第二电机驱动模块中的电流监测模块对第二电机驱动模块中的相应的H桥进行故障诊断的方式与前述的第一电机驱动模块中的电流监测模块对相应的H桥的进行故障诊断的方式相同，在此不再赘述。
[0051 ] 在本发明实施例中，双核处理器连接至负载单元，并且双核处理器还用于对负载单元进行故障诊断和状态判断，以及在监测到负载单元发生故障时进行预定处理。具体地，双核处理器可以通过以下方式对负载单元进行故障诊断和状态判断:双核处理器获取负载单元的液位信息；以及双核处理器根据获取的液位信息对负载单元进行故障诊断和状态判断，其中，双核处理器在监测到负载单元发生故障时对发生的故障进行预定处理。需要说明的是，在本发明实施例中，负载单元可以为电机。在本发明实施例中，双核处理器可以为双核异步处理器，这样，双核处理器中的两个核可以在不同的时钟的控制下工作。
[0052]图2是根据本发明优选实施例的双离合器电控装置的系统架构示意图。如图2所示，该实施例的双离合器电控装置包括:传感器、传感信号处理器、双核处理器、降压模块、供电芯片、CAN收发器、第一电机驱动模块和第二电机驱动模块。
[0053]双核处理器连接至供电芯片，供电芯片连接至降压模块，而降压模块连接至外部电源，其中，外部电源可以是KL30，该KL30为直流电源。降压模块可以用于将24V电压降为12V电压，并将12V电压输出至供电芯片。作为一个例子，双核处理器可以采用TMS570基本电路，降压模块可以采用TLE6389 — 2模块。供电芯片可以用于对双核处理器进行供电，该供电芯片可以采用TPS65381基本电路。
[0054]双核处理器还通过传感信号处理器连接至传感器，并且该传感器可以通过降压模块供电。另外，在本发明实施例中，该传感器还可以通过供电芯片供电。传感器可以用于对双离合器中第一离合器和第二离合器的位置进行检测，产生传感器信号，该传感器信号可以经过传感信号处理器进行整流或者过滤处理。另外，该传感器还可以通过传感器供电处理模块连接至供电芯片，该传感器供电处理模块可以采用TLE4254GA基本电路。传感信号处理器可以采用如电阻、电容等基本电路。
[0055]双核处理器和降压模块可以连接至Key On，其中，Key On可以表示车钥匙打火部位。Key On通过二极管连接至双核处理器。
[0056]CAN收发器的一端可以连接至双核处理器，另一端可以连接至电子控制单元。其中，CAN收发器可以采用TJA1043基本电路。CAN收发器可以接收双核处理器的控制命令控制电子控制单元的动作，CAN收发器还可以接收电子控制单元的判断信号，通过控制电机驱动模块来控制双离合器电机动作，从而控制双离合器的正反转、转速以及电流等。
[0057]在本发明实施例中，当接收到有效命令后，双核处理器可以根据离合器位置及电机的电流，并通过设定电机的正转或反转和PWM占空比值，调整双离合器的状态。
[0058]优选地，在本发明实施例中，电机驱动模块可以包括第一电机驱动模块和第二电机驱动模块，其中，第一电机驱动模块和第二电机驱动模块可以为相同的模块。以第一电机驱动模块为例，如图3所示，第一电机驱动模块可以包括:预驱芯片302、H桥304和电流监测模块306。其中，预驱芯片302的输入端可以与双核处理器相连接出桥304的输入端可以与预驱芯片302的输出端相连接；以及电流监测模块306，电流监测模块306的输入端可以与H桥304相连接，用于对H桥304进行故障诊断。
