一种阵列基板和一种触控显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控领域，特别涉及一种阵列基板和一种包含该阵列基板的触控显示
目.0
【背景技术】
[0002]触摸显示屏作为一种输入媒介，是目前最简单、方便的一种人机交互方式，因此，越来越多的产品将触摸显示功能集成到液晶显示器中。众所周知，对以触摸显示屏而言，包括显示区以及围绕显示区的非显示区，在显示区一般设置了实现触控功能的触摸电极，在非显示区一般设置了用于实现移位寄存功能的周边电路。在现有技术中，实现触控功能的触控电极一般设置在显示区内，并无任何程度的外扩，即不会将触控电极外扩至非显示区，这样设计的缺点是边缘触控特性差，使用者在触摸触控显示屏的边缘位置时，触控效果不佳。但是，如果将触控电极外扩至非显示区，由于非显示区包含有周边电路，周边电路会产生很强的电场，进而影响触控电极的触控信号。
【发明内容】
[0003]鉴于现有技术存在的不足，本实用新型提供了如下技术方案，具体包括:
[0004]提供一种阵列基板，包括基板，所述基板包括:显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，所述非显示区包括:触控电极，屏蔽层和周边电路，所述屏蔽层位于所述触控电极与所述周边电路之间，其中所述触控电极与所述周边电路和所述屏蔽层在所述基板上的正投影至少部分重叠。
[0005]通过在触控电极与周边电路之间设置屏蔽层，可以在改善阵列基板的边缘触控特性的同时，消除了非显示区的周边电路对触控电极的信号的影响，同时，屏蔽层的制作无需额外增加工艺步骤，无需增加成本。
【附图说明】
[0006]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0007]图1是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的平面图；
[0008]图2是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的剖视图；
[0009]图3是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的剖视图；
[0010]图4是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的剖视图；
[0011]图5是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的剖视图。
【具体实施方式】
[0012]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0013]如图1所示，是本实用新型实施例提供的一种阵列基板100的平面图，为了方便说明，只对阵列基板100中的与本实用新型后续所将要说明的技术方案所相关的位置、膜层或者电极等进行说明，其余的部分在此省略。具体的，阵列基板100包括基板101，基板101包括显示区110和围绕显示区110设置的非显示区120。需要说明的是，图1只是示意性的给出显示区和围绕显示区设置的非显示区的相对位置关系，但并不做具体限定，例如，在某些情况下，从平面上看，位于显示区110上方和下方的“空白位置”也是非显示区。
[0014]显示区110 —般包括触控电极和呈阵列排布的像素单元，在非显示区120 —般包括周边电路。在现有技术中，位于显示区110中的触控电极只设置在显示区110中，而不会“外扩”至非显示区120之内，这样的缺点是，当手指触摸到显示区110和非显示区120的交界位置，触控的灵敏度不佳；如果将触控电极外扩至非显示区120之内，由于非显示区120内设置有大面积的周边电路，周边电路所产生的电信号会对触控电极的触控信号造成干扰。
[0015]基于此，请参考图2，图2为本实用新型实施例提供的一种阵列基板100的剖视图，具体的，图2为沿图1中切割线AA’的剖视图。具体的，包括位于显示区110的公共电极111和设置在基板101与公共电极111间的像素电极113，公共电极111位于像素电极113的上方，并且此二者通过层间绝缘层112绝缘设置。公共电极同时复用做触控电极，即公共电极111在阵列基板100处于显示阶段时接收公共信号，以此与像素电极113形成电位差，并依靠该电位差驱动液晶分子的旋转，以显示不同的画面；公共电极111在阵列基板100处于触控阶段时接收触控信号，以判断触控发生的具体位置。同时，触控电极111从显示区110外扩至非显示区120，并且，在非显示区120还设置有一层屏蔽层115。在本实施例中，优选的，屏蔽层115与像素电极113位于同层，即屏蔽层115与像素电极113在制作过程中，是相同的一层材料在同一道刻蚀工艺中形成的。一般的，屏蔽层115采用与像素电极113和公共电极111相同的透明金属材料，例如氧化铟锡、氧化铟锌或包含有氧化铟锡和氧化铟锌的合金。在非显示区还包括周边电路117，周边电路117 —般包括ESD静电防护区、栅极驱动电路和走线区等。屏蔽层115位于周边电路117和触控电极111之间，周边电路117与屏蔽层115和触控电极111外扩至非显示区120的部分在垂直于基板101的方向上的投影即正投影至少部分重合，三者投影的重叠区域为区域A。
[0016]通过采用这样的设计，即在非显示区120中的触控电极111和周边电路117之间设置了一层屏蔽层115，屏蔽层115与触控电极111和周边电路117在垂直于基板101的方向上的投影至少部分重合，可以在提高阵列基板100在显示区110和非显示区120交界位置处的触控特性的同时，有效屏蔽了周边电路117对触控电极111的信号干扰。
[0017]需要说明的是，屏蔽层115的设计也可以不局限在图2所示实施例中的结构，具体的，可以参照图3所示的另一种阵列基板。由于图3和图2相比，只是屏蔽层115的设计方式做了变化，而其它膜层并没有变化，因此在图3中的附图标记基本沿用了图2中的附图标记。具体的，在图3中，触控电极111与周边电路117在垂直于基板101的方向上的投影具有第一重叠区B，屏蔽层115在垂直于基板101的方向上的投影即正投影覆盖第一重叠区Bo相比较于图2所示实施例中的阵列基板100，在图3所公开的技术方案中，屏蔽层115能够在垂直于基板101的方向上更全面的屏蔽周边电路117的电信号对触控电极111的信号干扰。
[0018]需要说明的是，屏蔽层115的设计也可以不局限在图2和图3所示实施例中的结构，具体的，可以参照图4所示的另一种阵列基板。由于图4和图2、图3相比，只是屏蔽层115的设计方式做了变化，而其它膜层并没有变化，因此在图4中的附图标记基本沿用了图2和图3中的附图标记。具体的，在图4中，周边电路117在垂直于基板101的方向上的投影即正投影具有区域C，屏蔽层115在垂直于基板101的方向上的投影即正投影完全覆盖区域C，即屏蔽层115在基板101上的正投影覆盖周边电路117在基板101上的正投影。相比较于图2和图3所示实施例中的阵列基板100，在图4所公开的技术方