消影增透透明导电薄膜的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及触摸屏技术领域，具体是一种能够消除蚀刻区域与未蚀刻区域之间颜 色差异的消影增透透明导电薄膜。
【背景技术】
[0002] 透明导电氧化物薄膜为电容式触摸屏的主要部件，该薄膜位于显示区域，一般 由ITO膜蚀刻而成，导电膜的折射率与触摸屏基板的折射率不同，ITO膜折射率一般为 1. 9-2. 0,触摸屏基板的折射率约为1. 5,导致显示区内电极（ITO)与电极缝隙的可见光反 射与透射光谱有较大区别，使电极与缝隙清晰可见(色差Δ'与Af大于1)，并且颜色不呈 中性(颜色值I a"与I b"大于1)。另外触摸屏尺寸越大，要求ITO层的面电阻越小， 所需的ITO层的厚度就越厚，导致电极与缝隙的色差越明显，可见光透过率也降低，严重影 响视觉效果，降低触摸屏品质。
[0003] 消影增透透明导电薄膜是解决色差问题、提高可见光透过率的主要手段之一。消 影增透透明导电薄膜一般由依次叠加的高、低折射率透明介质材料和最外表面的ITO薄膜 组成，其中高折射率材料主要包括Nb 2O5或者T A薄膜等，低折射率材料一般为SiO 2、MgF2 薄膜等。例如《一种消影高透过率OGS用玻璃》（公开号为CN103092416A)的专利文件公开 了由Nb2O 5层、SiO2层与ITO层等组成的膜系，《一种消影且增透的导电镀膜层》（公开号为 CN102779570A)的专利文件公开了由Nb2O5或者TiO 2层、SiO 2层、ITO层组成膜系。
[0004] 虽然由Nb2O5或T i〇2作为高折射率层的消影膜可见光透过率较高，但是由于Nb 2〇5 或1102可见光波段范围内折射率较高，导致Nb 205或TiO 2膜层厚度微小的变化就会引起薄 膜光学厚度明显的变化，使得整个膜系可见光波段光谱的明显变化，进而导致颜色的改变。 即，膜层的厚度，特别是高折射率材料的厚度对于膜系颜色的变化有着重要的影响。为了获 得消影效果达到要求的消影薄膜，高折射率材料的镀膜控制工艺要求非常苛刻(对于Nb 2O5 或TiO2膜层厚度变化小于±0. 5nm)，工艺难度大；另外Nb、Ti材料的金属、陶瓷靶材价格 较高，也增加了消影增透透明导电薄膜的制造成本。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种消影增透透明导电薄膜，该导电薄膜能够获得优良的 消隐效果，并且降低了工艺制作的难度，同时降低了成本。
[0006] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是： 消影增透透明导电薄膜，包括基板，所述基板的顶面依次往上设有上氮氧化硅膜层与 上SiO2膜层，上氮氧化硅膜层与上SiO J莫层构成一组上复合膜层，基板顶面至少设置一组 上复合膜层；所述基板的底面依次往下设有下氮氧化硅膜层与下SiOJ莫层，下氮氧化硅膜 层与下SiO 2膜层构成一组下复合膜层，基板底面至少设置一组下复合膜层；所述上复合膜 层和/或下复合膜层的外膜面设有ITO层；所述氮氧化硅的分子式为SiN xOy，其中x、y分别 为氮、氧的摩尔数，1彡X彡4/3，0彡y彡1/3, x/y彡3。
[0007] 进一步的，所述基板的厚度为0. 1~I. 1mm，上氮氧化娃膜层的厚度为15~51nm， 上SiOJ莫层的厚度为30~34nm，下氮氧化娃膜层的厚度为10~80nm，下SiO J莫层的厚度 为68~120nm，ITO层的厚度为23~45nm。
[0008] 本发明的有益效果是，在基板的两面分别设置氮氧化硅膜层与SiOJ莫层，氮氧化 硅膜层与SiOJ莫层构成具有增透减反功能的复合膜层，通过光学干涉相消原理使得ITO层 受蚀刻与未受蚀刻区域在D65光源条件下色值相近，且均呈中性，降低了膜层厚度对膜系 颜色变化的影响，使得消影效果更容易控制，并降低了生产成本。
【附图说明】
