专利名称：：充电控制用半导体集成电路的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种具有电流检测电路，根据检测电流进行控制的电源控制用半导体集成电路，尤其涉及有效用于例如安装了充电控制电路的充电控制用IC(半导体集成电路)的技术。技术背景在二次电池的充电装置中使用安装了充电控制电路的IC,该充电控制电路通过电流控制用晶体管来控制充电电流，该电流控制用晶体管由设置在输入来自AC适配器等的直流电压的输入端子、和连接二次电池的输出端子之间的MOSFET(绝缘栅型场效应晶体管，以下称为MOS晶体管)构成。以前，在这样的充电控制用IC中，在进行预备充电或快速充电时检测在电流控制用晶体管中流过的电流来进行控制，以使充电电流恒定。此外，作为该恒流控制模式下的充电电流的检测方式，已知有以下方式与电流控制用晶体管串联连接电流;险测用感应电阻，根据电阻中的电压下降量^r测电流。该方式存在以下问题虽然可以进行精度较高的电流检测，但流过感应电阻的电流大，所以感应电阻中的功率损失大，功率效率降低。因此，提出了以下方式与电流控制用晶体管并列地设置比该电流控制用晶体管尺寸小的晶体管，施加与所述电流控制用晶体管相同的片册极电压，通过电流反射镜电^各来生成与充电电流成比例缩小的电流，并4吏该电流流过感应电阻，根据电阻中的电压下降量来4企测电流。该方式具有由于流过感应电阻的电流小，因此功率效率提高的优点，但是，由于负载的变动等，电流检测用晶体管的偏置条件与电流控制用晶体管不同，因此无法流过正确地按比例缩小的电流，所以存在检测精度下降的问题。另一方面，提出了以下的发明(专利文献1):在功率晶体管的驱动控制中，设置与功率晶体管和电流反射镜连接的电流;险测用晶体管以及与其串联连接的偏置控制用晶体管，并且设置将上述功率晶体管和电流检测用晶体管的各漏极电压作为输入，输出端子与偏置控制用晶体管的栅极端子连接的差分放大器，通过该差分放大器的虚短路作用，使电流检测用晶体管的偏置条件与输出用晶体管相同，由此提高电流检测精度。专利文献1特开2004-259卯2号公报
发明内容本发明人研究将使用了运算放大器的电流反射镜方式的电流检测技术应用到充电控制电流中。结果，得知存在以下问题在多单元型功率MOSFET的驱动控制中，在将多个单元中的一个用于电流;险测时，可以进刊-较高精度的电流;险测，但是在本发明人考虑应用的，在一个半导体芯片上形成了电流控制用晶体管及其控制电路的充电控制用半导体集成电路中，由于制造工艺的波动，电流控制用晶体管和电流检测用晶体管的尺寸比偏离所期望的值，电流检测精度下降。本发明是着眼于上述问题而提出的，其目的在于，在通过电流反射镜方式检测在电流控制用MOS晶体管中流过的电流来进行控制的充电控制用IC中，即使晶体管的尺寸比波动，也能够提高电流检测精度。本发明的另一目的在于，在通过电流反射镜方式检测在电流控制用MOS晶体管中流过的电流来进行控制的充电控制用IC中，能够提高电流检测精度，并且降低总的系统成本。为了实现上述目的，本发明的充电控制用半导体集成电路具有电流控制用MOS晶体管，其连接在电压输入端子和输出端子之间，控制从所述电压输入端子向输出端子流动的电流；电流检测电路，其具有电流;险测用MOS晶体管，该电流;险测用MOS晶体管的源极端子与所述电流控制用MOS晶体管的源极端子连接，具有1/N的尺寸，并且在栅极端子施加相同的栅极电压；以及栅极电压控制电路，其根据由所述电流检测电路检测出的电流值，控制所述电流控制用MOS晶体管的栅极电压，所述电流;险测电路具有运算放大电路，该运算放大电路将所述电流控制用MOS晶体管的漏极电压和所述电流检测用MOS晶体管的漏极电压作为输入，根据该运算放大电路的输出，所述电流检测用MOS晶体管的偏置状态变得与所述电流控制用MOS晶体管的偏置状态相同，并且进行设定以使从所述电流控制用MOS晶体管和所述电流检测用MOS晶体管的各个漏极电极到所述运算放大电路的对应的输入点的布线的寄生电阻所导致的电压降相同，所述电流检测电路具有偏置状态控制用晶体管，该偏置状态控制用晶体管连接在所述电流检测用MOS晶体管和电流-电压转换单元之间，该电流-电压转换单元与接地点连接，通过把所述运算放大电路的输出施加到所述偏置状态控制用晶体管的控制端子，使所述电流控制用MOS晶体管与所述电流检测用MOS晶体管的漏极电压成为相同电位，在芯片内部冗长地围绕从所述电流检测用MOS晶体管的漏极电极到所述运算放大电路的输入点的布线，以使寄生电阻成为规定值。