[0059]具体地，预驱芯片302的第一端连接至双核处理器，其第二端和第三端连接至H桥304，其中，第一端为输入端，第二端和第三端为输出端。预驱芯片302可以采用A3941芯片。具体地，由于H桥可以包括NM0S1、NM0S2、NM0S3和NM0S4，因此预驱芯片302的第二端可以连接至NMOSl和NM0S3的栅极，预驱芯片302的第三端可以连接至NM0S2和NM0S4的栅极。H桥304还可以包括二极管1、二极管2、二极管3和二极管4，其中，二极管1、二极管2、二极管3和二极管4可以分别连接在匪0S1、NM0S2、NM0S3和NM0S4的漏极和源极之间，并且所有二极管的负极与对应的NMOS管的漏极相连接，而所有二极管的正极与对应的NMOS管的源极相连接。其中，所有的二极管均为续流二极管。
[0060]电流监测模块306的第一端连接至双核处理器，其第二端连接在电阻Rl的两端，其第三端连接在电阻R2的两端，其中，第一端为输出端，第二端和第三端为输入端。该电流监测模块306可以用于检测电流，并且通过检测电流的大小判断执行单元是否存在故障。其中，Rl与R2的一端还与双核处理器相连接，并且Rl的另一端与NMOSl的漏极相连接，R2的另一端与NM0S2的漏极相连接。NM0S3和NM0S4的源极均接地。
[0061 ] 电流监测模块可以为图4所示的电机负载监测电路。其中，A输入端连接至H桥中NMOSl的漏极，B输入端连接至H桥中NM0S2的漏极。VO输出端连接至双核处理器。电流监测模块包括LTC6104芯片和LTC6654芯片、两个1m Ω的电阻(第一电阻和第二电阻)、两个249 Ω的电阻(第三电阻和第四电阻)、一个4.99k Ω的电阻、一个0.1 μ F的电容和一个I μ F的电容。其中，LTC6104芯片的4管脚接地，其2管脚连接至VO输出端，其5、8管脚分别连接至第一电阻的第一端和第二电阻的第一端，其6、7管脚分别连接至第三电阻的第一端和第四电阻的第一端，并且第一电阻的第二端与第三电阻的第二端相连接，第二电阻的第二端与第四电阻的第二端相连接，Vl连接在第一电阻和第三电阻之间，并且Vl还连接在第二电阻和第四电阻之间。LTC6654芯片的管脚1、2均接地，4.99kQ的电阻连接在LTC6654芯片的管脚6和VO输出端之间，另外，LTC6654芯片的管脚6还连接至I μ F的电容的第一端，而IuF的电容的第二端接地，LTC6654芯片的管脚4连接至V2，并且0.1 μ F的电容的一端连接在LTC6654芯片的管脚4和V2之间，0.1yF的电容的另一端接地。需要说明的是，Vl的电压值可以为在8V到60V之间的电压值，V2的电压值可以为在3V到18V之间的电压值。
[0062]需要说明的是，预驱芯片通过H桥驱动离合器电机M动作，其中，离合器电机M的一端连接在NMOSl的源极和NM0S3的漏极之间，其另一端连接在NM0S2的源极和NM0S4的漏极之间。
[0063]需要说明的是，在本发明实施例中，H桥除了可以由NMOS管和续流二极管搭建之夕卜，其还可以是集成二极管的MOSFET模块，或者其还可以是H桥集成块。
[0064]电流监测模块用于检测H桥的故障状态。具体地，当电流监测模块检测到的I过大时，可以判断出H桥存在过流故障，或者可以判断出H桥存在短路故障。
[0065]预驱芯片可以通过控制H桥来控制离合器电机M的动作状态。例如，当预驱芯片输出较大的PWM时，离合器电机M的转速较大。再例如，预驱芯片可以通过控制H桥的NMOSl和NM0S3导通以及NM0S2和NM0S4关断来控制离合器电机M正传；预驱芯片也可以通过控制H桥的NMOSl和NM0S3关断以及NM0S2和NM0S4导通来控制离合器电机M反传。
[0066]需要说明的是，在本发明实施例中，通过一个电流监测模块可以同时检测H桥的两路电流，与H桥的每路电流需要各自独立的电流监测模块进行检测相比，该一个电流监测模块可以通过I个AD管脚与双核处理器