[0009] 下面结合附图和实施例对本发明进一步说明： 图1是本发明的结构示意图； 图2是本发明实施例一中ITO层的可见光透射光谱对比图； 图3是本发明实施例一中ITO层的可见光反射光谱对比图； 图4是本发明实施例二中ITO层的可见光透射光谱对比图； 图5是本发明实施例二中ITO层的可见光反射光谱对比图； 图6是本发明实施例三中ITO层的可见光透射光谱对比图； 图7是本发明实施例三中ITO层的可见光反射光谱对比图。
【具体实施方式】
[0010] 实施例一 如图1所示，本发明提供一种消影增透透明导电薄膜，包括基板1，基板1的顶面依次往 上设有上氮氧化硅膜层2与上SiO2膜层3,上氮氧化硅膜层2与上SiO 2膜层3构成一组上 复合膜层；所述基板1的底面依次往下设有下氮氧化硅膜层4与下SiOJ莫层5,下氮氧化硅 膜层4与下SiO 2膜层5构成一组下复合膜层；所述上复合膜层的外膜面设有ITO层6 ;所述 氮氧化硅的分子式为SiNxOy，其中x、y分别为氮、氧的摩尔数，χ=1· 213、y=0. 181，x/y=6. 7， SiNxOy的折射率为I. 9 ;基板1的厚度为I. 1mm，上氮氧化硅膜层2的厚度为15nm，上SiO 2膜 层3的厚度为30nm，下氮氧化娃膜层4的厚度为10nm，下SiO2膜层5的厚度为120nm，ITO 层6面电阻为60 Ω / □，厚度为45nm。结合图2与图3所示，在D65光源条件下，ITO层6 未蚀刻区域的可见光透射光谱Al，ITO层6蚀刻区域的可见光透射光谱BI，ITO层6未蚀刻 区域的可见光反射光谱A2, ITO层6蚀刻区域的可见光反射光谱B2,由Al、BI、A2与B2得 出反射率、透过率与颜色值见下表：
【主权项】
1. 消影增透透明导电薄膜，包括基板（1)，其特征在于，所述基板（1)的顶面依次往上 设有上氮氧化硅膜层（2)与上SiO2膜层（3)，上氮氧化硅膜层（2)与上SiO2膜层（3)构成 一组上复合膜层，基板（1)顶面至少设置一组上复合膜层；所述基板（1)的底面依次往下设 有下氮氧化硅膜层（4)与下SiO2膜层（5)，下氮氧化硅膜层（4)与下SiO2膜层（5)构成一 组下复合膜层，基板（1)底面至少设置一组下复合膜层；所述上复合膜层和/或下复合膜层 的外膜面设有ITO层（6);所述氮氧化硅的分子式为SiNxOy，其中x、y分别为氮、氧的摩尔 数，I < X < 4/3，0 < y < 1/3, x/y ^ 3。
2. 根据权利要求1所述的消影增透透明导电薄膜，其特征在于，所述基板（1)的厚度 为0· 1~I. Imm，上氮氧化娃膜层⑵的厚度为15~51nm，上SiO2膜层（3)的厚度为30~ 34nm，下氮氧化娃膜层⑷的厚度为10~80nm，下SiO2膜层（5)的厚度为68~120nm，ITO 层（6)的厚度为23~45nm〇
【专利摘要】本发明公开消影增透透明导电薄膜，包括基板，基板的顶面依次往上设有上氮氧化硅膜层与上SiO2膜层，上氮氧化硅膜层与上SiO2膜层构成一组上复合膜层，基板顶面至少设置一组上复合膜层；基板的底面依次往下设有下氮氧化硅膜层与下SiO2膜层，下氮氧化硅膜层与下SiO2膜层构成一组下复合膜层，基板底面至少设置一组下复合膜层；上复合膜层和/或下复合膜层的外膜面设有ITO层；所述氮氧化硅的分子式为SiNxOy，其中x、y分别为氮、氧的摩尔数，1≤x≤4/3,0≤y≤1/3,x/y≥3；氮氧化硅膜层与SiO2膜层通过光学干涉相消原理使得ITO层受蚀刻与未受蚀刻区域在D65光源条件下色值相近，且均呈中性，降低膜层厚度对膜系颜色变化的影响，使得消影效果更容易控制，并降低了生产成本。
【IPC分类】G06F3-044
【公开号】CN104834424
【申请号】CN201510255236
【发明人】孟政, 刘静, 汪洪
【申请人】蚌埠玻璃工业设计研究院, 中国建筑材料科学研究总院
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年5月19日