1.一种降低含硅沸石材料的表面硅含量的方法，所述方法包含以下步骤：
提供在沸石材料的表面包含硅的沸石材料；和
使所述沸石材料的表面与包含胺、醇胺或氨基酸的一种或多种的改性溶液接触，
其中使所述沸石材料的表面与改性溶液接触降低表面硅量以生成具有降低的表面硅含量的改性沸石材料。
2.权利要求1的方法，其中提供沸石材料包括提供铝硅酸盐沸石、金属取代铝硅酸盐沸石、硅铝磷酸盐(SAPO)、金属取代硅铝磷酸盐(MeAPSO)或其组合.
3.权利要求1或2的方法，其中使所述沸石材料的表面与改性溶液接触包括使所述沸石材料的表面与甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、苯胺和二苯胺的一种或多种接触.
4.权利要求1或2的方法，其中使所述沸石材料的表面与改性溶液接触包括使所述沸石材料的表面与具有一个、两个或三个醇官能团、在醇取代基上的C1至C4链长或两者的醇胺接触。
5.权利要求1或2的方法，其中使所述沸石材料的表面与改性溶液接触包括使所述沸石材料的表面与二乙醇胺、氨基酸或其组合接触.
6.权利要求1或2的方法，其中使所述沸石材料的表面与改性溶液接触包括使所述沸石材料的表面与含有烷基胺、醇胺、氨基酸或其组合和在沸石材料结晶后留在母液中的合成副产物的合成母液接触。
7.权利要求1或2的方法，其中使所述沸石材料的表面与改性溶液接触另外提高％孔隙率，降低平均晶体或粒子大小，或两者，以生成具有降低的表面硅含量和升高的％孔隙率、降低的晶体大小或两者的改性沸石材料。
8.一种相关组合物，其包含具有含微孔的孔隙结构的沸石材料，其中所述沸石材料具有65％至80％的通过水银孔隙率法测得的％孔隙率；且其中所述沸石材料在距表面2纳米深度内以第一浓度和在距表面40纳米或更大深度下以第二浓度包含硅，第一浓度为第二浓度的0.9至1.6倍.
9.权利要求8的相关组合物，其中所述沸石材料包含具有400纳米至2500纳米的通过光散射测得的平均晶体或粒子大小的结晶材料.
10.权利要求8或9的组合物，其中所述沸石材料包含SAPO-34、金属取代SAPO-34、SAPO-18、金属取代SAPO-18或它们的混合物或共生物.