专利名称：接触探针的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于半导体IC芯片和液晶显示装置等的电气检查的接触探针。
背景技术：
在形成半导体基板和液晶装置等的电路的电气检查中，使用由将多个接触探针与被检查电路的配列合在一起而配置的探针卡组成的检查装置。
接触探针为了进行与作为检查对象的图形配线确实接触且不损伤配线，为了反复使用可能程度的适度的接触，需要具有触点机能的前端部和具有按压功能的弹簧部。
现在，这些由各种各样部件组合构成例如特开2000-162241号公报和特开平11-337575号公报提出了用电铸形成一体的接触探针的制造方案。这些接触探针可以使用铜-镍、铝、铑、钯、钨、镍-钴合金等作为电铸材料。
在特开平9-34286号公报中公布了为了在电子照相装置用的定影带(ベルト)上形成了具有高热传导性，高刚性，且耐热性，耐疲劳性优秀的结构，把由含有重量的0.05～0.6％锰的镍-锰合金组成的、显微维氏硬度计硬度为450～650的环状电铸板作为基体，形成定影带的技术。
而在特开平11-44708号公报中公布了使用镍-锰合金作为材料，在膜上形成多个图形配线，图形配线的各前端从膜突出形成的接触探针。这样的接触探针由第一金属层和第二金属层组成。第一金属层由含锰重量在0.05％以上的镍、锰合金构成；第二金属层的韧性和导电性比第一金属层高。接触探针在中途使第二金属层沿外侧弯曲。该公报这样的接触探针硬度高、具有可以反复使用的韧性。
发明内容
接触探针作为可以反复放到被检查电路中使用的接点的硬度、弹性和耐磨性是必需的。另外，接触探针为了适用于预烧测试，即使在高温下使用也能充分发挥性能的耐热性也是必要的。上述两份公报分别公布的现有技术，为了提高硬度和耐热性，虽然进行了成分选择，由不同材料覆盖及形状的细微化，但电铸材料的硬度按显微型维氏硬度计硬度依然至多为600～700的程度。若考虑作为接触探针要反复进行划线，耐磨损性还不足。
结果，通过利用电铸形成一体制造的接触探针，由于存在基材材质自身的硬度的局限，硬度的提高也是有限的。因此，现在尚未开发出硬度、弹性、耐磨损性和耐热性中任何一项都发挥充分的性能的产品。
本发明的目的是提供一种硬度、弹性、耐磨损性及耐热性优秀的接触探针。
为了达到上述目的，根据本发明的接触探针的一个方面是在具有导电性的基板上形成树脂模，通过电铸，用金属埋入并制造该树脂模的空孔部，所述金属是镍-锰合金，镍的平均结晶尺寸为70nm以下，是用由镍结晶的X光衍射产生的优先取向为向着电铸的成长方向(111)的材料制造的。这种接触探针即使在高温下使用也具有必要的硬度和弹性。
为了达到上述目的，根据本发明的接触探针的另一种形式是在具有导电性的基板上形成有空孔部的树脂模，通过电铸把金属埋入上述空孔部制造的接触探针。上述金属包含钴-钨合金。通过采用该结构可以提高耐磨损性和耐热性。取代钴-钨合金，即使是钴-钼合金或镍-钼合金也是一样。另外，即使内部是其它金属，在表面上设置上述三种合金中的任何被膜的接触探针也可以。
图1是在根据本发明的实施方式1中的接触探针的立体图；图2是表示在根据本发明的实施方式1中的接触探针的使用状况的说明图；图3是在根据本发明的实施方式1中的接触探针的制造方法的保护层形成工序和曝光工序中的剖面图；
