磁盘基底以及其磁盘的制作方法

专利名称：磁盘基底以及其磁盘的制作方法
技术领域：
本发明涉及通过使用珪基底形成的磁盘基底，以及利用该磁盘基底的 磁盘。该申请要求于2005年12月19日提交的日本专利申请No,2005-364545 的优先4又和于2005年12月27日提交的美国临时申请No.60/753418的优 先权，在此引入其内容作为参考。
背景技术：
近年来，伴随着各种各样的IT产品的研发，磁记录介质的存储容量 持续增加。特别地，关于作为计算机的外部存^i殳备起着重要的作用的磁 盘设备例如硬盘驱动器(HDD),其记录容量以及其记录密度逐年持续增 加。这就是为什么期望开发可以以更高密度记录的磁盘的原因。另一方面， 在便携式电子装置例如笔记本电脑中，优选使用小且抗冲击的磁盘设备。 最近，还将小的磁盘设备应用于导航系统、便携式音乐播放器等等。因此， 期望微小型磁盘，其能够以更高的密度记录且具有优良的机械强度。因此，在用于这种磁盘的磁盘基底中，已经强调对更高记录密度的需 求和伴随小型化和重量减轻带来的轻薄化的需求，以及当其以高速旋转时 为了能够抵抗磁盘的震荡所需的例如刚性的机械性能。并且，为了实现这 种高记录密度，已急剧减小磁头相对于磁盘的飞行高度。因此，需要磁盘 基底具有例如象镜面那样的优良平坦度，具有平滑的表面，并且在表面上 具有尽可能少的缺陷，例如微小划痕、；微小凹陷以及孩i小突出。常规地，将铝合金基底、玻璃基底等应用于磁盘基底。在抗磨损性和 可加工性方面铝合金基底是较差的，且这就是为什么使用表面镀有NiP的铝合金基底来弥补该缺陷的原因。然而，在镀有NiP的基底中存在缺陷，
其中，例如，当在高温下处理它们时它们可能翘曲，且易于祐:磁化。另一 方面，在玻璃基底中存在缺陷，其中当为了加固而处理它们时可能在它们 的表面上产生扭曲层，且当加热它们时由于压缩应力的影响而使它们翘曲。
在例如那些具有1英寸(27.4mmq))或0.85英寸(21.6mm(|))直径的 微小型磁盘中，当将它们应用于更高密度记录时其中基底翘曲的缺陷是致 命的。因此，期望这样的材料作为用于这种微小型磁盘的基底，该材料更 薄且难以由于外力而扭曲，该材料的表面是平滑的，且在其上容易形成磁
记录层o
已经提议将常用于半导体工艺领域中的硅基底用作满足上述需求的磁
盘基底(例如，参见专利文献1至3)。这种使用硅基底的磁盘基底使得能 够形成洁净的表面，因而它们具有优良(即l象镜面那样)的平坦度、具有 较低的表面粗糙度，并在表面上具有较少的缺陷，例如微小划痕、微小凹 陷或孩史小突出。除这种特征以外，硅基底还具有优点。例如，其密度小于 铝基底的密度，其弹性模量较大，其热膨胀系数较小，其高温特性较好， 且其具有导电性。因此，硅基底适合用于磁盘，并且，可以通过使盘直径
较小来提供用于磁盘的耐用磁盘基底，这是因为盘直径越小，所受到的冲 击力变得越小，
当制造用于磁盘的硅基底时，通常预先制造单晶珪锭。然后，将单晶 硅锭加工成具有预定厚度的切片。对从上述被切片加工成的圓盘切割下来 的具有小直径的硅基底进行对于它们的主表面的两侧以及它们的外周表面 的研磨工艺、抛光工艺等，从而它们被镜面磨光。
然而，硅基底具有这样的缺点，其中通过上述工艺它们可能裂紋或断 裂，这是因为其材料上的易碎性。如果它们具有裂紋或碎片，则不仅制造
磁盘的成品率下降，而且当记录或写入时产生的颗粒会引起4t^:或磁头碰 撞。
