专利名称：：信息记录介质及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及信息记录介质及其制造方法。更具体而言，本发明涉及能够通过照射光记录信息信号的信息记录介质。
背景技术：
：一次性写入型(write-oncetype)光记录介质要求如非可擦除(防删改)、耐久性高和价廉等特性，但不要求连续可再写性。一般而言，折射率或吸收系数中的至少任何一个随热变化的材料用于一次性写入型光记录介质的记录膜。另外，在一些情况下，由于记录后基板变形，记录膜经受体积膨胀或膜厚的大幅变化，由此可能影响复制信号。在有机染料用于记录材料的情况下明显产生这种体积变化和基板变形是公知的，然而，甚至在使用无机材料的情况下，有时也会观察到这种体积变化，无论这种变化是小还是大。出于记录膜耐久性的观点，在记录膜的两个或一个边界中配置金属膜或介电体膜。例如，广泛用作相变材料保护膜的ZnS-Si02型介电体膜是实现良好记录特性以及保护膜功能的理想材料。这种材料具有低的热导率，并能够增加记录敏感度的敏感性。另外，该材料与记录膜具有良好的粘附性，使得在相变材料的情况下，得到有利的再写特性。而且，由于所述材料具有高的折射率，所以可容易地优化光学特性，从而能够得到合适的反射率和调节度配置。另外，由于ZnS-Si02具有较小的内应力，所以较少发生开裂或破损。如上所述，许多情况中，在一次性写入型光记录介质中膜厚在记录前后大大改变，并且当记录之后在保护膜中造成开裂而形成裂缝时，水气等从此处进入并可能引发不利于耐久性的严重问题。ZnS-Si02是几乎不引发这种问题的材料。如上所述，ZnS-Si02是作为一次性写入型光记录介质的非常优异的介电体膜。然而，存在的缺点是S(硫)组分趋于游离扩散至相邻层并发生反应，由此易于导致劣化。特别是，如BD-R(Blu-rayDisc-Recordable(注册商标))，当在记录上设置透光层并且压敏粘合剂(PSA)用于透光层时，如果ZnS-Si02与PSA邻接，PSA则劣化。具体而言，PSA宽范围的性质改变导致光斑的巨大像差，从而使复制信号劣化。因而，提出在ZnS-Si02与PSA之间设置另一介电体膜，对于介电体膜，广泛用作保护膜的Si3N4的使用防止了S与PSA的反应，从而可解决上述像差问题。(例如，参考特开2003-59106号公报)。然而，当如上所述另设置介电体膜时，出于耐久性的观点引发了另一问题。即，记录膜在记录信息信号后膨胀，并在Si3N4膜中造成开裂，而且还在与Si3NJ莫邻接的ZnS-Si02膜中造成开裂。然后，由于这种开裂，水气进入记录膜，由此产生耐久性方面的严重问题。因而，本发明的目的是提供信息记录介质和该信息记录介质的制造方法，即使引发大体积膨胀的材料用于记录膜，该信息记录介质也可获得高的耐久性。
发明内容为解决上述问题，本发明第一方面的信息记录介质包括基板、设置在基板上的记录膜和设置在基板上的介电体膜，其中所述记录膜由配置用来通过光能照射引发体积膨胀的记录材料制成，介电体膜由Zr02和Cr203制成。本发明第二方面的具有基板、设置在基板上的记录膜和设置在基板上的介电体膜的信息记录介质的制造方法包括以下步骤由通过光能照射引发体积膨胀的记录材料形成上述记录膜，并形成由Zr02和0203制成的上述介电体膜。在本发明的第一和第二方面中，所述介电体膜包含40原子％或以上且90原子％或以下的Cr203是优选的。并且所述介电体膜还包含Si02是优选的。另外，所述介电体膜的膜厚为2nm或以上且20nm或以下是优选的。而且，由ZnS-Si02制成的介电体膜设置在记录膜和由Si02制成的介电体膜之间是优选的。在本发明的第一和第二方面中，所述记录膜包括由锗氧化物制成的氧化物膜是优选的。在这些方面，所述记录膜包括与氧化物膜邻接的邻接膜并且所述邻接膜由Ti或TiSi制成是优选的。在本发明的第一和第二方面中，由于所迷介电体膜由Zr02和Cr203制成，所以即使所述记录膜由于光能照射引发体积膨胀，也可防止在所述介电体膜中产生开裂。从而，可降低水气侵入记录膜。如上所述，根据本发明，即使引发大体积膨胀的材料用于记录膜，也可获得高的耐久性。图1为显示本发明第一实施方案的一次性写入型光记录介质一种构形实例的截面示意图。图2显示为本发明第二实施方案的一次性写入型光记录介质一种构形实例的截面示意图。图3为显示本发明第三实施方案的一次性写入型光记录介质一种构形实例的截面示意图。图4显示对比例1的一次性写入型光记录介质在加速测试前后的出错率(errorrate)。图5显示实施方案1的一次性写入型光记录介质在加速测试前后的出错率。具体实施例方式以下参考本发明的优选实施方案。