图4是在根据本发明的实施方式1中的接触探针的制造方法的保护层除去工序中的剖面图；图5是在根据本发明的实施方式1中的接触探针的制造方法的树脂模中形成金属层的工序中的剖面图；图6是在根据本发明的实施方式1中的接触探针的制造方法中的研磨后的树脂模的剖面图；图7是在根据本发明的实施方式1中的接触探针的制造方法中除去树脂模后的剖面图；图8是在根据本发明的实施方式1中的接触探针的剖面图；图9是在根据本发明的实施方式1中的接触探针的制造方法的树脂体形成工序中的剖面图；图10是在根据本发明的实施方式1中的接触探针的制造方法中的树脂体的剖面图；图11是在根据本发明的实施方式1中的接触探针的制造方法中的研磨后的树脂体的剖面图；图12是在根据本发明的实施方式1中的接触探针的制造方法中的使研磨后的树脂体贴附在基底上的状态的剖面图；图13是在根据本发明的实施方式1中的接触探针的评价中使用的整体部掩膜的平面图；图14是表示对于用根据本发明的实施方式1的实施例5制造的实验体X线衍射结果的曲线图；图15是在根据本发明的实施方式2中的接触探针的立体图；图16是在根据本发明的实施方式2中的接触探针的制造方法的第一工序的说明图；图17是在根据本发明的实施方式2中的接触探针的制造方法的第二工序的说明图；图18是在根据本发明的实施方式2中的接触探针的制造方法的第三工序的说明图；图19是在根据本发明的实施方式2中的接触探针的制造方法的第四工序的说明图；图20是在根据本发明的实施方式2中的接触探针的制造方法的第五工序的说明图；图21是在根据本发明的实施方式7中的接触探针的制造方法的第一说明图；图22是在根据本发明的实施方式7中的接触探针的制造方法的第二说明图；图23是在根据本发明的实施方式7中的接触探针的制造方法的第三说明图。
具体实施例方式
(实施方式1)在根据本发明的实施方式1中的接触探针101按照在图1中作为一例所示的形状，包括用于与被检查电路接触的插入件部1、在一端支持插入件部1的弹簧部2和使弹簧部2的另一端与导线电连接的导线连接部3，插入件部1、弹簧部2和导线连接部3形成一体。
安装接触探针的探针卡如图2所示构成。在绝缘基板21上与被检查电路25的排列间距相重合，设置多个卡孔22。在各卡孔22的内部分别配置接触探针101，各接触探针101的前端从绝缘基板21面对被检测基板24一侧的面突出。在绝缘基板21与被检查基板24相反侧的面上，作为引线，配置例如柔性印刷电路(FPC)23等，与各接触探针101的引线连接部3电连接。用这种检查装置，进行被检查电路25的检查。
在这种接触探针中，发明者们发现了使用探针卡时要求的性能如下。即，为了用小弹簧机构产生足够的负荷，优选的杨氏模量在180GPa以上，优选的弹性极限在1150MPa以上，然而在1300Mpa以上更为理想。另外，为了发挥耐磨损性，硬度优选是在5000N/mm2以上，然而在5800N/mm2以上更为理想。关于耐热性，要求在到达150℃的高温下使用满足这些性能。
在本发明中构成接触探针材料的金属是镍-锰合金。作为接触探针的材料虽然也考虑了其他的纯镍(Ni)或Ni-W等镍系合金等，但不含锰的金属一到高温就产生硫黄脆性容易变脆，耐热性下降。这样的耐热性下降的倾向在200℃以上的高温区域很明显。在构成接触探针材料的金属中虽然也可以加钯(Pd)、铑(Rh)或钌(Ru)等，但存在材料价格昂贵的困难。
镍-锰合金中锰的含量优选是在重量的0.01％以上，不足重量的0.3％，更理想的是在重量的0.01％以上，不足重量的0.15％。锰的含量若低于重量的0.01％，则锰配合的效果就小，耐热性低。而若在重量的0.3％以上，虽然具有耐热性，但不能维持高的弹性极限。
在镍-锰合金中，在提高硬度方面，可以含有碳。镍-锰合金中碳的含量优选的是在重量的0.02％以下，在重量的0.001％以上，不足重量的0.02％更为理想，在重量的0.001％以上0.01％以下之间特别好。若碳的含量比重量的0.02％多，弹性极限下降。
在镍-锰合金中镍的平均晶粒尺寸必须为70nm以下，最好在50nm以下。若镍的平均晶粒尺寸比70nm大，则弹性极限和硬度双方都下降。
在镍-锰合金中由镍结晶的X光衍射产生的优先取向是向着在电铸中镍-锰合金的层的成长方向(液面方向)(111)。在优先取向(111)之外杨氏模量和弹性极限低，若加工接触探针，很难产生足够的负荷。
(接触探针的制造方法)接触探针的制造方法由电铸用模形成工序，向电铸用模的金属层形成工序和除去电铸用模工序组成。
