一种触控显示装置及其制造方法
【专利摘要】本发明提出一种触控显示装置及基于所述触控显示装置的制造方法。所述触控显示装置包括：第一基板，第二基板，与所述第一基板相对设置，以及至少一个触控信号传输单元，所述触控信号传输单元包括：第一导电层，位于所述第一基板面向所述第二基板的一侧；第二导电层，位于所述第二基板面向所述第一基板的一侧；触控信号传输层，位于所述第二导电层与所述第二基板之间，并通过所述第二导电层与所述第一导电层电性连接；间隔体，所述间隔体位于所述第一基板与所述第二基板之间，且与所述第一导电层和所述第二导电层在第一基板上的垂直投影至少部分重叠。
【专利说明】一种触控显示装置及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控领域，特别涉及一种触控显示装置及该触控显示装置的制造方法。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的飞速发展，触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，现有的电容式内嵌(in cell)触摸屏是在现有的TFT (Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)阵列基板上直接另外增加触控扫描线和触控感应线实现的，即在TFT阵列基板的表面制作两层相互异面相交的条状电极，这两层电极分别作为触摸屏的触控驱动线和触控感应线，在两条电极的异面相交处形成互电容。其工作过程为:在对作为触控驱动线的电极加载触控驱动信号时，检测触控感应线通过互电容耦合出的电压信号，在此过程中，有人体接触触摸屏时，人体电场就会作用在互电容上，使互电容的电容值发生变化，进而改变触控感应线耦合出的电压信号，根据电压信号的变化，就可以确定触点位置。在现有技术中，通常采用两种方案进行触控信号的传导，方案一是在上下两基板之中通过采用导电金球作为上下基板的信号传输介质，使上下基板之间信号导通。当在显示区发生触控时，触控信号即从触控点位置传输至触控显示装置的周边区并经由导电金球传输至下基板。方案二是为触控基板额外配置一组柔性电路板FPC，单独作为触控信号的识别。
[0003]随着技术的进步以及终端市场客户要求的提高，上述触控显示装置结构的缺点日益凸显，具体表现在:对于方案一而言，首先，导电金球的制程能力较差，在金球涂布、金球与上下基板金属接触等过程中存在很多问题，进而影响生产良率，其次，采用导电金球作为上下基板的信号传输介质，由于其对位精度的问题，将无法使得边宽变窄，再次，由于导电金球的存在，显示屏上下基板的间距无法降低。对于方案二而言，额外增加的FPC必然引起成本的提闻。
【发明内容】
[0004]鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种触控显示装置及其制造方法。
[0005]为了实现上述目的，本发明的实施例提出如下技术方案:
[0006]提出一种触控显示装置，包括:
[0007]第一基板；
[0008]第二基板，与所述第一基板相对设置；以及至少一个触控信号传输单元，所述触控信号传输单元包括:
[0009]第一导电层，位于所述第一基板面向所述第二基板的一侧；
[0010]第二导电层，位于所述第二基板面向所述第一基板的一侧；
[0011]触控信号传输层，位于所述第二导电层与所述第二基板之间，并通过所述第二导电层与所述第一导电层电性连接；
[0012]间隔体，所述间隔体位于所述第一基板与所述第二基板之间，且与所述第一导电层和所述第二导电层在第一基板上的垂直投影至少部分重叠。
[0013]本发明还提出一种制造如所述触控显示装置的制造方法，包括:
[0014]提供第一基板和第_■基板；
[0015]在所述第二基板上形成触控信号传输层；
[0016]在所述第一基板与所述第二基板之间形成间隔体；
[0017]在所述第一基板与所述第二基板之间形成至少一个触控信号传输单元，所述触控信号传输单兀包括第一导电层和第二导电层；
[0018]其中，所述间隔体与所述第一导电层以及所述第二导电层在第一基板上的垂直投影至少部分重叠。
[0019]本发明提供了一种触控显示装置及其制造方法，能够实现上下基板之间的信号导通，达到简化制程、提高良率、缩小显示屏边宽和薄化显示屏厚度的至少一个目的。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1A和图1B是本发明实施例提供的一种触控显示装置在显示区和周边区的剖视图；
[0022]图1C是本发明实施例提供的一种触控显示装置中隔断图形的平面图；
[0023]图2A和图2B是本发明实施例提供的另一种触控显示装置在显示区和周边区的剖视图；
[0024]图3A和图3B是本发明实施例提供的另一种触控显示装置在显示区和周边区的剖视图；
