1.一种低电压带隙基准电路，其特征在于，包括：
用于产生偏置电压的基准源电路，所述基准源电路包括第一节点与第二节点；
用于为所述基准源电路提供偏置电流的基准源镜像电路，其分别与所述基准源电路的第一节点、第二节点连接；
用于根据所述偏置电压产生正温度系数电流的正温度系数电流电路，其与所述第二节点连接。
2.根据权利要求1所述的低电压带隙基准电路，其特征在于，所述低电压带隙基准电路还包括：
用于输出零温度系数电流的零温度系数电流电路，其与所述基准源镜像电路连接；
用于为所述零温度系数电流电路提供钳位电压的钳位电路，其分别与所述基准源镜像电路和所述零温度系数电流电路连接。
3.根据权利要求2所述的低电压带隙基准电路，其特征在于，所述基准源电路包括：第一PNP三极管、第二PNP三极管、第一电阻、第二电阻及第三电阻，所述第一PNP三极管的发射极与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端为所述第一节点，所述第一PNP三极管的基极及集电极接地，所述第二电阻的一端与所述第一节点连接，所述第二电阻的另一端接地，所述第二PNP三极管的发射极为所述第二节点，所述第二PNP三极管的基极及集电极接地，所述第三电阻的一端与所述第二节点连接，所述第三电阻的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的低电压带隙基准电路，其特征在于，所述基准源镜像电路包括：第四电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管，所述第一PMOS管的源极分别与所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的栅极分别与所述第一PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极、所述第三PMOS管的栅极连接，所述第二PMOS管的漏极分别与所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极和漏极连接，所述第二NMOS管的源极连接至所述第二节点，所述第一NMOS管的源极连接至所述第一节点，所述第三PMOS管的漏极通过所述第四电阻接地。
5.根据权利要求4所述的低电压带隙基准电路，其特征在于，所述正温度系数电流电路包括：第一运放器、第四PMOS管、第五PMOS管、第五电阻及第三PNP三极管，所述第一运放器的同相输入端连接至所述第二节点，所述第一运放器的反相输入端分别与所述第四PMOS管的漏极和所述第五电阻的一端连接，所述第一运放器的输出端分别与所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极连接，所述第四PMOS管的源极和所述第五PMOS管的源极连接，所述第五PMOS管的漏极用于输出正温度系数电流，所述第五电阻的另一端和所述第三PNP三极管的发射极连接，所述第三PNP三极管的基极和集电极接地。
6.根据权利要求4所述的低电压带隙基准电路，其特征在于，
所述零温度系数电流电路包括：第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管及第九PMOS管；
所述钳位电路包括：第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管及第十四PMOS管；
所述第六PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的源极连接，所述第六PMOS管的源极分别与所述第七PMOS管的源极和所述第八PMOS管的源极连接，所述第六PMOS管的栅极分别与所述第七PMOS管的栅极及漏极、所述第八PMOS管的栅极、所述第九PMOS管的源极连接，所述第八PMOS管的漏极用于输出零温度系数电流，所述第九PMOS管的漏极接地；
所述第十PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极连接，所述第十PMOS管的源极与所述第一PMOS管的源极连接，所述第十PMOS管的漏极分别与所述第十三PMOS管的源极及栅极、第十四PMOS管的栅极、所述第九PMOS管的栅极连接，所述第十三PMOS管的漏极与所述第十四PMOS管的漏极接地，所述第十一PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第十一PMOS管的源极与所述第一PMOS管的源极连接，所述第十一PMOS管的漏极分别与所述第十四PMOS管的源极、所述第十二PMOS管的栅极连接，所述第十二PMOS管的源极与所述第一PMOS管的源极连接，所述第十二PMOS管的漏极接地。
7.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的低电压带隙基准电路。
8.一种移动电源，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的低电压带隙基准电路。
9.一种行车记录仪，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的低电压带隙基准电路。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的低电压带隙基准电路。