为了获得在硅基底中没有裂紋或碎片的磁盘基底，专利文献1提出一 种方法，其中利用研磨石等对硅基底的中心孔以及外圆部分的边缘倒棱(chamfer),且将倒棱部分的角度倒圆。另一方面，专利文献2提出一种 方法，其中通过化学蚀刻的方法在硅基底中形成圆弧的倒棱表面。另外， 专利文献3提出一种方法，其中将a底中的倒棱角度制造为20°到40°， 且将倒棱部分的长度设定为0.03mm到0.15mm。这些专利文献1到3描 述了，将它们的外周部分加工成上述的形状，从而它们可以减少在制造工 艺中通过操作或掉落所导致的裂紋或碎片，且可以显著地提高它们的成品 率。专利文献l:日本的未审专利申请，公开号No.H6-76282 专利文献2:日本的未审专利申请，公开号No.H6-195707 专利文献3:曰本的未审专利申请，公开号No.H7-24922
发明内容当制造磁盘时，在上述基底上依序相继地形成底涂层、磁记录层、保 护层等。并且，如果在保护层的表面上存在微小颗粒，则在其上执行"磨光 处理"。在该磨光处理中，例如，通过利用由橡胶制成的接触轮将移动的研 磨带压在保护层的表面上，轻微地抛光保护层的表面。通过该处理的方法， 可以除去存在于保护层表面上的微小颗粒，且可以使得磁头的浮动量更小。然而，当在上述磨光工艺中研磨带刮擦硅基底的外周部分时，很可能 从该研磨带产生颗粒灰尘，且所产生的颗粒将可能保留在磁盘的表面上。 然后，在读出或写入时，附着于磁盘表面的颗粒会导致错误或磁头碰撞， 因此在最后的质量检查中其上具有颗粒的这种磁盘被排除。为了解决上述问题，完成本发明。本发明的目的是提供一种磁盘基底， 其可以提高使用硅基底的磁盘制造的成品率，当读出或写入时防止错误或 磁头碰撞，且实现更低的磁头飞行高度，因此其可以与更高的记录致密化 相兼容。并且，本发明的目的是提供一种利用该磁盘基底的磁盘。本发明人研究了上述问题，并发现不仅需要通过控制该硅基底的圃周 部分的形状防止材料上易碎的硅基底裂紋或碎裂，还需要通过控制该硅基 地的圆周部分的形状来防止在磁盘基底的制造工艺中在其上产生灰尘。这以便于可以提高使用硅基底的磁盘制造的成品率，可以防止读出或写入时 的错误或磁头碰撞，且可以实现更低的磁头飞行高度，因此其可以与更高 的记录密度相兼容。最后，该发现带来了本发明。 即，本发明提供下列方案。 (1 ) 一种使用硅基底的磁盘基底，其中在所述硅基底的主表面和外周表面之间设置倒棱的表面；滑雪跳跃(ski-jump)值H。，其中H。S0nm， 表示从基平面到点A3的距离；滚降(roll-off)值H!，其中H^-0.2nm且 H《0.0nm，表示从所述基平面到点A的距离；标记(tag-off)值H2,其 中H^0nm且H^0.012fim，表示所述主表面的边界线相对于线A，到A2 的最大偏移；在所述主表面和所述倒棱的表面之间设置曲面；以及所述曲 面的曲率半径R，其中R^0.013mm且R50.080mm，其中所逸基平面是指 所述主表面的平坦表面；所述点Ai是指存在于所述主表面的所述边界线上 的位置，其位于在从所述外周表面到所述基底中心平行于所迷基平面的方 向上偏移lmm的点处；所述点A2是指存在于所述主表面的所述边界线上 的位置，其位于在从所述点^到所述基底的中心平行于所述基平面的方向 上偏移1.6mm的点处；以及所述入3是指存在于所述点A,和入2之间的所 述主表面的所述边界线上的位置，其位于相对于所述基平面的最高位置处。(2) 根据(1)的磁盘基底，其中所述滚降值&为Hg-0.18jim且 H《-0.08nm，所述标记值H2为H^0.004nm且H250.008nm，以及所述曲 率半径R为R^0.030mm且R￡0.070mm。(3) —种4吏用才艮据(1)或(2)的磁盘基底的磁盘。 根据本发明，通过将珪基底的外周部分加工成上述限定的形状，不仅可以防止在材料上易碎的硅基底的裂紋或碎裂，还可以防止在磁盘的制造 工艺中在其上产生灰尘。因此，可以防止灰尘颗粒等附着到磁盘的表面， 可以提高磁盘的生产成品率，当读出或写入时可以防止错误或磁头碰撞的 发生，且磁头能够以更低的高度在其上飞行。于是，这使得磁盘可以与更 高的记录密度相兼容。


