多低噪声区块的集成电路的制作方法
【专利摘要】一种多低噪声区块的集成电路，包括：一封装本体；多个接口连接件，位在该封装本体的一外表面上；以及多个控制电路，位在该封装本体内，各自电性连接至该些接口连接件中的多个，各该控制电路包括：多个偏压控制单元，分别电性连接对应的该些接口连接件中的一第一连接件和一第二连接件；一偏流控制单元，该偏流控制单元的输出电性连接该些偏压控制单元以及该偏流控制单元的输入电性连接对应的该些接口连接件中的一第三连接件；以及一极化选择模块，该极化选择模块的输出电性连接该些偏压控制单元以及该极化选择模块的输入电性连接对应的该些接口连接件中的一第四连接件。本实用新型提供的多低噪声区块的集成电路，可提供同时独立控制多组晶体管。
【专利说明】多低噪声区块的集成电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种偏压控制电路，特别涉及一种多低噪声区块的集成电路。
【背景技术】
[0002]低噪声区块(Low Noise Block ;LNB)是众所周知的装置，其也被称为降频转换器，因为它们适于将整个频带或一频率区块转换成一较低的频带。
[0003]传统低噪音区块是直接印刷电路板(printed circuit board ;PCB)设置其所包含的各种电路，例如:场效晶体管(field-effect transistor ；FET)控制电路、极化切换电路、和负压电源产生电路等。然而，此些电路各自设置会占据电子装置的主板相当大的面积，以致于难以缩小整体电子装置的尺寸且增加成本。
实用新型内容
[0004]为克服现有技术的缺陷，本实用新型的一目的在于，提供一种多低噪声区块的集成电路，可提供同时独立控制多组晶体管。
[0005]本实用新型的另一目的在于，提供一种多低噪声区块的集成电路，更具有稳定的温度补偿电源管理。
[0006]本实用新型的再一目的在于，提供一种多低噪声区块的集成电路更具有过温度及过输入电流保护。
[0007]为达上述目的，本实用新型提供一种多低噪声区块的集成电路，其包括:
[0008]一封装本体；
[0009]多个接口连接件，位在该封装本体的一外表面上；以及
[0010]多个控制电路，位在该封装本体内，各自电性连接至该些接口连接件中的多个，各该控制电路包括:
[0011]多个偏压控制单元，分别电性连接对应的该些接口连接件中的一第一连接件和一第二连接件；
[0012]一偏流控制单元，该偏流控制单元的输出电性连接该些偏压控制单元以及该偏流控制单元的输入电性连接对应的该些接口连接件中的一第三连接件；以及
[0013]一极化选择模块，该极化选择模块的输出电性连接该些偏压控制单元以及该极化选择模块的输入电性连接对应的该些接口连接件中的一第四连接件。
[0014]上述的多低噪声区块的集成电路，其中各该控制电路更包括:
[0015]一参考电压产生单元，电性连接对应的该些接口连接件中的该第四连接件和一第五连接件。
[0016]上述的多低噪声区块的集成电路，其中各该控制电路更包括:
[0017]一音调检测模块，电性连接对应的该些接口连接件中的该第四连接件；
[0018]一负压电源产生模块，电性连接在对应的该些接口连接件中的一第六连接件以及一第七连接件之间；以及[0019]一第一比较器，该第一比较器的一控制端电性连接该音调检测模块、该第一比较器的一第一输入端用以接收一参考电压、以及该第一比较器的一第二输入端与一输出端电性连接该第六连接件。
[0020]上述的多低噪声区块的集成电路，其中各该音调检测模块包括:
[0021]一第二比较器，该第二比较器的输出端电性连接对应的该第一比较器的该控制端，以及该第二比较器的一第一输入端用以接收另一参考电压；以及
[0022]一音调检测单元，电性连接对应的该些接口连接件中的该第四连接件与该第二比较器的一第二输入端之间。
[0023]上述的多低噪声区块的集成电路，其中该些接口连接件为多个针脚、多个焊球、多个焊垫或其组合。
[0024]综上，根据本实用新型的多低噪声区块的集成电路具有多组多低噪声区块，因而可提供同时独立控制多组晶体管。在一些实施例中，根据本实用新型的多低噪声区块的集成电路更具有稳定的温度补偿电源管理。在一些实施例中，根据本实用新型的多低噪声区块的集成电路更具有过温度及过输入电流保护。
[0025]以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述，但不作为对本实用新型的限定。
【专利附图】
【附图说明】
[0026]图1为根据本实用 新型一实施例的多低噪声区块的集成电路的示意图。
[0027]其中，附图标记
