之差为lOmii以下，可以有效地降低 偏光膜中的染色不均。从这样的观点出发，两者之差优选为〇. 5nm以上、更优选为0. 8nm以 上、进一步优选为1. 2nm以上、特别优选为1. 5nm以上、最优选为2nm以上，此外，优选为7nm 以下、更优选为5nm以下。
[0057] 另外，对于本发明的PVA系聚合物膜（2)，需要较小的均方根粗糙度为10nm以下。 通过较小的均方根粗糙度为lOnm以下，可以有效地降低偏光膜中的染色不均。从这样的观 点出发，较小的均方根粗糙度优选为8nm以下、更优选为6nm以下、进一步优选为4nm以下。 应予说明，为了使均方根粗糙度极度降低而需要施加特殊的加工，容易使PVA系聚合物膜 的制造成本上升，因而较小的均方根粗糙度优选为〇· 3nm以上、更优选为0· 6nm以上、进一 步优选为〇· 9nm以上、特别优选为1. 2nm以上。
[0058] 在PVA系聚合物膜（2)中，较大的均方根粗糙度优选为lnm以上且20nm以下。通 过较大的均方根粗糙度为lnm以上，可以更有效地降低膜卷中皱折的发生。另一方面，通过 较大的均方根粗糙度为20nm以下，可以更有效地降低偏光膜中的染色不均。从这样的观点 出发，较大的均方根粗糙度更优选为2nm以上、进一步优选为4nm以上，此外，更优选为15nm 以下、进一步优选为1 lnm以下、特别优选为8nm以下、最优选为6nm以下。
[0059] PVA系聚合物膜（2)的形状没有特别限制，在将该PVA系聚合物膜（2)用作偏光膜 制造用的初始膜的情形等中，从能够生产率良好地连续制造偏光膜等出发，优选为长条的 PVA系聚合物膜。
[0060] 该长条的PVA系聚合物膜的长度没有特别限制，可以对应于PVA系聚合物膜（2 )的 用途等而适宜设定，具体地，该长度优选为l〇〇〇m以上、更优选为4000m以上、进一步优选为 6000m以上、特别优选为7000m以上、最优选为8000m以上。通过这样的更长的PVA系聚合 物膜，可以降低伴随于更换膜卷的麻烦或时间损失。长条的PVA系聚合物膜的长度的上限 没有特别限制，若过长则在制为膜卷时重量或辊径过于变大等，操作性降低，保管或运输有 时变难等，因而该长度优选为30000m以下、更优选为25000m以下、进一步优选为20000m以 下。应予说明，作为在保存膜卷时发生的皱折的原因之一，可举出残留于PVA系聚合物膜的 应力所致的紧绷，由于该紧绷容易在较长较宽的PVA系聚合物膜中强烈地体现，因而在较 长的PVA系聚合物膜中本发明的效果会更显著地实现。
[0061] 长条的PVA系聚合物膜的宽度没有特别限制，例如可以为0. 5m以上，由于近年来 需求宽幅的偏光膜，故优选为lm以上、更优选为2m以上、进一步优选为4m以上。该长条的 PVA系聚合物膜的宽度的上限没有特别限制，该宽度若过宽，则在用实用化的装置制造偏光 膜的情形等中，具有难以均匀地进行拉伸的倾向，因而PVA系聚合物膜的宽度优选为7m以 下。应予说明，与对PVA系聚合物膜的长度的说明相同，由于紧绷容易在较长较宽的PVA 系聚合物膜中强烈体现，因而在宽度更宽的PVA系聚合物膜中本发明的效果会更显著地实 现。
[0062] PVA系聚合物膜（2)的厚度没有特别限制，可以对应于PVA系聚合物膜的用途等适 宜设定，具体地，该厚度优选为300 μ m以下、更优选为150 μ m以下、进一步优选为100 μ m 以下。此外，近年来也需要更薄的偏光膜，从这样的观点等出发，PVA系聚合物膜（2)的厚度 优选为45 μ m以下、更优选为35 μ m以下、进一步优选为25 μ m以下。PVA系聚合物膜（2)的 厚度的下限没有特别限制，从能够更顺利地制造偏光膜的方面等出发，该厚度优选为3 μ m 以上、更优选为5μπι以上。应予说明，PVA系聚合物膜的厚度越薄则膜卷中的皱折越容易 发生，因而在更薄的PVA系聚合物膜中本发明的效果会更显著地实现。
[0063] 作为与本发明的PVA系聚合物膜（2)相关的其它构成，可以是与作为本发明的PVA 系聚合物膜（1)的说明的上述内容相同的构成，因而这里省略重复的说明。
[0064] PVA系聚合物膜（2 )的制造方法没有特别限制，根据后述本发明的PVA系聚合物膜 的制造方法，可以简便地制造目标PVA系聚合物膜（2)，故优选。此时，与金属支持体的表面 接触的一侧容易成为具有较大的均方根粗糙度的面。应予说明，除了该制造方法以外，还可 以考虑：使制造 PVA系聚合物膜通过表面粗糙度不同的金属辊间的方法；将PVA系聚合物 膜的制造中所使用的制膜原液中的异物(劣化树脂或来自外部的污染等）用过滤器等除去， 同时将无机物的超微粒子添加至制膜原液中并在平滑面上进行制膜而调整两面的均方根 粗糙度的方法等。
[0065] [膜卷（2)] 本发明的膜卷(膜卷（2 ))是作为上述PVA系聚合物膜（2 )的长条的PVA系聚合物膜连 续卷绕而成，例如，是将作为PVA系聚合物膜（2)的长条的PVA系聚合物膜连续卷绕于圆筒 状的芯而成。使用有圆筒状的芯时，该芯的两端部优选形成有从膜卷的端面突出的突出部。 作为该芯，可以使用作为膜卷（1)的说明而在以上所述的那些，这里省略重复的说明。
[0066] 对于与本发明的膜卷（2)有关的其它构成，可以是与作为本发明的膜卷（1)的说 明的上述内容相同的构成，因而这里省略重复的说明。
[0067] 本发明的膜卷（2)中，可以降低以往保存膜卷时容易产生的皱折的发生。作为保存 膜卷时的温度，若过高则PVA系聚合物膜容易发生变形而产生皱折，因而优选为40°C以下、 更优选为35°C以下、进一步优选为30°C以下。另一方面，保存膜卷时的温度的下限没有特 别限制，该温度优选为-l〇°C以上、更优选为-5°C以上、进一步优选为0°C以上。
[0068] [PVA系聚合物膜的制造方法] 用于制造 PVA系聚合物膜的本发明的制造方法具有下述工序：在表面具有镀铬层、表 面硬度以维氏硬度计为550HV以上且小于900HV、表面温度为50°C以上且115°C以下的金属 支持体的表面上，将溶液状态或熔融状态的PVA系聚合物进行流延并干燥来进行制膜。继 而，在将溶液状态或熔融状态的PVA系聚合物开始流延前，金属支持体的表面的面积(最大 宽度与最大端部间距的乘积）为200 μ m2以上的裂纹的数目为0.7个/mm2以下。根据该制 造方法，可以简便地制造上述本发明的PVA系聚合物膜（PVA系聚合物膜（1)和（2))、或在 本发明的膜卷(膜卷（1)和（2 ))中连续卷绕的长条的PVA系聚合物膜。
[0069] 作为本发明中所使用的金属支持体，可举出滚筒或带等，其表面具有镀铬层。这 里，金属支持体的表面意指溶液状态或熔融状态的PVA系聚合物所流延的表面(制膜面)，金 属支持体为滚筒的情况中，可在滚筒的外周面具有镀铬层，为带的情况中，可在带的连续面 中的外侧面具有镀铬层。
[0070] 镀铬层的厚度没有特别限制，从能够更有效地防止金属支持体表面的腐蚀，且容 易降低后述裂纹的数目等角度出发，优选为10 μ m以上且500 μ m的范围内。应予说明，镀 铬层可以一次形成，也可以分多次形成，例如，在分多次形成镀铬层时，可以在暂先形成镀 铬层后，将其表面的凹凸通过研磨等除去，并在其上进一步形成镀铬层。若如此进行，则可 降低镀铬层的针孔。此外，如专利文献4等所述，在镀铬层之下设置镀镍层时，可以进一步 降低镀铬层中的裂纹。