图1A是示出珪基底的截面的透视图。
图1B是硅基底的截面图。
图2是示出硅基底的截面的端视图。
图3是说明基平面T、滑雪跳跃值Vo和滚降值Hi的示意图。
图4是说明标记值H2的示意图。
图5是i兑明曲面的曲率半径R的示意图。
图6是示出层叠结构的主要部件的侧面图。
图7是示出其中利用抛光刷抛光层叠结构的内周部分的情形的透视图。
图8是示出其中利用抛光刷抛光硅基底的外周部分的情形的透视图。 图9是示出根据本发明的磁盘的一个实例中的多层结构的截面图。
具体实施例方式
在下文中，将通过利用附图详细地描述根据本发明的磁盘基底和磁盘。 应该理解的是，在附图中放大了作为本发明中的特征的某些部分，以明确 地描述它们的特征，且它们的尺寸比率等不总;L良映实际比率。另外，可 以通过使用商业可得的表面轮廓仪，来实现用于设置限定点的表面轮廓测 定，且在本发明中将由MITSUTOYO CORPORATION制造的 "CONTRACER CP400"用于表面轮廓测定。 (磁盘基底)
首先，描述本发明的磁盘基底。
在图1和图2中，示出本发明的利用硅基底l的磁盘基底。图1A是 示出硅基底1的截面的透视图。图1B是硅基底1的截面图。图2是示出 硅基底l的截面的端视图。
如图1和图2中所示，本发明的磁盘基底是利用盘形的硅基底1形成 的，并且具有中心孔la。并且，在珪基底1的主表面2和外周表面3之间 设置倒棱的表面4。同样，以相同的方式在主表面2和内周表面5之间设置倒棱的表面6。
图3是描逸基平面T、滑雪跳跃值H。以及滚降值&的示意图。图4 是描述标记值H2的示意图。图5是描述曲面7的曲率半径R的示意图。
如图3至图5中所述，在本发明的磁盘基底中，滑雪跳跃值H。，其中 H。^0nm，表示从基平面T到点A3的距离；滚降值H"其中H^-0.2nm 且H^0.0nm，表示从基平面T到点^的距离；标记值112，其中H^Opm 且H-0,012nm，表示主表面2的边界线S相对于经过点A、到人2的线X 的最大偏移；在主表面2和倒棱的表面4之间设置曲面7;且曲面7的曲 率半径R，其中R^0.013mm且R50.080mm，其中基平面T是指珪基底1 的主表面2的平坦表面；点A，是指存在于主表面2的边界线S上的位置， 其位于在从外周表面3到基底中心的方向上平行于基平面T偏移lmm的 点处；点A2是指存在于主表面2的边界线S上的位置，其位于在从点^ 到基底的中心的方向上平行于基平面T偏移1.6mm的点处；以及入3是指 存在于点A,和A2之间的主表面2的边界线S上的位置，其位于相对于基 平面T的最高位置处。
如图3中所述，基平面T以通过对于主表面2的最小二乘法计算出的 平坦表面为基准。更具体地，在基平面T的测量中，首先，限定经过基底 中心且垂直于主表面2的截面。然后，在其记录区域(穿过点A2的基底内 部区域)内的主表面2的边界线S上绘制至少2个参考点，且从最靠近基 底中心的点分别将它们指定为R,至Rn (n表示参考点的数量)。例如，可 以将它们绘制在下述位置当盘的外部直径为0.85英寸时，R尸6.5mm且 R2=8.3mm (从基底的中心到该点的距离)；当外部直径为1.0英寸时， 1^=8.3111111且R2=10.6mm;当外部直径为1.89英寸时，R产14.8mm且 R2=18.8mm;当外部直径为2.5英寸时，R产23.0mm且R2=27.0mm。