[0025]图4A和图4B是本发明实施例提供的另一种触控显示装置在显示区和周边区的剖视图；
[0026]图5A至图5M是本发明实施例提供的一种触控显示装置的制造方法流程图；
[0027]图6A至图6M是本发明实施例提供的另一种触显示控装置的制造方法流程图；
[0028]图7A至图7K是本发明实施例提供的另一种触控显示装置的制造方法流程图；
[0029]图8A至图8K是本发明实施例提供的另一种触控显示装置的制造方法流程图。
【具体实施方式】
[0030]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0031]图1A和图1B所示为本发明实施例提供的一种触控显示装置20在显示区和周边区的剖视图。
[0032]如图1A和图1B所示，在第一基板201上设置有薄膜晶体管元件层202，薄膜晶体管元件层202包括多个薄膜晶体管开关TFT，薄膜晶体管开关TFT包括依次设置在第一基板201上的栅极层203、栅极绝缘层204、半导体层205和源漏电极层206。
[0033]在薄膜晶体管元件层202上设置有有机发光像素层207，有机发光像素层207与薄膜晶体管元件层202电性连接。有机发光像素层207包含从下至上依次层叠设置的第一电极层208、有机发光层209、像素定义层210和第二电极层211，第一电极层208为阳极反射层，第二电极层211为第二导电层，即阴极层。阳极反射层208由三层材料形成，从下至上依次为氧化铟锡(ITO)、银、氧化铟锡(ΙΤ0)，其中的银也可以由铝等金属材料代替。阴极层211由两层材料形成，从下至上依次为镁银层(MgAg)和氧化铟锌(IZO)。
[0034]在第二基板220上设置有触控信号传输层，触控信号传输层包含多个导电跨桥221，第一钝化层222覆盖在导电跨桥221上，同时，第一钝化层222设置有第一通孔223，暴露出部分导电跨桥221，在第一钝化层222上设置透明导电层224其中，透明导电层224包括多条连续的感应电极Rx和以连续感应电极Rx为间隔的驱动电极线段Tx，驱动电极线段Tx通过第一通孔223与导电跨桥221电性连接，将多条所述驱动电极线段Tx电连接。
[0035]如图1B所示，透明导电层224上覆盖有第二钝化层225，第二钝化层225设置有第二通孔226。在第二钝化层225上还设置有间隔体227，在第二通孔226位置和间隔体227上设置有第二导电层228，第二导电层228可以为金属层，其材料为钥(Mo)，也可以是金属复合层。第二导电层228 —部分设置在间隔体227上，即间隔体227与第二导电层228在第一基板201上的垂直投影部分重叠，一部分设置在第二钝化层225上，并通过第二通孔226与透明导电层224接触，第二导电层228同时与阴极层211接触。第二导电层228与阴极层221共同构成触控信号传输单元，触控信号传输单元分为传输接触区I和传输外围区2。在传输接触区1，阳极反射层208与薄膜晶体管元件层202电性连接；在传输外围区2，阳极反射层208被设置成至少一个岛状电极208a和208b，由于阳极反射层208为三层材料叠加而成，采用硝酸(HNO3)和醋酸(CH3COOH)的混合液作为刻蚀液，利用不同层材料对不同刻蚀液的刻蚀速率不同这一特性使得阳极反射层208被刻蚀成为岛状电极208a和208b，，即阳极反射层靠近薄膜晶体管元件层一侧的宽度沿远离薄膜晶体管元件层逐渐增加，呈倒梯形结构。
[0036]在传输接触区1，像素定义层210设置于阳极反射层208上，并设置有第三通孔212，第三通孔212暴露部分阳极反射层208。阴极层211设置于像素定义层210上，阴极层211通过第三通孔212与阳极反射层208接触。
[0037]在传输外围区2,阴极层211 —部分形成在岛状电极208a和208b上,一部分形成在岛状电极208a和208b外部，由于岛状电极208a和208b为倒梯形结构，并且阴极层211采用的是热蒸镀的方式，当阴极层211覆盖到不平整区域时，阴极层211容易导致断裂，利用这种性质，热蒸镀后，设置在岛状电极208a和208b上的阴极层211a与设置在岛状电极208a和208b外部的阴极层211b相互之间绝缘断开。
[0038]在传输外围区2，岛状电极208a和208b与覆盖在其表面上的阴极层21 Ia共同构成隔断图形，隔断图形围绕传输接触区I。隔断图形的作用在于:将触控面板P中传输接触区I的触控信号传输单元包围起来，这样一来可以阻断相邻触控信号传输单元相互之间的信号干扰。由于在传输外围区2设置了至少一个岛状电极208a和208b，因此隔断图形也至少为一个。同时，隔断图形可以是封闭的，如图1C-1所示，也可以是非封闭的，如图1C-1I所示，并且封闭的或非封闭的隔断图形的形状可以为矩形、圆形或者任意多边形等。如图IC-1所示，隔断图形由两个嵌套的封闭矩形组成；如图1C-1I所示，隔断图形由至少两个嵌套的非封闭图形组成，其中，每个非封闭图形由N个互不接触的子隔断单元b构成，N为大于一的整数，且相邻两个非封闭图形的子隔断单元b彼此交错排列。如图1C-1II所示，隔断图形由嵌套的至少一个封闭图形和至少一个非封闭图形组合形成，且每个非封闭图形均由N个互不接触的子隔断单元b构成，N为大于一的整数，非封闭图形与封闭图形相同。
