专利名称：一种单晶炉冷却供水装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种供水装置，特别是一种单晶炉冷却供水装置。
背景技术：
在单晶炉中，由于要对原料多硅晶块进行熔化，硅的熔点约为145(TC，所以单晶炉内的 温度是很高的，在生产过程中需要对单晶炉的部分部位进行冷却。现有技术是采用自来水直 接进行冷却，由于自来水中含有的碳酸钙等物质的作用，很容易在单晶炉的水循环通道中形 成水垢，影响冷却效果；另外对单晶炉的腐蚀也很严重。
实用新型内容
本实用新型的目的在于，提供一种单晶炉冷却供水装置，以降低单晶炉水循环通道中的 水垢层，提高冷却效果；减小对单晶炉水循环通道的腐蚀。
本实用新型的技术方案 一种单晶炉冷却供水装置。包括反渗透装置；自来水经反渗透 装置与水箱连接，水箱底部经管道与水泵入口连接，水泵出口经调节阀与单晶炉连接，单晶 炉经管道与水箱连接。
上述的单晶炉冷却供水装置中，所述的反渗透装置用反渗透膜构成。
前述的单晶炉冷却供水装置中，所述的水箱中设有水位计。
与现有技术相比，本实用新型使自来水通过反渗透装置后使用，使冷却水中的碳酸钙和 氯根离子的含量大大减少，可以降低单晶炉水循环通道中的水垢沉积，减小对单晶炉水循环 通道的腐蚀。另外在供水装置中还增加了水泵，提高了循环水在单晶炉的水循环通道中的流 速，明显的提高了冷却效果；由于水垢沉积的减少，也降低了设备维护费用和设备维护所占 用的生产时间，提高了生产效率。
图l是本实用新型的结构示意图。
附图中的标记为l-水箱，2-反渗透装置，3-水泵，4-单晶炉，5-调节阀，6-水位计。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型的单晶炉冷却供水装置作进一步的详细说明，但并 不作为对本实用新型作任何限制的依据。
本实用新型的单晶炉冷却供水装置如图l所示，它包括反渗透装置2;反渗透装置2用反渗透膜构成。自来水经反渗透装置2与水箱1连接，水箱1中设有水位计6。水箱l底部经管道 与水泵3入口连接，水泵3出口经调节阀5与单晶炉4连接，单晶炉4经管道与水箱1连接。 本实用新型的工作原理
反渗透装置中的反渗透膜可以有效吸附水中的碳酸钙和氯根离子，所以自来水经过反渗 透装置处理后，冷却水中的碳酸钙和氯根离子含量大大减少，另外由于增加了水泵3可以提 高冷却水的压力，使通过单晶炉的水循环通道中的水流速加快，可降低单晶炉水循环通道中 的水垢沉积，减少设备维护费用和设备维护所占用的生产时间，提高生产效率；可提高冷却 效果；减小对单晶炉水循环通道的腐蚀。
权利要求权利要求1一种单晶炉冷却供水装置，其特征在于它包括反渗透装置(2)；自来水经反渗透装置(2)与水箱(1)连接，水箱(1)底部经管道与水泵(3)入口连接，水泵(3)出口经调节阀(5)与单晶炉(4)连接，单晶炉(4)经管道与水箱(1)连接。
2.根据权利要求l所述的单晶炉冷却供水装置，其特征在于所述的 反渗透装置(2)用反渗透膜构成。
3.根据权利要求1或2所述的单晶炉冷却供水装置，其特征在于所 述的水箱(1)中设有水位计(6)。
专利摘要本实用新型公开了一种单晶炉冷却供水装置。包括反渗透装置(2)；自来水经反渗透装置(2)与水箱(1)连接，水箱(1)底部经管道与水泵(3)入口连接，水泵(3)出口经调节阀(5)与单晶炉(4)连接，单晶炉(4)经管道与水箱(1)连接。本实用新型使自来水通过反渗透装置后使用，使冷却水中的碳酸钙和氯根离子的含量大大减少，可以降低单晶炉水循环通道中的水垢沉积，减小对单晶炉水循环通道的腐蚀。另外在供水装置中还增加了水泵，提高了循环水在单晶炉的水循环通道中的流速，明显的提高了冷却效果；由于水垢沉积的减少，也降低了设备维护费用和设备维护所占用的生产时间，提高了生产效率。
文档编号C02F1/44GK201288083SQ20082030276
公开日2009年8月12日 申请日期2008年11月13日 优先权日2008年11月13日
发明者丁宇翔, 何紫平, 胥敬东 申请人:湖州新元泰微电子有限公司