接着，例如，通过使用触针或光学表面轮廓仪，对于参考点R!至Rn 中的每一个测定硅基底l的形状的轮廓。然后，基于对硅基底l的形状的 轮廓测定结果，通过最小二乘法计算用于表示每一个参考点的线的方程式， 其中线的方程式将相对于线的方程式的测量数据中的误差的平方的总和最小化。这种设定的线表示限定主表面2的平坦表面的基线，即基平面T。 在下文中，使得该基平面T为零(O)，将与基平面T交叉的上部区域限定 为正(+ )的，且将与基平面T交叉的下部区域限定为负(-)的。接着，如下所述将两个参考点设定在主表面2的边界线S上。即，将 点Aj殳定在存在于主表面2的边界线S上的位置处，其位于在从外周表面 3到基底中心的方向上平行于基平面T偏移lmm的点处；且将点Aj殳定 在存在于主表面2的边界线S上的位置处，其位于从点A,到基底中心的方 向上平行于基平面T偏移1.6mm的点处。然后，例如，通过使用触针或 光学表面轮廓仪，在点A,和A2之间测定硅基底1的形状的轮廓。然后， 基于对硅基底1的形状的轮廓测定的结果，获得滑雪跳跃值HQ、滚降值 H,以及标记值H2。滑雪跳跃值Ho是由基平面T和点A3之间的距离表示的值，其中点 A3位于存在于点A,和点A2之间的主表面2的边界线S上的位置处，其位 于相对于基平面T的最高位置处。另外，图3示出其中滑雪跳跃值Ho为 正(+ )值的情况。在该情况中，主表面2的边界线S显示出一种形状， 在该形状中，其向上提高到相对于基平面T的最高位置即点A3。另 一方面， 如图2中所示，当滑雪跳跃值H。为H^0nm且表示为负(-)值时，主表 面2的边界线S在点Ai和A2之间形成表面降低(滚降)形状。滚降值Hi是由从基平面T到点A,的距离表示的值。滚降值H,表示 硅基底1的外周部分的拐角凹陷率，且从不大于O.Ojim。另一方面，如果 值E^小于-0.2jun，那么，其拐角凹陷率会过度，且磁头在外周部分处的飞 行姿态趋于不稳定。因此，滚降值H^优选为H^-0.2nm且H《0.0nm,且 更优选为H^-0.18nm且H《-0.08nm。如图4中所示，标记值H2是由主表面2的边界线S相对于点A!和A2 之间的线X的最大偏移表示的值。标记值H2表示硅基底1的外周部分的 圆度。值H2从不小于0nm，但是，如果H2大于0.012nm，那么，圆度过 大，且磁头在外周部分处的飞行姿态趋于不稳定，并且当研磨带接触硅基 底1的外周部分时很可能从研磨带产生灰尘。因此，标记值H2优选为H^Ojim且H《0.012nm，且更优选为H^O.OO—m且H《0.008nm。
关于测量曲面7的曲率半径R的方法，如图5中所示，由上述主表面 2的基平面T延伸一条线(图5中示出的虚线)，假设这条延伸线从曲面7 偏移的位置为起点A。然后，分别地将点B和C设定在主表面2的边界线 S上和曲面7的边界线S，上，它们在主表面2或曲面7的方向上从起点A 偏移10jim。接着，相对于点A、 B和C，例如，通过使用触针或光学表面 轮廓仪，测定出硅基底l的形状的轮廓。然后，基于对硅基底l的表面轮 廓测定，计算经过这些点A、 B和C的圆O的半径，并将该值用作曲面7 的曲率半径R。
另夕卜，将商业可得的测量仪器(由MITSUTOYO CORPORATION制 造的"CONTRACER CP400")用于测量曲面7的曲率半径。在该测量仪器 中设定的条件如下
<测量条件>
速度0.06mm/s
间JE巨0.0010mm