根据上述的各单元，电流控制用MOS晶体管和电流;险测用MOS晶体管的偏置条件相同，流过高精度的电流比的电流，能够提高电流检测精度。此外，通过在芯片内部冗长地围绕从所述电流检测用MOS晶体管的漏极电极到所述运算放大电路的输入点的布线，使寄生电阻成为规定值，由此，能够比较容易地把从电流控制用MOS晶体管和电流;险测用MOS晶体管的各个漏极到运算放大电路的各个输入点的布线的寄生电阻导致的电压降设定为相同。此外，理想的是，在半导体芯片上配置所述电流检测用MOS晶体管，使其位于所述电流控制用MOS晶体管的形成区域的大致中央。由此，能够减小由于掩膜偏移等引起的电流控制用MOS晶体管的特性的偏移。而且，理想的是，所述电流检测用MOS晶体管具有基本漏极和相互分离的多个预备漏极，通过铝布线图形来选择性地将所述预备漏极与所述基本漏极连接，由此能够调整有效栅极宽度。由此，能够提高电流控制用MOS晶体管与电流;险测用MOS晶体管的尺寸比的精度。而且，理想的是，所述电流检测电路具有分压电路，其对预定的恒压进行分压；以及放大电路，向所述栅极控制电路输出与该分压电路进行分压后的电压和电流-电压转换单元转换后的电压的电位差相对应的电压，所述电流-电压转换单元将所述电流控制用MOS晶体管中流过的电流转换成电压，能够调整电阻值地构成构成所述分压电路的某个电阻。由此，即使由于工艺的波动，电流控制用MOS晶体管与电流检测用MOS晶体管的电流比偏移，也能够容易地修正偏移。此外，所述电流-电压转换单元是半导体芯片的外接电阻元件，设有在芯片外部用于连接该电阻元件的外部端子。与芯片上的电阻相比，外接电阻元件的精度高，因此能够提高电流检测精度。而且，所述外接电阻元件是具有预定的电阻值的通用的电阻元件，对应所述通用的电阻元件的电阻值来决定所述电流控制用MOS晶体管与所述电流检测用MOS晶体管的尺寸比N。由此，能够使用价廉的外接电阻，能够降低总的系统成本。根据本发明，在通过电流反射镜方式来检测流过电流控制用MOS晶体管的电流来进行控制的充电控制用IC中，即使晶体管的尺寸比波动，也能够提高电流检测精度。此外，由于能够使用价廉且高精度的外接电阻，所以能够提高电流检测精度，并且降低总的系统成本。图1是表示应用本发明的充电控制用IC以及使用该充电控制用IC的充电装置的一例的扭无要结构图。图2是表示实施方式的充电控制用IC中的电流控制用MOS晶体管和电流检测用MOS晶体管的布局的一例的芯片平面图。图3是表示电流检测用MOS晶体管的调整部位的细节的平面图。图4是表示实施方式的充电控制用IC中的电流控制用MOS晶体管和可进行栅极宽度调整的电流检测用MOS晶体管的等价电路的电路图。符号说明10充电控制用IC、114册才及电压控制电路、12电压4全测电路、13电流检测电if各、14电压比较电路、20直流电源、30二次电池、Ql电流控制用MOS晶体管、Q2电流4佥测用MOS晶体管、Q3偏置状态控制用晶体管、Ml、M2背栅极电压切换用开关MOS晶体管具体实施例方式以下，根据本发明的优选实施方式。图l表示应用了本发明的二次电池的充电控制用IC的一实施方式以及^f吏用该充电控制用IC的充电装置的扭克要结构。如图1所示，该实施方式的充电装置具备将交流电压AC转换成例如5V的直流电压的AC-DC转换器20、以及通过该AC-DC转换器20转换后的直流电压VDD，对锂电池这样的二次电池30进行充电的充电控制用ICIO。AC-DC转换器20由整流用二极管桥电路以及DC-DC转换器等构成，该DC-DC转换器具有变压器，通过采用PWM或者PEM方式对与该变压器的一次线圈连接的开关元件进行开关驱动，由此生成所期望的直流电流。