作为电铸用模形成工序，也可以取利用平板印刷的工序和利用金属模的模板的工序中的任一种。
利用平板印刷的工序包括保护层形成工序，曝光工序和除去保护层的工序。保护层形成工序在具有导电性的基板的表面上形成保护层。作为基板可以使用SUS、Cu、Al等导电性基板，或如图3所示，在由Si、玻璃等组成的基板31上用喷镀Ti、Al、Cu或把它们组合在一起的金属作为导电层32形成的基板30。曝光工序如图3所示，对保护层33使用描出了所要求的接触探针形状的掩膜片34，照射X光35。根据情况也可以用UV光代替X光35。除去保护模的工序通过显影除去曝光部分36的保护层33。其结果如图4所示，形成电铸用模51。
利用金属模形成电铸用模的工序如图9所示，通过由使用具有凸部的金属模41注射成型等的模块，如图10所示，形成有凹部的树脂模42。之后进行研磨，如图11所示，作成把凹部作为贯通穴的树脂图形框43。接着，如图12所示，将树脂图形框43贴在具有导电性的基板30上。作为具有导电性的基板30，可以使用与利用平板印刷制造树脂模时相同的基板30，可以使用SUS、Cu、Al等导电基板或在由Si、玻璃等组成的基板31上，用喷镀Ti、Al、Cu或把它们组合在一起的金属作为导电层32形成的基板30。
形成电铸用模后，作为金属层形成工序，如图5所示，在电铸用模51的凹部38上(参照图4)形成金属层37。金属层37的形成通过电铸进行。所谓电铸是用金属溶液在基板上形成金属层。接着如图6所示，通过研磨或研削使其与所要求的厚度一致。
电铸用模除去工序通过由氧等离子体产生的灰化(アツシング)或X线或UV光照射后的显影除去基板30上的保护层33。其结果形成图7所示的结构。
进而用氢氧化钾(KOH)溶解基板30，或用干式蚀刻等只取出金属层37的部分。其结果可以得到图8所示的接触探针101。即这就是图1所示的接触探针101。
通过采用这样的制造方法，可以很容易地制造插件部，弹簧部和导线连接部形成一体的接触探针，既可以适应接触探针的细微化，复杂化，也不需要组装作业。
(实施例)调制氨基磺酸镍、氨基磺酸锰调合成的水溶液，使得形成如表1～3所示的锰浓度和碳浓度，进行活性碳精制后添加防坑剂和光泽剂(含丁硫醇)。
为了评价接触探针的特性，用所述的接触探针制造方法制造试验体。那时，使用具有如图13所示平面的图形的掩膜，通过对在喷镀了Ti的铜板上涂的保护层利用X光平板印刷形成电铸用模。试验体的厚度都为50μm。
实施例1～7如表1所示进行调整，无论如何作为镍的优先取向均为(111)，以及镍的平均晶粒尺寸均为50nm，形成只有锰的含量不同的合金，制造试验体。
比较例1除不含有锰这一点外，与实施例1～7相同地制造试验体。
比较例2除平均晶粒尺寸为100nm这一点外，与实施例4相同地制造试验体。
比较例3除优先取向为(200)这一点外，与实施例4相同地制造试验体。
比较例4除优先取向为(200)这一点外，与实施例5相同地制造试验体。
对制造出的试验体用以下方法进行评价。
(评价方法)1.优先取向用XRD(X-ray DiffractometryX射线衍射)进行评价。
作为一例将对于用实施例5制造出的试验体进行X线衍射的结果示于图14中。按照图14，试验体的优选取向是(111)，(111)衍射/(200)衍射的峰值强度比在2以上，(111)衍射/(220)衍射的峰值强度比在5以上。
2.平均晶粒尺寸根据由XRD得到的衍射数据，用Willson法和Scherrer法求出晶粒的尺寸。另外，为了验证，由TEM(Transmission Electron Microscopy)像确认直接晶粒的尺寸。
3.硬度材料的硬度用通用硬度(HU)求出。通用硬度使用フイシヤ-株式会社制的硬度计根据ISO技术报告TR 14577或DIN 50359进行评价。
4.杨氏模量杨氏模量用所述的硬度计测定，同时通过作成H0.05mm×W0.3mm×Llmm的试验片进行弯曲试验，根据负荷-位移曲线求出。而两种测定都取泊松比为0.3计算。
