专利名称：带电路的悬挂基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及带电路的悬挂基板，具体涉及安装电子元件的带电路的悬挂基板。
背景技术：
硬盘驱动器中所搭载的带电路的悬挂基板通常具备金属支承基板、形成于金属支承基板上的基底绝缘层、形成于基底绝缘层上的导体布图、和形成于基底绝缘层上而被覆导体布图的被覆绝缘层，该基板在各种电气机械和电子仪器中被广泛应用。
为了防止形成铜导体层的铜扩散(离子迁移)到被覆绝缘层中，防止铜导体层的劣化和铜导体层间的短路，对于这样的带电路的悬挂基板，提出了在铜导体层表面通过无电解镀镍形成镍薄膜，被覆铜导体层的表面进行保护的技术方案(例如，参照日本专利特开平10-12983号公报)。
此外，在带电路的悬挂基板等配线电路基板上安装电子元件时，该安装工序中，电子元件会因静电而被破坏。
因此，例如对于柔性电路基板，提出了在基底膜或被覆膜的表面通过蒸镀法、溅射法、无电解镀覆法等形成金属层而实现静电接地或减弱的技术方案(例如，参照日本专利特开平8-153940号公报)。
发明内容
另外，带电路的悬挂基板中，用于安装电子元件的端子部通过将被覆绝缘层开口而作为从该开口部露出的导体布图的露出部分来进行设置。
特别是电子元件的安装工序中，该端子部(即导体布图的露出部分)会有带少许静电的情况。如果端子部带有静电，则安装的电子元件有可能因静电而被破坏。
因此，希望在防止如日本专利特开平10-12983号公报中所记载的铜导体层的离子迁移的同时，防止上述端子部带有静电。
然而，如果同时在带电路的悬挂基板的导体布图上设置如日本专利特开平10-12983号公报中所记载的用于防止铜导体层的离子迁移的镍薄膜和如日本专利特开平8-153940号公报中所记载的用于防止带静电的金属层，则镍薄膜和金属层的目的各自不同，难以设定除去端子部带有的静电所需要的范围的表面电阻值。
本发明的目的在于提供不仅可以有效地防止导体布图的离子迁移，而且可以有效地防止端子部带有静电的带电路的悬挂基板。
本发明的带电路的悬挂基板的特征在于，具备金属支承基板、形成于前述金属支承基板上的绝缘层、形成于前述绝缘层上并包含用于与外部端子连接的端子部的导体布图、和形成于前述导体布图上的防带电阻挡层，前述防带电阻挡层包含金属薄膜和半导电性层，所述半导电性层的至少一端面对前述端子部，至少另一端接触前述金属支承基板。
若采用本发明的带电路的悬挂基板，因为防带电阻挡层包含金属薄膜和半导电性层，所以通过金属薄膜可以有效地防止导体布图的离子迁移。此外，通过半导电性层，可以设定除去端子部带有的静电所需要的范围的表面电阻值。因此，可以同时有效地防止导体布图的离子迁移和端子部的带电。籍此可以同时有效地防止导体布图的劣化和导体布图间的短路及安装的电子元件的静电破坏。
此外，本发明的带电路的悬挂基板中，前述金属薄膜较好是镍薄膜。
此外，本发明的带电路的悬挂基板中，前述半导电性层较好是氧化铬层。
此外，本发明的带电路的悬挂基板中，前述防带电阻挡层上较好是具备被覆前述导体布图而形成的被覆绝缘层。
此外，本发明的带电路的悬挂基板中，较好是前述金属薄膜连续地形成于前述导体布图的上表面和侧面，前述半导电性层连续地形成于前述金属薄膜的上表面和侧面以及从前述金属薄膜露出的前述绝缘层的上表面和侧面。
图1为本发明的带电路的悬挂基板的一种实施方式的简略平面图。
图2为沿图1所示的1条配线的长边方向的部分截面图。
