专利名称：半导体工艺配方生成方法及系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种半导体工艺配方生成方法及系统。
背景技术：
集成电路antegrated Circuit，IC)工艺流程中，受两方面因素影响，使得配方编辑复杂其一，不同工艺阶段的设备所需配方的参数不相同；其二，晶片加工工艺的复杂性导致半导体工艺的配方很复杂。而快速、准确地生成配方文件是工艺过程中所必须的。IC工艺流程中，多种工艺在一个完整的芯片制造过程中会多次应用(如清洗工艺)，其他IC处理工艺之前或之后几乎都需要对硅片进行清洗，如进入FAB厂前的抛光片清洗、铜工艺中通孔刻蚀后的清洗(Post Via EtchClean)、沟槽刻蚀后的清洗(Post Trench Etch Clean)、 淀积前后的清洗(Pre and Post Deposit Clean)、以及在线电子质量测量后清洗(PostOL Electronic Quality Measurement Clean)等等。而不同阶段的清洗工艺使用的配方文件， 除清洗腔室不同弓丨起配方文件存在的差别外，配方文件格式大体相同。
发明内容
(一)要解决的技术问题本发明所要解决的技术问题是提供一种可实现快速生成配方的半导体工艺配方生成方法及系统。( 二 )技术方案为解决上述问题，本发明提供了一种半导体工艺配方生成方法，该方法包括步骤Si.根据不同腔室的特征，对工艺配方进行动态配置，生成配置文件，并进行配方参数的约束设置；S2.根据配置文件以及配方参数的约束设置，生成工艺配方文件。其中，该方法还包括步骤S3.建立各配方文件间的关联关系，并将关联信息嵌入配置文件。其中，所述配置文件中包括配方参数以及配方参数属性。其中，所述配方参数包含药液配比以及控制信息。其中，所述配方参数属性包括数据类型、单位、初始值以及数值范围。其中，所述约束设置包括单个配方参数的约束设置以及配方参数间的约束设置。本发明还提供了一种半导体工艺配方生成系统，该系统包括配置文件生成模块， 用于根据不同腔室的特征，对工艺配方进行动态配置，生成配置文件，并进行配方参数的约束设置；配方文件生成模块，用于根据配置文件以及配方参数的约束设置，生成工艺配方文件。其中，其特征在于，该系统还包括关联模块，用于建立各配方文件间的关联关系，并将关联信息嵌入配置文件。(三)有益效果本发明的方法及系统利用半导体工艺过程中某些流程的相同相似性，可实现快速生成以及检验配方。
图1为依照本发明一种实施方式的半导体工艺配方生成方法流程图；图2为依照本发明一种实施方式的半导体工艺配方生成方法中配方类型嵌套示意图；图3为依照本发明一种实施方式的半导体工艺配方生成系统结构框图。
具体实施例方式本发明提出的半导体工艺配方生成方法及系统，结合附图和实施例说明如下。本发明的方法及系统把工艺配方的生成，即编辑分成配置和编辑两个部分，以快速生成特定工艺要求的配方文件。配置阶段对单个配方参数进行数值类型、数值范围、单位以及初始值等属性进行基本配置生成配置文件，同时建立配方参数间的约束关系；编辑阶段根据配置阶段生成的配置文件和建立的配方参数约束关系，在编辑、保存与打开工艺配方操作时对工艺配方文件约束和检查。下面以半导体工艺中的清洗工艺为例，进一步说明本发明的方法及系统。如图1所示，依照本发明一种实施方式的半导体工艺配方生成，即配方的编辑方法包括步骤Si.根据不同的清洗腔室具有的不同的特征，对工艺配方进行动态配置，生成配置文件，并根据配方参数间的只读和参数数值编辑限制进行配方参数的约束设置；S2.根据配置文件以及配方参数的约束设置，生成工艺配方文件。其中，通过步骤Sl的配置过程生成的配置文件用于对配方编辑进行第一层约束限制，即配方参数的编辑限制。不同清洗工艺的主要区别体现在配方参数，配置生成包含有配方参数以及配方参数属性的配置文件，其中配方参数包含药液配比以及控制信息，根据不同清洗工艺和不同反应腔室情况，进行所需要的参数情况的灵活配置。配方参数的属性包括数据类型、单位、初始值以及数值范围等内容，其中数值范围限定实际工艺过程运动部件(电机等)运行情况、化学药液使用量和具体每一工艺步的处理时间等关键参数。下面表 1是配置文件参数的例子，针对不同的数据类型设置参数的数值范围，表中列出了 Siort、 Integer, Long Float、Double、String、Ext_String 等多种数据类型及其设置范围。表1配置文件的参数属性设置
权利要求
1.一种半导体工艺配方生成方法，其特征在于，该方法包括步骤51.根据不同腔室的特征，对工艺配方进行动态配置，生成配置文件，并进行配方参数的约束设置；52.根据配置文件以及配方参数的约束设置，生成工艺配方文件。
2.如权利要求1所述的半导体工艺配方编辑方法，其特征在于，该方法还包括步骤53.建立各配方文件间的关联关系，并将关联信息嵌入配置文件。
3.如权利要求1所述的半导体工艺配方生成方法，其特征在于，所述配置文件中包括配方参数以及配方参数属性。
4.如权利要求3所述的半导体工艺配方生成方法，其特征在于，所述配方参数包含药液配比以及控制信息。
5.如权利要求3所述的半导体工艺配方生成方法，其特征在于，所述配方参数属性包括数据类型、单位、初始值以及数值范围。
6.如权利要求1所述的半导体工艺配方生成方法，其特征在于，所述约束设置包括单个配方参数的约束设置以及配方参数间的约束设置。
7.一种半导体工艺配方生成系统，其特征在于，该系统包括配置文件生成模块，用于根据不同腔室的特征，对工艺配方进行动态配置，生成配置文件，并进行配方参数的约束设置；配方文件生成模块，用于根据配置文件以及配方参数的约束设置，生成工艺配方文件。
8.如权利要求7所述的半导体工艺配方生成系统，其特征在于，该系统还包括关联模块，用于建立各配方文件间的关联关系，并将关联信息嵌入配置文件。
全文摘要
本发明公开了一种半导体工艺配方生成方法及系统，该方法包括步骤S1.根据不同腔室的特征，对工艺配方进行动态配置，生成配置文件，并进行配方参数的约束设置；S2.根据配置文件以及配方参数的约束设置，生成工艺配方文件。本发明的方法及系统利用半导体工艺过程中某些流程的相同相似性，可实现快速生成以及检验配方。
文档编号G06F17/50GK102243670SQ20111010667
公开日2011年11月16日 申请日期2011年4月27日 优先权日2011年4月27日
发明者吴仪, 杨晓, 郭训容 申请人:北京七星华创电子股份有限公司