5.弹性极限弹性极限根据用于杨氏模量评价的所述弯曲试验结果求出。
6.耐热性耐热性试验通过使样件保持在高温的状态下测定杨氏模量和弹性极限而进行。将杨氏模量或弹性极限下降30％以上的情况评价为恶化。另外，在试验中，样本破损的情况也评价为恶化。
耐热性用以下基准进行评价。
○在150℃保持10天后，在150。C以下的测定中不认为恶化。
△在150℃保持2天后，在150℃以下的测定中认为恶化。
×在100℃保持10小时后，在100℃以下测定，试验片破损。
表1表示试验体的评价结果。耐热性以外的项目是室温下的测定值。
表1
如根据实施例1～7和比较例1的结果所显示的，明白了通过含有锰可以提高耐热性，在得到足够的耐热性这一点上，锰的浓度优选的是在重量的0.01％以上。另一方面明白了若锰的浓度在重量的0.3％以上，则弹性极限变成1000MPa以下，不能维持高弹性极限。
如根据实施例4和比较例3或实施例5与比较例4的结果所显示的，明白了优先取向(111)的情况与(200)的情况相比，硬度，杨氏模量，弹性极限都提高。
实施例8和9除使镍-锰合金中的镍的平均晶粒尺寸为30nm或70nm之外，与实施例4一样地制造试验体。
将对得到的实验体的评价结果与实施例4和比较例2的结果合在一起示于表2中。
表2
通过表2的结果显示，明白了随着镍的平均晶粒尺寸的变大，硬度和弹性极限下降，为了使硬度大于HU5000，镍的平均晶粒尺寸在70nm以下。
实施例10～14取锰浓度为重量的0.1％、镍的平均晶粒尺寸为50nm、只通过调整作为添加剂的丁炔丁二醇的量使镍-锰合金中的仅仅碳浓度发生变化，制造试验体。
表3表示关于得到的试验体的评价结果。
表3
如由表3的结果显示，明确随着碳含量的增加，硬度变高。
如上所示，若根据基于本发明的实施方式，通过使用镍的平均晶粒尺寸是在70nm以下，由于镍结晶的优先取向是(111)的镍-锰合金作为材料，可以提供一种弹性，硬度等必需的性能和耐热性都优良的接触探针。
(实施方式2)(构成)图15表示基于本发明的实施方式2中的接触探针102。该接触探针102与实际被检查物接触的插件部1、支持插件部1的弹簧部2和固定在检查装置侧的引线连接部3用钴-钨合金形成整体。该接触探针102在图13所示的平面图形上做成具有一定厚度的形状。
(制造方法)参照图16～图20，对基于本发明的实施方式2的接触探针的制造方法进行说明。
首先，如图16所示，在具有导电性的基板29的上面形成保护层33。作为基板29可以使用SUS、Cu、Al等金属基板。也可以代替基板29，使用Si基板，玻璃基板等，但在使用Si基板，玻璃基板等时使用预先在上面喷镀Ti、Al、Cu或将它们组合在一起的金属，在表面上形成基础导电层的结构。
如图16所示，使用掩膜片34往保护层33的表面照射X线35。在此采用使用X线平板印刷的方法，但也可以代替X线，使用照射UV(紫外线)的UV平板印刷。总之，显影后除去曝光部分36的保护层。其结果如图17所示形成具有凹部38的电铸用模52。
如图18所示，进行电铸，将凹部38用由钴-钨合金组成的金属层37覆盖。该电铸可以用硫酸钴、钨酸钠、葡萄糖酸钠、柠檬酸及其它添加剂适量混合成的电解液进行。之后，如图19所示，研削或研磨上表面使其达到所要求的厚度。
除去由于灰化或再照射后的显影残留在基板29上的保护层33，用蚀刻等除去基板29。其结果如图20所示，通过只取出金属层37，可以得到接触探针102的单体。作为用于除去基板29的蚀刻，可采用湿式蚀刻、干式蚀刻。
(作用、效果)用显微维氏硬度计测定如上述那样制作的接触探针的硬度，相对通常镍或钴制的接触探针的硬度至多为600Hv来说，是超过该硬度，达到720Hv。
将该接触探针按向铝板，反复进行划线的磨损试验10000次，测量与铝板接触的点的磨损量，结果磨损量是镍制接触探针磨损量的19％。