[0039]当在触控显示装置20的显示区发生触控时，触控信号从显示区传输至周边区，并从周边区依次经过导电跨桥221、透明导电层224、第二导电层228、阴极层211、阳极反射层208并最终传输至薄膜晶体管元件层202，进而完成触控信号的输入或输出。通过这种触控信号传输结构的设置，可以简化制程、提高良率、缩小显示屏边宽和薄化显示屏厚度。
[0040]图2A和图2B为本发明实施例提供的另一种触控显示装置30在显示区和周边区的剖视图。
[0041]如图2A和图2B所示，在第一基板201上设置有薄膜晶体管元件层202，薄膜晶体管元件层202包括多个薄膜晶体管开关TFT，薄膜晶体管开关TFT包括依次设置在第一基板201上的栅极层203、栅极绝缘层204、半导体层205和源漏电极层206。在薄膜晶体管元件层202上设置有有机发光像素层207，有机发光像素层207与薄膜晶体管元件层202电性连接。有机发光像素层207包含从下至上依次层叠设置的第一电极层208、有机发光层209、像素定义层210和第二电极层211，第一电极层208为阳极反射层，第二电极层211为第二导电层，即阴极层。阳极反射层208由三层材料形成，从下至上依次为氧化铟锡(ITO)、银、氧化铟锡(ΙΤ0)，其中的银也可以由铝等金属材料代替。阴极层211由两层材料形成，从下至上依次为镁银层(MgAg)和氧化铟锌(IZO)。本实施例的触控显示装置30与图1B实施例中的触控显示装置20的不同之处在于间隔体227设置于像素定义层210与阴极层211之间。
[0042]在第二基板220上设置有触控信号传输层，触控信号传输层包含多个导电跨桥221，第一钝化层222覆盖在导电跨桥221上，同时，第一钝化层222设置有第一通孔223，第一通孔223暴露出部分导电跨桥221，在第一钝化层上设置透明导电层224，其中，透明导电层224包括多条连续的感应电极Rx和以连续感应电极Rx为间隔的驱动电极线段Tx，所述驱动电极线段Tx通过第一通孔223与导电跨桥221电性连接，将多条所述驱动电极线段Tx电连接。
[0043]如图2Β所示，透明导电层224上覆盖有第二钝化层225，第二钝化层225设置有第二通孔226。
[0044]在第二钝化层225上设置有第二导电层228，第二导电层228可以为金属层，其材料为钥(Mo)，也可以是金属复合层。第二导电层228通过第二通孔226与透明导电层224接触，第二导电层228同时与阴极层211接触。第二导电层228与阴极层211共同构成触控信号传输单元，触控信号传输单元分为传输接触区I和传输外围区2。
[0045]在传输接触区1，阳极反射层208与薄膜晶体管元件层202电性连接；在传输外围区2，阳极反射层208被设置成至少一个岛状电极208a和208b，由于阳极反射层208为三层材料叠加而成，采用硝酸(HNO3)和醋酸(CH3COOH)的混合液作为刻蚀液，利用不同层材料对不同刻蚀液的刻蚀速率不同这一特性使得阳极反射层208被刻蚀成为岛状电极208a和208b,即阳极反射层靠近薄膜晶体管元件层一侧的宽度沿远离薄膜晶体管元件层逐渐增力口，呈倒梯形结构。
[0046]在传输接触区1，像素定义层210设置于阳极反射层208上，并设置有第三通孔212，以暴露一部分阳极反射层208。
[0047]在传输接触区1，间隔体227设置于像素定义层210上，阴极层211 —部分设置于间隔体227上与第二导电层228接触，一部分通过第三通孔212与阳极反射层208接触。
[0048]在传输外围区2,阴极层211 —部分形成在岛状电极208a和208b上,一部分形成在岛状电极208a和208b外部，由于岛状电极208a和208b为倒梯形结构，并且阴极层211采用的是热蒸镀的方式，当阴极层211覆盖到不平整区域时，阴极层容易导致断裂，利用这种性质，热蒸镀后，设置在岛状电极208a和208b上的阴极层211a与设置在岛状电极208a和208b外部的阴极层211b相互之间绝缘断开。
[0049]在传输外围区2，岛状电极208a和208b与覆盖在其表面上的阴极层21 Ia共同构成隔断图形，隔断图形围绕传输接触区I。隔断图形的作用在于:将触控面板P中传输接触区I的触控信号传输单元包围起来，这样一来可以阻断相邻触控信号传输单元相互之间的信号干扰。由于在传输外围区2设置了至少一个岛状电极208a和208b，因此隔断图形也至少为一个。同时，隔断图形可以是封闭的，如图1C-1所示，也可以是非封闭的，如图1C-1I所示，并且封闭的或非封闭的隔断图形的形状可以为矩形、圆形或者任意多边形等。如图1C-1所示，隔断图形由两个嵌套的封闭矩形组成；如图1C-1I所示，隔断图形由至少两个嵌套的非封闭图形组成，其中，每个非封闭图形由N个互不接触的子隔断单元b构成，N为大于一的整数且相邻两个非封闭图形的子隔断单元b彼此交错排列。如图1C-1II所示，隔断图形由嵌套的至少一个封闭图形和至少一个非封闭图形组合形成，且每个非封闭图形均由N个互不接触的子隔断单元b构成，N为大于一的整数，非封闭图形与封闭图形相同。