[0071] 在表面具有镀铬层的上述金属支持体中，其表面硬度以维氏硬度计需要为550HV 以上且小于900HV。具有通常的镀铬层的金属支持体是公知的（参照例如，专利文献4?7 等)，但在使用如本发明的具有特定的表面硬度的金属支持体时，虽然原因还不清楚，但通 过在如抛光研磨等的制膜开始前对金属支持体的表面实施的通常的处理，可容易地降低存 在于金属支持体的表面的裂纹的数目，可以较以往更加降低所得PVA系聚合物膜中的上述 缺点A的数目，而且即使经长时间连续地制造 PVA系聚合物膜，也可以将上述缺点A的数目 的变动保持于较以往更低的水平。此外，可以将膜的两面的均方根粗糙度调整至所期望的 范围。上述表面硬度以维氏硬度计为900HV以上时，难以降低存在于金属支持体的表面的 裂纹的数目，此外，在经长时间连续地制造 PVA系聚合物膜时，上述缺点A的数目的变动增 大。此外，膜的两面的均方根粗糙度脱离所期望的范围。从如上所述的观点出发，上述表面 硬度以维氏硬度计优选为小于800HV、更优选为小于780HV。另一方面，上述表面硬度以维 氏硬度计若小于550HV，则容易产生在连续制膜时或在清扫金属支持体的表面时造成损伤 等的问题，在经长时间连续地制造 PVA系聚合物膜时上述缺点A的数目的变动也变大。此 夕卜，膜的两面的均方根粗糙度脱离所期望的范围。从这样的观点出发，上述表面硬度以维氏 硬度计优选为600HV以上、更优选为650HV以上、进一步优选为700HV以上。
[0072] 金属支持体的表面硬度可通过使用硬度计等在多处测定镀铬层表面的维氏硬度 并将其平均而求出。应予说明，该表面硬度(维氏硬度）的测定可以在溶液状态或熔融状态 的PVA系聚合物所流延的表面(制膜面）进行，但由于测定时产生的损伤可能会使所得PVA 系聚合物膜的品质降低，因而，即使是滚筒或带的端部中形成有镀铬层的部分等、溶液状态 或熔融状态的PVA系聚合物所流延的表面(制膜面)附近或者溶液状态或熔融状态的PVA系 聚合物所流延的表面(制膜面)，也可以在制膜后，在与经耳部裁切等而除去的膜部分对应 的表面进行表面硬度的测定，将其值作为本发明中规定的表面硬度。金属支持体的表面硬 度具体可通过实施例中后述的方法求出。
[0073] 表面具有镀铬层的金属支持体的表面硬度的调整本身可通过公知的方法容易地 进行，具体可通过下述方法进行：将镀铬处理时使用的镀铬浴的温度调整为特定的范围内 的方法；将镀铬处理时的电流密度调整至特定的范围内的方法；调整镀铬浴的组成的方 法；在镀铬处理后通过热处理(退火）或暴露于氢气等来调整吸留于镀铬层中的氢浓度的方 法等。其中，从操作简单等方面出发，优选为将镀铬浴的温度调整至特定的范围内的方法； 将镀铬处理时的电流密度调整至特定的范围内的方法；在镀铬处理后调整吸留于镀铬层中 的氢浓度的方法，更优选为将镀铬浴的温度调整至特定的范围内的方法。关于上述方法，将 使用作为通常的镀铬浴的铬酸-硫酸水溶液，在镀铬浴的温度为40°C以上且70°C以下的范 围内、和电流密度为60A/dm 2以下的范围内进行镀铬处理的情形作为例子来看时，则具有镀 铬浴的温度越高、以及电流密度越低，则表面硬度通常越变低的倾向。此外，关于吸留于镀 铬层中的氢浓度，则具有越是提高热处理的温度或延长处理时间来使其浓度降低，表面硬 度通常越变低的倾向。
[0074] 上述镀铬层的形成方法只要是能够形成表面硬度满足上述的范围的金属支持体 的方法则没有特别限制，可以采用公知的方法，作为代表的方法，例示有：首先将金属支持 体的表面通过抛光研磨或研磨机研磨等方法进行研磨而极力除去表面的凹凸后，进行浸渍 脱脂、电解脱脂、盐酸水溶液浸渍等基底处理，然后使用镀铬浴进行镀铬处理，进而进行热 处理的方法。镀铬浴的代表的是萨金特浴（寸一'>卜浴)，可将其优选使用。萨金特浴 的组成和镀铬处理的条件的实例如下所示。
[0075] <萨金特浴的组成> 铬酸酐：100?300g/L (使用药品基准的浓度） 硫酸：所使用的铬酸酐的1/50?1/150 (质量比例)。
[0076] <镀铬处理的条件> 电流密度 10?60A/dm2 镀铬浴的温度会大大影响如上所述得到的金属支持体的表面硬度。作为镀铬浴的具体 温度，取决于镀铬处理中所采用的其它条件或镀铬处理后的热处理条件等，但优选为50°C 以上、更优选为53°C以上、进一步优选为54°C以上。镀铬浴的温度若过低则所得金属支持 体的表面硬度容易变得过高。另一方面，镀铬浴的温度优选为66°C以下、更优选为63°C以 下、进一步优选为61°C以下、特别优选为58°C以下。镀铬浴的温度若过高则所得的金属支 持体的表面硬度容易变得过低。
[0077] 优选在镀铬处理后进行热处理(退火)。在高温下进行热处理时，可缩短其所需要 的时间，但温度若过高则变得容易在镀铬层产生裂纹，因而热处理的温度优选为130°C以 下、更优选为120°C以下。相反，在低温进行热处理时，虽然裂纹发生的风险降低，但热处理 所需要的时间变长，因而热处理的温度优选为70°C以上、更优选为90°C以上。热处理的时 间取决于镀铬处理的条件或热处理的温度等，可在24?120小时的范围内进行设定。
[0078] 作为溶液状态或熔融状态的PVA系聚合物，可举出：如PVA系聚合物溶解于液体介 质而成的制膜原液、或含有PVA系聚合物和液体介质且PVA系聚合物熔融的制膜原液等这 样的包含PVA系聚合物和液体介质的制膜原液的形态者。该制膜原液可根据需要进一步含 有如上所述的增塑剂、表面活性剂、其它成分。
[0079] 作为制膜原液中的上述液体介质，可举出例如：水、二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、二 甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、乙二醇、甘油、丙二醇、二甘醇、三甘醇、四甘醇、三羟甲基丙 烷、乙二胺、二亚乙基三胺等，可以使用它们中的1种或2种以上。其中，从对环境造成的负 荷小和回收性的观点出发，优选为水。即，作为溶液状态或熔融状态的PVA系聚合物的优选 实例，可举出含有PVA系聚合物和水的制膜原液的形态的那些。
[0080] 制膜原液的挥发成分比率(制膜时通过挥发、蒸发而除去的液体介质等挥发性成 分在制膜原液中的含有比例）取决于制膜方法、制膜条件等而有所不同，优选为50?90质 量％的范围内、更优选为55?80质量％的范围内。通过制膜原液的挥发成分比率为50质 量％以上，制膜原液的粘度不会变得过高，制膜原液制备时的过滤、脱泡得到顺利进行，异 物和缺点少的PVA系聚合物膜的制造变得容易。另一方面，通过制膜原液的挥发成分比率 为90质量％以下，制膜原液的浓度不会变得过低，工业性的PVA系聚合物膜的制造变得容 易。
[0081] 上述制膜原液的制备方法没有特别限制，可举出例如：使PVA系聚合物溶解于水 等液体介质中，并在此时根据需要添加增塑剂、表面活性剂、其它成分中的至少1种的方 法；或将含有水等液体介质的状态的PVA系聚合物用挤出机进行熔融混炼，并在此时根据 需要一起熔融混炼增塑剂、表面活性剂、其它成分中的至少1种的方法等。
