光刻设备和用于光刻设备的密封装置的制作方法

专利名称：光刻设备和用于光刻设备的密封装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及光刻设备和用于光刻设备的密封装置。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上) 的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地 称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以 将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个 管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀 剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备 包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每 一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向) 扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目 标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，而将所述图案从所述图案形成装置转 移到所述衬底上。从美国专利No. 6，603，130B1 了解了包括密封装置(宽泛地被称为“密封件”)的 设备。美国专利No. 6，603，130公开了物体台，该物体台被包含在真空腔中且是可通过定位 部件围绕真空腔中的底板移动的。所述设备包括第一体、相对于第一体可移动的第二体以 及布置在第一和第二体之间的密封件。为了能够移动物体台，所述物体台通过气体轴承被 支撑在真空腔的底板的上方，该气体轴承围绕物体台的整个周边。气体被提供至高压区域， 以形成所述轴承。一些气体将会从高压区域向外流动，且被吸入到抽空的凹槽中，这样进入 真空腔的剩余的气流被保持在可接受的限度内。对于这一设备，在第一和第二体彼此相对移动时，例如当它们彼此倾斜时，它们可 能直接接触。这可能导致对所述体的损害，诸如划伤。划伤可能不被期望地改变所述两个 体之间的流体流的流阻，这样劣化了密封件的性能。

发明内容
在本发明的一个方面中，提供了一种具有改进的密封性能的设备。在一个实施例 中，这通过包括控制器的设备来实现，所述控制器被配置以在所述体彼此相对移动期间控 制所述距离。在本发明的一种实施例中，所述设备包括第一体；第二体，所述第二体能够相对 于所述第一体移动；密封件，所述密封件被布置在所述第一体和第二体之间，使得第一空间 被通过所述第一体、所述第二体和所述密封件与第二空间分隔开，其中所述密封件位于离 所述第一体一距离处；流体供给装置，被布置以在所述第一体和所述密封件之间产生流体 流，用于在所述第一空间和第二空间之间产生非接触密封，以便使得能够实现所述第一体 和第二体之间的移动；和控制器，所述控制器被配置以在所述第一体和第二体彼此相对移动期间控制所述距离。通过在所述体彼此相对移动期间控制所述距离，在所述两个体彼此移动得太靠近 时，可以调节所述距离。这可以防止所述体彼此接触，因此可以防止划伤。在所述体彼此移 动远离的情形中，所述距离可以被制成得更小，以保持好的密封性能。这样，改善了设备的 密封性能。在本发明的一种实施例中，所述设备包括被配置以抽取设置在所述第一体和密封 件之间的流体流的至少一部分的流体抽取器。由于它减少了进入所述第一空间或第二空间 或者第一空间和第二空间两者的流体的量，因此这是有利的。在本发明的一种实施例中，所述控制器包括在所述密封件和所述第二体之间连接 的柔性元件，所述柔性元件被配置成依赖于所述流体流而改变所述距离。这具有所述距离 在流体流由于所述体的移动而改变的情形中进行自动调节的优点。在本发明的所述设备的一种实施例中，所述柔性元件靠近于所述流体抽取器。在本发明的所述设备的一种实施例中，所述流体抽取器在所述第二空间和所述流 体供给装置之间。这具有从流体供给装置至所述第二空间的流体流的量被减小的优点。在本发明的所述设备的一种实施例中，所述第二空间包括比所述第一空间少的污 染物。在本发明的所述设备的一种实施例中，所述第一空间包括被配置以至少部分地相 对于所述第二体限制所述第一体的轴承。这可能具有可以使用不能在第二空间中使用的轴 承的优点。例如，所述轴承可以是简单的滚子轴承，该滚子轴承被配置成产生太多的污染颗 粒，而不能用在第二空间中。在本发明的所述设备的一种实施例中，第一空间包括烃。这具有的优点是，例如， 诸如润滑脂和油的润滑剂可以用在第一空间中，但其不可以用在第二空间中。在本发明的所述设备的一种实施例中，所述第一体能够相对于所述第二体旋转。在本发明的一种实施例中，在使用中，所述第一和第二空间处于低于所述大气压 强的压强。这具有的优点是所述设备可以用在在低于大气压强的压强发生的过程中。通过 使得这两个空间处在低于大气压强的压强，防止了大压强差。在本发明的一种实施例中，在使用中，第一空间处于约0-30mbar之间的压强，例 如在约l_23mbar之间的压强。在本发明的一种实施例中，在使用中，第二空间处于约0-0. 5mbar的压强。在本发明的一种实施例中，所述距离在约10-70μπι的范围内，例如15、20或 50 μ m。这具有的优点是，所述距离足够大以防止第一体和密封装置之间的接触，这样防止 了划伤。另外它具有的优点是所述距离足够小以提供足够的流阻，用于限制密封所述两个 空间所需要的流的量。在本发明的一种实施例中，所述流体流包括氮气。在本发明的一种实施例中，所述设备是被配置以在装载站至光刻设备的平台之间 移动物体的输送装置。在本发明的一个方面中，提供了一种光刻设备，包括图案形成装置支撑件，被配 置以支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将辐射束图案化，以提供图案化的辐射束； 衬底支撑件，被配置以保持衬底；投影系统，被配置以将所述图案化的辐射束投影到所述衬底上；和一设备，所述设备包括第一体；第二体，所述第二体能够相对于所述第一体移动； 密封件，所述密封件被布置在所述第一体和第二体之间，使得第一空间通过所述第一体、所 述第二体和所述密封件与第二空间分隔开，其中所述密封件位于离所述第一体一距离处； 流体供给装置，被布置以在所述第一体和所述密封件之间产生流体流，用于在所述第一空 间和第二空间之间产生非接触密封，以便使得能够实现所述第一体和第二体之间的移动； 和控制器，所述控制器被配置成在所述第一体和所述第二体彼此相对移动期间控制所述距