[0050]当在触控显示装置20的显示区发生触控时，触控信号从显示区传输至周边区，并从周边区依次经过导电跨桥221、透明导电层224、第二导电层228、阴极层211、阳极反射层208并最终传输至薄膜晶体管元件层202，进而完成触控信号的输入或输出。通过这种触控信号传输结构的设置，可以简化制程、提高良率、缩小显示屏边宽和薄化显示屏厚度。
[0051]图3A和图3B为本发明实施例提供的另一种触控显示装置40在显示区和周边区的剖视图。
[0052]如图3A和图3B所示，在第一基板201上设置有薄膜晶体管元件层202，薄膜晶体管元件层202包括多个薄膜晶体管开关TFT，薄膜晶体管开关TFT包括依次设置在第一基板201上的栅极层203、栅极绝缘层204、半导体层205和源漏电极层206。
[0053]在薄膜晶体管兀件层202上设置有第一导电层241,第一导电层241为像素电极层，像素电极层241与薄膜晶体管元件层202电性连接。
[0054]在第二基板220上设置有触控信号传输层，触控信号传输层包含多个导电跨桥221，第一钝化层222覆盖在导电跨桥221上，同时，第一钝化层222设置有第一通孔223，暴露出部分导电跨桥221，在第一钝化层222上设置透明导电层224其中，透明导电层224包括多条连续的感应电极Rx和以连续感应电极Rx为间隔的驱动电极线段Tx，驱动电极线段Tx通过第一通孔223与导电跨桥221电性连接，将多条所述驱动电极线段Tx电连接。
[0055]如图3Β所示，透明导电层224上覆盖有第二钝化层225，第二钝化层225设置有第二通孔226。
[0056]在第二钝化层225还上设置有间隔体227，在第二通孔226位置和间隔体227上设置有第二导电层228，第二导电层228可以为金属层，其材料为钥(Mo)，也可以是金属复合层。第二导电层228 —部分设置在间隔体227上，即间隔体227与第二导电层228在第一基板201上的垂直投影部分重叠，一部分设置在第二钝化层225上，并通过第二通孔226与透明导电层224接触，第二导电层228同时与像素电极层241接触，第二导电层228与像素电极层241共同构成触控信号传输单兀。
[0057]当在触控显示装置40的显示区发生触控时，触控信号即从显示区传输至周边区，并从周边区依次经过导电跨桥221、透明导电层224、第二导电层228、像素电极层241并最终传输至薄膜晶体管元件层202，进而完成触控信号的输入或输出。通过这种触控信号传输结构的设置，可以简化制程、提高良率、缩小显示屏边宽和薄化显示屏厚度。
[0058]需要说明的是，周边区的像素电极层与显示区的像素电极绝缘断开，避免周边区像素电极层进行触控信号传输时，对显示区的像素电极产生影响。
[0059]图4A和图4B为本发明实施例提供的另一种触控显示装置50在显示区和周边区的剖视图。
[0060]如图4A和图4B所示，在第一基板201上设置有薄膜晶体管元件层202，薄膜晶体管元件层202包括多个薄膜晶体管开关TFT，薄膜晶体管开关TFT包括依次设置在第一基板201上的栅极层203、栅极绝缘层204、半导体层205和源漏电极层206。
[0061]本实施例触控显示装置50与图3B实施例中触控显示装置40结构的不同之处在于，触控显示装置50中的间隔体227设置于薄膜晶体管元件层202与像素电极层241之间，即在薄膜晶体管元件层202上设置有间隔体227，在间隔体227上形成第一导电层241，第一导电层241为像素电极层，像素电极层241与薄膜晶体管元件层202电性连接。
[0062]在第二基板220上设置有触控信号传输层，触控信号传输层包含多个导电跨桥221，第一钝化层222覆盖在导电跨桥221上，同时，第一钝化层222设置有第一通孔223，暴露出部分导电跨桥221，在第一钝化层222上设置透明导电层224其中，透明导电层224包括多条连续的感应电极Rx和以连续感应电极Rx为间隔的驱动电极线段Tx，驱动电极线段Tx通过第一通孔223与导电跨桥221电性连接，将多条所述驱动电极线段Tx电连接。
[0063]如图3Β所示，透明导电层224上覆盖有第二钝化层225，第二钝化层225设置有第二通孔226。
