Ads阵列基板及其制作方法、显示器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控显示技术领域，特别是涉及一种ADS阵列基板及其制作方法、显示器件。
【背景技术】
[0002]在触控屏技术中，相对于电阻式触控屏，电容式触控屏具有寿命长、透光率高、可以支持多点触控等优点。并且，电容式触控屏对噪声和对地寄生电容也有很好的抑制作用。因此，电容式触控屏已成为如今触控屏制造的热点之一。电容式触控屏包括自容式触控屏和互容式触控屏，由于自容式触控屏只需一层触控电极，通过检测触控电极的自动容是否发生变化，即可实现触摸检测，具有结构简单、便于实现等优点。
[0003]近年来，显示器件的厚度越来越薄，内嵌式触控显示器件通过将触控屏的触控电极内嵌在显示屏内部，达到了减薄显示器件的厚度的目的，同时又大大降低了触控显示器件的制造成本，受到各大面板厂家的青睐。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种ADS阵列基板及其制作方法、显示器件，用以实现内嵌式触控显不O
[0005]为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种ADS阵列基板，包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，所述阵列基板的显示区域包括多个像素单元，每个像素单元包括公共电极和像素电极，所述阵列基板的一帧画面显示时间包括显示时间段和触控时间段，所述多个公共电极复用为多个触控电极，每个触控电极对应多个电性连接的公共电极，所述阵列基板还包括:
[0006]多条信号线，所述信号线与触控电极对应电性连接，在一帧画面显不时间的显示时间段，通过对应的信号线向触控电极传递公共电压信号，在一帧画面显示时间的触控时间段，通过对应的信号线检测触控电极的自电容是否发生变化。
[0007]如上所述的阵列基板，优选的是，所述阵列基板为薄膜晶体管阵列基板，所述阵列基板包括横纵交叉分布的栅线和数据线，用于限定所述多个像素单元所在的区域，每个像素单元还包括薄膜晶体管；
[0008]所述信号线与所述栅线和所述薄膜晶体管的栅电极为同层同材料设置，或，与所述数据线和所述薄膜晶体管的源电极、漏电极为同层同材料设置。
[0009]如上所述的阵列基板，优选的是，所述信号线搭接在对应的触控电极上，电性接触。
[0010]如上所述的阵列基板，优选的是，所述阵列基板具体包括:
[0011]衬底基板；
[0012]设置在衬底基板上的多个公共电极；
[0013]同层同材料设置的多条栅线、多条信号线和薄膜晶体管的栅电极，所述信号线搭接在对应的触控电极上；
[0014]覆盖所述栅线、信号线和栅电极的栅绝缘层；
[0015]设置在所述栅绝缘层上的有源层图案；
[0016]同层同材料设置的多条数据线和薄膜晶体管源电极、漏电极，所述源电极和漏电极搭接在所述有源层的相对两侧；
[0017]覆盖所述薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层包括过孔；
[0018]设置在所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层中的过孔与所述漏电极电性连接。
[0019]如上所述的阵列基板，优选的是，所述信号线与触控电极之间设置有绝缘层，所述信号线通过绝缘层中的过孔与对应的触控电极电性连接。
[0020]如上所述的阵列基板，优选的是，所述信号线位于显示区域的部分与所述栅线平行设置，或，所述信号线位于显示区域的部分与所述数据线平行设置。
[0021]如上所述的阵列基板，优选的是，所述公共电极为板状电极，所述像素电极为狭缝电极。如上所述的阵列基板，优选的是，所述像素电极具有多个狭缝，所述狭缝与所述栅线的延伸方向大致平行。
[0022]如上所述的阵列基板，优选的是，所述狭缝包括多个平行设置的第一狭缝和多个平行设置的第二狭缝，所述第一狭缝和所述第二狭缝与所述栅线之间呈一定夹角；
[0023]所述第一狭缝和第二狭缝对称分布在所述像素电极平行于所述栅线的轴两侧。
[0024]如上所述的阵列基板，优选的是，所述信号线从显示区域延伸至非显示区域；所述阵列基板为矩形结构，所述信号线从显示区域延伸至阵列基板的长边所在侧。