图3为本发明的带电路的悬挂基板的一种实施方式的制造方法的制造工序图，(a)表示准备金属支承基板的工序，(b)表示在金属支承基板的上表面以布图形成基底绝缘层的工序，(c)表示在基底绝缘层的上表面形成导体布图的工序，(d)表示在导体布图的上表面和侧面连续地形成金属薄膜的工序。
图4为接图3的本发明的带电路的悬挂基板的一种实施方式的制造方法的制造工序图，(e)表示在金属薄膜的上表面和侧面、从金属薄膜露出的基底绝缘层的上表面和侧面以及从基底绝缘层露出的金属支承基板的上表面连续地形成半导电性层的工序，(f)表示在防带电阻挡层的半导电性层上形成被覆绝缘层的工序，(g)表示将从被覆绝缘层的开口部露出的半导电性层和金属薄膜、形成于从被覆绝缘层露出的基底绝缘层的上表面的半导电性层以及形成于从被覆绝缘层露出的金属支承基板的上表面的半导电性层通过蚀刻除去的工序，(h)表示在端子部的表面形成金属镀层的工序。
图5为溅射装置的一种实施方式的简略结构图。
具体实施例方式
图1为本发明的带电路的悬挂基板的一种实施方式的简略平面图，图2为沿图1所示的1条配线的长边方向的部分截面图。
图1中，该带电路的悬挂基板1搭载于硬盘驱动器，用于连接磁头和读写基板的导体布图4一体形成于金属支承基板2上，该金属支承基板2在进行支承的同时，对抗安装磁头并使该磁头相对地在与磁盘之间移动时的空气流，与磁盘之间保持微小间隔。
另外，图1中，为了明确地表示导体布图4对于金属支承基板2的相对位置，表示中略去了后述的作为绝缘层的基底绝缘层3和被覆绝缘层5以及防带电阻挡层11。
导体布图4连续一体地具备磁头侧连接端子部6A、外部侧连接端子部6B和用于连接磁头侧连接端子部6A及外部侧连接端子部6B的配线7。
配线7沿金属支承基板2的长边方向设置多条，在宽度方向(与长边方向垂直的方向)相互隔开间隔并联配置。
磁头侧连接端子部6A配置于金属支承基板2的前端部，设置多条，分别连接各配线7的前端部。该磁头侧连接端子部6A上连接作为磁头的外部端子的端子部(未图示)。
外部侧连接端子部6B配置于金属支承基板2的后端部，设置多条，分别连接各配线7的后端部。该外部侧连接端子部6B上连接作为读写基板的外部端子的端子部(未图示)。
此外，在金属支承基板2的前端部设置有用于安装磁头的万向接头8。万向接头8以在长边方向夹着磁头侧连接端子部6A的状态，通过切割金属支承基板2而形成。
如图2所示，该带电路的悬挂基板1具备金属支承基板2、形成于金属支承基板2上的基底绝缘层3、形成于基底绝缘层3上的导体布图4、和形成于基底绝缘层3和金属支承基板2上的被覆导体布图4的被覆绝缘层5。
此外，被覆绝缘层5上，对应于配置磁头侧连接端子部6A或外部侧连接端子部6B的部分，形成有贯穿厚度方向的开口部9，从该开口部9露出的导体布图4的露出部分被设置为磁头侧连接端子部6A或外部侧连接端子部6B(以下统称为端子部6)。另外，图2中仅显示了磁头侧连接端子部6A和外部侧连接端子部6B中的任意一方。
另外，在该带电路的悬挂基板1中，在金属支承基板2、基底绝缘层3和导体布图4上，以被夹于被覆绝缘层5与金属支承基板2、基底绝缘层3和导体布图4之间的状态，形成有防带电阻挡层11。
该防带电阻挡层11具备金属薄膜12和半导电性层13。
金属薄膜12在导体布图4的上表面(除端子部6)和侧面(包括层积于被覆绝缘层3的上表面的下端部)以被覆该导体布图4的状态连续地形成。
半导电性层13在金属薄膜12的上表面和侧面、从金属薄膜12露出的基底绝缘层3的上表面和侧面以及从基底绝缘层3露出的金属支承基板2的上表面连续地形成。