[0064]在第二钝化层225上还设置有第二导电层228，第二导电层228可以为金属层，其材料为钥(Mo)，也可以是金属复合层，并通过第二通孔226与透明导电层224接触，第二导电层228同时与像素电极层241接触。第二导电层228与像素电极层241共同构成触控信号传输单元。当在触控显示装置40的显示区发生触控时，触控信号即从显示区传输至周边区，并从周边区依次经过导电跨桥221、透明导电层224、第二导电层228、像素电极层241并最终传输至薄膜晶体管元件层202，进而完成触控信号的输入或输出。通过这种触控信号传输结构的设置，可以简化制程、提高良率、缩小显示屏边宽和薄化显示屏厚度。
[0065]需要说明的是，周边区的像素电极层与显示区的像素电极绝缘断开，避免周边区像素电极层进行触控信号传输时，对显示区的像素电极产生影响。
[0066]图5Α至图5Μ为本发明实施例提供的一种触控显示装置20的制造方法流程图。
[0067]如图5Α所示，首先提供第一基板201。如图5Β所示，在第一基板201上形成薄膜晶体管元件层202，薄膜晶体管元件层202包括多个薄膜晶体管开关TFT，薄膜晶体管开关TFT包括依次形成在第一基板201上的栅极层203、栅极绝缘层204、半导体层205和源漏电极层206。
[0068]如图5C所示，在薄膜晶体管元件层202上形成钝化层230，刻蚀钝化层230形成过孔231以暴露部分源漏电极层206，之后形成第一电极层208，第一电极层208为阳极反射层，刻蚀阳极反射层208，在传输接触区1，阳极反射层208通过过孔231与薄膜晶体管元件层202电性连接，在传输外围区2，阳极反射层208被刻蚀成至少一个岛状电极208a和208b，由于阳极反射层208为三层材料叠加而成，采用硝酸(HNO3)和醋酸(CH3COOH)的混合液作为刻蚀液，利用不同层材料对不同刻蚀液的刻蚀速率不同这一特性使得岛状电极208a和208b被设置成为倒梯形结构。
[0069]如图所示，在阳极反射层208上形成像素定义层210，刻蚀像素定义层210。在传输接触区1，刻蚀掉一部分像素定义层210，在像素定义层210上留出第三通孔212，第三通孔212暴露一部分阳极反射层208，在传输外围区2，刻蚀掉全部像素定义层210。
[0070]如图5E所示，在像素定义层210上采用热蒸镀的方式形成阴极层211。在传输接触区1，阴极层211 —部分形成在像素定义层210上，一部分通过第三通孔212与阳极反射层接触208。在传输外围区2，阴极层211 —部分形成在岛状电极208a和208b上，一部分形成在岛状电极208a和208b外部，由于岛状电极208a和208b为倒梯形结构，并且阴极层211采用的是热蒸镀的方式，当阴极层211覆盖到不平整区域时，阴极层211容易导致断裂，利用这种性质，热蒸镀后，设置在岛状电极208a和208b上的阴极层211a与设置在岛状电极208a和208b外部的阴极层211b相互之间绝缘断开。在传输外围区2，岛状电极208a和208b与覆盖在其表面上的阴极层211a共同构成隔断图形，隔断图形围绕传输接触区I。隔断图形的作用在于:将触控面板P中传输接触区I的触控信号传输单元包围起来，这样一来可以阻断相邻触控信号传输单元相互之间的信号干扰。隔断区图形可以是封闭的，也可以是非封闭的，并且封闭的或非封闭的隔断图形的形状可以为矩形、圆形或者任意多边形等，具体形状参见图1C在这里不再详细描述。
[0071]如图5F所示，提供第二基板220。如图5G所示，在第二基板220上形成第一金属层，刻蚀第一金属层，形成导电跨桥221。如图5H所示，在导电跨桥221上形成第一钝化层222，刻蚀第一钝化层222，在第一钝化层222上形成第一通孔223，第一通孔223暴露部分导电跨桥221。如图51所示，在第一钝化层222上形成透明导电层224，透明导电层224通过第一通孔223与金属跨桥221接触，刻蚀透明导电层224，在显示区形成多条连续的感应电极Rx和以连续的感应电极Rx为间隔的驱动电极Tx。如图5J所示，在透明导电层224上形成第二钝化层225，刻蚀第二钝化层225，在第二钝化层225上形成第二通孔226，第二通孔226暴露一部分透明导电层224。如图5K所示，在第二钝化层225上形成间隔体227。如图5L所示，在间隔体227上采用溅镀的方式形成第二导电层228，第二导电层228可以为金属层，金属层的材料为Mo,也可以为金属复合层。第二导电层228 —部分形成在间隔体227上，一部分形成在第二钝化层225上，并通过第二通孔226与透明导电层224接触，第二导电层228同时与阴极层211接触。如图5M所示，第二导电层228与阴极层211共同构成触控信号传输单兀。
[0072]图6A至图6M为本发明实施例提供的另一种触显示控装置30的制造方法流程图。
[0073]如图6A所示，首先提供第一基板201，如图6B所示，在第一基板201上形成薄膜晶体管元件层202，薄膜晶体管元件层202包括多个薄膜晶体管开关TFT，薄膜晶体管开关TFT包括依次形成在第一基板201上的栅极层203、栅极绝缘层204、半导体层205和源漏电极层 206。