[0082] 用于制造 PVA系聚合物膜的本发明的制造方法中具有下述工序：在表面温度为 50°C以上且115°C以下的上述金属支持体的表面上，将上述溶液状态或熔融状态的PVA系 聚合物进行流延并干燥而进行制膜。金属支持体的表面温度若超过115°C，则所得PVA系聚 合物膜中缺点A的数目变多。此外，膜的两面的均方根粗糙度容易脱离所期望的范围。根 据该观点，金属支持体的表面温度优选为105°C以下、更优选为102°C以下、进一步优选为 99°C以下、特别优选为96°C以下、最优选为95°C以下。另一方面，金属支持体的表面温度若 小于50°C，则容易发生难以由金属支持体剥离膜、或者膜的透明性受损等问题。从这样的观 点出发，金属支持体的表面温度优选为60°C以上、更优选为70°C以上、进一步优选为80°C 以上。应予说明，作为金属支持体的表面温度，可以采用金属支持体的表面上的任意多处 (例如10处以上）的表面温度的平均值(平均温度)。
[0083] 在制膜开始前使金属支持体的表面温度为上述范围内的方法没有特别限制，例 如，在使用滚筒作为金属支持体时，可以采用：在滚筒的内侧通入水、油、水蒸汽等热介质， 或通过设置于滚筒内侧的感应加热加热器进行加热，或通过以与滚筒的表面相对的方式设 置的红外线加热器或热风加热装置进行加热的方法等。
[0084] 关于在制膜开始前使金属支持体的表面温度为上述范围内时的变温速度，例如， 如专利文献5所述，可以设为:TC /小时以下，但在使用表面具有镀铬层且具有上述表面硬 度的金属支持体的本发明的制造方法中，虽然原因不明，但发现，即使将上述变温速度较为 提高，也可以抑制存在于金属支持体的表面的裂纹数目的上升，即使在削减温度调整时间 以使生产率提高的情形中，也可以将所得的PVA系聚合物膜的上述缺点A的数目控制在低 的水平。从这样的观点出发，在制膜开始前使金属支持体的表面温度为上述范围内时的变 温速度优选为〇. 5°C /小时以上、更优选为1°C /小时以上，还可以设为3. 5°C /小时以上、 4°C /小时以上、4. 5°C /小时以上、进而5°C /小时以上。另外，从降低裂纹数目的观点出 发，上述变温速度优选为l〇°C /小时以下、更优选为7°C /小时以下。
[0085] 此外，在制膜开始前使金属支持体的表面温度为上述范围内时，从降低裂纹的观 点出发，优选减小金属支持体的宽度方向的温度差，具体地，在宽度方向上连续地测定金属 支持体的表面温度，对于所得的温度分布数据，以宽度方向的位置为横轴，以温度为纵轴进 行作图时，其斜率的绝对值的最大值优选为10°c /m以下、更优选为5°C /m以下、进一步优 选为4°C /m以下、特别优选为3°C /m以下。
[0086] 此外，用于制造 PVA系聚合物膜的本发明的制造方法中，在将溶液状态或熔融状 态的PVA系聚合物开始流延前，金属支持体的表面的面积为200 μ m2以上的裂纹的数目为 0.7个/mm2以下。这里，裂纹的面积意指裂纹的最大宽度与最大端部间距的乘积。通常，制 膜开始前的金属支持体的表面存在有镀铬层的裂痕等裂纹。继而，在制膜中被认为是树脂 堆积物的异物会逐渐附着于这样的裂纹而形成凸形状，认为是该凸形状转印于膜而在膜上 形成缺点A。特别地，PVA系聚合物与其它聚合物相比，亲水性高且与金属具有良好的亲和 性，因而被认为容易进入存在于金属支持体的表面的裂纹而作为树脂堆积物附着，认为在 将经干燥的膜从金属支持体剥离时等中，容易使凸形状形成并成长。从这样的原因出发，为 了降低缺点A的数目，优选尽可能降低存在于金属支持体的表面的裂纹的数目，但如上所 述，若使用表面具有镀铬层且具有上述表面硬度的金属支持体，虽然原因不明，但通过如抛 光研磨等的制膜开始前在金属支持体的表面实施的通常的处理，可以容易地降低存在于金 属支持体的表面的裂纹的数目，可以较以往更加降低所得PVA系聚合物膜的上述缺点A的 数目，而且即使经长时间连续制造 PVA系聚合物膜，也可以将上述缺点A的数目的变动保持 于较以往更低的水平。金属支持体的表面的该裂纹的数目若超过〇. 7个/mm2,则所得PVA 系聚合物膜中缺点A的数目变多。从降低所得PVA系聚合物膜的缺点A的数目的观点等出 发，在将溶液状态或熔融状态的PVA系聚合物开始流延前，金属支持体的表面的上述裂纹 的数目优选为〇. 3个/mm2以下、更优选为0. 15个/mm2以下。另一方面，由于极度降低金属 支持体的表面的上述裂纹的数目较为麻烦且效果也存在达到极限的倾向，因而该数目优选 为0. 005个/mm2以上、进一步优选为0. 01个/mm2以上。
[0087] 金属支持体的表面的面积为200 μ m2以上的裂纹的数目可通过下述方法求出：在 金属支持体的表面上确定任意的25处，分别用显微镜特定处于2mmX2mm (4mm2)的范围 的"面积为200 μ m2以上的裂纹"，求出该4mm2的范围X 25处的"面积为200 μ m2以上的裂 纹"的数目，由该数目算出每1mm2的数目。这里，裂纹的面积意指各裂纹的最大宽度与最大 端部间距的乘积，该最大端部间距在裂纹的端部仅为2个时意指它们的端部间距(直线距 离)，为多个端部时则意指多个端部间距中的最大距离。具体地，金属支持体的表面的面积 为200 μ m2以上的裂纹的数目可通过实施例中后述的方法求出。
[0088] 金属支持体的宽度可以根据目标PVA系聚合物膜的宽度而适宜设定。作为金属支 持体的具体宽度，取决于目标PVA系聚合物膜的宽度，例如为0. 5m以上，并且从有效地制造 能够制造宽幅偏光膜的宽幅PVA系聚合物膜的观点出发，优选为4. 5m以上、更优选为5. 0m 以上、进一步优选为5. 5m以上。此外，若考虑金属支持体的成本或维护的容易性等，则该金 属支持体的宽度优选为7. 5m以下、优选为7. Om以下、更优选为6. 5m以下。
[0089] 在金属支持体的表面上将溶液状态或熔融状态的PVA系聚合物进行流延的方法 没有特别限制，可使用T型缝模、料斗板、I-模、唇式涂布机模等，抑制公知的方法进行。应 予说明，熔融状态或溶液状态的PVA系聚合物的温度优选为50°C以上且105°C以下的范围 内。
[0090] 流延后的干燥可通过公知的方法进行，可通过由金属支持体所赋予的热来进行干 燥、或通过吹送热风来进行。此外，可以仅通过上述金属支持体的表面上的干燥来制造所期 望的PVA系聚合物膜，也可以通过公知的方法等，在上述金属支持体的表面上进行部分干 燥后，通过配置于该金属支持体的下游侧且该金属支持体与旋转轴相互平行的1个或2个 以上的干燥辊、或热风干燥机进一步进行干燥来制造所期望的PVA系聚合物膜。
[0091] 如此得到的PVA系聚合物膜中，可根据需要实施热处理、或对宽度方向两端部(耳 部）进行裁切。此外，可以如上所述连续地卷绕制为膜卷。
[0092] [用途] 本发明的PVA系聚合物膜（PVA系聚合物膜（1)和（2 ))、或由本发明的膜卷(膜卷（1)和 (2))卷出的PVA系聚合物膜可以发挥缺点A的数目少；品质稳定；难以产生皱折等优点而 被用于各种用途，从更显著地实现本发明效果的观点出发，优选用作偏光膜或相位差膜等 光学膜制造用的初始膜，更优选用作偏光膜制造用的初始膜。
[0093] 将上述的PVA系聚合物膜用作初始膜来制造偏光膜的方法没有特别限制，可以采 用公知的方法，例如，可以使用上述的PVA系聚合物膜，进行染色、单轴拉伸、固定处理、干 燥，以及根据需要的洗涤、热处理。这里，染色、单轴拉伸、固定处理等各处理的顺序没有特 别限制，可以同时进行1种或2种以上的处理。此外，还可将1种或2种以上的各处理进行 2次或2次以上，例如，可以将单轴拉伸进行2次或2次以上。在进行染色、单轴拉伸、固定 处理等各工序前，可以根据需要进行膨润处理。