[0028]10集成电路[0029]12封装本体[0030]14a接口连接件[0031]14b接口连接件[0032]14c接口连接件[0033]14d接口连接件[0034]14e接口连接件[0035]14f接口连接件[0036]14g接口连接件[0037]16a控制电路[0038]16b控制电路[0039]161偏压控制单元[0040]162偏压控制单元[0041]163偏流控制单元[0042]164极化选择模块[0043]165参考电压产生单元[0044]166音调检测模块[0045]167负压电源产生模块[0046]1671负压电源产生器[0047]168比较器[0048]21场效晶体管[0049]22场效晶体管[0050]23场效晶体管[0051]24场效晶体管[0052]Rl电阻[0053]R2电阻[0054]Cl电容[0055]C2电容[0056]Vc电压源[0057]Vil输入信号[0058]Vi2输入信号[0059]Vol输出信号[0060]Vo2输出信号[0061]Vref参考电压[0062]Vrefl参考电压[0063]OPl比较器[0064]0P2比较器[0065]INV反向器[0066]Dl二极管[0067]D2二极管[0068]DET音调检测单:
【具体实施方式】
[0069]下面结合附图对本实用新型的结构原理和工作原理作具体的描述:
[0070]以下述及的「第一」、「第二」、「第三」、「第四」、「第五」、「第六」及「第七」等术语，其是用以区别所指的元件，而非用以排序或限定所指元件的差异性，且亦非用以限制本实用新型的范围。
[0071]参照图1，多低噪声区块的集成电路10包括:一封装本体12、多个接口连接件14a、14b、14c、14d、He、Hf、Hg、以及多个控制电路16a、16b。此些接口连接件14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g位在封装本体12的外表面上。其中，多低噪声区块的集成电路10是以接口连接件14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g与外部的电路板(未绘示)直接接合或经由插座(未绘示)间接接合，以致使多低噪声区块的集成电路10中的芯片经由接口连接件14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g电性连接电路板上的线路，进而电性连接电路板上的其他电子元件，例如:场效晶体管21、22、23、24、电阻Rl、R2、电容Cl、C2、信号输入电路(分别用以提供输入信号Vil、Vi2)、信号输出电路(分别用以接收输出信号Vol、Vo2)等。在一些实施例中，接口连接件 14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g 可为针脚(pin)、焊球(solder ball)、焊垫(solder pad)或其组合。
[0072]此些控制电路16a、16b位在封装本体12内，并且各自电性连接至此些接口连接件14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g 中的多个连接件。
[0073]各个控制电路16a/(或)16b包括多个偏压控制单元161、162、一偏流控制单元163以及一极化选择模块164。
[0074]偏压控制单元161、162分别电性连接对应的接口连接件14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g中的一第一连接件14a和一第二连接件14b。即，各个偏压控制单元161/162均连接至各自所对应的第一连接件14a和第二连接件14b。
[0075]偏流控制单元163的输入电性连接对应的接口连接件14a、14b、14c、14d、He、14f、14g中的一第三连接件14c，并且偏流控制单元163的输出电性连接偏压控制单元161、162。
[0076]极化选择模块164的输入电性连接对应的接口连接件14a、14b、14c、14d、He、14f、14g中的一第四连接件14d，并且极化选择模块164的输出电性连接偏压控制单元161、162。
[0077]在一些实施例中，各个偏压控制单元161/162经由对应的第一连接件14a和对应的第二连接件14b连接多低噪声区块的集成电路10外部的一晶体管21/22/23/24。S卩，在多低噪声区块的集成电路10的外部，晶体管21的控制极电性连接至控制电路16a的偏压控制单元161所对应的第一连接件14a，并且晶体管21的正极电性连接至控制电路16a的偏压控制单元161所对应的第二连接件14b。晶体管22的控制极电性连接至控制电路16a的偏压控制单元162所对应的第一连接件14a，并且晶体管22的正极电性连接至控制电路16a的偏压控制单元162所对应的第二连接件14b。晶体管23的控制极电性连接至控制电路16b的偏压控制单元161所对应的第一连接件14a，并且晶体管23的正极电性连接至控制电路16b的偏压控制单元161所对应的第二连接件14b。晶体管24的控制极电性连接至控制电路16b的偏压控制单元162所对应的第一连接件14a，并且晶体管24的正极电性连接至控制电路16b的偏压控制单元162所对应的第二连接件14b。而晶体管21、22、23、24的负极接地。
[0078]在一些实施例中，以采用场效晶体管作为晶体管21、22、23、24为例，控制极为场效晶体管的栅极、正极为场效晶体管的漏极、且负极为场效晶体管的源极。