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现在参照附图，描述本发明的实施例，在附图中图1示意性地示出了根据本发明的实施例的光刻设备；图2示出了根据本发明的实施例的包括密封件的设备的横截面；和图3示出了根据本发明的实施例的被配置用于输送光刻设备中的物体的输送装置。
具体实施例方式图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括-照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外 (DUV)辐射)；-图案形成装置支撑件或支撑结构(例如掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置 (例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM 相连；-衬底台(例如晶片台)WT，构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并 与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案 形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或多根管芯) 上。所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁 型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。图案形成装置支撑件以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图 案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。图案形成装置支 撑件可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述图案形成 装置支撑件可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。图案形成装置 支撑件可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使 用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在 辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意， 被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图 案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编 程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如 二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩 模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地 倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜 矩阵反射的辐射束。这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折 射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使 用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这 里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备 可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模 台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台 上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。光刻设备还可以是至少一部分衬底可以被相对高折射率的液体(例如水)覆盖、 以便填充投影系统和衬底之间的空间的类型。浸没液体还可以被施加至光刻设备中的其它 空间，例如在掩模和投影系统之间。在本领域中公知，浸没技术用于增加投影系统的数值孔 径。如在此处所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底的结构必须浸没在液体中，而是仅 仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可 以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成 光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的 帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光 刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如 果需要时设置的所述束传递系统BD —起称作辐射系统。