此外，半导电性层13以被覆金属薄膜12、从金属薄膜12露出的基底绝缘层3以及从基底绝缘层3露出的金属支承基板2的状态形成。另外，该半导电性层13上(即，形成于金属薄膜12的上表面的半导电性层13的上表面、形成于金属薄膜12的侧面的半导电性层13的侧面、形成于从金属薄膜12露出的基底绝缘层3的上表面的半导电性层13的上表面、形成于从金属薄膜12露出的基底绝缘层3的侧面的半导电性层13的侧面以及形成于从基底绝缘层3露出的金属支承基板2的上表面的半导电性层13的上表面)以被覆半导电性层13的状态形成有被覆绝缘层5。
此外，该半导电性层13以作为邻接端子部6的长边方向内侧一端的一端部14从开口部9面对端子部6的状态形成，该一端部14的内端缘16以与开口部9的开口端缘19处于平面视图同一位置的状态形成。此外，该半导电性层13中，以作为长边方向外侧另一端的另一端部15的外端缘17以与被覆绝缘层5的被覆端缘18处于平面视图同一位置的状态形成。此外，形成于被被覆绝缘层5被覆的金属支承基板2的上表面的半导电性层13(包括半导电性层13的另一端部15以及形成于基底绝缘层3的侧面并层积于金属支承基板2的上表面的下端部)接触金属支承基板2。
该半导电性层13中，其一端部14通过后述的金属镀层10和金属薄膜12与导体布图4导电连接，另一端部15与金属支承基板2导电连接。
此外，在端子部6的上表面形成有金属镀层10。
该金属镀层10被填充于开口部9，使得在被覆绝缘层5中的开口部9的开口端缘19，与防带电阻挡层11的金属薄膜12和半导电性层13接触。
以下，参照图3和图4，对该带电路的悬挂基板1的制造方法进行说明。
该方法如图3(a)所示，首先准备金属支承基板2。作为金属支承基板2，可以使用例如不锈钢箔、42合金箔、铝箔、铜-铍箔、磷青铜箔等金属箔，较好是使用不锈钢箔。此外，其厚度例如为5～100μm。
接着，该方法如图3(b)所示，在金属支承基板2的上表面形成基底绝缘层3，呈例如金属支承基板2的上表面的长边方向另一侧(图3(b)中的右侧)的外周缘部20部分露出的布图。
基底绝缘层3例如由聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚醚腈树脂、聚醚砜树脂、聚对苯二甲酸乙二酯树脂、聚萘二甲酸乙二酯树脂、聚氯乙烯树脂等树脂形成。从耐热性的角度来看，较好是由聚酰亚胺树脂形成。基底绝缘层3的厚度例如为5～50μm，较好为10～30μm。
以布图形成基底绝缘层3时，没有特别限定，可以使用公知的方法。例如，将感光性树脂(感光性聚酰胺酸树脂)的清漆涂布在金属支承基板2的表面，干燥涂布的清漆，形成基底被膜。接着，将基底被膜隔着光掩模曝光后，根据需要进行加热，再通过显影形成布图。然后，例如通过在减压下于250℃以上加热，使其固化(酰亚胺化)。
接着，该方法如图3(c)所示，在基底绝缘层3的上表面形成导体布图4。导体布图4例如可以由铜、镍、金、焊锡或它们的合金等导体形成，较好是由铜形成。此外，形成导体布图4时，通过例如减成法(subtractive method)、加成法(additive method)等公知的布图形成法，较好是加成法，在基底绝缘层3的上表面以上述端子部6和配线7一体形成的配线电路布图形成导体布图4。
减成法中，首先在基底绝缘层3的上表面根据需要通过粘接剂层层积导体层。接着，在该导体层上形成与配线电路布图相同的布图的抗蚀膜，以该抗蚀膜对导体层进行蚀刻，然后除去抗蚀膜。
此外，加成法中，首先在基底绝缘层3的整个表面(上表面和侧面)形成导体薄膜。导体薄膜采用溅射，较好是通过溅射铬和溅射铜层积铬薄膜和铜薄膜。