充电控制用IC10具有输入来自AC-DC转换器20的直流电压VDD的电压输入端子VIN、作为连接充电对象的二次电池30的输出端子的电池端子BAT、设置在所述电压输入端子VIN和电池端子BAT之间的P沟道MOSFET形成的电流控制用MOS晶体管Ql、以及生成Q1的栅极控制电压的栅极电压控制电路ll。此外，充电控制用IC10具有电压;f企测电3各12和电流;险测电^各13。该电压检测电路12为了进行恒压控制，生成与电池端子BAT的电压VBAT和参照电压Vrefl之间的电位差相对应的电压，并向所述栅极电压控制电路11进行输出，该电压检测电路12由误差放大器等构成，该电流检测电路13具有电流检测用MOS晶体管Q2以及输出与检测电流相对应的电压的误差放大器AMP2，该电流检测用MOS晶体管Q2的栅极宽度具有所述电流控制用MOS晶体管Ql的1/N的大小(尺寸)，其源极端子与所述电压输入端子VIN连接，通过在控制端子(4册极端子)施加与Ql相同的电压，与Ql—起构成电流反射镜电路。另夕卜，在该实施方式中，如后面所述，设Q1与Q2的尺寸比N为数百~数千左右的<1，所以在电流4全测用MOS晶体管Q2中流过的电流非常小，能够降低后述的电流检测用电阻(Rp)中的损失。栅极电压控制电路ll虽然没有被特别限定，但在充电刚开始后的预备充电模式以及之后的快速充电模式中，根据来自上述电流检测电路13的检测信号进行控制，以便在电流控制用MOS晶体管Ql中分别流过预定的恒流。此外，栅极电压控制电路11例如在通过快速充电二次电池达到4.2V左右后，在成为充满电状态之前，根据来自上述电压检测电路12的检测信号通过恒压控制来控制电流控制用MOS晶体管Ql,由此对电池进行充电。具体地说，在预备充电模式中，控制电流控制用MOS晶体管Ql的栅极电压，以便在Ql中流过例如70mA这样的较小的充电电流(恒流)。该预备充电是在锂电池中，为了使电池电压恢复到3V左右而进行的充电，由于当充电电流大时电池容易劣化，所以抑制电流来进行充电，在电池电压恢复到3V左右的时刻结束该模式。在锂电池中通常进行20分左右的预备充电。因此，还可以内置计时器，通过时间来进行控制。此外，在快速充电中，控制电流控制用MOS晶体管Ql的栅极电压，以便在电流控制用MOS晶体管Ql中流过例如700mA这样的4交大的充电电流(恒流)。而且，在该实施方式的充电控制用IC10中，设置有开关MOS晶体管M1、M2以及电压比较电路14。该开关MOS晶体管Ml、M2连接在电流控制用MOS晶体管Ql的源极或漏极与基体(背栅极)之间，用于对Ql的基体选择性地施加输入电压VDD或输出电压VBAT，该电压比较电路14比较输入电压VDD和电池端子BAT的电压VBAT，检测哪个电压高。向栅极电压控制电路11供给电压比较电路14的输出，栅极电压控制电路11在电压比较电路14检测出输出电压VBAT比输入电压VDD高时，使电流控制用MOS晶体管Ql为截止状态，来防止逆流。此外，根据电压比较电路14的输出，互补地将晶体管M1、M2控制成导通或截止状态。具体地说，电压比较电路14比较输入电压VDD和输出电压VBAT,通常由于VDD高，所以电压比较电路14的输出成为高电平，使背栅极切换用开关MOS晶体管Ml、M2中的Ml导通、M2截止，在电流控制用MOS晶体管Q1的背栅极施加VDD。因此，防止通过Q1的寄生二极管，从输入端子VIN向电池端子BAT流过电流。此外，假设由于某些原因输入电压VDD降低，低于输出电压VBAT时，电压比较电路14的输出成为低电位，使背栅极切换用开关MOS晶体管Ml、M2中的M2导通、Ml截止，在Ql的背栅极施加VBAT。因此，防止通过Ql的寄生二极管，从电池端子BAT向输入端子VIN流过电流。为了防止输入端子与输出端子之间的逆流，具有与Ql串联连接逆流防止用二极管的方法，但此时在二极管中流过比较大的电流，因此损失变大，但是像本实施方式那样，设置电压比较电路14和基板电位切换用MQS晶体管Ml、M2，在输出电压高时使Q1截止，将输出电压施加到Ql的背栅极，由此不必设置二极管，就能够防止逆流，能够减少损失。