所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可 以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别 称为σ-外部和ο-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如 积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需 的均勻性和强度分布。所述辐射束B入射到保持在图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT上的所述图 案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过图案形 成装置(例如掩模)MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束聚 焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF (例如，干涉仪器 件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的 目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在 扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。通常，可以通过形成所 述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来 实现图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位 装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情 况下(与扫描器相反)，所述图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT可以仅与短行程致动器 相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记Ml、M2和衬底对准标记Pl、P2来 对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部 分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将 多于一个的管芯设置在图案形成装置(例如掩模)MA上的情况下，所述图案形成装置对准 标记可以位于所述管芯之间。可以将所述设备用于以下模式中的至少一种中1.在步进模式中，在将图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为 基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(S卩，单一的静态 曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。 在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺 寸。2.在扫描模式中，在对图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地 进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(S卩，单一的动态曝光)。 衬底台WT相对于图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影 系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制 了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了 所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。3.在另一种模式中，将用于保持可编程图案形成装置的图案形成装置支撑件(例 如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所 述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬 底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程 图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类 型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。光刻设备还可以是衬底浸没到折射率相对高的液体(例如水)中、以便填充投影 系统的最终元件和衬底之间的空间的类型。浸没液体还可以被施加至光刻设备中的其它空 间，例如在掩模和投影系统的最终元件之间。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径，在本 领域中是公知的。也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。图2显示了根据本发明的实施例的设备1的横截面的一半。图2显示了包括第一 体Bl和相对于第一体Bl是可移动的第二体B2的设备。所述设备还包括被布置在第一体 Bl和第二体B2之间的密封件SD，使得第一空间Sl通过第一体Bi、第二体B2和密封件SD 而与第二空间S2分隔开。密封件SD位于离第一体Bl距离D的位置处。设备1设置有流 体供给装置FS，所述流体供给装置FS被布置以在第一体Bl和密封件SD之间形成流体流， 用于在所述空间之间产生非接触密封，该非接触密封被配置成在所述体之间能够移动。所述设备1可以进一步包括控制器FE，以在所述体彼此相对移动期间控制距离D。