接着，在该导体薄膜的上表面形成与配线电路布图相反的布图的抗镀膜后，通过电镀在从抗镀膜露出的导体薄膜的上表面以配线电路布图形成导体布图4，然后将抗镀膜和层积有抗镀膜的部分的导体薄膜除去。
以上形成的导体布图4的厚度例如为3～50μm，较好是5～20μm，各配线7的宽度例如为10～200μm，各配线7间的间隔例如为10～200μm。
此外，端子部6的宽度例如为10～300μm，较好是20～100μm，其间隔例如为10～300μm，较好是20～100μm。
接着，该方法如图3(d)所示，在导体布图4的上表面和侧面(包括层积于基底绝缘层3的上表面的下端部)以被覆该导体布图4的状态连续地形成金属薄膜12。金属薄膜12例如由镍、金、锡、铬、钛、锆或它们的合金等金属形成，较好是由镍形成。
此外，金属薄膜12利用例如通过电镀或无电解镀覆形成于导体布图4的上表面和侧面的方法，将上述金属作为靶材进行溅射的方法等，以被覆导体布图4的状态连续地形成。较好是通过无电解镀覆形成金属薄膜12。
无电解镀覆中，例如通过在上述金属的镀液中浸渍图3(c)所示的制造中途的带电路的悬挂基板1，形成金属薄膜12。
这样形成的金属薄膜12的厚度设定在例如0.01～0.5μm、较好是0.05～0.3μm的范围内。若金属薄膜12的厚度在该范围内，则防带电阻挡层11可以获得有效的表面电阻值。另一方面，如果金属薄膜12的厚度低于上述范围，则会无法有效地防止导体布图4的离子迁移。此外，金属薄膜12的厚度高于上述范围，则虽然可以有效地防止导体布图4的离子迁移，但防带电阻挡层11会无法获得有效的表面电阻值。
接着，该方法如图4(e)所示，在金属薄膜12的上表面和侧面、从金属薄膜12露出的基底绝缘层3的上表面和侧面以及从基底绝缘层3露出的金属支承基板2的上表面连续地形成半导电性层13。
对半导电性层13没有特别限定，例如由具有1×105～1×1013Ω/□的表面电阻值的树脂层或金属层构成，例如由分散有碳粒子、金属粒子、氧化金属粒子等导电性粒子的树脂层或氧化金属层等构成，较好是由氧化金属层构成。
氧化金属层例如由氧化铬、氧化镍、氧化铜、氧化钛、氧化锆、氧化铟、氧化铝、氧化锌等金属氧化物构成，较好是由氧化铬构成。氧化铬在高温高湿下变化也少，可以形成具有稳定的表面电阻值的氧化金属层。
另外，氧化金属层中的金属的氧化程度也会根据后述的氧化金属层的形成方法而不同，可以在厚度方向均一地氧化，也可以是最表面的氧化程度最高，从其最表面沿厚度方向越向内侧，氧化程度越低。
对氧化金属层的形成没有特别限定，例如使用将金属作为靶材进行溅射后根据需要通过加热而氧化的方法、进行反应性溅射的方法、将氧化金属作为靶材进行溅射的方法等。
将金属作为靶材进行溅射后根据需要通过加热而氧化的方法中，首先在金属薄膜12的上表面和侧面、从金属薄膜12露出的基底绝缘层3的上表面和侧面以及从基底绝缘层3露出的金属支承基板2的上表面将金属作为靶材进行溅射。
溅射例如使用图5所示的溅射装置。即，图5的溅射装置中，真空室21内靶材22和接地电极23相互隔开间隔相对配置。靶材22连接电源24的同时，等离子体发射监测仪25以可对靶材22发射等离子体的状态配置。另外，对电源24没有特别限定，可以使用脉冲电源、直流电源(DC)、交流电源(RF)等。
此外，接地电极23接地的同时，在其表面设置有基板26(在这里，基板26为图3(d)所示的制造中途的带电路的悬挂基板1，导体布图4侧以与靶材22相对的状态设置)。
靶材22例如使用铬、镍、铜、钛、铝、钽、铅、锌、锆、镓、铟和它们的合金等，较好是使用铬。