(实施方式3)实行与实施方式2相同的制造方法，如图18所示，在电铸时代替覆盖凹部38的由钴-钨合金组成的金属层37，用由钴-钼合金组成的金属层覆盖。该电铸可以用硫酸钴、钼酸钠、柠檬酸及其它添加剂适量混合成的电解液进行。与实施方式2一样，用钴-钼合金形成如图15所示形状的接触探针。
(作用、效果)按上述那样制作出的接触探针的硬度用显微维氏硬度计测定，结果是700Hv。
用该接触探针进行与实施方式2相同的磨损试验，测定磨损量，结果磨损量是镍制接触探针磨损量的14％。
(实施方式4)在实施方式2的制造方法中可以改变电铸条件，使钴-钨合金中钨的含有率增加，结果确认若含有比重量的25％还多，在接触探针内就会产生龟裂，弹簧部2会失去作为弹簧的机能。因而要求钨的含有率大于重量的0％，在重量的25％以下。
(实施方式5)在实施方式3的制造方法中可以改变电铸条件，使钴-钼合金中钼的含有量增加，结果确认若含有比重量的18％还多，就会在接触探针内产生龟裂，弹簧部2失去作为弹簧的机能。因而要求钼的含有率大于重量的0％，在重量的18％以下。
(实施方式6)用和实施方式2相同的制造方法，制造两个镍制接触探针。测定这些接触探针的硬度的结果是550Hv。在其中一个接触探针的表面上形成厚度为0.5μm的钴-钼合金的被膜。在有被膜和没有被膜的双方进行与实施方式2所示的相同的磨损试验，测定磨损量，结果有被膜的接触探针的磨损量是没有被膜的接触探针的35％。因此明确在表面形成钴-钼合金的被膜起到提高耐磨损性的作用。
另外被膜是钴-钨合金也可收到同样的效果。内部的金属除镍外，也可以是钴、铜等。
(实施方式7)(制造方法)参照图9～11、图21～23、图20，对基于本发明的实施方式7的接触探针的制造方法进行说明。
如图9所示，使用在阳模上有接触探针形状的金属模41，通过注射成形等形成树脂模42。该结果如图10所示，得到在阴模上有接触探针形状的树脂模42，研磨该树脂模，使凹部贯通，制作如图11所示的树脂图形框43。如图21所示，准备与在实施方式2中使用的一样的基板29，在其上面贴附树脂图形框43。如图22所示，进行电铸，将凹部38用由钴-钨合金或钴-钼合金构成的金属层37覆盖。之后，如图23所示研削或研磨上表面，达到所要求的厚度。
除去由于灰化或再照射后的显影而残留在基板29上的树脂图形框43，用蚀刻等除去基板29。作为除去基板29的蚀刻，湿式蚀刻和干式蚀刻两种都可以使用。其结果通过只取出金属层37，可以得到如图20所示的接触探针102。
(作用、效果)使用这样的制造方法，通过把材质取为钴-钨合金或钴-钼合金可以得到耐磨损性高的接触探针。
另外，在实施方式2、7中任一种的制造方法中，在电铸开始面和电铸终止面上所含的钨或钼的含有率差别大的情况下状态成为接触探针偏磨损的原因。为了把偏磨损抑制在不成问题的程度，最好电铸开始面和电铸终止面的含有率的差在电铸终止面上的含有率的25％以内。
(实施方式8)实行与实施方式2相同的制造方法，在该制造方法中，如图18所示，在电铸时，代替覆盖凹部38的由钴-钨合金组成的金属层，用由镍-钼合金组成的金属层覆盖。该电铸可以用把硫酸镍、钼酸钠、葡萄糖酸钠、柠檬酸和其它添加剂适量混合的电解液进行。其结果用镍-钼合金形成如图15所示形状的接触探针。
(作用、效果)用显微维氏硬度计测定上述那样制造的接触探针的硬度，结果是700Hv。由于通常镍或钴制的接触探针是600Hv，故本实施方式的接触探针在硬度方面超过了该硬度。
用该接触探针进行与实施方式2相同的磨损试验，测量磨损量的结果，磨损量是镍制的接触探针磨损量的20％。
在上述的制造方法中，改变电铸条件，使镍-钼合金中钼的含有率增加，结果确认若含有超过重量的25％的钼，就会在接触探针内产生龟裂，弹簧部2失去弹簧的机能。因而，钼的含有率最好大于重量的0％，在重量的25％以下。
