一种IGBT试验台的制作方法

本实用新型三极管测试的技术领域，具体涉及一种IGBT试验台。

背景技术：

任何器件的应用都需以测试手段为保障，目前我国对IGBT的测试技术研究还在不断的完善中，IGBT的测试技术和设备研发制造，长期以来由少数国外公司所垄断，严重制约了国内IGBT生产及测试的产业化、规模化发展，而成熟的IGBT试验台少则几十万，多则几百万。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于针对现有技术中的上述不足，提供一种IGBT试验台，以解决现有的IGBT测试装置复杂，价格昂贵的问题。

为达到上述目的，本实用新型采取的技术方案是：

一种IGBT试验台，其包括试验台本体；试验台本体的台面上开设一试验槽；试验槽内开设有若干个IGBT固定孔；位于台面的上方嵌设有上位机，上位机一侧设有若干与上位机电连接的状态指示灯；

试验台本体上部内嵌设有若干电路板；电路板包括主控板，主控板上集成有STM32单片机；试验台本体底部安装有继电器、电压传感器、电源模块和电流传感器；

试验台本体内集成有隔离模拟量输出电路、均压电阻和电流采样电路、GE输入电压转换板、饱和压降测量电路和IGBT测试电路；隔离模拟量输出电路、饱和压降测量电路和IGBT测试电路均与STM32单片机连接；GE输入电压转换板与隔离模拟量输出电路连接；均压电阻和电流采样电路与电源柜连接。

优选地，主控板与所述电流传感器、电压传感器、继电器、电源模块电连接。

优选地，试验台本体的边端设有散热风扇，其底部开设有电源接口。

优选地，电压传感器为LV25-P电压传感器。

优选地，电流传感器为LEM电流传感器。

本实用新型提供的IGBT试验台，具有以下有益效果：

本实用新型在试验台上设置多个IGBT插孔，用以检测IGBT的静态参数，并将检测的参数上传于上位机中显示。整个结构简单，操作简便，相比于传统的检测设备，本实用新型价格低廉，结构简单，具有较强的实用性。

附图说明

图1为IGBT试验台的正视图。

图2为IGBT试验台的后视图。

图3为IGBT试验台的电源柜电路。

图4为隔离模拟量输出电路。

图5为IGBT试验台的均压电阻电路。

图6为IGBT试验台电流采样电路。

图7为IGBT试验台GE输入电压转换电路。

图8为IGBT试验台VGES和IGES测试电路。

图9为IGBT试验台VCES和ICES测试电路。

图10为IGBT试验台VGE(th)测试电路。

图11为IGBT试验台VCEsat测量电路。

其中，1、试验台本体；2、上位机；3、台面；4、状态指示灯；5、IGBT固定孔；6、试验槽；7、散热风扇；8、电源接口；9、电路板；10、继电器；11、电压传感器；12、电源模块；13、电流传感器。

具体实施方式

下面对本实用新型的具体实施方式进行描述，以便于本技术领域的技术人员理解本实用新型，但应该清楚，本实用新型不限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本实用新型的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本实用新型构思的实用新型创造均在保护之列。

根据本申请的一个实施例，参考图1，本方案的IGBT试验台，包括试验台本体1；试验台本体1的台面3上开设一试验槽6；试验槽6内开设有若干个IGBT固定孔5；位于台面3的上方嵌设有上位机2，上位机2一侧设有若干与上位机2电连接的状态指示灯4。

将待检测的IGBT插入对应的IGBT固定孔5中，通过导线与试验台本体内的测试电路连接，用于IGBT的静态参数的检测，并将检测的参数传送至上位机2中，上位机2可以为计算机。

试验台本体1上部内嵌设有若干电路板9；电路板9包括主控板，主控板上集成有STM32单片机；试验台本体1底部安装有继电器10、电压传感器11、电源模块12和电流传感器13。试验台本体1的边端设有散热风扇7，其底部开设有电源接口8。散热风扇7用于试验台本体1的散热，电源接口8用于与电源连接，实现供电。

其中，电压传感器11为LV25-P电压传感器11，电流传感器13为LEM电流传感器13。

试验台本体1内集成有隔离模拟量输出电路、均压电阻和电流采样电路、GE输入电压转换板、饱和压降测量电路和IGBT测试电路；隔离模拟量输出电路、饱和压降测量电路和IGBT测试电路均与STM32单片机连接；GE输入电压转换板与隔离模拟量输出电路连接；均压电阻和电流采样电路与电源柜连接，电源柜设置于本试验台的一旁，用于提供电能。

参考图3，电源柜电路，用于转换开关转换后，可产生产生DC1200V或者DC500A，为试验台本体1供电。

参考图4，隔离模拟量输出电路，该电路通过主控板输出DA值，并将其隔离传输并放大10倍。用于IGBT的GE端供电。

参考图5，均压电阻电路，将电源柜电路的脉动直流进行均压和滤波，以便得到两个DC750V的直流传感器测量电压值。

参考图6，电流采样电路，两个电阻用于过流保护和CE漏电流测量的采样电阻，JK7用保护U6。

参考图7，GE输入电压转换电路，该电路通过隔离模拟量输出电路获得0～30V的高精度直流电，通过JK1与JK2组成四选一通路，选择采样电阻或者直接送入GE。U1用于检测输入电压。U6用于检测采样电阻两端的电压以便测量栅极漏电流。

IGBT测试电路包括以下测试电路：

参考图8，VGES和IGES测试电路，JK1闭合，JK8闭合，送入电压。缓慢加电，直到输入上升，U1(电压传感器11)测得的值不变，该值便为VGES。

参考图9，VCES和ICES测试电路，VGES检测合格后，JK1，JK2断开。闭合电源柜电路中的输入接触器的电压输出接触器，JK6，JK4闭合。调压器加电。直到达到1200V。便为Vces，达到1200V后JK7闭合测量Ices。

参考图10，VGE(th)测试电路，在，VCES和ICES测试合格后，降低电压值至100V。闭合JK1，加GE到CE完全导通(通过U3电流传感器13检测电流可知)，便可得到VGE(th)。

参考图11，VCEsat测量电路，电源柜电路内输入接触器闭合，电流输出接触闭合。JK4闭合，Jk1闭合加电至15V导通电压，调压器调压至电流饱和电流，闭合JK3测量VCEsat。

本实用新型在试验台上设置多个IGBT插孔5，用以检测IGBT的静态参数，并将检测的参数上传于上位机2中显示。整个结构简单，操作简便，相比于传统的检测设备，本实用新型价格低廉，结构简单，具有较强的实用性。

虽然结合附图对实用新型的具体实施方式进行了详细地描述，但不应理解为对本专利的保护范围的限定。在权利要求书所描述的范围内，本领域技术人员不经创造性劳动即可做出的各种修改和变形仍属本专利的保护范围。