在一个实施例中，第一和第二体是光刻设备的部件。例如，第一和/或第二体可以 是光刻设备的壳体的一部分。可替代地，或另外地，第一体和第二体可以布置在光刻设备的 壳体内。在图2的实施例中，第一体Bl是可沿着中心线CL相对于第二体B2可旋转地移动 的。可替代地或另外地，第一体Bl可以在其它方向上是可移动的，例如可沿着中心线CL或 其它方向平移、在沿着中心线CL的其它方向上是可旋转的，或在这些方向的组合上是可旋 转的。在图2的实施例中，密封件SD在第一体Bl和第二体B2之间。这两个体和密封件 SD在第一空间Sl和第二空间S2之间形成阻挡构件。在这一实施例中，第一空间可以被表 示为位于设备1的内侧。第二空间可以被认为是在设备1的外侧。可替代地，所述体Bl和 B2中的一个可以基本上包围所述体Bl和B2中的另一个。在这种情形中，两个空间可以被 认为是在设备的内侧。应当理解，空间Sl和S2没有彼此完全地分隔开，这是因为在第一体Bl和密封件 SD之间具有连接，从而连接这两个空间。因为所述密封件位于与第一体Bl的距离为D的 位置处，所以产生了这一连接。由于距离D，在第一体Bl和密封件SD之间没有直接机械接 触。因此，当所述两个体彼此相对移动时，在第一体Bl和密封件SD之间没有摩擦。这可以 防止磨损和污染颗粒的产生。如果产生了污染颗粒，那么它们可能进入到两个空间中的一个或两个中。依赖于 在两个空间内侧的部件以及发生的过程，污染颗粒可能劣化这些部件和过程的性能。例如， 光刻过程可以在第二空间S2中发生。进入第二空间S2的颗粒可能污染位于第二空间S2 中的衬底W。投影系统PS可以位于第二空间中。颗粒可以附着于投影系统PS和劣化穿过 投影系统PS的辐射束B的品质。图2还示出被布置以在第一体Bl和密封装置SD之间产生流体流的流体供给装置 FS。所述流体流在第一体Bl和密封件SD之间产生压强。所述压强产生了通过推动第一体 Bl和密封件SD彼此远离来增加距离D的力。为了控制距离D，设备1设置有控制器。在图2的实施例中，所述控制器包括柔性 元件FE(例如弹簧)。当距离D由于流体流变得更大时，柔性元件被压缩得更多，且产生减 小距离D的力。在静止情形中，所述流体流和柔性元件FE的力是等大的，因此距离D大致 是恒定的。在一种实施例中，所述控制器包括传感器。所述传感器可以被配置成测量距离D。 可替代地，所述传感器可以测量在第一体Bl和密封件SD之间的流体流的量或流体流的压 强。传感器可以产生控制致动器的信号，该致动器相对于第一体Bl移动密封件SD以改变 距离D。来自流体供给装置FS的流体流在所述空间之间产生了非接触密封。所述流体流 被引导远离流体供给装置FS且被引导朝向两个空间。在两个空间中的一个中的流体和颗 粒不能够通过所述流体供给装置，这是因为它们被流体流从流体供给装置FS推回来。由于 没有流体和颗粒能够从一个空间转移到另一个空间，所以所述两个空间被彼此密封。通过 产生流体薄膜，所述流体流防止了第一体Bl和密封件SD之间的机械接触。这样，形成了非接触密封。由于来自流体供给装置FS的流体流可能进入两个空间，所以有利于利用流体，该 流体不会对两个空间中的部件或过程产生负面影响。可以使用不包含水或具有低含量的水 的干燥气体。水可能导致对两个空间中的部件的污染，且可能导致氧化。可以使用惰性气 体来防止两个空间中的流体流和部件之间的不期望的化学作用。所述流体流可以包含氮气 (N2)。氮气是通常可利用的惰性气体，且可以用在光刻设备中，这是因为它对于投影系统PS 中的部件可以是惰性的。在图2的实施例中，流体供给装置FS连接至密封件SD。可替代地或另外地，流体 供给装置FS连接至第一体Bi。流体供给装置FS还可以连接至另外的体。为了降低从流体供给装置FS进入两个空间的流体流的量，可以在一个实施例中 使用流体抽取器FX。可以仅利用特定的区域来产生非接触密封。在这一区域之外，可以通 过流体抽取器FX来抽取流体流。流体抽取器FX可以连接至真空源，该真空源在流体抽取 器FX中产生低于第一体Bl和密封装置SD之间的流体流的压强的压强。这样，流体流可以 被吸入到流体抽取器FX中。在图2的实施例中，流体抽取器FX位于流体供给装置FS和第二空间S2之间，以 降低进入第二空间S2的流体流的量。可替代地或另外地，流体抽取器FX位于流体供给装 置FS和第一空间Sl之间。流体抽取器FX可以连接至第一体Bi、密封件SD、另外的体或被
结合在一起。在图2的实施例中，柔性元件FE将所述两个空间分隔开。可替代地，柔性元件FE 在所述两个空间中的一个中。因为所述两个空间彼此密封，所以两个空间中的每一个可以具有自己的环境。在 一实施例中，第一空间Sl包括脏的环境，而第二空间S2包括清洁的环境。第二空间S2包 括比第一空间Sl少的污染物。例如，光刻过程可以在第二空间S2中发生。因为污染颗粒 可能劣化光刻过程，所以清洁度是重要的。诸如烃(CxHy)或水(H2O)的污染物可能粘附至 投影透镜PS的光学部件或可能吸收一部分辐射束B。在第一空间Sl的脏环境中，可以允许产生颗粒。例如，第一空间Sl可以容纳轴承 Be，以至少部分地相对于第二体B2限制第一体Bi。可以选择产生颗粒的轴承，这是因为它 不会污染第二空间S2中的清洁环境。可以使用任何适合的轴承，诸如陶瓷轴承或滚子轴 承。可以使用润滑剂，以降低轴承的移动部件之间的摩擦。润滑剂通常包括烃，所以它们通 常不适合于用在光刻过程中。第一空间S2可能容纳所有类型的电线和软管，例如用于致动器连接至第一体Bl 所需要的。在相对于第二体B2移动第一体Bl时，电线和软管可能相互摩擦或与设备中的 其它部件摩擦。这可能产生颗粒，但是这不会劣化第二空间S2中的清洁度。在一实施例中，第二空间S2处于低于大气压强的压强，例如在0-0. 5mbar之间的 范围内，例如约0. Olmbar。这可能对于例如光刻过程是有利的，在光刻过程中，辐射B容易 被进入到辐射束B的路径中的物质吸收。例如诸如极紫外辐射或EUV辐射的小波长的辐射 容易被吸收。为了降低两个空间之间的压强差，第一空间Sl还可以处于低于大气压强的压强， 例如在约0-30mbar之间或例如在约l-23mbar之间。可以选择第一空间Sl的压强值，其容易被实现，且将压强差降低至可接受的水平。