[0094] 染色可以在单轴拉伸前、单轴拉伸时、单轴拉伸后的任意阶段进行。作为染色所用 的染料，可使用下述中的1种或2种以上：碘-碘化钾；直接黑17、19、154 ;直接棕44、106、 195、210、223 ;直接红 2、23、28、31、37、39、79、81、240、242、247;直接蓝1、15、22、78、90、98、 151、168、202、236、249、270 ;直接紫 9、12、51、98 ;直接绿 1、85 ;直接黄 8、12、44、86、87 ;直 接橙26、39、106、107等二色性染料等。染色可通过将PVA系聚合物膜浸渍在含有上述染料 的溶液(染色浴）中来进行。应予说明，可以在制造 PVA系聚合物膜时预先含有上述染料。 [0095] 单轴拉伸可以通过湿式拉伸法或干热拉伸法中的任一者来进行，也可以在温水中 (包括上述染色浴或后述的固定处理浴）进行，还可以使用吸水后的PVA系聚合物膜在空气 中进行。
[0096] 进行单轴拉伸时的温度没有特别限制，将PVA系聚合物膜在温水中进行单轴拉伸 (湿式拉伸）时，优选为30°C以上且90°C以下的范围内，而在进行干热拉伸时则优选为50°C 以上且180°C以下的范围内。
[0097] 单轴拉伸的拉伸倍率（以多段进行单轴拉伸时则为总计的拉伸倍率)，从偏光性能 的观点出发，优选为4倍以上、更优选为5倍以上。拉伸倍率的上限没有特别限制，若为8 倍以下则单轴拉伸容易稳定地进行，故优选。单轴拉伸后的膜的厚度取决于所用的PVA系 聚合物膜的厚度，优选为3 μ m以上且75 μ m以下的范围内、更优选为5 μ m以上且50 μ m以 下的范围内。
[0098] 为了使上述染料对PVA系聚合物膜的吸附变得牢固，多进行固定处理。作为固定 处理中所使用的固定处理浴，可使用含有硼酸、硼砂等硼化合物中的1种或2种以上的水溶 液。固定处理浴中可根据需要添加碘化合物。
[0099] 在进行染色、单轴拉伸、固定处理等各处理后，干燥之前，为了将附着于膜表面的 各处理的处理浴液或异物等除去，优选进行洗涤。洗涤中所使用的洗涤液可以使用纯水，为 了抑制洗涤所致的染料或硼化合物的流出，也可以使用少量添加有这些药剂的水。可通过 将洗涤液以喷淋等喷雾至经各处理的膜的表面来进行，也可以通过将经各处理的膜浸渍在 洗涤浴中来进行。
[0100] 干燥、热处理优选在30°C以上且150°C以下的范围内进行，更优选在50°C以上且 150°C以下的范围内进行。
[0101] 在使用PVA系聚合物膜（2)、或由膜卷（2)卷出的PVA系聚合物膜来作为偏光膜制 造用的初始膜，并经由染色工序、单轴拉伸工序、固定处理工序和干燥工序等各工序来制造 偏光膜的情形中，在离开进入干燥工序前的最后的处理浴(例如，固定处理浴或洗涤浴等） 时，若使处理浴的液面与膜面所成的角度(锐角侧的角度）为30°以上且85°以下，并且使 膜的上方侧的面成为用作初始膜的PVA系聚合物膜中具有较小的均方根粗糙度的面，则可 以容易地获得异物少的偏光膜，故优选。
[0102] 实现上述效果的原因并不明确，但认为是通过如上所述制造偏光膜，在各处理浴 析出的PVA系聚合物、各处理中使用的处理液的附着得到降低的缘故。在离开进入干燥工 序前的最后的处理浴时，处理浴的液面与膜面所成的角度过大或过小均会使析出的PVA系 聚合物或处理液变得容易附着·残留，因而该角度优选为35°以上、更优选为40°以上、进 一步优选为50°以上，此外，优选为80°以下、更优选为75°以下、进一步优选为70°以 下。
[0103] 如上所述得到的偏光膜通常在其两面或单面贴合光学透明并且具有机械强度的 保护膜来制为偏光板使用。作为保护膜，可使用三乙酸纤维素（TAC)膜、乙酸·丁酸纤维素 (CAB)膜、丙烯酸系膜、聚酯系膜等。此外，作为用于贴合的粘接剂，可举出PVA系粘接剂或 聚氨酯系粘接剂等，其中优选PVA系粘接剂。 实施例
[0104] 以下，通过实施例更具体地说明本发明，但本发明并不受它们的任何限定。应予说 明，以下的制备例、实施例、参考例和比较例中所采用的各测定或评价方法如下所示。
[0105] [制膜用滚筒的表面硬度的测定] 在制膜用滚筒的表面(周面)，在从两端分别进入5mm内侧的线上，以将制膜用滚筒的 全周长度4等分的方式在各端部各确定4点，共计8点。继而对于各点，通过UCI式硬度 计MIC10 (GE七 >〉> 夕.' & 4 7〉3 > 亍夕7 口夕一文株式会社制；探针使用 MIC-2101-A)测定镀铬层表面的维氏硬度，将它们的平均值作为制膜用滚筒的表面硬度。
[0106] [制膜用滚筒的表面的面积为200 μ m2以上的裂纹的数目的测定] 在制膜用滚筒的表面(周面）上确定任意的25处，对于各处，使用数字视频显微镜 VHX-900 (#-工社制）以1000倍的倍率对处于2mmX2mm (4mm2)的范围内的裂纹(镀 铬层上的裂痕）的照片进行拍照。继而，以μπι为单位求出照片上所观察到的各裂纹的最 大宽度与最大端部间距(端部仅为2个时则意指它们的端部间距，为多个时则意指多个端 部间距中的最大距离)，并算出它们的乘积，将该乘积为200 μ m2以上的裂纹作为"面积为 200 μ m2以上的裂纹"。如此进行，在上述4mm2的范围X 25处中求出"面积为200 μ m2以上 的裂纹"的数目，由该数目算出每1mm2的数目。
[0107] [制膜用滚筒的表面温度的测定] 确定通过制膜用滚筒的表面(周面）上的任意1点的宽度方向的1直线、和与该1直线 平行且与该1直线一起将周面4等分的其它3直线（S卩，使得制膜用滚筒每1/4周会位于相 同直线上的直线），用Thermo Tracer TH9100MR (NEC Avio红外线亍夕7 口'-株式会 社制)测定上述4直线上的温度分布。接着，由所得温度分布数据，对于各直线，得到宽度方 向中央部与从两端部朝向中央部20cm的位置的各3点（总计12点)的温度，将上述12点的 温度求平均，将所得值作为此时的制膜用滚筒的表面温度。此外，分别将所得各直线的温度 分布数据制为以宽度方向的位置为横轴并以温度为纵轴的4条曲线，求出其斜率的绝对值 的最大值，将其作为此时的制膜用滚筒的最大温度梯度。
[0108] [PVA膜的缺点的数目的测定] 一边由膜卷卷出PVA膜，一边通过膜观察置于其后的荧光灯时，由荧光灯的图像的 扭曲发现膜的缺点，并将其周围用油性万能笔圈成圆圈。接着，用非接触表面形状测定机 "NewView"6300 ^社制）观察所发现的缺点，判定是否为自膜表面凹陷并且面积（开 口部面积）为400 μ m2以上且深度为0. 3 μ m以上的缺点（缺点A)。由所制造的膜卷中的卷 绕结束部分(应予说明，为了降低误差，将从膜的长度方向的端部至l〇m的部分除外)开始上 述操作，求出缺点A的数目为10个时为止的PVA膜的面积(从开始操作至第10个缺点A的 长度X膜的宽度；单位为m 2)，将该面积除以10(个)，由此算出卷绕结束部分的缺点A的数 目（单位为个/m2)。此外，10个缺点A之中，求出在膜的宽度方向上实质上位于相同位置并 且膜的长度方向的间隔与使用的制膜用滚筒的全周长度的整数倍实质上具有一致关系的2 个以上的缺点（以下，有时称为"旋转周期缺点"。应予说明，这种缺点也包括供测定的部分 以外的部分，可认为在膜的长度方向上实质上以一定(制膜用滚筒的全周长度的整数倍）的 间隔排列3个以上）的数目，将其除以上述面积(单位为m 2)，由此算出卷绕结束部分的旋转 周期缺点的数目（单位为个/m2)。