[0079]再者，在多低噪声区块的集成电路10的外部，电阻Rl连接在控制电路16a的偏流控制单元163所对应的第三连接件14c与接地之间，并且电阻R2连接在控制电路16b的偏流控制单元163所对应的第三连接件14c与接地之间。
[0080]于此，各个偏压控制单元161/162经由第二连接件14b接收对应的晶体管21/22/23/24的正极电流，藉以监视对应的晶体管21/22/23/24的正极电流。并且，各个偏压控制单元161/162更经由第一连接件14a个别控制对应的晶体管21/22/23/24的偏压。
[0081]偏流控制单元163经由第三连接件14c接收来自对应的电阻R1/R2的校准电流，并根据感测到的校准电流而产生第一信号给偏压控制单元161、162。
[0082]控制电路16a的极化选择模块164经由第四连接件14d接收来自外部的输入信号Vil。控制电路16b的极化选择模块164经由第四连接件14d接收来自外部的输入信号Vi2。极化选择模块164检测输入信号Vil/Vi2的直流准位(即，供应电压的直流准位)，并根据直流准位致能偏压控制单元161、162中的一者(S卩，禁能另一者)。换言之，同一控制电路16a/16b的偏压控制单元161、162所控制的二晶体管21、22/23、24分别用以放大不同极性的信号，例如:垂直与水平的信号、或者顺时针方向与逆时针方向的信号。
[0083]极化选择模块164所选择致能的偏压控制单元161/162则根据第一信号及对应的晶体管的正极电流来控制对应的晶体管的偏压(控制极电压)。
[0084]在一些实施例中，极化选择模块164可包括一比较器OPl以及一反向器INV。
[0085]比较器OPl的正输入端接收一参考电压(Vpol )。在一些实施例中，一二极管Dl可连接在比较器OPl的正输入端和接地之间，藉以提供参考电压Vpol至比较器OPl的正输入端。
[0086]比较器OPl的负输入端连接至第四连接件14d，并接收来自外部的输入信号Vil/Vi2。反向器INV连接在比较器OPl的输出端和偏压控制单元161的控制端之间，并且比较器OPl的输出端直接连接至偏压控制单元162的控制端。比较器OPl根据参考电压Vpol和输入信号Vil/Vi2输出一选择信号。当选择信号为致能时,选择信号经由比较器OPl的输出端输出至偏压控制单元162，以致能偏压控制单元162 ;此时，选择信号经由反向器INV反向，因而禁能偏压控制单元161。反之，当选择信号为禁能时，选择信号经由比较器OPl的输出端输出至偏压控制单元162，以禁能偏压控制单元162 ;此时，选择信号经由反向器INV反向，因而致禁能偏压控制单元161。
[0087]在一些实施例中，各个控制电路16a/16b可更包括一参考电压产生单元165。参考电压产生单元165电性连接对应的接口连接件14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g中的一第四连接件14d和一第五连接件He。
[0088]参考电压产生单元165经由第四连接件14d接收来自外部的对应的输入信号Vi I/Vi2。参考电压产生单元165根据对应的输入信号Vil/Vi2产生输出信号Nol/No2及参考电压Vref。其中，参考电压产生单元165所产生的输出信号Vol/Vo2会经由第五连接件14e输出至多低噪声区块的集成电路10的外部。而参考电压Vref则可直接或间接提供内部其他电路所需的参考准位。
[0089]在一些实施例中，各个控制电路16a/16b可更包括一音调检测模块166、一负压电源产生模块167以及一比较器168 (为方便描述以下称第一比较器168)。
[0090]音调检测模块166电性连接在对应的接口连接件14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g中的一第四连接件14d和第一比较器168的控制端之间。负压电源产生模块167电性连接在对应的接口连接件14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g中的一第六连接件14f以及一第七连接件Hg之间。第一比较器168的第一输入端用以接收一参考电压Vrefl、以及第一比较器168的第二输入端与第一比较器168的输出端电性连接第六连接件14f。于此,第一比较器168的第一输入端可为正输入端,而第一比较器168的第二输入端可为负输入端。
[0091 ] 音调检测单元166经由第四连接件14d接收来自外部的对应的输入信号Vi 1/Vi2。音调检测单元166检测输入信号Vil/Vi2中与供应电压重叠的音调信号，并且根据音调信号的存在与否来控制第一比较器168的运作。于此，音调信号具有低频，例如:22kHz。
[0092]在一些实施例中，在多低噪声区块的集成电路10的外部，电容Cl电性连接在控制电路16a的负压电源产生模块167所对应的第七连接件14g与接地之间，并且电容C2电性连接在控制电路16b的负压电源产生模块167所对应的第七连接件14g与接地之间。