降低压强值变得越来越困难。降低的压强差 允许来自流体供给装置FS所需要的流体流变小，这是因为流体流需要在第一体Bl和密封 件SD之间产生大于两个空间中的压强的压强。流体流的压强可以是500mbar。在第一体Bl相对于第二体B2移动的情形中，可以改变距离D。这可能是由轴承 Be的不准确造成的，从而导致第一体Bl的摇晃运动。距离D还可能由于施加至两个体中的 一个体的力而发生改变。如果例如距离D被降低，那么流体流就更不容易在第一体Bl和密封件SD之间流 动。对于恒定的流，这增加了流体流中的压强。由于压强增加，产生了推动第一体Bl和密 封件SD彼此远离的更大的力。柔性元件被进一步压缩，直到在流体流的压强和柔性元件的 力之间有新的平衡。这样，密封件SD能够将距离D保持在期望的范围内，从而防止了第一 体Bl和密封件SD之间的机械接触。如果例如增加了距离D，那么流体流更加容易流动，且第一体Bl和密封装置之间 的压强被降低。之后，压缩的柔性元件能够朝向第一体Bl推动密封装置，直到有新的平衡 为止。这样，保持了适合的密封性能。在一实施例中，距离D在约10-50 μ m之间，例如是约20 μ m。图3显示出在输送装置中实施的如在以上描述的图2中的设备1，用于输送根据本 发明的实施例的光刻设备中的物体。输送装置可能适合于输送衬底或掩模版。输送物体可 能包括从接收站拾取物体，该接收站接收来自光刻设备的外部的物体，诸如来自衬底轨道、 FOUP或SMIF。之后，输送装置可以将物体放置在光刻设备内部的另一站上，例如预对准单 元、衬底台WT或图案形成装置支撑件MT。图3显示了通过轴承Bel连接至体B2的体Bl。体Bl是可相对于体B2围绕ζ轴 线旋转的。体Β2连接至具有两个致动器AC的真空腔VC。致动器AC被配置成相对于真空 腔VC在ζ方向上移动体Bi。隔膜Me密封在真空腔VC和体Β2之间的空隙。隔膜Me也是 柔性的，使得它可以在体Β2在ζ方向上相对于真空腔VC移动时压缩和膨胀。体Β3连接至 具有轴承Be2的体B2。体B3是可相对于体B2围绕ζ轴线旋转移动的。输送装置Ha连接在体Β3的一侧。输送装置Ha被配置以与将被输送的物体相接。空间Sl包括在体Β1、Β2和Β3内部的空间。它还包括轴承Bel和Be2位于其中的 空间。空间S2包括用于光刻过程的清洁环境。在这一实施例中，真空腔VC中的压强为 约 0. Olmbar0根据图2的密封件SDl位于体Bl和B2之间。另一密封件SD2位于体B2和B3之 间。如果输送装置Ha相对于体B3是可移动的，那么类似的密封可以在输送装置Ha和体B3 之间实现。由于所述体被制成中空的，因此具有用于电缆和电线的空间，示意性地由点线L 表示。另外，驱动机构可以被放置在所述体内部，诸如电机和驱动带。由于这些部件在使用 时可能产生污染颗粒，所以它们不适合于用在空间S2的清洁环境中。由于空间Sl与空间 S2是密封的，所以在空间Sl内产生的颗粒不会对光刻过程产生负面影响。这导致了例如用于适合的电缆和软管的更多的选择。电缆和软管经常具有合成的 或塑料的表面，且通常紧密地包装在一起以最小化所需要的空间。一些电缆和软管例如在一侧上连接至连接器Con，且在另一侧上连接至输送装置Ha。这些电缆和软管被制成可移 动的，使得它们可以跟随所述体移动。在电缆和软管移动时，它们很可能彼此相互摩擦或与 输送装置的另一部分摩擦。这样，产生了颗粒。所述导线和电缆可以通过连接器Con与输送装置外面的部件相接。所述相接可以 处在大气压强中。在一种情形中，第一空间Sl和第二空间S2中的压强可能大致处于大气压强。这 种情形可能例如在输送装置或光刻设备的另一部分的维修期间发生。所述输送装置或另一 部件可以位于第二空间S2中。在这种情形期间，密封装置SD被通过柔性的元件FE按压到 第一体Bl上。可替代地或另外地，另一源提供力，以将密封装置按压到第一体Bl上。例 如，这一源可能是第一空间Sl和第二空间S2之间的压强差。可选地，流体供给装置FS提 供流以产生距离D。第一和第二空间Sl和S2中的压强被减小。在所述压强减小的过程中， 第一空间Sl中的压强可以保持在比第二空间S2中的压强低的值。这帮助防止污染颗粒从 第一空间Sl移动至第二空间S2。在第一和第二空间Sl和S2中的一个达到其期望的压强 时，所述压强减小的过程在所述空间中被停止。其它空间中的压强被进一步减小，直到实现 了期望的压强。在另一种情形中，第一和第二空间Sl和S2中的压强低于大气压强。可能期望在 第一和第二空间Sl和S2中具有等于大气压强的压强，例如对于维修。当增加第一和第二 空间Sl和S2中的压强时，第一空间Sl中的压强被保持在低于第二空间S2中的压强的值， 类似于上文所描述的。可以理解，上文描述的任何特征可以与任何其它的特征一起使用，且它不仅仅是 在本申请中所覆盖的明确描述的这些组合。尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这 里所述的光刻设备可以在制造具有微米尺度、甚至纳米尺度的特征的部件方面有其他的应 用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、 薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中 使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。 这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂 到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应 用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以 处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包 含多个已处理层的衬底。这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射 (例如具有约365、M8、193、157或U6nm的波长)。