[0109] 接着，使用剩余的膜卷，如后所述制造偏光膜（由卷绕结束部分侧的PVA膜制造的 偏光膜）后，由大部分的PVA膜处于未使用状态的残留的膜卷卷出PVA膜，并重新卷成新的 膜卷，由此使最初的膜卷的卷绕开始部分位于新的膜卷的外侧。使用该新的膜卷进行与上 述相同的操作，求出最初的膜卷的卷绕开始部分的缺点A和旋转周期缺点的数目（单位均 为个/m 2)，使用残留的膜卷如后所述制造偏光膜（由卷绕开始部分侧的PVA膜制造的偏光 膜)。
[0110][膜卷的皱折的评价] 通过目视观察膜卷，通过以下基准评价皱折。 A级：未观察到皱折 B级：稍微存在皱折，但却是实用上没有问题的水平 C级：存在实用上成为问题的水平的皱折。
[0111] [PVA膜的均方根粗糙度的测定] 使用白色干涉显微镜NV6300 (〒4 5社制)测定PVA膜的一面的任意10处的均方根 粗糙度，将它们的平均值作为该面的均方根粗糙度。接着，对于PVA膜的另一面也进行相同 操作，得到均方根粗糙度。
[0112] [偏光膜的评价（20片试验)] 将由上述的膜卷卷出的PVA膜按照预膨润·染色·单轴拉伸·固定处理·干燥·热处 理的顺序连续地进行处理，制作偏光膜。
[0113] 即，将PVA膜在30°C的水中浸渍30秒钟，进行预膨润，接着在碘浓度0. 4g/L和碘 化钾浓度40g/L的35 °C水溶液(染色浴)中浸渍3分钟，进行染色。接着，在硼酸浓度4%的 50°C水溶液(拉伸浴)中沿长度方向以拉伸倍率5倍进行单轴拉伸，进而在碘化钾浓度40g/ L、硼酸浓度40g/L和氯化锌浓度10g/L的30°C水溶液（固定处理浴)中浸渍5分钟，进行固 定处理。然后，将膜在40°C下进行热风干燥，进而在10(TC进行5分钟热处理。
[0114] 从所得偏光膜的任意的位置，米取长度方向上50cm、宽度方向上25cm的试验片20 片。另一方面，准备缺陷少的50cmX50cm的偏光板，在该偏光板上，以使取向轴为垂直的方 式重叠上述各试验片，将其置于X射线照片观察用的照明箱\々力7七 >)上，确认各 试验片中的缺陷。应予说明，试验片中没有缺陷时，重叠的偏光板/试验片呈全黑，而试验 片中有缺陷时，则可由该部分漏光而识别为点状的明亮缺陷。将观察到2个以上该明亮缺 陷的试验片作为不合格，算出20片试验片中的合格率。
[0115] [偏光膜的评价（100片试验)] 将试验片的数目从20片改变为100片，同时将观察到1个以上明亮缺陷的试验片作为 不合格，除此以外，与上述20片试验相同地进行，算出100片试验片中的合格率。
[0116] [偏光膜的染色不均和异物的评价] 从所得偏光膜的任意的位置米取长度方向上50cm、宽度方向上25cm的试验片。另一方 面，准备染色不均、异物少的50cmX 50cm的偏光板，在该偏光板上，以取向轴为垂直的方式 重叠上述试验片，将其置于X射线照片观察用的照明箱上，按照以下基准评价试验片中的 染色不均和异物。 ?染色不均 A级：未观察到染色不均 B级：稍微存在染色不均，但却是实用上没有问题的水平 C级：存在实用上成为问题的水平的染色不均 ?异物 A级：未观察到异物 B级：稍微存在异物，但却是实用上没有问题的水平 C级：存在实用上成为问题的水平的异物。
[0117] [制备例1] 《滚筒1的制备》 对宽1. 〇m的碳素钢制的制膜用滚筒的滚筒表面(周面）进行抛光研磨并进行脱脂处理 等基底处理后，使用镀铬浴在以下的条件下对该滚筒表面实施镀铬处理。应予说明，按照使 用药品基准的浓度，以铬酸酐为200g/L和硫酸为2g/L的方式将上述药品溶解于蒸馏水，作 为镀铬浴。 ?镀铬浴温度：55°C ?电流密度：20A/dm2 ?镀铬层厚度(研磨后）：50 μ m 继而，在镀铬处理结束后，将该制膜用滚筒在102°C进行50小时热处理，放冷。
[0118] 对于通过上述镀铬处理和热处理而在表面(周面）形成了镀铬层的制膜用滚筒，依 照上述方法测定其表面硬度，结果为760HV。以下，将该制膜用滚筒称为"滚筒1"。
[0119] [制备例2] 《滚筒2的制备》 将镀铬浴温度改变为52°C，除此以外，与制备例1相同地进行镀铬处理和热处理，制备 表面(周面）形成了镀铬层的制膜用滚筒。对于该制膜用滚筒，依照上述方法测定其表面硬 度，结果为840HV。以下，将该制膜用滚筒称为"滚筒2"。
[0120] [制备例3] 《滚筒3的制备》 将镀铬浴温度改变为48°C，除此以外，与制备例1相同地进行镀铬处理和热处理，制备 表面(周面）形成了镀铬层的制膜用滚筒。对于该制膜用滚筒，依照上述方法测定其表面硬 度，结果为950HV。以下，将该制膜用滚筒称为"滚筒3"。
[0121] [制备例4] 《滚筒4的制备》 将镀铬浴温度改变为67°C，除此以外，与制备例1相同地进行镀铬处理和热处理，制备 表面(周面）形成了镀铬层的制膜用滚筒。对于该制膜用滚筒，依照上述方法测定其表面硬 度，结果为525HV。以下，将该制膜用滚筒称为"滚筒4"。
[0122] [实施例1] 将滚筒1安装于流延制膜设备，并与温水循环装置连接。接着，对滚筒1的周面进行抛 光研磨。通过上述方法测定抛光研磨后的滚筒1的表面(周面)上的面积为200μπι2以上的 裂纹的数目，结果为〇. 10个/_2。然后，通过温水循环装置以1°C /小时的变温速度升高 滚筒1的表面温度，并维持在表面温度90°C。此时的最大温度梯度最大为3. 8°C /m。
[0123] 另一方面，将皂化度99. 9摩尔％、聚合度2400的PVA (乙酸乙烯酯的均聚物的皂 化物）的切片100质量份在35°C蒸馏水2500质量份中浸渍24小时后，进行离心脱水，得到 PVA含水切片。PVA含水切片中的挥发成分比率为70质量％。相对于该PVA含水切片333 质量份（以干燥状态PVA换算计为100质量份)，添加甘油12质量份和表面活性剂(含有月 桂酸二乙醇酰胺95质量％)0. 3质量份后，充分混合，制为混合物，将其用最高温度130°C的 带排气孔的双轴挤出机进行加热熔融。将所得熔融状态的PVA用热交换机冷却至100°C后， 由900mm宽的衣架式模头，在表面温度调整为90°C的前述滚筒1上进行挤出制膜，进而通入 热风干燥炉内进行干燥，将宽度方向两端部(耳部）裁切，由此连续地制造宽〇. 7m的长条的 PVA膜。应予说明，制膜速度设为8m/分。将制膜稳定后的PVA膜(厚度60 μ m、长度8000m) 连续地卷绕于直径6英寸的铝制圆筒状的芯而制为膜卷。
[0124] 使用所得膜卷，通过上述方法进行PVA膜的缺点的数目的测定和偏光膜的评价 (20片试验)，结果卷绕开始部分的缺点A的数目为0. 102个/m2 (其中，旋转周期缺点为 0. 031个/m2)、由卷绕开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的20片试验中的合格率为100%、 卷绕结束部分的缺点A的数目为0. 098个/m2 (其中，旋转周期缺点为0. 029个/m2)、由卷 绕开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的20片试验中的合格率为100%。相对于卷绕开始部 分的缺点A的数目，卷绕结束部分的缺点A的数目计算为0. 96倍。