接着，在真空室21内，作为导入气体导入氩气等惰性气体，从电源24施加电力，通过等离子体发射监测仪25保持等离子体的发光强度一定，同时以规定时间溅射靶材22。由此，在金属薄膜12的上表面和侧面、从金属薄膜12露出的基底绝缘层3的上表面和侧面以及从基底绝缘层3露出的金属支承基板2的上表面形成溅射被膜。
另外，如上所述将金属作为靶材进行溅射的溅射条件的一例如下所示。
极限真空度1.33×10-5～1.33×10-2Pa导入气体流量(氩气)1.2×10-3～4×10-3m3/h工作压力(导入气体导入后的真空度)1.33×10-2～1.33Pa接地电极温度10～100℃电力10～2000W溅镀时间1秒～15分钟另外，这样的溅射更具体地适当选择直流溅射法、高频率溅射法、磁控溅射法或它们的复合方法等公知的溅射法。
接着，将溅射被膜根据需要通过加热而氧化时，没有特别限定，例如使用加热炉等，在大气中进行加热。加热温度例如为50～400℃，较好是100～250℃，加热时间例如为1分钟～12小时。由此，如图4(e)所示，在金属薄膜12的上表面和侧面、从金属薄膜12露出的基底绝缘层3的上表面和侧面以及从基底绝缘层3露出的金属支承基板2的上表面形成由氧化金属层构成的半导电性层13。
此外，溅射被膜暴露于大气中自然氧化的情况下，不特别进行加热，而这时为了形成稳定的氧化金属层，也可以进行加热。
另外，该氧化金属层的氧化状态为最表面的氧化程度最高，从其最表面沿厚度方向越向内侧，氧化程度越低。
进行反应性溅射的方法时，在上述图5所示的溅射装置中，除了向真空室21内导入含氧气的导入气体之外，使用与上述的溅射法同样的方法。
更具体地，作为靶材22，使用与用于形成上述溅射被膜的金属同样的金属，作为基板，以导体布图4侧与靶材22相对的状态配置图3(d)所示的制造中途的带电路的悬挂基板1。
接着，在真空室21内作为导入气体导入必须有氧气的氩气或氮气以任意比例混合得到的反应性气体(例如Ar/O2混合气体、N2/O2混合气体)，从电源24施加电力，通过等离子体发射监测仪25保持等离子体的发光强度一定，同时以规定时间溅射靶材22。
由此，如图4(e)所示，在金属薄膜12的上表面和侧面、从金属薄膜12露出的基底绝缘层3的上表面和侧面以及从基底绝缘层3露出的金属支承基板2的上表面形成由氧化金属层构成的半导电性层13。另外，该氧化金属层在厚度方向上被均一地氧化。
另外，上述反应性溅射的溅射条件的一例如下所示。
极限真空度1.33×10-5～1.33×10-2Pa导入气体流量Ar/O2混合气体的情况Ar1.2×10-3～2.4×10-3m3/hO26×10-5～30×10-5m3/hN2/O2混合气体的情况N21.2×10-3～2.4×10-3m3/hO26×10-5～30×10-5m3/h工作压力(导入气体导入后的真空度)1.33×10-2～1.33Pa接地电极温度10～100℃电力10～2000W溅镀时间3秒～15分钟将氧化金属作为靶材进行溅射的方法中，在上述图5所示的溅射装置中，除了将氧化金属作为靶材22且使用交流电源作为电源24之外，使用与上述的溅射法同样的方法。作为靶材22的氧化金属例如使用氧化铬、氧化锆、氧化硅、氧化锡、氧化钛、氧化镁、氧化铝等金属氧化物，较好是使用氧化铬。
更具体地，作为靶材22，使用上述的氧化金属，作为基板26，以导体布图4侧与靶材22相对的状态配置图3(d)所示的制造中途的带电路的悬挂基板1。
接着，在真空室21内作为导入气体导入氩气等惰性气体，从电源24施加电力，通过等离子体发射监测仪25保持等离子体的发光强度一定，同时以规定时间溅射靶材22。由此，如图4(e)所示，在金属薄膜12的上表面和侧面、从金属薄膜12露出的基底绝缘层3的上表面和侧面以及从基底绝缘层3露出的金属支承基板2的上表面形成由氧化金属层构成的半导电性层13。另外，该氧化金属层在厚度方向上被均一地氧化。
