一种薄荷脑结晶装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及薄荷脑的生产技术领域，尤其涉及一种薄荷脑结晶装置。
【背景技术】
[0002]薄荷脑是一种化学药剂，薄荷脑系由薄荷的叶子和茎中所提取的，薄荷脑在生产加工过程中，薄荷脑晶体生长较慢，一般需要两周左右，需要对冷藏结晶室进行严密的保温和补温设计，现有技术中的结晶室保温效果不好。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种薄荷脑结晶装置。
[0004]本实用新型是通过以下技术方案实现的:
[0005]一种薄荷脑结晶装置，包括有结晶室、补温装置、温度传感器和控制器，所述的结晶室的墙壁内侧均设有保温层，在结晶室的底部固定有盒体，在结晶室的顶部开有通风口，在通风口处安装有换气风扇，在结晶室内部位于盒体上方设有倒锥形结晶桶，在倒锥形结晶桶下端设有出料口和出料阀门，在盒体内部还设有管道，在管道和盒体内均设有制冷液，所述的补温装置呈环形分层垂直分布于结晶室四壁，所述的温度传感器水平分布于结晶室的四角和中心处，所述的补温装置和温度传感器均与控制器连接。
[0006]所述的补温装置为蒸汽管或热水管或红外灯或电热丝；当补温装置为蒸汽管或热水管时，控制器与蒸汽管或热水管的控制阀门连接。
[0007]所述的补温装置每层的间距为1-SOcm ;所述的温度传感器之间的垂直距离为10_80cm。
[0008]本实用新型的优点是:本实用新型在盒体内设有管道，在管道和盒体内均设有制冷液，制冷效果好，结晶室中温度传感器的温度分布为检测信号，由计算机进行信号处理，以控制补温装置，保温和补温效果好，放料方便，结构简单，工作稳定可靠。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型顶部结构示意图。
[0010]图2为本实用新型内部结构示意图。
[0011]图3为补温装置分布结构图。
[0012]图4为温度传感器分布结构图。
[0013]图5为温度传感器分布结构正视图。
【具体实施方式】
[0014]如图1、2、3、4、5所示，一种薄荷脑结晶装置，包括有结晶室1、补温装置2、温度传感器3和控制器，所述的结晶室I的墙壁内侧均设有保温层4，在结晶室I的底部设有盒体5，在结晶室I的顶部开有通风口 6，在通风口 6处安装有换气风扇7，在结晶室I内部位于盒体5上方设有倒锥形结晶桶8，在倒锥形结晶桶8下端设有出料口和出料阀门9，在盒体5内部还设有管道10，在管道10和盒体5内均设有制冷液，所述的补温装置2呈环形分层垂直分布于结晶室I四壁，所述的温度传感器3水平分布于结晶室I的四角和中心处，所述的补温装置2和温度传感器3均与控制器连接。
[0015]所述的补温装置2为蒸汽管或热水管或红外灯或电热丝；当补温装置2为蒸汽管或热水管时，控制器与蒸汽管或热水管的控制阀门连接。
[0016]所述的补温装置2每层的间距为1-SOcm ;所述的温度传感器3之间的垂直距离为 10_80cm。
【主权项】
1.一种薄荷脑结晶装置，其特征在于:包括有结晶室、补温装置、温度传感器和控制器，所述的结晶室的墙壁内侧均设有保温层，在结晶室的底部固定有盒体，在结晶室的顶部开有通风口，在通风口处安装有换气风扇，在结晶室内部位于盒体上方设有倒锥形结晶桶，在倒锥形结晶桶下端设有出料口和出料阀门，在盒体内部还设有管道，在管道和盒体内均设有制冷液，所述的补温装置呈环形分层垂直分布于结晶室四壁，所述的温度传感器水平分布于结晶室的四角和中心处，所述的补温装置和温度传感器均与控制器连接。
2.根据权利要求1所述的一种薄荷脑结晶装置，其特征在于:所述的补温装置为蒸汽管或热水管或红外灯或电热丝；当补温装置为蒸汽管或热水管时，控制器与蒸汽管或热水管的控制阀门连接。
3.根据权利要求1所述的一种薄荷脑结晶装置，其特征在于:所述的补温装置每层的间距为1-SOcm ;所述的温度传感器之间的垂直距离为10-80cm。
【专利摘要】本实用新型公开了一种薄荷脑结晶装置，包括有结晶室、补温装置、温度传感器和控制器，结晶室的墙壁内侧均设有保温层，在结晶室的底部固定有盒体，在结晶室的顶部开有通风口，在通风口处安装有换气风扇，在结晶室内部位于盒体上方设有倒锥形结晶桶，在倒锥形结晶桶下端设有出料口和出料阀门，在盒体内部还设有管道，在管道和盒体内均设有制冷液，补温装置呈环形分层垂直分布于结晶室四壁，温度传感器水平分布于结晶室的四角和中心处，补温装置和温度传感器均与控制器连接。本实用新型制冷效果好，结晶室中温度传感器的温度分布为检测信号，由计算机进行信号处理，以控制补温装置，保温和补温效果好，放料方便，结构简单，工作稳定可靠。
【IPC分类】B01D9-02, C07C29-78, C07C35-12
【公开号】CN204319822
【申请号】CN201420743861
【发明人】宋大伟
【申请人】阜阳市百富安香料有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2014年12月1日