单晶硅片专用超声清洗装置的制作方法

本实用新型涉及单晶硅生产技术领域，具体涉及一种单晶硅片专用超声清洗装置。

背景技术：

单晶硅片从晶棒上切割下来后，表面会聚集很多脏污，在进入下道工序之前必须对硅片外表面进行清洗处理，由于硅片厚度薄，数量大，若将其直接放置在普通清洗槽中势必会造成堆积，以致不能对硅片表面进行有效的清洗，清洗效果达不到规定的要求。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有的技术缺陷，提供一种单晶硅片专用超声清洗装置。

本实用新型所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现：

一种单晶硅片专用超声清洗装置，包括清洗槽和与清洗槽相匹配的卡塞盒，所述清洗槽靠近上表面设置搁架，搁架将清洗槽分割成一个个大小相等、彼此相邻的隔槽，隔槽下方彼此连通，水可以在隔槽底部自由流动，以便于利用超声清洗并将脏污排出清洗槽。利用搁架将清洗槽分割成1-5行，2-8列隔槽，增大该清洗槽清洗容量。

所述隔槽一对边分别设置卡口，所述卡塞盒形状与隔槽相匹配并可置于该隔槽内，在卡塞盒两边设置有凸起，当将卡塞盒放置于隔槽内时通过凸起与卡口的配合将卡塞盒悬置于隔槽内。卡塞盒内设置有隔层，硅片置于该隔层内，可以设置5-25个隔层，卡塞盒底部镂空，便于清洗硅片时水在卡塞盒内流动，同时将脏污从底部带走。

使用该超声清洗槽对硅片进行清洗时，先将硅片置于卡塞盒内的隔层中，将卡塞盒置于清洗槽内的隔槽中，然后启动超声装置进行清洗，为达到最佳的清洗效果，清洗用水最好淹没卡塞盒顶部。

本实用新型的有益效果为：通过将普通清洗槽分割成一个个彼此连通的隔槽，装有硅片的卡塞盒置于该隔槽内，从而能够对每一片硅片各面进行全方位清洗，不会因为硅片堆积而造成清洗死角。

附图说明

图1为本实用新型俯视图；

图2为装置硅片的卡塞盒俯视图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。

如图1、2所示，一种单晶硅片专用超声清洗装置，包括清洗槽1和与清洗槽1相匹配的卡塞盒5，清洗槽1靠近上表面设置搁架2，搁架2将清洗槽1分割成一个个大小相等、彼此相邻的隔槽3，隔槽3下方彼此连通，水可以在隔槽3底部自由流动，以便于利用超声清洗并将脏污排出清洗槽1。利用搁架2将清洗槽1分割成1-5行，2-8列隔槽，增大该清洗槽清洗容量。

在隔槽3一对边分别设置卡口4，卡塞盒5形状与隔槽3相匹配并可置于隔槽3内，在卡塞盒5两边设置有凸起7，当将卡塞盒5放置于隔槽3内时通过凸起7与卡口4的配合将卡塞盒5悬置于隔槽3内。卡塞盒5内设置有隔层6，硅片置于该隔层6内，可以设置5-25个隔层6，卡塞盒5底部镂空，便于清洗硅片时水在卡塞盒5内流动，同时将脏污从底部带走。

使用该超声清洗槽对硅片进行清洗时，先将硅片置于卡塞盒5内的隔层6中，将卡塞盒5置于清洗槽1内的隔槽3中，然后启动超声装置进行清洗，为达到最佳的清洗效果，清洗用水最好淹没卡塞盒5顶部。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。