一种可快速定位并测量缺陷的高密度测试芯片的制作方法

文档序号:11351458阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种可快速定位并测量缺陷的高密度测试芯片,其特征在于,包括外围电路、若干个待测器件以及若干个焊盘,所述外围电路包括行寻址电路、列寻址电路、开关电路和地址寄存器,所述地址寄存器包括计数器,地址寄存器输入端连接焊盘RST、焊盘SEN、焊盘S I、焊盘AEN和焊盘CLK,焊盘SO连接地址寄存器的输出端,地址寄存器的输出端还连接行寻址电路和列寻址电路,行寻址电路和列寻址电路都通过开关电路连接待测器件,开关电路还连接焊盘BF、焊盘SF、焊盘GF、焊盘GL、焊盘DF和焊盘DL。

2.根据权利要求1所述的一种可快速定位并测量缺陷的高密度测试芯片,其特征在于,所述计数器至少为两个,所述地址寄存器还连接焊盘SEL。

3.根据权利要求1或2所述的一种可快速定位并测量缺陷的高密度测试芯片,其特征在于,所述计数器为同步计数器或异步计数器。

4.根据权利要求1所述的一种可快速定位并测量缺陷的高密度测试芯片,其特征在于,开关电路包括若干个传输门和若干个阵列使能控制电路,待测器件为晶体管,若干个晶体管按矩阵排布形成测试阵列,若干个测试块按矩阵排布形成测试区;

测试阵列内连接结构如下:同一行晶体管的B端共接到一个BF传输门的输出端,每个BF传输门的输入端都连接焊盘BF;同一行晶体管的S端共接到一个SF传输门的输出端,每个SF传输门的输入端都连接焊盘SF;同一行晶体管的G端共接到一个GF传输门的输出端和一个GL传输门的输出端,每个GF传输门的输入端都连接焊盘GF,每个GL传输门的输入端都连接焊盘GL;同一列晶体管的D端共接到一个DF传输门的输出端和一个DL传输门的输出端,每个DF传输门的输入端都连接焊盘DF,每个DL传输门的输入端都连接焊盘DL;阵列使能控制电路的输入端连接行寻址电路和列寻址电路,阵列使能控制电路的行输出端连接BF传输门的控制端、GF传输门的控制端、GL传输门的控制端和SF传输门的控制端,阵列使能控制电路的列输出端连接DF传输门的控制端和DL传输门的控制端,阵列使能控制电路的控制端通过阵列选择信号连接地址寄存器。

5.根据权利要求4所述的一种可快速定位并测量缺陷的高密度测试芯片,其特征在于,所述行寻址电路和列寻址电路中还包括缓冲器,缓冲器串接在阵列使能电路的输出端和传输门的控制端之间。

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