[0074]如图6C所示，在薄膜晶体管元件层202上形成钝化层230，刻蚀钝化层230形成过孔231以暴露部分源漏电极层206，之后形成第一电极层208，第一电极层208为阳极反射层，刻蚀阳极反射层208，在传输接触区1，阳极反射层208通过过孔231与薄膜晶体管元件层202电性连接，在传输外围区2，阳极反射层208被刻蚀成至少一个岛状电极208a和208b，由于阳极反射层208为三层材料叠加而成，采用硝酸(HNO3)和醋酸(CH3COOH)的混合液作为刻蚀液，利用不同层材料对不同刻蚀液的刻蚀速率不同这一特性使得岛状电极208a和208b被设置成为倒梯形结构。
[0075]如图6D所示，在阳极反射层208上形成像素定义层210，刻蚀像素定义层210。在传输接触区1，刻蚀掉一部分像素定义层210，在像素定义层210上留出第三通孔212，第三通孔212暴露一部分阳极反射层208，在传输外围区2，刻蚀掉全部像素定义层210。
[0076]如图6E所示，在像素定义层210上形成间隔体227。如图6F所示，在间隔体227上采用热蒸镀的方式形成阴极层211。在传输接触区1，阴极层211 —部分形成在间隔体227上，一部分形成在像素定义层210上，一部分通过第三通孔212与阳极反射层208接触。在传输外围区2,阴极层211 —部分形成在岛状电极208a和208b上,一部分形成在岛状电极208a和208b外部，由于岛状电极208a和208b为倒梯形结构，并且阴极层211采用的是热蒸镀的方式，当阴极层211覆盖到不平整区域时，阴极层211容易导致断裂，利用这种性质，热蒸镀后，设置在岛状电极208a和208b上的阴极层211a与设置在岛状电极208a和208b外部的阴极层211b相互之间绝缘断开。传输外围区2,岛状电极208a和208b与覆盖在其表面上的阴极层211a共同构成隔断图形，隔断图形围绕传输接触区I。隔断图形的作用在于:将触控面板P中传输接触区I的触控信号传输单元包围起来，这样一来可以阻断相邻触控信号传输单元相互之间的信号干扰。隔断区图形可以是封闭的，也可以是非封闭的，并且封闭的或非封闭的隔断图形的形状可以为矩形、圆形或者任意多边形等，具体形状参见图1C在这里不再详细描述。
[0077]如图6G所示，提供第二基板220。如图6H所示，在第二基板220上形成第一金属层221,刻蚀第一金属层221,形成导电跨桥221。如图61所不，在导电跨桥221上形成第一钝化层222，刻蚀第一钝化层222，在第一钝化层222上留有第一通孔223，第一通孔223暴露部分导电跨桥221。如图6J所示，在第一钝化层上222形成透明导电层224，透明导电层224通过第一通孔223与金属跨桥221接触，刻蚀透明导电层224，在显示区形成多条连续的感应电极Rx和以连续的感应电极Rx为间隔的驱动电极Tx。如图6Κ所示，在透明导电层224上形成第二钝化层225，刻蚀第二钝化层225，在第二钝化层225上形成第二通孔226，第二通孔226暴露一部分透明导电层224。
[0078]如图6L所示，在第二钝化层225上采用溅镀的方式形成第二导电层228，第二导电层228可以为金属层,金属层的材料为Mo,也可以为金属复合层,第二导电层228形成在第二钝化层上225，并通过第二通孔226与透明导电层224接触，第二导电层228同时与阴极层211接触。如图6Μ所示，第二导电层228与阴极层211共同构成触控信号传输单元。
[0079]图7A至图7K为本发明实施例提供的另一种触控显示装置40的制造方法流程图。
[0080]如图7A所示，提供第一基板201，如图7B所示，在第一基板201上形成薄膜晶体管元件层202,薄膜晶体管元件层202包括多个薄膜晶体管开关TFT,薄膜晶体管开关TFT包括依次形成在第一基板201上的栅极层203、栅极绝缘层204、半导体层205和源漏电极层206。
[0081]如图7C所示，在薄膜晶体管元件层202上形成钝化层230，刻蚀钝化层230形成过孔231以暴露部分源漏电极层206，之后形成第一导电层241，第一导电层241为像素电极层，像素电极层241通过过孔231与薄膜晶体管元件层202电性连接，刻蚀像素电极层241。
[0082]如图7D所示，提供一第二基板220，如图7E所示，在第二基板220上形成第一金属层221，刻蚀第一金属层221，形成导电跨桥221。如图7F所示，在导电跨桥上形成第一钝化层222，刻蚀第一钝化层222，在第一钝化层222上留有第一通孔223，第一通孔223暴露部分导电跨桥221。如图7G所示，在第一钝化层222上形成透明导电层224，透明导电层224通过第一通孔223与金属跨桥221接触，刻蚀透明导电层224，在显示区形成多条连续的感应电极Rx和以连续的感应电极Rx为间隔的驱动电极Tx。如图7Η所示，在透明导电层224上形成第二钝化层225，刻蚀第二钝化层225，在第二钝化层225上形成第二通孔226，第二通孔226暴露一部分透明导电层224。
