1.一种触摸屏的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）提供基片，并在基片的正反面镀导电层，该基片包括显示区和边框区；
2）在基片的正反面导电层上覆盖光阻干膜；
3）对基片正反面的光阻干膜有选择的曝光，形成曝光部分和非曝光部分，所述曝光部分或非曝光部分形成基片显示区域的导电层图案, 所述曝光能量控制在20mJ至200mJ之间；
4）通过显影、蚀刻工艺退去光阻干膜制得触摸屏；
所述步骤2）到步骤4）在黄光条件下进行。
2.根据权利要求1所述触摸屏的制备方法，其特征在于，步骤3）所述曝光能量控制在50mJ至150mJ之间。
3.根据权利要求1所述触摸屏的制备方法，其特征在于，步骤3）所述曝光能量控制在80mJ至100mJ之间。
4.根据权利要求1至3所述触摸屏的制备方法，其特征在于，步骤1）基片的正反面均贴附导电层，步骤2）在基片正反面的导电层上分别覆盖光阻干膜；步骤3）对基片正反面的光阻干膜有选择的曝光以便在基片正反面形成对应的曝光部分和非曝光部分。
5.根据权利要求4所述触摸屏的制备方法，其特征在于，步骤4）的工艺为：
首先，通过显影处理去除导电层图案以外的光阻干膜，保留与导电层图案相对应的光阻干膜部分；
其次，通过蚀刻去除保留的光阻干膜以外部分的导电层的导电材料并退去所保留的光阻干膜以便在基片上形成显示区和边框区，所述导电层图案处于显示区内；
然后，分别在基片边框区的正反面印刷感光银浆；
最后，对感光银浆有选择的曝光以便得到有特定形状的银浆图案，并通过显影处理得到感光银浆电极引线，所述感光银浆电极引线的一端与所述导电层连接。
6.根据权利要求5所述触摸屏的制备方法，其特征在于，所述光阻干膜为负光阻干膜，步骤２）在80至110℃的条件下通过热压完成光阻干膜的覆盖。
7.根据权利要求5所述触摸屏的制备方法，其特征在于，步骤4）显影处理时需对基片正反面同时喷淋弱碱溶液，步骤4）蚀刻时首先对基片正反面同时喷淋强酸溶液，然后喷淋强碱溶液。
8.根据权利要求7所述触摸屏的制备方法，其特征在于，所述强酸为王水、硝酸或草酸，所述强碱为氢氧化钠、氢氧化钾溶液或质量浓度为1%到6%的乙二胺。
9.根据权利要求5所述触摸屏的制备方法，其特征在于，步骤4）对感光银浆曝光前还包括预烘烤步骤，所述预烘烤条件为：70至100℃的温度下预烘烤3至15分钟。
10.根据权利要求9所述触摸屏的制备方法，其特征在于，步骤4）对感光银浆曝光的曝光能量为100mJ 到400mJ。