[0093]负压电源产生模块167用以提供一负供应电压，并且经由第七连接件14g提供给外部元件及/或内部电路使用。负压电源产生模块167主要包括负压电源产生器1671以及电压源Vc。负压电源产生器1671耦接在电压源Vc的一端以及第七连接件14g之间，而电压源Vc的另一端耦接至第六连接件Hf。负压电源产生器1617会电压源Vc的正电压转换成负电压。由于负压电源产生器1671内部的电容较小无法容纳较多的负电荷，因此会将所产生的小量负电荷经由第七连接件14g移转至外部的电容C1/C2，并且不断的循环这个转换的动作。由于电容C1/C2的电荷会不断的流失，而负压电源产生器1671会不断加入新的电荷，而电容C1/C2的电荷也会不断的流失，因此会逐渐达到平衡，以得到所需的负供应电压。换言之，藉由电容C1/C2可将负压电源产生模块167产生的负供应电压维持在一个稳定的状态。
[0094]于第一比较器168致能时，第一比较器168将输出端的电压准位与参考电压Vrefl相比较，并经由第六连接件14f输出比较结果以决定高频的输出。在一些实施例中，参考电压Vrefl可由前述的参考电压产生单元165，即为参考电压Vref。或者，参考电压Vrefl可由前述的参考电压产生单元165所产生的参考电压Vref衍生得，例如:利用分压电路对参考电压Vref进行分压而得之。
[0095]在一些实施例中，各个音调检测模块166可包括一比较器0P2(为方便描述以下称第二比较器0P2)以及音调检测单元DET。
[0096]音调检测单元DET电性连接对应的接口连接件14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g中的第四连接件14d与第二比较器0P2的第二输入端之间。第二比较器0P2的输出端电性连接对应的第一比较器168的控制端。
[0097]第二比较器0P2的第一输入端用以接收另一参考电压(Vref2)。在一些实施例中，一二极管D2可连接在第二比较器0P2的第一输入端和接地之间，藉以提供参考电压Vref2至第二比较器0P2的第一输入端。
[0098]音调检测单元DET经由第四连接件14d接收来自外部的对应的输入信号Vil/Vi2，并检测输入信号Vil/Vi2中与供应电压重叠的音调信号。于此，音调检测单元DET根据音调信号的存在与否产生第二信号。第二比较器0P2比较第二信号和参考电压Vrefl据以产生致能信号或禁能信号给第一比较器168。
[0099]综上，根据本实用新型的多低噪声区块的集成电路具有多组多低噪声区块，因而可提供同时独立控制多组晶体管。在一些实施例中，根据本实用新型的多低噪声区块的集成电路更具有稳定的温度补偿电源管理。在一些实施例中，根据本实用新型的多低噪声区块的集成电路更具有过温度及过输入电流保护。
[0100]当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种多低噪声区块的集成电路,其特征在于,包括:一封装本体；多个接口连接件，位在该封装本体的一外表面上；以及多个控制电路，位在该封装本体内，各自电性连接至该些接口连接件中的多个，各该控制电路包括:多个偏压控制单元，分别电性连接对应的该些接口连接件中的一第一连接件和一第二连接件；一偏流控制单元，该偏流控制单元的输出电性连接该些偏压控制单元以及该偏流控制单元的输入电性连接对应的该些接口连接件中的一第三连接件；以及一极化选择模块，该极化选择模块的输出电性连接该些偏压控制单元以及该极化选择模块的输入电性连接对应的该些接口连接件中的一第四连接件。
2.根据权利要求1所述的多低噪声区块的集成电路，其特征在于，各该控制电路更包括:一参考电压产生单元，电性连接对应的该些接口连接件中的该第四连接件和一第五连接件。
3.根据权利要求2所述的多低噪声区块的集成电路，其特征在于，各该控制电路更包括:一音调检测模块，电性连接对应的该些接口连接件中的该第四连接件；一负压电源产生模块，电性连接在对应的该些接口连接件中的一第六连接件以及一第七连接件之间；以及一第一比较器，该第一比较器的一控制端电性连接该音调检测模块、该第一比较器的一第一输入端用以接收一参考电压、以及该第一比较器的一第二输入端与一输出端电性连接该第六连接件。
4.根据权利要求3所述的多低噪声区块的集成电路，其特征在于，各该音调检测模块包括:一第二比较器，该第二比较器的输出端电性连接对应的该第一比较器的该控制端，以及该第二比较器的一第一输入端用以接收另一参考电压；以及一音调检测单元，电性连接对应的该些接口连接件中的该第四连接件与该第二比较器的一第二输入端之间。
5.根据权利要求4所述的多低噪声区块的集成电路，其特征在于，该些接口连接件为多个针脚、多个焊球、多个焊垫或其组合。
6.根据权利要求3所述的多低噪声区块的集成电路，其特征在于，该些接口连接件为多个针脚、多个焊球、多个焊垫或其组合。
7.根据权利要求1或2所述的多低噪声区块的集成电路，其特征在于，该些接口连接件为多个针脚、多个焊球、多个焊垫或其组合。
【文档编号】G05F1/56GK203405749SQ201320401198
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年7月5日 优先权日:2013年7月5日
【发明者】萧地域 申请人:力神科技股份有限公司