而且，在本实施方式中，通过研究电流检测电路13来提高电流检测精度。以下，详细说明该电流检测电路13。如图1所示，本实施方式的电流检测电路13，在电流检测用MOS晶体管Q2的漏极端子和外接电阻连接用外部端子PROG之间，与Q2串联地连接了偏置状态控制用MOS晶体管Q3。此外，设置有将电流控制用MOS晶体管Ql的漏极电压和Q2的漏极电压作为输入，由MOS晶体管构成的运算放大器(运算放大电路)AMP1,对MOS晶体管Q3的栅极端子施加运算放大器AMP1的输出。因此，通过运算放大器AMP1的虚短路作用，为了使Q1的漏极电压与Q2的漏极电压变为相同而施加反馈，由此，使Ql和Q2的偏置条件即动作状态相同，使Q2中流过与Q2和Ql的尺寸比正确成比例的缩小电流。通过使该电流流过在外部端子PROG和接地点之间连接的外接电阻Rp,来提高电流检测精度。通过上述电阻Rp进行了电流-电压转换后的连接节点Nl的电位，通过误差放大器AMP2被放大成与其和预定的参照电压Vref2的电位差成比例的电压，并将该电压提供给栅极电压控制电路11，进行电流控制用MOS晶体管Ql的栅极控制，以使电流值成为预定的值。另外，通过在预备充电时和快速充电时切换提供给误差放大器AMP2的参照电压Vref2，能够改变预备充电时的电流值和快速充电时的电流值。而且，在本实施方式中，从电流控制用MOS晶体管Ql的漏极端子(电极)到输出端子BAT的布线Ll、和从电流4佥测用MOS晶体管Q2的漏极端子(电极)到连接运算放大器AMP1的反转输入端子的节点N2的布线L2的截面面积相同，并且将长度比设为1:N，由此使漏极布线的寄生电阻导致的电压降在Q1和Q2中相同。具体地说，如图2所示，通过较大程度地迂回Q2的漏极布线L2来^f吏其在芯片内部冗长地围绕，由此使布线Ll的长度与布线L2的长度的比成为1:N。由此，Q1和Q2的偏置条件更加近似，能够进一步提高电流反射镜比的精度。另外，在图2中，用符号Ql表示的是形成了电流控制用MOS晶体管Ql的区域，符号Q2表示的是形成了电流检测用MOS晶体管Q2的区域，符号M1、M2表示的是形成了Ql的基体电位切换用开关MOS晶体管M1、M2的区域。此外，标有符号PVIN的是作为由金属层形成的电压输入端子VIN的垫，标有符号PBAT的是作为由金属层形成的输出端子BAT的垫。如图2所示，成为将电流控制用MOS晶体管Ql分割为左右，并且对称地形成，在其中央形成了电流4企测用MOS晶体管Q2，并且在左右两端形成了基体电位切换用开关MOS晶体管M1、M2的布局。在图2中，将M1、M2分割为两个而形成，并且形成布线以使左右两个作为一个晶体管来进行工作。这是考虑了工艺波动后的布局。在制造工艺中，有时由于掩膜(mask)偏移或工艺条件等，在芯片上形成的MOS晶体管的静态特性从设计值偏移，因为在本实施方式中，使电流控制用MOS晶体管Ql和电流4企测用MOS晶体管Q2的尺寸比(栅极宽度的比)为数百-数千左右，所以与Q1相比Q2偏移的影响大。因此，在本实施方式中，如图2所示，将Q2配置在Q1的形成区域的大致中央位置，并且在由点划线B包围的部位，可以通过铝布线图形的修正来调整Q2的有效栅极宽度。具体地说，如放大表示由点划线B包围的部位的图3所示，在Q2的端部，对于漏极电极，如DP1、DP2、DP3…那样设置有按每个单位栅极分离形成的预备漏极，然后，作为试制的结果，在检测出Q2特性的偏移时，对应其偏移量决定设置或者不设置连接预备漏极DP1、DP2、DP3…之间的铝布线图形，此外，在设置时决定其数量，由此来调整有效栅极宽度。另外，还可以不分离，而是连续地形成在各个漏极电极DP1、DP2、DP3…下方的基板表面上形成的扩散层所形成的漏极区域。在图3中，符号SP1、SP2表示的是Q2的源极电极，GT1、GT2表示的是Q2的栅极电极。