[0083]如图71所示，在第二钝化层225上形成间隔体227，如图7J所示，在间隔体227上采用溅镀的方式形成第二导电层228，第二导电层228可以为金属层，金属层的材料为Mo，也可以为金属复合层。。第二导电层228 —部分形成在间隔体227上,一部分形成在第二钝化层225上，并通过第二通孔226与透明导电层224接触，如图7Κ所示，第二导电层228同时与像素电极层241接触，金属层228与像素电极层241共同构成触控信号传输单元。需要说明的是，周边区的像素电极层与显示区的像素电极绝缘断开，避免周边区像素电极层进行触控信号传输时，对显示区的像素电极产生影响。
[0084]图8Α至图8Κ为本发明实施例提供的另一种触控显示装置50的制造方法流程图。
[0085]如图8Α所示，提供第一基板201，如图SB所示，在第一基板201上形成薄膜晶体管元件层202,薄膜晶体管元件层202包括多个薄膜晶体管开关TFT,薄膜晶体管开关TFT包括依次形成在第一基板201上的栅极层203、栅极绝缘层204、半导体层205和源漏电极层206。
[0086]如图SC所示，在薄膜晶体管元件层202上形成钝化层230，刻蚀钝化层230形成过孔231以暴露部分源漏电极层206，在钝化层230上形成间隔体227，如图8D所示，在间隔体227上形成第一导电层241，第一导电层241为像素电极层，像素电极层241与薄膜晶体管元件层202通过过孔231电性连接，刻蚀像素电极层241。
[0087]如图SE所示，提供一第二基板，如图8F所示，在第二基板220上形成第一金属层221，刻蚀第一金属层221，形成导电跨桥221。如图8G所示，在导电跨桥221上形成第一钝化层222，刻蚀第一钝化层222，在第一钝化层222上留有第一通孔223，第一通孔223暴露部分导电跨桥221。如图8H所示，在第一钝化层222上形成透明导电层224，透明导电层224通过第一通孔223与金属跨桥221接触，刻蚀透明导电层224，在显示区形成多条连续的感应电极Rx和以连续的感应电极Rx为间隔的驱动电极Tx。如图81所示，在透明导电层224上形成第二钝化层225，刻蚀第二钝化层225，在第二钝化层225上形成第二通孔226，第二通孔226暴露一部分透明导电层224。
[0088]如图8J所示，在第二钝化层上225形成第二导电层228，第二导电层228可以为金属层，金属层的材料为Mo，也可以为金属复合层。第二导电层228形成在第二钝化层225上，并通过第二通孔226与透明导电层224接触，如图8K所示，第二导电层228同时与像素电极层241接触。金属层228与像素电极层241共同构成触控信号传输单元。需要说明的是，周边区的像素电极层与显示区的像素电极绝缘断开，避免周边区像素电极层进行触控信号传输时，对显示区的像素电极产生影响。
[0089]综上所述，本发明提出一种触控显示装置及基于所述触控显示装置的制造方法。所述触控显示装置通过采用一种特殊的结构使得触控显示装置能够实现上下基板之间的信号导通，相较于传统的触控显示装置，本发明所提的触控显示装置及其制造方法能够达到简化制程、提高良率、缩小显示屏边宽和薄化显示屏厚度的目的。
[0090]以上对本发明实施例所提供的触控装置汲取驱动方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
【权利要求】
1.一种触控显示装置，包括: 第一基板； 第二基板，与所述第一基板相对设置；以及 至少一个触控信号传输单元，所述触控信号传输单元包括:第一导电层，位于所述第一基板面向所述第二基板的一侧；第二导电层，位于所述第二基板面向所述第一基板的一侧；触控信号传输层，位于所述第二导电层与所述第二基板之间，并通过所述第二导电层与所述第一导电层电性连接；间隔体，所述间隔体位于所述第一基板与所述第二基板之间，且与所述第一导电层和所述第二导电层在第一基板上的垂直投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述触控信号传输层包括多条感应电极和多条驱动电极，所述感应电极和所述驱动电极位于同层。
3.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述间隔体设置于所述第二基板上，且位于所述触控信号传输层与所述第二导电层之间。
4.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，所述间隔体设置于所述第一基板上，且位于所述第一基板与所述第一导电层之间。
5.根据权利要求1所述的触控显示装置，其特征在于，还包括依次设置在所述第一基板上的薄膜晶体管元件层和像素电极层，所述薄膜晶体管元件层包括多个薄膜晶体管开关。
6.根据权利要求5所述的触控显示装置，其特征在于，所述第一导电层为所述像素电极层。
7.根据权利要求5所述的触控显示装置，其特征在于，还包括设置于所述薄膜晶体管元件层上的有机发光像素层。
