专利名称：恒流电路及基准电压电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及恒流电路以及使用该恒流电路的基准电压电路，更具体地，本发明涉及即使在高温时产生流过漏极和衬底之间以及源极和衬底之间的结电流、也能在弱反转状态下保持动作的恒流电路。
背景技术：
对以往的恒流电路进行说明。图6示出了现有的恒流电路的电路图。以往的恒流电路由K值不同的增强型N沟道晶体管61和62、增强型P沟道晶体管63和64、电阻器65、接地端子100、电源端子101构成。K值可通过K = W/L.( μ Cox/2)求出，W表示晶体管的栅极宽，L表示晶体管的栅极长，μ表示载流子的迁移率，Cox表示每单位面积的栅极氧化膜电容。增强型N沟道晶体管61的源极与接地端子100连接，漏极以及栅极与增强型N沟道晶体管62的栅极以及增强型P沟道晶体管63的漏极连接。增强型N沟道晶体管62的源极经由电阻器65与接地端子100连接，漏极与增强型P沟道晶体管64的栅极以及漏极、增强型P沟道晶体管63的栅极连接。增强型P沟道晶体管63、64的源极均与电源端子101连接。增强型N沟道晶体管61的K值小于增强型N沟道晶体管62的K值。在电阻器65上产生增强型N沟道晶体管61和增强型N沟道晶体管62的栅源间电压差，增强型P沟道晶体管63以及64对流过电阻器65的电流进行电流镜像，由此生成偏置电流。专利文献1:日本特开平3-238513号公报(图4 (a))但是，在以往的恒流电路中，存在这样的问题:在高温时，由于在漏极-衬底间或者源极-衬底间产生的结电流，增强型N沟道晶体管61、62的栅源间电压差增加，无法在弱反转状态下进行动作。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而完成的，实现了即使在高温时增强型N沟道晶体管也能够在弱反转状态下进行动作的恒流电路。为了解决以往的课题，本发明的恒流电路采用如下结构。在具备电流镜电路、恒流生成模块电路和截止泄漏(off leak)电路的恒流电路中，截止泄漏电路由第一增强型N沟道晶体管构成，该第一增强型N沟道晶体管的栅极以及源极与接地端子连接，漏极与恒流电路的输出连接。根据本发明的恒流电路，通过使用截止泄漏电路，能够抑制输出电压的电位在高温时上升，能够使增强型N沟道晶体管在弱反转状态下进行动作。
图1是示出第一实施方式的恒流电路的电路图。
图2是示出第二实施方式的恒流电路的电路图。图3是示出第三实施方式的恒流电路的电路图。图4是示出第四实施方式的恒流电路的电路图。图5是示出使用本发明恒流电路的基准电压电路的电路图。图6是示出现有的恒流电路的电路图。标号说明100接地端子；101电源端子；102输出端子；103P沟道共源共栅(力”一 F)端子；104N沟道共源共栅端子；105基准电压输出端子；111恒流生成模块电路；112电流镜电路；113截止泄漏电路。
具体实施例方式
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以下，参照附图对本发明进行说明。〈第一实施方式〉图1示出第一实施方式的恒流电路的电路图。第一实施方式的恒流电路由恒流生成模块电路111、电流镜电路112、截止泄漏电路113、接地端子100、电源端子101、输出端子102构成。恒流生成模块电路111具备栅极彼此连接的增强型N沟道晶体管11和12、以及电阻器16。电流镜电路112具备栅极彼此连接的增强型P沟道晶体管13和14。截止泄漏电路113由增强型N沟道晶体管15构成。对连接进行说明。增强型N沟道晶体管11的漏极与电流镜电路112的增强型P沟道晶体管13的漏极以及栅极连接，源极经由电阻器16与接地端子100连接。增强型N沟道晶体管12的栅极以及漏极与电流镜电路112的增强型P沟道晶体管14的漏极以及输出端子102连接，源极与接地端子100连接。增强型P沟道晶体管13、14的源极与电源端子101连接。截止泄漏电路113的增强型N沟道晶体管15的漏极与输出端子102连接，源极以及栅极与接地端子100连接。接下来，对动作进行说明。一般地，在结电流为可忽略程度的较小的温度范围的动作中，流过增强型N沟道晶体管11的电流与流过增强型P沟道晶体管13的电流相等。流过增强型N沟道晶体管12的电流与流过增强型P沟道晶体管14的电流相等。此外，增强型N沟道晶体管11的K值与增强型N沟道晶体管12的K值不同。因此，通过将增强型N沟道晶体管11的栅源间电压与增强型N沟道晶体管12的栅源间电压的电压差施加于电阻器，生成偏置电流，可由下述(1)式表示。
权利要求
1.一种恒流电路，其具备电流镜电路和恒流生成模块电路，其特征在于， 该恒流电路具备截止泄漏电路，该截止泄漏电路由第一增强型N沟道晶体管构成，吸收在高温时流过所述恒流生成模块电路的多余电流，该第一增强型N沟道晶体管的栅极以及源极与接地端子连接，漏极与所述恒流电路的输出连接。
2.根据权利要求1所述的恒流电路，其特征在于， 所述恒流生成模块电路具备: 第二增强型N沟道晶体管，其栅极与漏极连接，源极与所述接地端子连接；以及第三增强型N沟道晶体管，其栅极与所述第二增强型N沟道晶体管的栅极连接，在源极与所述接地端子之间连接有第一电阻器。
3.根据权利要求1所述的恒流电路，其特征在于， 所述恒流生成模块电路具备: 第四增强型N沟道晶体管，在其栅极与漏极之间连接有第二电阻器，源极与所述接地端子连接；以及 第五增强型N沟道晶体管，其栅极与所述第四增强型N沟道晶体管的漏极连接，源极与所述接地端子连接。
4.根据权利要求1所述的恒流电路，其特征在于， 在所述恒流生成模块电路与所述电流镜电路之间连接有共源共栅晶体管。
5.根据权利要求4所述的恒流电路，其特征在于， 所述截止泄漏电路的漏极连接在所述电流镜电路与所述共源共栅晶体管之间。
6.一种基准电压电路，其特征在于，该基准电压电路具有: 权利要求1至5中任一项所述的恒流电路； 第六增强型N沟道晶体管，其栅极与所述恒流电路的输出端子连接； 第二电流镜电路，其输入端子与所述第六增强型N沟道晶体管连接；以及 与所述第二电流镜电路的输出端子连接的第三电阻器以及二极管。
全文摘要
恒流电路及基准电压电路。即使在高温时，增强型N沟道晶体管也能够在弱反转状态下进行动作。在具备电流镜电路、恒流生成模块电路和截止泄漏电路的恒流电路中，截止泄漏电路由第一增强型N沟道晶体管构成，该第一增强型N沟道晶体管的栅极以及源极与接地端子连接，漏极与恒流电路的输出连接。由此，通过抑制产生恒流的增强型N沟道晶体管的栅源间电压的上升，能够保持弱反转状态的动作。
文档编号G05F1/56GK103092239SQ20121042540
公开日2013年5月8日 申请日期2012年10月30日 优先权日2011年10月31日
发明者小林裕二 申请人:精工电子有限公司