在上下文允许的情况下，所述术语“透 镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式和反射式的光 学部件。尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与 上述不同的形式实现。例如，本发明的实施例可以采取包含用于描述上述公开的方法的一 个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算 机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。另外，机器可读指令可嵌入到两个或更多个计算机程序中。所述两个或更多个计算机程序可被存储在一个或多个 不同的存储器和/或数据存储介质上。在一个或更多的计算机程序被位于光刻设备的至少一个部件中的一个或更多的 计算机处理器读取时，此处描述的控制器每个可以是可操作的，或组合在一起可以是可操 作的。控制器每个或组合在一起可以具有任何适合的配置，用于接收、处理以及发送信号。 一个或更多的处理器被配置以与控制器中的至少一个通信。例如，每个控制器可包括一个 或多个处理器，用于执行包括用于上面所描述的方法的机器可读指令的计算机程序。所述 控制器可以包括用于存储这样的计算机程序的数据存储介质，和/或用于容纳这样的介质 的硬件。因此，所述控制器可以根据一个或更多的计算机程序的机器可读指令进行操作。以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在 不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。
权利要求
1.一种设备，包括 第一体；第二体，所述第二体能够相对于所述第一体移动；密封件，所述密封件被布置在所述第一体和第二体之间，使得第一空间通过所述第一 体、所述第二体和所述密封件与第二空间分隔开，其中所述密封件位于离所述第一体一距 离处；流体供给装置，被布置以在所述第一体和所述密封件之间产生流体流，用于在所述第 一空间和第二空间之间产生非接触密封，以便使得能够实现所述第一体和第二体之间的移动。
2.根据权利要求1所述的设备，所述设备包括控制器，所述控制器被配置以在所述第 一体和第二体彼此相对移动期间控制所述距离。
3.根据权利要求2所述的设备，所述设备包括流体抽取器，所述流体抽取器被配置以 抽取设置在所述第一体和密封件之间的流体流的至少一部分。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述控制器包括在所述密封件和所述第二体之间 连接的柔性元件，所述柔性元件被配置成依赖于所述流体流改变所述距离。
5.根据权利要求4所述的设备，其中所述柔性元件靠近于所述流体抽取器。
6.根据权利要求4或5所述的设备，其中所述流体抽取器被布置在所述第二空间和所 述流体供给装置之间。
7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述第二空间包括比所述第一空间少 的污染物。
8.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述第一空间包括被配置以至少部分 地相对于所述第二体限制所述第一体的轴承。
9.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述第一体能够相对于所述第二体旋转。
10.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中在使用中，所述第一和第二空间处于 低于所述大气压强的压强。
11.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述距离D在约10-70μ m的范围内。
12.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述流体流包括氮气。
13.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述设备是被配置以输送光刻设备 中的物体的输送装置。
14.一种光刻设备，包括衬底支撑件，被配置以保持衬底；投影系统，被配置以将图案化的辐射束投影到所述衬底上，和 一设备，所述设备包括 第一体；第二体，所述第二体能够相对于所述第一体移动；密封件，所述密封件被布置在所述第一体和第二体之间，使得第一空间通过所述第一 体、所述第二体和所述密封件与第二空间分隔开，其中所述密封件位于离所述第一体一距 离处；流体供给装置，被布置以在所述第一体和所述密封件之间产生流体流，用于在所述第 一空间和第二空间之间产生非接触密封，以便使得能够实现所述第一体和第二体之间的移 动，和控制器，所述控制器被配置成在所述第一体和所述第二体彼此相对移动期间控制所述距离。
15. 一种方法，包括以下步骤 提供第一体；提供第二体，所述第二体能够相对于所述第一体移动；提供布置在所述第一体和所述第二体之间的密封件，使得第一空间通过所述第一体、 所述第二体和所述密封件与第二空间分隔开，减小所述第一空间和所述第二空间的压强，其中所述第一空间的压强被保持在比所述 第二空间的压强低的值。
全文摘要
本发明公开了一种光刻设备和用于光刻设备的密封装置。所述光刻设备包括一设备，所述设备包括第一体；第二体，所述第二体能够相对于所述第一体移动；密封件，所述密封件被布置在所述第一体和第二体之间，使得第一空间通过所述第一体、所述第二体和所述密封件与第二空间分隔开，其中所述密封件位于离所述第一体一距离处；流体供给装置，被布置以在所述第一体和所述密封件之间产生流体流，用于在所述第一空间和第二空间之间产生非接触密封，以便使得能够实现所述第一体和第二体之间的移动；和控制器，该控制器被配置以在所述第一体和所述第二体彼此相对移动期间控制所述距离。
文档编号F16J15/18GK102086937SQ20101056867
公开日2011年6月8日 申请日期2010年11月30日 优先权日2009年12月2日
发明者J·马奎因 申请人:Asml荷兰有限公司