模式X-轴固定
如果曲面7的曲率半径R小于0.013mm，那么，主表面2和倒棱的表 面4之间的区域变得太陡峭，基底不耐受沖击，因此当操作其或与某物碰 撞时易于产生裂紋、碎裂等。另一方面，如果曲率半径R大于0.080mm， 主表面2的在其上记录信息的区域变得更狭窄。因此，曲面7的曲率半径 R优选为R^0.013mm且RS0.080mm,且更优选为R^0.030mm且 R50.070mm。
另外，在本发明的硅基底l中，还可以在主表面2和内周部分的倒棱 表面6之间设置这种曲面。
如上所述，通过将硅基底1的外周部分加工成本发明的磁盘基底中的 上述形状，科研防止材料上易碎的硅基底l中的裂紋和碎片。同样，可以 制造磁盘硅基底，其可以防止在磁盘的制造工艺中产生灰尘。 (制造磁盘基底的方法)在下文中，说明制造上M盘基底的方法。作为硅基底1即上述的磁盘基底的实例，可以应用在半导体工程领域中经常使用的单晶硅(Si)。可以通过下述工艺来制造上述硅基底l。具体地，为了制造该硅基底1，首先，可以通过切克劳斯基法制造单 晶珪锭。然后，以预定的厚度将该锭切片。对从被切片的盘切割下来的小 直径硅基底进行研磨工艺，以提高形状和尺寸的精确度。通过使用研磨设 备分两个步骤来进行研磨工艺。通常在执行研磨工艺的第一个步骤之后所 获得的硅基底作为磁盘基底相对较大，因此，通过使用激光划片器从大的 珪基底切割出具有适当的内部和外部直径的珪基底1。此后，对硅基底1的外周和内周部分进行倒棱工艺，形成在主表面2和外周表面3之间的倒 棱的表面4以及在主表面2和内周表面5之间的倒棱的表面6。此时，硅 基底l的内周和外周表面的表面粗糙度在R，x处为例如约4jmi。然后，对 珪基底l进行第二研磨工艺，并且，例如，使得主表面2的轮廓不均匀度 (profile irregularity)小于lmm,且其表面糙度在Rmax处小于6jim。 接着，利用化学液体，即包含氟酸、硝酸和醋酸的混合物，蚀刻珪基 底l的表面，并且除去在研磨工艺中的残留的损伤。然后，抛光和镜面加 工硅基底1的倒棱表面4和6。最后，抛光在其上设置磁记录层的主表面2。 关于抛光主表面2，执行其中除去在先前工艺中产生的划痕或扭曲的第一 抛光步骤和其中镜面加工表面的第二抛光步骤。通过上述工艺，可以获得 磁盘基底。在本发明的磁盘基底中，通过利用抛光刷抛光上述硅基底1的外周表 面3，可以获得外周部分的上述形状。具体地，例如，将多个硅基底l配置成如图6中所示的层叠结构11。 在硅基底1的该层叠结构11中，多个硅基底1被层叠，且在硅基底1之间 插入分隔物12。设置分隔物12,以在抛光它们时防止硅基底1的内周和外周部分的倒 棱表面4和6在某些部分未被抛光，且防止珪基底1破裂。该分隔物12 具有与硅基底l相同的带有中心孔的盘的形状。并且，才艮据所使用的刷的硬毛(bristle)的直径来调节分隔物12的厚度，但该直径为例如约0.1mm 到0.3mm。关于分隔物12的材料，可以应用那些比硅基底1软的材料。 优选那些在材料上与抛光工艺中使用的抛光垫相同的材料，特别地，那些 软到如此程度的材料，以至于它们可以防止由来自所使用的抛光刷和抛光 垫的压力所导致的对硅基底l的破坏。作为这种材料的实例，可以提及聚 氨酯树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂等。
当在形成层叠结构11的珪基底1之间插入分隔物12时，如此设置分 隔物12的直径，以使分隔物12的外周表面从硅基底1的倒棱表面4向里 面约0mm至2mm，优选向里面约0.5mm至2mm。在该情况下，虽然其 随分隔物12的厚度和刷的硬毛的直径改变，但是硬毛ii^硅基底1的主表 面2的区域，且然后，抛光主表面2和倒棱表面4之间的区域。因此，该 区域变得圆滑。