[0125] [实施例2] 将PVA膜的长度从8000m改变为3000m，除此以外，与实施例1相同地进行，连续地制 造 PVA膜并制为膜卷。应予说明，通过上述方法测定抛光研磨后的滚筒1的表面(周面）上 的面积为200 μ m2以上的裂纹的数目，结果为0. 11个/mm2。
[0126] 使用所得膜卷，通过上述方法进行PVA膜的缺点的数目的测定和偏光膜的评价 (20片试验)，结果卷绕开始部分的缺点A的数目为0. 110个/m2 (其中，旋转周期缺点为 0. 044个/m2)、由卷绕开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的20片试验中的合格率为100%、 卷绕结束部分的缺点A的数目为0. 121个/m2 (其中，旋转周期缺点为0. 036个/m2)、由卷 绕开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的20片试验中的合格率为100%。相对于卷绕开始部 分的缺点A的数目，卷绕结束部分的缺点A的数目计算为1. 10倍。
[0127] [参考例1] 将PVA膜的长度从8000m改变为15000m，除此以外，与实施例1相同地进行，连续地制 造 PVA膜并制为膜卷。应予说明，通过上述方法测定抛光研磨后的滚筒1的表面（周面）上 的面积为200 μ m2以上的裂纹的数目，结果为0. 10个/mm2。
[0128] 使用所得的膜卷，通过上述方法进行PVA膜的缺点的数目的测定，结果卷绕开始 部分的缺点A的数目为0. 108个/m2 (其中，旋转周期缺点为0.032个/m2)、卷绕结束部分 的缺点A的数目为0. 160个/m2 (其中，旋转周期缺点为0. 096个/m2)。相对于卷绕开始部 分的缺点A的数目，卷绕结束部分的缺点A的数目计算为1. 48倍。
[0129] [实施例3] 将PVA的聚合度从2400改变为3300,同时将PVA膜的长度从8000m改变为15000m，除 此以外，与实施例1相同地进行，连续地制造 PVA膜并制为膜卷。应予说明，通过上述方法测 定抛光研磨后的滚筒1的表面(周面）上的面积为200 μ m2以上的裂纹的数目，结果为0. 10 个 /mm2。
[0130] 使用所得膜卷，通过上述方法进行PVA膜的缺点的数目的测定和偏光膜的评价 (100片试验)，结果卷绕开始部分的缺点A的数目为0. 088个/m2 (其中，旋转周期缺点为 0. 018个/m2)、由卷绕开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的100片试验中的合格率为98%、 卷绕结束部分的缺点A的数目为0. 118个/m2 (其中，旋转周期缺点为0. 024个/m2)、由卷 绕开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的100片试验中的合格率为95%。相对于卷绕开始部 分的缺点A的数目，卷绕结束部分的缺点A的数目计算为1. 34倍。
[0131] [实施例4] 将PVA的聚合度从2400改变为6000,同时将PVA膜的长度从8000m改变为15000m，除 此以外，与实施例1相同地进行，连续地制造 PVA膜并制为膜卷。应予说明，通过上述方法测 定抛光研磨后的滚筒1的表面(周面）上的面积为200 μ m2以上的裂纹的数目，结果为0. 13 个 /mm2。
[0132] 使用所得膜卷，通过上述方法进行PVA膜的缺点的数目的测定和偏光膜的评价 (100片试验)，结果卷绕开始部分的缺点A的数目为0. 067个/m2 (其中，旋转周期缺点为 0. 007个/m2)、由卷绕开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的100片试验中的合格率为99%、 卷绕结束部分的缺点A的数目为0. 074个/m2 (其中，旋转周期缺点为0. 007个/m2)、由卷 绕开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的100片试验中的合格率为99%。相对于卷绕开始部 分的缺点A的数目，卷绕结束部分的缺点A的数目计算为1. 10倍。
[0133] [实施例5] 代替滚筒1而使用滚筒2,同时将PVA膜的长度从8000m改变为3000m，除此以外，与实 施例1相同地进行，连续地制造 PVA膜并制为膜卷。应予说明，通过上述方法测定抛光研磨 后的滚筒2的表面(周面）上的面积为200 μ m2以上的裂纹的数目，结果为0. 39个/mm2。
[0134] 使用所得膜卷，通过上述方法进行PVA膜的缺点的数目的测定和偏光膜的评价 (20片试验)，结果卷绕开始部分的缺点A的数目为0. 172个/m2 (其中，旋转周期缺点为 0. 052个/m2)、由卷绕开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的20片试验中的合格率为90%、卷 绕结束部分的缺点A的数目为0. 224个/m2 (其中，旋转周期缺点为0. 134个/m2)、由卷绕 开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的20片试验中的合格率为85%。相对于卷绕开始部分的 缺点A的数目，卷绕结束部分的缺点A的数目计算为1. 30倍。
[0135] [实施例6] 将滚筒1的表面温度从90°c改变为110°C，同时将PVA膜的长度从8000m改变为3000m， 除此以外，与实施例1相同地进行，连续地制造 PVA膜并制为膜卷。应予说明，通过上述方 法测定抛光研磨后的滚筒1的表面(周面）上的面积为200 μ m2以上的裂纹的数目，结果为 0· 13 个 /mm2。
[0136] 使用所得膜卷，通过上述方法进行PVA膜的缺点的数目的测定和偏光膜的评价 (20片试验)，结果卷绕开始部分的缺点A的数目为0. 132个/m2 (其中，旋转周期缺点为 0. 053个/m2)、由卷绕开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的20片试验中的合格率为95%、卷 绕结束部分的缺点A的数目为0. 180个/m2 (其中，旋转周期缺点为0. 090个/m2)、由卷绕 开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的20片试验中的合格率为90%。相对于卷绕开始部分的 缺点A的数目，卷绕结束部分的缺点A的数目计算为1. 36倍。
[0137] [实施例7] 将变温速度从l°c /小时改变为5°C /小时，除此以外，与实施例1相同地进行，连续地 制造 PVA膜并制为膜卷。应予说明，通过上述方法测定抛光研磨后的滚筒1的表面(周面） 上的面积为200 μ m2以上的裂纹的数目，结果为0. 10个/mm2。
