1.一种石墨烯触摸屏，其特征在于，包括触摸屏本体，所述触摸屏本体的双面均具有图案化的表面催化自限制薄膜，所述图案化的表面催化自限制薄膜的图案与待制作的传感器图案及其走线图案相同，所述图案化的表面催化自限制薄膜的表面设置有单层石墨烯。
2.根据权利要求1所述的石墨烯触摸屏，其特征在于，所述图案化的表面催化自限制薄膜为铜薄膜。
3.根据权利要求2所述的石墨烯触摸屏，其特征在于，所述图案化的表面催化自限制薄膜的厚度为6纳米至1000纳米。
4.根据权利要求1-3任一项所述的石墨烯触摸屏，其特征在于，所述触摸屏本体为玻璃基板。
5.一种石墨烯触摸屏的制作方法，其特征在于，包括：
在触摸屏本体的双面制作表面催化自限制薄膜；
对所述表面催化自限制薄膜进行刻蚀，形成与待制作的传感器图案及其走线图案相同的图案化的表面催化自限制薄膜；
在所述图案化的表面催化自限制薄膜的表面生长单层石墨烯。
6.根据权利要求5所述的石墨烯触摸屏的制作方法，其特征在于，
所述在触摸屏本体的双面制作表面催化自限制薄膜为：
在所述触摸屏本体的双面磁控溅射镀膜，形成铜薄膜。
7.根据权利要求6所述的石墨烯触摸屏的制作方法，其特征在于，
所述在所述图案化的表面催化自限制薄膜的表面生长单层石墨烯为：
采用石墨粉末作为碳源，在所述图案化的表面催化自限制薄膜的表面进行常温常压化学气相沉积，生长单层石墨烯。
8.根据权利要求5-7任一项所述的石墨烯触摸屏的制作方法，其特征在于，
所述在所述图案化的表面催化自限制薄膜的表面生长单层石墨烯为：
在所述图案化的表面催化自限制薄膜的表面化学气相沉积生长单层石墨烯，持续40分钟至100分钟。