在该抛光工艺中，如图7中所示，利用抛光刷13抛光层叠结构11的 内周部分。具体地，将硅基底1和间隔物12相继地层叠，且通过利用夹具 紧固夹紧盖来形成硅基底1的紧固层叠结构11。
接着，将抛光刷13插入层叠结构11的中心孔lla中，以便硬毛13a 与每一个硅基底1的内周表面5接触。例如，作为抛光刷13，可以使用通 过螺旋形地捆绑具有约0.05mm到0.3mm的直径和约lmm到10mm的长 度的聚酰胺基纤维制成的刷。然后，通过滴落的方法将适量的抛光液施加 到抛光刷13，利用抛光刷13抛光珪基底1的内周表面5，其中相对层叠结 构11上下移动抛光刷13，同时它们以彼此相反的方向旋转。另外，层叠 结构11的旋转速度为例如约60rpm，而抛光刷13的旋转速度为例如约 1000rpm到3000rpm。
同样，如图8中所示，利用抛光刷14抛光层叠结构11的外周部分。 具体地，将轴15插入层叠结构11的中心孔lla中，且相对层叠结构11的 外周部分的表面推动抛光刷14，以便硬毛14a与每一个硅基底1的外周表 面3接触。例如，作为抛光刷14 ，可以使用通过螺旋形地捆绑具有约0.05mm 到0.3mm的直径和约lmm到10mm的长度的聚酰胺基纤维制成的具有约200mm到500mm的直径的圆柱形刷。然后，通过滴落的方法将适量的抛 光液施加到抛光刷14，利用抛光刷14抛光a底1的外周表面3，其中相 对层叠结构11上下移动抛光刷14,同时它们以彼此相反的方向旋转。另 外，层叠结构11的旋转速度为例如约60rpm，而抛光刷14的旋转速度为 例如约700rpm到1000rpm。在利用刷的上述抛光工艺之后，用水冲洗珪基底1的主表面2,且对 其进行第一抛光步骤。该第一抛光步骤的主要目的在于除去由先前执行的 工艺残留的划痕和扭曲。在第一抛光步骤中，可以使用通用的抛光设备， 且作为抛光液的实例，可以使用混合有水的胶态二氧化硅。在第一抛光步 骤中，例如，可以在下述条件下抛光硅基底1的主表面2。负载为约 100gf/cm2 (0.98N/cm2 (相对压力))；下压板的旋转速度为约40rpm;上 压板的旋转速度为约35rpm;中心齿轮的旋转速度为约14rpm;且内齿轮 的旋转速度为约29rpm。接着，在第一抛光步骤之后用水沖洗硅基底，且对其进行将被精加工(finishing)的第二抛光步骤(精加工抛光)。在该第二抛光步骤中，例如， 可以使用胶态二氧化硅和水的液态混合物。在第二抛光步骤中，例如，可 以在下述条件下抛光珪基底1的主表面2。负载为约100gf/cm2 (0.98N/cm2(相对压力))；下压板的旋转速度为约40rpm;上压板的旋转速度为约 35rpm;中心齿轮的旋转速度为约14rpm;且内齿轮的旋转速度为约 29rpm。接着，在第二次抛光之后，例如，通过依次在用中性洗涤剂、纯水、 纯水和IPA (异丙醇)的混合物以及IPA (蒸气干燥)填充的各清洗槽中 浸泡，对硅基底l进行超声波清洁。通过执行上述工艺，可以获得上述珪基底1，其中滑雪跳跃值H。为 H0$0nm;滚降值为Hg-0.2nm且H^O，Onm，标记值H2为H^0nm且 H《0，012nm;在主表面2和倒棱表面4之间设置曲面7;且曲面7的曲率 半径R为R^0.013mm且RS0.080mm。在本发明中，可以使用除了上述通过利用抛光刷抛光硅基底1的外周表面的方法之外的方法，只要它们能够获得a底l的外周部分的上述形 状。