[0025]本发明实施例中还提供一种如上所述的ADS阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，所述制作方法包括在阵列基板的显示区域形成多个像素单元的步骤，每个像素单元包括公共电极和像素电极，所述阵列基板的一帧画面显示时间包括显示时间段和触控时间段，所述多个公共电极复用为多个触控电极，每个触控电极对应多个电性连接的公共电极，所述制作方法还包括:
[0026]形成多条信号线，所述信号线与触控电极对应电性连接，在一帧画面显不时间的显示时间段，通过对应的信号线向触控电极传递公共电压信号，在一帧画面显示时间的触控时间段，通过对应的信号线检测触控电极的自电容是否发生变化。
[0027]如上所述的制作方法，优选的是，所述阵列基板为薄膜晶体管阵列基板，所述阵列基板包括横纵交叉分布的栅线和数据线，用于限定所述多个像素单元所在的区域，每个像素单元还包括薄膜晶体管；
[0028]形成多条信号线的步骤具体为:
[0029]通过对同一栅金属层的构图工艺形成所述信号线、所述栅线和所述薄膜晶体管的栅电极，或，通过对同一源漏金属层的构图工艺形成所述信号线、所述数据线和所述薄膜晶体管的源电极、漏电极。
[0030]如上所述的制作方法，优选的是，所述制作方法具体包括:
[0031]形成透明导电层，对所述透明导电层进行构图工艺，形成多个公共电极；
[0032]在公共电极上形成栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺，形成包括所述信号线、所述栅线和薄膜晶体管的栅电极的图案，其中，所述信号线搭接在对应的触控电极上，电性接触。
[0033]如上所述的制作方法，优选的是，所述制作方法具体包括:
[0034]提供一衬底基板；
[0035]在所述衬底基板上形成多个公共电极；
[0036]在所述公共电极上形成栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺，形成多条栅线、多条信号线和薄膜晶体管的栅电极，所述信号线搭接在对应的触控电极上；
[0037]形成覆盖所述栅线、信号线和栅电极的栅绝缘层；
[0038]在所述栅绝缘层上形成有源层图案；
[0039]在所述有源层上形成源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图工艺，形成多条数据线和薄膜晶体管源电极、漏电极，所述源电极和漏电极搭接在所述有源层的相对两侧；
[0040]形成覆盖所述薄膜晶体管的钝化层，对所述钝化层进行构图工艺形成过孔；
[0041 ] 在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述钝化层中的过孔与所述漏电极电性连接。
[0042]如上所述的制作方法，优选的是，所述制作方法具体包括:
[0043]形成透明导电层，对所述透明导电层进行构图工艺，形成多个公共电极；
[0044]在公共电极上形成绝缘层，对所述绝缘层进行构图工艺，形成过孔；
[0045]在所述绝缘层上形成栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺，形成包括所述信号线、所述栅线和薄膜晶体管的栅电极的图案，其中，所述信号线通过所述绝缘层中的过孔与对应的触控电极电性连接。
[0046]本发明实施例中还提供一种显示器件，采用如上所述的ADS阵列基板。
[0047]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0048]上述技术方案中，将ADS阵列基板的公共电极复用为触控电极，能够实现内嵌式触控，减薄触摸显示器件的厚度。同时，还能够克服现有技术中自容式触控检测会出现的鬼点现象，缩短检测时间，提高触控灵敏度。
【附图说明】
[0049]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0050]图1表示本发明实施例中ADS阵列基板的结构示意图；
[0051]图2表示本发明实施例中ADS阵列基板的一个像素单元的结构示意图一；
[0052]图3表示图2沿A-A的剖视图一；
[0053]图4和图5表示本发明实施例中ADS阵列基板的一个像素单元的制作过程示意图 ，
[0054]图6表示图4沿沿A-A的剖视图；
[0055]图7表示图5沿沿A-A的剖视图；
[0056]图8表示本发明实施例中ADS阵列基板的一个像素单元的结构示意图二；
[0057]图9表示图8沿B-B的剖视图一；
[0058]图10和图11表示表示本发明实施例中ADS阵列基板的一个像素单元的制作过程示意图二 ；
[0059]图12表示图10沿B-B的剖视图；
[0060]图13表示图11的剖视图；