8.根据权利要求7所述的触控显示装置，其特征在于，所述有机发光像素层包括依次层叠设置的第一电极层，像素定义层和第二电极层。
9.根据权利要求8所述的触控显示装置，其特征在于，所述第一导电层为所述第二电极层。
10.根据权利要求8所述的触控显示装置，其特征在于，所述触控信号传输单元分为传输接触区和传输外围区，在所述传输外围区设置有至少一个隔断图形，所述隔断图形围绕所述传输接触区。
11.根据权利要求10所述的触控显示装置，其特征在于，所述隔断图形由至少两个嵌套的封闭矩形组成。
12.根据权利要求10所述的触控显示装置，其特征在于，所述隔断图形由至少两个嵌套的非封闭图形组成，且每个所述非封闭图形由N个互不接触的子隔断单元构成，N为大于一的整数且相邻两个所述非封闭图形的子隔断单元彼此交错排列。
13.根据权利要求10所述的触控显示装置，其特征在于，所述隔断图形由嵌套的至少一个封闭图形和至少一个非封闭图形组合形成，且每个所述非封闭图形均由N个互不接触的子隔断单元构成，N为大于一的整数，所述非封闭图形与所述封闭图形相同。
14.根据权利要求11-13任一项所述的触控显示装置，其特征在于，所述封闭图形和/或非封闭图形为矩形、圆形或者多边形。
15.根据权利要求8所述的触控显示装置，其特征在于，所述间隔体设置于所述像素定义层与所述第一导电层之间。
16.一种制造如权利要求1所述的触控显示装置的制造方法，包括: 提供第一基板和第二基板； 在所述第二基板上形成触控信号传输层； 在所述第一基板或所述第二基板上形成间隔体； 在所述第一基板上形成第一导电层，在所述第二基板上形成第二导电层所述第一导电层与所述第二导电层共同构成触控信号传输单元； 其中，所述间隔体与所述第一导电层以及所述第二导电层在第一基板上的垂直投影至少部分重叠。
17.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于，形成所述触控信号传输层的步骤包括: 在所述第二基板上形成导电跨桥； 在所述跨桥上覆盖第一钝化层； 刻蚀所述第一钝化层形成第一通孔，暴露部分所述导电跨桥； 在所述第一钝化层上形成多条连续的感应电极和以连续感应电极为间隔的驱动电极线段，所述驱动电极线段通过所述第一通孔与所述导电跨桥电性连接，将多条所述驱动电极线段电连接。
18.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于，形成所述间隔体步骤包括:在所述触控信号传输层上形成所述间隔体。
19.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于，还包括在所述第一基板上形成薄膜晶体管元件层，所述薄膜晶体管元件层包括多个薄膜晶体管开关。
20.根据权利要求19所述的制造方法，其特征在于，形成所述间隔体步骤包括:在所述第一基板的薄膜晶体管元件层上形成所述间隔体。
21.根据权利要求20所述的制造方法，其特征在于，形成所述触控信号传输单元的步骤包括: 在所述薄膜晶体管元件层和所述间隔体上形成像素电极层，所述像素电极层为所述第一导电层; 在所述第二基板上形成所述第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层电性连接。
22.根据权利要求19所述的制造方法，其特征在于，还包括在所述薄膜晶体管元件层上形成有机发光像素层，所述有机发光像素层包括依次层叠设置的第一电极层、像素定义层和第二电极层。
23.根据权利要求22所述的制造方法，其特征在于，所述触控信号传输单元分为传输接触区和传输外围区，形成触控信号传输单元的步骤包括: 在所述薄膜晶体管元件层上形成第二电极层，所述第二电极层为所述第一导电层，在所述传输外围区形成至少一个隔断图形； 在所述第二基板上形成所述第二导电层，在所述传输接触区所述第二导电层与所述第一导电层电性连接。
24.根据权利要求23所述的制造方法，其特征在于，形成所述隔断图形的步骤包括: 在所述薄膜晶体管元件层上形成所述第一电极层，图案化所述第一电极层，在所述传输外围区形成至少一个岛状电极，所述岛状电极围绕所述传输接触区； 之后形成第二电极层，所述第二电极层一部分形成在所述岛状电极上，另一部分形成在岛状电极外部，且所述岛状电极上的第二电极层与岛状电极外部的第二电极层绝缘断开。
25.根据权利要求24所述的制造方法，其特征在于，所述岛状电极为倒梯形结构。
26.根据权利要求22所述的制造方法，其特征在于，形成所述间隔体步骤包括:在所述像素定义层上形成所述间隔体。
【文档编号】G06F3/044GK104252276SQ201410309292
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年6月30日 优先权日:2014年6月30日
【发明者】苏聪艺 申请人:上海天马有机发光显示技术有限公司, 天马微电子股份有限公司