另外，上述将氧化金属作为靶材进行溅射的溅射条件的一例如下所示。
极限真空度1.33×10-5～1.33×10-2Pa
导入气体流量(氩气)1.2×10-3～4×10-3m3/h工作压力(导入气体导入后的真空度)1.33×10-2～1.33Pa接地电极温度10～100℃电力RF100～2000W溅镀时间1秒～15分钟这样形成的半导电性层13的厚度设定在例如0.005～0.05μm，较好是0.01～0.02μm的范围内。若半导电性层13的厚度在该范围内，则防带电阻挡层11可以获得有效的表面电阻值。此外，该半导电性层13(形成于基底绝缘层3的上表面和侧面以及金属支承基板2的上表面的部分)的表面电阻值例如在1×105Ω/□以上，较好是在1×107Ω/□以上，通常在1×1013Ω/□以下。
如果防带电阻挡层11的表面电阻值低于上述范围，则安装的电子元件可能会发生误操作。此外，防带电阻挡层11的表面电阻值如果高于上述范围，则会无法防止静电破坏。
接着，如图4(f)所示，在防带电阻挡层11的半导电性层13上形成被覆绝缘层5。
被覆绝缘层5以形成端子部6露出的开口部9的状态形成。此外，参照图4(g)，被覆绝缘层5以长边方向另一侧(图4(g)中的右侧)的外周缘部20的外周端缘30露出的布图形成。
以布图形成被覆绝缘层5时，没有特别限定，可以使用公知的方法。例如，将感光性树脂(感光性聚酰胺酸树脂)的清漆涂布在防带电阻挡层11的半导电性层13的表面，干燥涂布的清漆，形成被覆被膜。接着，将被覆被膜隔着光掩模曝光后，根据需要进行加热，再通过显影形成布图。然后，例如通过在减压下于250℃以上加热，使其固化(酰亚胺化)。
另外，开口部9的长边方向长度设定为例如10～1000μm，较好是100～500μm，宽度方向长度设定为例如10～300μm，较好是20～100μm。
接着，该方法如图4(g)所示，将从被覆绝缘层5的开口部9露出的防带电阻挡层11的半导电性层13和金属薄膜12、形成于从被覆绝缘层5露出的基底绝缘层3的上表面的防带电阻挡层11的半导电性层13以及形成于从被覆绝缘层5露出的金属支承基板2的上表面的防带电阻挡层11半导电性层13通过蚀刻除去。
该蚀刻中，将被覆防带电阻挡层11的被覆绝缘层5作为抗蚀膜，将要蚀刻的防带电阻挡层11通过使用蚀刻液的湿法蚀刻除去。
蚀刻液根据防带电阻挡层11的半导电性层13和金属薄膜12适当选择，例如半导电性层13由氧化铬形成、金属薄膜12由镍形成的情况下，使用铁氰化钾类、高锰酸钾类、硅酸钠类、硝酸铈铵类、盐酸类、硫酸类、硝酸类等蚀刻液。
接着，通过以该蚀刻除去从开口部9露出的半导电性层13和金属薄膜12，导体布图4从开口部9露出，该导体布图4的露出部分形成为端子部6。此外，通过以上述蚀刻除去形成于从被覆绝缘层5露出的基底绝缘层3的上表面的半导电性层13以及形成于从被覆绝缘层5露出的金属支承基板2的上表面的半导电性层13，防带电阻挡层11的半导电性层13的整个上表面被被覆绝缘层5被覆。
然后，该方法如图4(h)所示，在端子部6的上表面根据需要形成金属镀层10后，通过化学蚀刻切割金属支承基板2而形成万向接头8的同时进行外形加工，从而获得带电路的悬挂基板1。
金属镀层10由金或镍等金属形成，通过电镀或无电解镀覆等镀覆形成，较好是镀金形成金镀层。此外，理想的还可以是依次镀镍和金，形成为镍/金的多层镀层。金属镀层10的厚度例如为0.5～2μm。