在电路方面，如图4所示，该调整相当于预先与Q2并列地设置比Q2尺寸小的调整用晶体管Qtl、Qt2、Qt3...,如虚线D那样通过适当地连接或断开Q2和Qtl、Qt2、Qt3…的漏极端子之间，来调整Q2的尺寸(栅极宽度)。通过这样的调整，可以正确地使Q1与Q2的尺寸比即电流比与N:l—致。而且，上述电流检测用MOS晶体管Q2的尺寸调整是阶段性的(离散的)，因此停留在数字性调整。因此，在本实施方式中，为了能够进行更进一步的4效调，如图1所示，通过串联电阻R1、Rt对恒压Vc进行分压来生成提供给误差放大器AMP2的参照电压Vref2，并且通过微调来变更电阻Rt的值，由此能够进行调整。作为电阻Rt的微调方法，例如具有以下的方法预先将多个电阻设置为并列方式，并且分别与各电阻串联地设置多晶硅等熔丝，通过熔断熔丝来进行调整。如上所述，在本实施方式中，通过基于电流检测用MOS晶体管Q2的预备漏极的选择性连接来进行的尺寸调整、以及基于分压电阻Rt的微调来进行的误差放大器AMP2的参照电压Vref2的调整，可以实现Ql和Q2的电流比的高精度化。而且，在本实施方式中，还研究通过将Q1和Q2的电流反射镜比设计成如下那样，来减少系统的总的成本。具体地说，对应与外部端子PROG连接的外接电阻Rp的电阻值，如以下表l所示，选择电流反射镜比。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>目前市场上提供的高精度的通用电阻并非具有所有的电阻值，如表1所示，是像1.0kQ、2.2kQ、4.7kQ…这样跳跃的值，可以比较价廉地买到具有这些电阻值的电阻，但是除此之外的电阻值的电阻元件需要订购，单价较高。因此，在本实施方式中，与通用电阻的电阻值1.0kQ、2.2kQ、4.7kQ…相适应，为了使电流反射镜比分别成为350、770、1645,决定Q1与Q2的尺寸比(栅极宽度比)。由此，作为外接电阻Rp可以使用价廉的通用电阻，能够减少成本。以上说明了本发明的一实施方式，但本发明并不限于上述实施方式，基于本发明的技术思想可以进行各种变更。例如，在图2的实施方式中，从电流控制用MOS晶体管Ql的漏极端子(电极)到输出端子BAT的布线Ll、和从电流检测用MOS晶体管Q2的.漏极端子(电极)到运算放大器AMP1的反转输入端子的布线L2截面面积相同并将长度比设定为1:N，但还可以使布线Ll的截面面积与布线L2的截面面积的比成为N:1,也可以分别调整布线L1、L2的长度和截面面积双方，以便在Ql和Q2中，由漏极布线的寄生电阻导致的电压降相同。另外，在上述实施方式中，将电流控制用MOS晶体管Ql和电流;险测用MOS晶体管Q2的公共连接侧(输入端子VIN侧)规定为源极，将与其相反一侧规定成漏极，但是也可以将Ql和Q2的公共连接侧(输入端子VIN侧)视为漏极，将与其相反一侧视为源极，本发明也包含这样规定的情形。此外，在图1的实施方式的电流检测电路13中，作为与MOS晶体管Q3串联连接的电流-电压转换用电阻Rp来使用外接电阻，但也可以使用在芯片内形成的芯片上的电阻。此时，Ql与Q2的电流反射镜比并不限于表1所示的对应，可以采用任意的比。而且，在上述实施方式中，作为偏置状态控制用晶体管Q3使用了MOSFET,但也可以使用双极晶体管。此外，此时使用的双极晶体管可以不是纵向晶体管，而是能够通过CMOS工艺形成的横向晶体管。在以上说明中，说明了将本发明应用到二次电池的充电控制用IC中的例子，但本发明并不限于此，也可以用于串联稳压器这样的的直流电源电路的电源控制用IC。权利要求1.