(实施方式9)施行与实施方式7相同的制造方法，如图22所示，在电铸时，代替覆盖凹部38的由钴-钨合金或钴-钼合金组成的金属层37，用由镍-钼合金构成的金属层覆盖凹部38。其结果，用镍-钼合金形成了如图15所示形状的接触探针。使用这样制成的接触探针也能收到与实施方式8相同的效果。
(实施方式10)与实施方式6相同，在镍制的接触探针的表面，形成厚0.5μm的镍-钼合金被膜。用有被膜和无被膜的两种接触探针进行与实施方式2所示的相同的磨损试验，测定磨损量，结果有被膜的接触探针的磨损量是没有被膜的接触探针的38％。由此明确在表面上形成镍钼合金的被膜起到提高耐磨损性的作用。
另外，内部的金属除镍以外也可以是钴、铜等。
(实施方式11)用实施方式8的制造方法制作了钼含有量为20％的镍-钼合金制的接触探针。测定该接触探针的电阻，结果与镍制的接触探针相比，大约是3.5Ω的7倍。对该镍-钼合金制的接触探针实施300℃的热处理，使镍-钼合金的金属结晶局部规则合金化，结果电阻下降到与镍制接触探针几乎相同的0.6Ω。另外，硬度在热处理前维氏硬度是720Hv的，上升到780Hv。因而该实施方式可以保持接触探针的硬度在600Hv以上，将电阻抑制在与镍制的情况相等，极为理想。
另外，在实施方式8、9任一种制造方法中，在电铸开始面和电铸终止面中含有钼的含有率差别大的情况成为接触探针偏磨损的原因。为了把偏磨损抑制在发生问题的程度内，电铸开始面和电铸终止面的含有率的差最好在电铸终止面含有率的25％以内。
本发明可以适用于进行半导体IC芯片和液晶显示装置等的电气检查的接触探针。
权利要求
1.一种接触探针，是在具有导电性的基板上形成具有空孔部的树脂模，通过电铸，用金属覆盖所述空孔部，其中，所述金属是包括由钴-钨合金、钴-钼合金和镍-钼合金组成的合金群中选择的任一种合金的探针用合金。
2.如权利要求1所述的接触探针，所述探针合金是钴-钨合金，钨的含有率大于重量的0％并在重量的25％以下。
3.如权利要求1所述的接触探针，所述探针合金是钴-钨合金，在用所述电铸形成的部分中，电铸开始面和电铸终止面之间钨的含有量的差在所述终止面中的所述含有量的25％以内。
4.如权利要求1所述的接触探针，所述探针合金是钴-钼合金，钼的含有率是大于重量的0％并在重量的18％以下。
5.如权利要求1所述的接触探针，所述探针合金是钴-钼合金，在用所述电铸形成的部分中，电铸开始面和电铸终止面之间钼的含有量的差是在所述终止面中的所述含有量的25％以内。
6.如权利要求1所述的接触探针，所述探针合金是镍-钼合金，钼的含有率大于重量的0％并在重量的25％以下。
7.如权利要求1所述的接触探针，所述探针合金是镍-钼合金，在用所述电铸形成的部分中，电铸开始面和电铸终止面之间钼的含有量的差是在所述终止面中的所述含有量的25％以内。
8.如权利要求1所述的接触探针，所述探针合金是镍-钼合金，通过加热处理，使镍-钼合金的金属结晶的至少一部分被规则合金化。
9.一种接触探针，是在具有导电性的基板上形成具有空孔部的树脂模，通过电铸，用金属覆盖所述空孔部，其中，在表面上具有钴-钨合金、钴-钼合金和镍-钼合金组成的群中任选出的至少任何合金的被膜。
10.如权利要求9所述的接触探针，所述金属包括由镍、钴和铜组成的群中任选出的任何材料。
全文摘要
本发明提供一种接触探针。其在具有导电性的基板上形成具有空孔部的树脂模，通过电铸，用金属覆盖上述空孔部，其中，上述金属包括钴－钨合金，或者也可以用钴－钼合金代替钴－钨合金，或者用镍、钴或铜形成接触探针。通过在其上形成钴－钨合金或钴－钼合金的被膜也可以提高耐磨损性。也可以用镍－钼合金代替钴－钨合金和钴－钼合金。
文档编号G01R1/067GK1696709SQ20051007640
公开日2005年11月16日 申请日期2002年4月10日 优先权日2001年4月13日
发明者羽贺刚, 冈田一范 申请人:住友电气工业株式会社