(磁盘)在下文中，说明使用上i^t盘基底的磁盘(磁记录介质)。 本发明的磁盘至少包括形成在上i^盘基底上的磁记录层。即，本发 明的磁盘使用具有外周部分的上述形状的上述珪基底1，且对于例如在硅 基底1上相继层叠的底涂层、磁记录层、保护层、润滑层的每一层的结构、形成每一层的方法等没有限制，只要它们实质上不妨碍通过将该珪基底1 的外周部分加工成上述形状所带来的效果。例如，对于图9中所示的磁盘，通过^f吏用轴向型(inline-type)溅射 设备等在上述珪基底1的两面上相继层叠由CrMo构成的底涂层21、由 CoCrPtTa构成的磁记录层22以及由氢化碳构成的保护层23，通过滴落的 方法在其上进一步形成由全氟聚醚构成的液态润滑层24，且这通过对硅基 底进行使用研磨带的磨光处理来实现。工业适用性在使用上述硅基底1的磁盘中，本发明可以防止材料上易碎的硅基底 1裂紋或碎裂，还可以防止在制造磁盘的过程中产生灰尘。即，本发明可 以防止当在上述磨光处理中研磨带与硅基底1的外周部分接触时从研磨带 产生灰尘，并且，本发明可以防止颗粒附着到磁盘的表面。因此，可以提 高磁盘的生产成品率；可以防止在读出或写入期间错误、磁头碰撞等的发 生；且可以实现低的磁头飞行高度。结果，本发明的磁盘可以与所需要的 更高记录密度相兼容。因此，本发明的硅基底和磁盘非常适用于例如IT 行业的各个技术领域。
权利要求
1. 一种使用硅基底的磁盘基底，其中在所述硅基底的主表面和外周表面之间设置倒棱的表面； 滑雪跳跃值H。，其中H^0nm，表示从基平面到点A3的距离； 滚降值H"其中H^-0.2fim且H!50.0jim，表示从所述基平面到点A, 的多巨离；标记值H2，其中H20nm且H2^0.012nm，表示所述主表面的边界线 相对于线A,到A2的最大偏移；在所述主表面和所述倒棱的表面之间设置曲面；并且 所述曲面的曲率半径R，其中R^).013mm且RS0.080mm，其中 所述基平面是指所述主表面的平坦表面；所述点A,是指存在于所述主 表面的所述边界线上的位置，其位于在从所述外周表面到所述基底中心平 行于所述基平面的方向上偏移lmm的点处；所述点A2是指存在于所述主 表面的所述边界线上的位置，其位于在从所述点A,到所述基底中心平行于 所述基平面的方向上偏移1.6mm的点处；以及所述A3是指存在于所述点 A，和A2之间的所述主表面的所述边界线上的位置，其位于相对于所述基 平面的最高位置处。
2. 根据权利要求1的磁盘基底，其中所述滚降值H,为H^-0，18nm 且H《-0.08nm，所述标记值H2为H:^0.004nm且H2S0.008nm,以及所述 曲率半径R为R^0.030mm且R50.070mm。
3. —种使用根据权利要求1或2的磁盘基底的磁盘。
全文摘要
本发明的目的是提供一种使用硅基底的磁盘基底，其中在所述硅基底的主表面和外周表面之间设置倒棱的表面；滑雪跳跃值H₀，其中H₀≤0μm，表示从基平面到点A₃的距离；滚降值H₁，其中H₁≥-0.2μm且H₁≤0.0μm，表示从所述基平面到点A₁的距离；标记值H₂，其中H₂≥0μm且H₂≤0.012μm，表示所述主表面的边界线相对于线A₁到A₂的最大偏移；在所述主表面和所述倒棱的表面之间设置曲面；且所述曲面的曲率半径R，其中R≥0.013mm且R≤0.080mm。
文档编号G11B5/82GK101313356SQ20068004338
公开日2008年11月26日 申请日期2006年12月13日 优先权日2005年12月19日
发明者会田克昭, 町田裕之 申请人:昭和电工株式会社