另外，这样得到的带电路的悬挂基板1中，防带电阻挡层11具备金属薄膜12和形成于该金属薄膜12上的半导电性层13。因此，通过金属薄膜12可以有效地防止导体布图4的离子迁移，即防止形成导体布图4的金属扩散到被覆绝缘层5。此外，通过半导电性层13可以对防带电阻挡层11设定除去端子部带静电所需要的上述范围的表面电阻值。
其结果是，可以同时有效地防止导体布图4的离子迁移和端子部6的带电。此外，可以同时有效地防止导体布图4的劣化和导体布图4间的短路及安装的电子元件的静电破坏。
另外，防带电阻挡层11的半导电性层13被被覆绝缘层5被覆，所以可以防止半导电性层13的剥离。因此，可以防止脱离了的半导电性层13成为异物飞散。
另外，上述说明中，对于带电路的悬挂基板1的防带电阻挡层11，由金属薄膜12和形成于金属薄膜12上的半导电性层13形成防带电阻挡层11，也可以与之相反，即由半导电性层13和形成于半导电性层13上的金属薄膜12形成。
实施例以下，示例实施例和比较例，对本发明进行更具体的说明，但本发明并不受到实施例和比较例的任何限定。
实施例1准备厚25μm的由不锈钢箔构成的金属支承基板(参照图(a))，在金属支承基板的上表面涂布另外制备的感光性聚酰胺酸树脂的清漆，干燥后隔着光掩模进行曝光，再进行加热，然后通过显影形成金属支承基板的上表面的外周缘部部分露出的布图，再使其加热固化，形成厚10μm的由聚酰亚胺树脂形成的基底绝缘层(参照图3(b))。
接着，在该基底绝缘层的上表面通过加成法以端子部和配线一体形成的配线电路布图形成厚10μm的由铜形成的导体布图(参照图3(c))。
然后，在导体布图的上表面和侧面(包括层积于基底绝缘层的上表面的下端部)以被覆该导体布图的状态通过无电解镀镍连续地形成由镍薄膜构成的厚0.15μm的金属薄膜(参照图3(d))。
此外，通过ESCA确认形成了金属薄膜。
接着，在金属薄膜的上表面和侧面、从金属薄膜露出的基底绝缘层的上表面和侧面以及从基底绝缘层露出的金属支承基板的上表面通过将铬作为靶材的溅射连续地形成由铬薄膜构成的溅射被膜。
另外，溅射采用与上述同样的方法，以下述的条件进行实施。
靶材Cr极限真空度1.33×10-3Pa导入气体流量(氩气)2.0×10-3m3/h工作压力0.16Pa接地电极温度20℃电力DC180W溅镀时间4秒溅射被膜的厚度0.01μm接着，通过在125℃于大气中加热12小时，氧化由铬薄膜构成的溅射被膜的表面，形成由氧化铬层构成的半导电性层(参照图4(e))。
另外，通过ESCA确认形成了半导电性层。此外，使用表面电阻测定装置(三菱化学株式会社制，Hiresta-up MCP-HT450)对该半导电性层(形成于基底绝缘层的上表面和侧面以及金属支承基板的上表面的部分)的表面电阻值以温度25℃、湿度15％的条件进行了测定，结果为1×109Ω/□。此外，防带电阻挡层(金属薄膜和半导电性层的层积部分)的表面电阻值为1×107Ω/□。
接着，将感光性聚酰胺酸树脂的清漆涂布于半导电性层的整面，隔着光掩模曝光后，于190℃加热，再通过显影形成被覆被膜，将该被覆被膜在380℃加热固化2小时。由此，形成开口部，以长边方向另一侧的外周缘部的外周端缘露出的布图形成被覆绝缘层(参照图4(f))。
然后，对从被覆绝缘层的开口部露出的半导电性层和金属薄膜、形成于从被覆绝缘层露出的基底绝缘层的上表面的半导电性层以及形成于从被覆绝缘层露出的金属支承基板的上表面的半导电性层进行蚀刻(参照图4(g))。
蚀刻中，将被覆绝缘层作为抗蚀膜，对要蚀刻的防带电阻挡层进行湿法蚀刻。