[0138] 使用所得的膜卷，通过上述方法进行PVA膜的缺点的数目的测定，结果卷绕开始 部分的缺点A的数目为0. 110个/m2 (其中，旋转周期缺点为0.044个/m2)、卷绕结束部分 的缺点A的数目为0. 122个/m2 (其中，旋转周期缺点为0. 049个/m2)。相对于卷绕开始部 分的缺点A的数目，卷绕结束部分的缺点A的数目计算为1. 11倍。
[0139] [比较例1] 代替滚筒1而使用滚筒3，除此以外，与实施例1相同地进行，连续地制造 PVA膜并制为 膜卷。应予说明，通过上述方法测定抛光研磨后的滚筒3的表面(周面)上的面积为200 μ m2 以上的裂纹的数目，结果为0. 73个/mm2。
[0140] 使用所得膜卷，通过上述方法进行PVA膜的缺点的数目的测定和偏光膜的评价 (20片试验)，结果卷绕开始部分的缺点A的数目为0. 291个/m2 (其中，旋转周期缺点为 0. 175个/m2)、由卷绕开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的20片试验中的合格率为80%、卷 绕结束部分的缺点A的数目为0. 938个/m2 (其中，旋转周期缺点为0. 750个/m2)、由卷绕 开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的20片试验中的合格率为50%。相对于卷绕开始部分的 缺点A的数目，卷绕结束部分的缺点A的数目计算为3. 22倍。
[0141] [比较例2] 将滚筒1的表面温度从90°c改变为120°C，同时将PVA膜的长度从8000m改变为3000m， 除此以外，与实施例1相同地进行，连续地制造 PVA膜并制为膜卷。应予说明，通过上述方 法测定抛光研磨后的滚筒1的表面(周面）上的面积为200 μ m2以上的裂纹的数目，结果为 0· 11 个 /mm2 η
[0142] 使用所得膜卷，通过上述方法进行PVA膜的缺点的数目的测定和偏光膜的评价 (20片试验)，结果卷绕开始部分的缺点A的数目为0. 252个/m2 (其中，旋转周期缺点为 0. 101个/m2)、由卷绕开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的20片试验中的合格率为80%、卷 绕结束部分的缺点A的数目为0. 358个/m2 (其中，旋转周期缺点为0. 251个/m2)、由卷绕 开始部分侧的PVA膜制造的偏光膜的20片试验中的合格率为65%。相对于卷绕开始部分的 缺点A的数目，卷绕结束部分的缺点A的数目计算为1. 42倍。
[0143] [比较例3] 实施例1中，将滚筒1的表面温度从90°C改变为40°C来尝试PVA膜的制造，但滚筒上 的干燥不充分并且难以由滚筒剥离膜，因而未进行各评价。
[0144][比较例4] 将变温速度从1°C /小时改变为5°C /小时，除此以外，与比较例1相同地进行，连续地 制造 PVA膜并制为膜卷。应予说明，通过上述方法测定抛光研磨后的滚筒3的表面(周面） 上的面积为200 μ m2以上的裂纹的数目，结果为0. 73个/mm2。
[0145] 使用所得的膜卷，通过上述方法进行PVA膜的缺点的数目的测定，结果卷绕开始 部分的缺点A的数目为0. 332个/m2 (其中，旋转周期缺点为0. 166个/m2)、卷绕结束部分 的缺点A的数目为1. 349个/m2 (其中，旋转周期缺点为1. 214个/m2)。相对于卷绕开始部 分的缺点A的数目，卷绕结束部分的缺点A的数目计算为4. 06倍。
[0146] [实施例8] 将滚筒1安装于流延制膜设备，并与温水循环装置连接。接着，对滚筒1的周面进行抛 光研磨。通过上述方法测定抛光研磨后的滚筒1的表面(周面)上的面积为200μπι2以上的 裂纹的数目，结果为〇. 10个/_2。然后，通过温水循环装置升高滚筒1的表面温度，并维持 在表面温度90°C。
[0147] 另一方面，将皂化度99. 9摩尔％、聚合度2400的PVA (乙酸乙烯酯的均聚物的皂 化物）的切片100质量份在35°C蒸馏水2500质量份中浸渍24小时后，进行离心脱水，得到 PVA含水切片。PVA含水切片中的挥发成分比率为70质量％。相对于该PVA含水切片333 质量份（以干燥状态PVA换算计为100质量份)，添加甘油12质量份和表面活性剂(含有月 桂酸二乙醇酰胺95质量％) 0. 3质量份后，充分混合，制为混合物，将其用最高温度130°C 的带排气孔的双轴挤出机进行加热熔融。将所得熔融状态的PVA用热交换机冷却至100°C 后，由900mm宽的衣架式模头，在表面温度调整为90°C的前述滚筒1上进行挤出制膜，进而 通入热风干燥炉内进行干燥，将宽度方向两端部(耳部）裁切，由此连续地制造宽〇. 7m的长 条的PVA膜。应予说明，制膜速度设为8m/分。将制膜稳定后的PVA膜(厚度60 μ m、长度 12000m)连续地卷绕于直径6英寸的铝制圆筒状的芯而制为膜卷。
[0148] 通过上述方法评价所得膜卷的皱折(卷绕PVA膜时产生的皱折)，结果为A级。此 夕卜，使用由所得膜卷卷出的PVA膜，通过上述方法测定PVA膜的均方根粗糙度，结果与滚筒 1的表面相接触一侧的面的均方根粗糙度为4. lnm，另一面的均方根粗糙度为1. 9nm。两者 之差计算为2. 2nm。
[0149] 将由上述的膜卷卷出的PVA膜按照预膨润·染色·固定处理·单轴拉伸·洗涤· 干燥的顺序连续地进行处理，制作偏光膜。即，将PVA膜在30°C的水中浸渍60秒钟，进行预 膨润，接着在碘浓度〇. 4g/L和碘化钾浓度40g/L的35°C水溶液(染色浴)中浸渍110秒钟， 进行染色。接着，在硼酸浓度30g/L的30°C水溶液（固定处理浴）中浸渍90秒钟进行固定 处理，进而在硼酸浓度4%的50°C水溶液(拉伸浴）中沿长度方向以拉伸倍率5倍进行单轴 拉伸。然后，在硼酸浓度15g/L的30°C水溶液(洗涤浴）中浸渍10秒钟，进行洗涤，在55°C 进行热风干燥，制为偏光膜。应予说明，将离开进入干燥工序前的最后的处理浴即洗涤浴时 的洗涤浴的液面与膜面所成的角度，通过改变导辊的位置而设定为60°，同时使此时的膜 的上方侧的面为所使用的PVA膜中具有较小均方根粗糙度的面。
[0150] 通过上述方法评价所得偏光膜的染色不均，结果为A级。此外，通过上述方法评价 所得偏光膜的异物，结果为A级。
[0151] [实施例9] 代替滚筒1而使用滚筒2,除此以外，与实施例8相同地进行，连续地制造 PVA膜并制为 膜卷。应予说明，通过上述方法测定抛光研磨后的滚筒2的表面(周面)上的面积为200 μ m2 以上的裂纹的数目，结果为0. 37个/mm2。
[0152] 通过上述方法评价所得膜卷的皱折(卷绕PVA膜时产生的皱折)，结果为B级。此 夕卜，使用由所得膜卷卷出的PVA膜，通过上述方法测定PVA膜的均方根粗糙度，结果与滚筒 2的表面相接触一侧的面的均方根粗糙度为6. 7nm，另一面的均方根粗糙度为2. Onm。两者 之差计算为4. 7nm。
[0153] 对于由上述的膜卷卷出的PVA膜，与实施例8相同地制作偏光膜。通过上述方法 评价所得偏光膜的染色不均，结果为B级。此外，通过上述方法评价所得偏光膜的异物，结 果为B级。