一种充电控制用半导体集成电路，具有电流控制用MOS晶体管，连接在电压输入端子和输出端子之间，控制从所述电压输入端子向输出端子流动的电流；电流检测电路，具有电流检测用MOS晶体管，该电流检测用MOS晶体管的源极端子与所述电流控制用MOS晶体管的源极端子连接，具有1/N的尺寸，并且在栅极端子施加相同的栅极电压；以及栅极电压控制电路，根据由所述电流检测电路检测出的电流值，控制所述电流控制用MOS晶体管的栅极电压，该充电控制用半导体集成电路的特征在于，所述电流检测电路具有运算放大电路，该运算放大电路将所述电流控制用MOS晶体管的漏极电压和所述电流检测用MOS晶体管的漏极电压作为输入，根据该运算放大电路的输出，所述电流检测用MOS晶体管的偏置状态变得与所述电流控制用MOS晶体管的偏置状态相同，进行设定以使从所述电流控制用MOS晶体管和所述电流检测用MOS晶体管的各个漏极电极到所述运算放大电路的对应的输入点的布线的寄生电阻所导致的电压降相同，所述电流检测电路具有偏置状态控制用晶体管，该偏置状态控制用晶体管连接在所述电流检测用MOS晶体管和电流-电压转换单元之间，该电流-电压转换单元与接地点连接，通过把所述运算放大电路的输出施加到所述偏置状态控制用晶体管的控制端子，所述电流控制用MOS晶体管与所述电流检测用MOS晶体管的漏极电压成为相同电位，在芯片内部冗长地围绕从所述电流检测用MOS晶体管的漏极电极到所述运算放大电路的输入点的布线，以使寄生电阻成为规定值。2.根据权利要求1所述的充电控制用半导体集成电路，其特征在于，在半导体芯片上配置所述电流检测用MOS晶体管，使其位于所述电流控制用MOS晶体管的形成区域的大致中央。3.根据权利要求2所述的充电控制用半导体集成电路，其特征在于，所述电流检测用MOS晶体管具有基本漏极和相互分离的多个预备漏极，通过铝布线图形来选择性地将所述预备漏极与所述基本漏极连接，由此能够调整有效栅极宽度。4.根据权利要求1所述的充电控制用半导体集成电路，其特征在于，所述电流4企测电路具有分压电路，其对预定的恒压进行分压；以及放大电路，向所述栅极控制电路输出与该分压电路进行分压后的电压和电流-电压转换单元转换后的电压的电位差相对应的电压，所述电流-电压转换单元将所述电流控制用MOS晶体管中流过的电流转换成电压，能够调整电阻值地构成构成所述分压电路的某个电阻。5.根据权利要求2所述的充电控制用半导体集成电路，其特征在于，所述电流检测电路具有分压电路，其对预定的恒压进行分压；以及放大电路，向所述栅极控制电路输出与该分压电路进行分压后的电压和电流-电压转换单元转换后的电压的电位差相对应的电压，所述电流-电压转换单元将所述电流控制用MOS晶体管中流过的电流转换成电压，能够调整电阻值地构成构成所述分压电路的某个电阻。6.根据权利要求3所述的充电控制用半导体集成电路，其特征在于，所述电流检测电路具有分压电路，其对预定的恒压进行分压；以及放大电路，向所述栅极控制电路输出与该分压电路进行分压后的电压和电流-电压转换单元转换后的电压的电位差相对应的电压，所述电流-电压转换单元将所述电流控制用MOS晶体管中流过的电流转换成电压，能够调整电阻值地构成构成所述分压电路的某个电阻。7.根据权利要求4~6的任意一项所述的充电控制用半导体集成电路，其特征在于，所述电流-电压转换单元是半导体芯片的外接电阻元件，设有用于连接该电阻元件的外部端子。8.根据权利要求7所述的充电控制用半导体集成电路，其特征在于，所述外接电阻元件是具有预定的电阻值的通用的电阻元件，对应所述通用的电阻元件的电阻值来决定所述电流控制用MOS晶体管与所述电流检测用MOS晶体管的尺寸比N。全文摘要本发明提供一种充电控制用半导体集成电路。通过电流反射镜方式来检测在电流控制用MOS晶体管中流过的电流来进行控制的充电控制用IC中，即使晶体管的尺寸比波动，也能够提高电流检测精度。在电流反射镜方式的电流检测电路(13)中，设置偏置状态控制用晶体管(Q3)、将电流控制用晶体管(Q1)以及电流检测用晶体管的漏极电压作为输入的运算放大电路(AMP1)，根据该运算放大电路的输出，电流检测用MOS晶体管的偏置状态变得与电流控制用晶体管的偏置状态相同，并且调整电流检测用晶体管的漏极布线的长度，以使从电流控制用晶体管和电流检测用晶体管的各漏极到运算放大电路的对应的输入点的布线的寄生电阻导致的电压降相同。文档编号G05F1/46GK101599655SQ20091014547公开日2009年12月9日申请日期2009年6月5日优先权日2008年6月6日发明者元市芳裕,铃木大介,高桥佳周,黑川源太郎申请人:三美电机株式会社