然后，在端子部的上表面通过无电解镀金形成金镀层后，通过化学蚀刻切割金属支承基板而形成万向接头的同时进行外形加工，从而获得带电路的悬挂基板(参照图4(h))。
比较例1除了未设置金属薄膜之外，与实施例1同样地操作，获得带电路的悬挂基板。即，防带电阻挡层的半导电性层在导体布图的上表面和侧面、从导体布图露出的基底绝缘层的上表面和侧面以及从基底绝缘层露出的金属支承基板的上表面连续地形成。
比较例2除了形成由铝层构成的金属层代替由氧化铬层构成的半导电性层之外，与实施例1同样地操作，获得带电路的悬挂基板。
另外，铝层通过基于日本专利特开平8-153940号公报的记载的蒸镀法形成。
此外，金属层(形成于基底绝缘层的上表面和侧面以及金属支承基板的上表面的部分)的表面电阻值为1×108Ω/□。
但是，该带电路的悬挂基板在安装磁头后，磁头发生误操作。
(评价)(1)端子部的带电对于实施例1和比较例1中得到的磁头安装前的带电路的悬挂基板，使用电量计(春日电机株式会社制，NK-1001)对端子部的电荷量进行了测定。
其结果是，实施例1和比较例1都为0nQ。
(2)离子迁移对于实施例1和比较例1中得到的磁头安装前的带电路的悬挂基板，将试验气氛设定为温度85℃/湿度85％，测定配线间的施加电压为6V时的配线间电阻值达到1×105Ω以下的时间，从而评价离子迁移。
其结果是，实施例1即使经过1000小时以上，配线间的电阻值仍未达到1×105Ω以下。另一方面，比较例1经过650小时后，配线间的电阻值达到1×105Ω以下。
上述说明作为本发明示例的实施方式，它们只是单纯的示例，并不是限定性的解释。对于本技术领域的从业人员显而易见的本发明的变形例也包括在后述的权利要求的范围内。
权利要求
1.带电路的悬挂基板，其特征在于，具备金属支承基板、形成于前述金属支承基板上的绝缘层、形成于前述绝缘层上并包含用于与外部端子连接的端子部的导体布图、和形成于前述导体布图上的防带电阻挡层，前述防带电阻挡层包含金属薄膜和半导电性层，所述半导电性层的至少一端面对前述端子部，至少另一端接触前述金属支承基板。
2.如权利要求1所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，前述金属薄膜为镍薄膜。
3.如权利要求1所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，前述半导电性层为氧化铬层。
4.如权利要求1所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，前述防带电阻挡层上具备被覆前述导体布图而形成的被覆绝缘层。
5.如权利要求1所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，前述金属薄膜连续地形成于前述导体布图的上表面和侧面，前述半导电性层连续地形成于前述金属薄膜的上表面和侧面以及从前述金属薄膜露出的前述绝缘层的上表面和侧面。
全文摘要
带电路的悬挂基板具备金属支承基板、形成于金属支承基板上的绝缘层、形成于绝缘层上并包含用于与外部端子连接的端子部的导体布图、和形成于导体布图上的防带电阻挡层。防带电阻挡层包含金属薄膜和半导电性层，所述半导电性层的至少一端面对端子部，至少另一端接触金属支承基板。
文档编号G11B5/48GK101031183SQ20071008761
公开日2007年9月5日 申请日期2007年3月1日 优先权日2006年3月2日
发明者石井淳, 大薮恭也 申请人:日东电工株式会社