[0154] [比较例5] 代替滚筒1而使用滚筒3,除此以外，与实施例8相同地进行，连续地制造 PVA膜并制为 膜卷。应予说明，通过上述方法测定抛光研磨后的滚筒3的表面(周面)上的面积为200 μ m2 以上的裂纹的数目，结果为0. 73个/mm2。
[0155] 通过上述方法评价所得膜卷的皱折(卷绕PVA膜时产生的皱折)，结果为A级。此 夕卜，使用由所得膜卷卷出的PVA膜，通过上述方法测定PVA膜的均方根粗糙度，结果与滚筒3 的表面相接触一侧的面的均方根粗糙度为28. 3nm，另一面的均方根粗糙度为2. 6nm。两者 之差计算为25. 7nm。
[0156] 对于由上述的膜卷卷出的PVA膜，与实施例8相同地制作偏光膜。通过上述方法 评价所得偏光膜的染色不均，结果为C级。此外，通过上述方法评价所得偏光膜的异物，结 果为C级。
[0157] [比较例6] 代替滚筒1而使用滚筒4,除此以外，与实施例8相同地进行，连续地制造 PVA膜并制为 膜卷。应予说明，通过上述方法测定抛光研磨后的滚筒4的表面(周面)上的面积为200 μ m2 以上的裂纹的数目，结果为0. 15个/mm2。
[0158] 通过上述方法评价所得膜卷的皱折(卷绕PVA膜时产生的皱折)，结果为C级。此 夕卜，使用由所得膜卷卷出的PVA膜，通过上述方法测定PVA膜的均方根粗糙度，结果与滚筒 4的表面相接触一侧的面的均方根粗糙度为2. 8nm，另一面的均方根粗糙度为2. 6nm。两者 之差计算为〇· 2nm。
[0159] 对于由上述的膜卷卷出的PVA膜，与实施例8相同地制作偏光膜。通过上述方法 评价所得偏光膜的染色不均，结果为A级。此外，通过上述方法评价所得偏光膜的异物，结 果为A级。
[0160] [实施例 10] 使用实施例8中所得的膜卷，将离开洗涤浴时的洗涤浴的液面与膜面所成的角度从 60°改变为45°，除此以外，与实施例8相同地制作偏光膜。通过上述方法评价所得偏光膜 的染色不均，结果为A级。此外，通过上述方法评价所得偏光膜的异物，结果为B级。
[0161] [比较例7] 使用实施例8中所得的膜卷，将离开洗涤浴时的膜的上方侧的面改变为所使用的PVA 膜中具有较大均方根粗糙度的面，除此以外，与实施例8相同地制作偏光膜。通过上述方法 评价所得偏光膜的染色不均，结果为A级。此外，通过上述方法评价所得偏光膜的异物，结 果为C级。
[0162] [比较例8] 使用实施例8中所得的膜卷，将离开洗涤浴时的洗涤浴的液面与膜面所成的角度从 60°改变为25°，除此以外，与实施例8相同地制作偏光膜。通过上述方法评价所得偏光膜 的染色不均，结果为A级。此外，通过上述方法评价所得偏光膜的异物，结果为C级。
[0163] [比较例9] 使用实施例8中所得的膜卷，将离开洗涤浴时的洗涤浴的液面与膜面所成的角度从 60°改变为88°，除此以外，与实施例8相同地制作偏光膜。通过上述方法评价所得偏光膜 的染色不均，结果为A级。此外，通过上述方法评价所得偏光膜的异物，结果为C级。
【权利要求】
1. 聚乙烯醇系聚合物膜，其中，自膜表面凹陷并且面积为400μπι2以上且深度为 0. 3μπι以上的缺点的数目为0. 25个/m2以下。
2. 权利要求1所述的聚乙烯醇系聚合物膜，其中，前述缺点的数目为0. 15个/m2以下。
3. 权利要求1或2所述的聚乙烯醇系聚合物膜，其中，聚乙烯醇系聚合物膜中所含的聚 乙烯醇系聚合物的聚合度为3000以上且10000以下。
4. 权利要求1?3中任一项所述的聚乙烯醇系聚合物膜，其为长条的聚乙烯醇系聚合 物膜。
5. 权利要求4所述的聚乙烯醇系聚合物膜，其长度为6000m以上。
6. 权利要求4或5所述的聚乙烯醇系聚合物膜，其中，前述缺点包含在膜的长度方向上 实质上以一定的间隔且在膜的宽度方向上实质上存在于相同位置的缺点。
7. 膜卷，其是长条的聚乙烯醇系聚合物膜连续卷绕而成的膜卷，其中，对于自膜表面凹 陷并且面积为400μπι2以上且深度为0. 3μπι以上的缺点，聚乙烯醇系聚合物膜的卷绕结 束部分的该缺点的数目相对于聚乙烯醇系聚合物膜的卷绕开始部分的该缺点的数目为1. 4 倍以下。
8. 权利要求7所述的膜卷，其中，前述缺点的数目为0. 25个/m2以下。
9. 权利要求7所述的膜卷，其中，前述缺点的数目为0. 15个/m2以下。
10. 权利要求7?9中任一项所述的膜卷，其中，聚乙烯醇系聚合物膜中所含的聚乙烯 醇系聚合物的聚合度为3000以上且10000以下。
11. 权利要求7?10中任一项所述的膜卷，其中，聚乙烯醇系聚合物膜的长度为6000m 以上。
12. 权利要求7?11中任一项所述的膜卷，其中，前述缺点包含在膜的长度方向上实质 上以一定的间隔且在膜的宽度方向上实质上存在于相同位置的缺点。
13. 聚乙烯醇系聚合物膜，其中，在对膜的两面分别测定均方根粗糙度时，所得的2个 均方根粗糙度之差为〇· 3nm以上且10nm以下，较小的均方根粗糙度为10nm以下。
14. 权利要求13所述的聚乙烯醇系聚合物膜，其中，较大的均方根粗糙度为lnm以上且 20nm以下。
15. 权利要求13或14所述的聚乙烯醇系聚合物膜，其为长条的聚乙烯醇系聚合物膜。
16. 膜卷，其是权利要求15所述的聚乙烯醇系聚合物膜连续卷绕而成。
17. 使用权利要求13?15中任一项所述的聚乙烯醇系聚合物膜作为初始膜的偏光膜 的制造方法，该方法具有染色工序、单轴拉伸工序、固定处理工序和干燥工序，在离开进入 干燥工序前的最后的处理浴时，处理浴的液面与膜面所成的角度为30°以上且85°以下， 并且膜的上方侧的面是在聚乙烯醇系聚合物膜中具有较小的均方根粗糙度的面。
18. 偏光膜，其是通过权利要求17所述的制造方法制造的。
19. 聚乙烯醇系聚合物膜的制造方法，其包括在表面具有镀铬层、表面硬度以维氏硬度 计为550HV以上且小于900HV、表面温度为50°C以上且115°C以下的金属支持体的表面上， 将溶液状态或熔融状态的聚乙烯醇系聚合物进行流延并干燥来进行制膜的工序；在将溶液 状态或熔融状态的聚乙烯醇系聚合物开始流延前，金属支持体的表面的面积(最大宽度与 最大端部间距的乘积）为200 μ m2以上的裂纹的数目为0. 7个/mm2以下。
20. 权利要求19所述的制造方法，其中，溶液状态或熔融状态的聚乙烯醇系聚合物是 含有聚乙烯醇系聚合物和水的制膜原液的形态。
21. 权利要求19或20所述的制造方法，其中，前述聚乙烯醇系聚合物的聚合度为3000 以上且10000以下。
22. 权利要求19?21中任一项所述的制造方法，其中，前述金属支持体的表面硬度以 维氏硬度计为600HV以上且小于800HV。
23. 权利要求19?22中任一项所述的制造方法，其具有以0. 5°C /小时以上的变温速 度使表面具有镀铬层、表面硬度以维氏硬度计为550HV以上且小于900HV的金属支持体的 表面温度为50°C以上且115°C以下的工序。
24. 权利要求19?23中任一项所述的制造方法，其是制造权利要求1?6和13?15 中任一项所述的聚乙烯醇系聚合物膜的制造方法。
【文档编号】B29C41/40GK104204045SQ201380018266
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2013年3月19日 优先权日:2012年3月30日
【发明者】笹井弘治, 丰岛悠, 水口广行, 大福幸一, 胜野良治, 风藤修 申请人:株式会社可乐丽