在下述实施方案的所有附图中，相同的标记指示相同或相应的组成部分。(l)第一实施方案(l-l)一次性写入型光记录介质的构形图1显示本发明第一实施方案的一次性写入型光记录介质一种构形实例的截面示意图。该一次性写入型光记录介质10具有无机记录膜6、介电体膜4和透光层5依次层压基板1的构形。在该实施方案中，对下述情况进行说明含有锗氧化物(Ge)制成的氧化物膜的无机记录膜6作为通过激光束照射引发体积膨胀的记录膜。在第一实施方案的一次性写入型光记录介质10中，从透光层5—侧激光束照射无机记录膜6,进行信息信号的记录或再现(reproduction)。例如，通过数值口径(numericalaperture)为0.84或以上且0.86或以下的物镜会聚波长为400nm或以上且410nm或以下的激光束，从透光层5—侧照射无机记录膜6，来进行信息信号的记录或再现。这种一次性写入型光记录介质10包括例如BD-R(Blu-rayDisc-Recordable)。以下依次描述构成一次性写入型光记录介质10的基板1、无机记录膜6、介电体膜4和透光层5。(基板)基板1为环状，其中开口(此后称作中心孔(centerhall))形成于其中心。基板l的主面形成凹凸面11，并且在所述凹凸面11上形成无^/L记录膜6。此后，将凹凸面11的凹部称为槽内(in-groove)llG，将凹凸面11的凸部称为槽上(on-groove)l1L槽内11G和槽上11L的形状包括各种形状如螺旋状和同心圓状。或者，摆动(wobbled)槽内IIG和槽上IIL来加入地址信息。摆动的幅度在9nm或以上且13nm或以下的范围内是优选的。道间距(trackpitch)优选在0.29(im或以上且0.35pm或以下的范围内，并且槽的深度优选在18nm或以上且21.5nm或以下的范围内。另外，优选满足以下关系式-0.01<2(Ron-Rin)/(Ron+Rin)其中追踪(track)槽上11L时Blu-ray评价设备的反光量为R0N,追踪槽内11G时Blu-ray评价设备的反光量为Rjn。基板1的直径选择为例如120mm。出于刚性的考虑，基板l的厚度优选为0.3mm或以上且1.3mm或以下，更4尤选为0.6mm或以上且1.3mm或以下，例如选择为1.1mm。另外，中心孔的直径选择为例如15mm。对于基板l的材料，可使用塑性材料如聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂或丙烯酸类树脂，或者玻璃等。考虑到成本时，塑性材料用于基板1的材料是优选的。(无机记录膜)无机记录膜6包括依次层压在基板1的凹凸面11上的金属膜2和氧化物膜3。金属膜2为相邻于氧化物膜3所设置的邻接膜，并且基本上由钛(Ti)制成。包含Ti作为主要材料基本上实现了优异的记录特性。另外，为了改进光学特性、耐久性、记录敏感度等，可将添加剂加入到金属膜2中。对于这种添加剂，可使用选自例如铝(A1)、银(Ag)、铜(Cu)、钇(Pd)、锗(Ge)、硅(Si)、锡(Sn)、镍(Ni)、铁(Fe)、镁(Mg)、钒(V)、碳(C)、钙(Ca)、硼(B)、4各(Cr)、4尼(Nb)、锆(Zr)、碌u(S)、竭(Se)、锰(Mn)、4家(Ga)、钼(Mo)、钨(W)、铽(Tb)、镝(Dy)、礼(Gd)、钕(Nd)、锌(Zn)、钽(Ta)和锶(Sr)中的一种或多种。例如，将硅添加到金属膜2中时，Si的组成比在8原子％或以上且32原子％或以下的范围内是优选的。这是因为如果Si的组成比小于8原子％,则不能够获得优异的抖动值(jittervalue),并且如果Si的组成比大于32原子％，则不能够获得优异的记录敏感度。另外，构成金属膜2的材料可能被氧化，这种氧化物包括例如TiSiO。这种氧化作用可改善抖动。而且，构成金属膜2的材料可能为氮化物。这种氮化物包括例如TiSi-N。这种氮化作用可扩大功率储备(powermargin)。金属膜2的氮组成在1原子％或以上且20原子％或以下的范围内是优选的。这是因为如果氮组成小于1原子％，则改善功率储备的效果降低，并且如果氮组成大于20原子％,则抖动劣化。氧化物膜3基本上由锗(Ge)的氧化物GeO制成。氧化物膜3的吸收系数k优选在0.15或以上且0.90或以下的范围内，更优选在0.20或以上且0.70或以下的范围内，并进一步优选在0.25或以上且0.60或以下的范围内。氧化物膜3的膜厚优选在10nm或以上且35nm或以下的范围内。通过满足0.15或以上且0.90或以下的范围，例如，可获得良好的调节度和载噪比(此后称作C/N比)。通过满足0.20或以上且0.70或以下的范围，例如可获得更好的调节度和C/N比。通过满足0.25或以上且0.60或以下的范围，例如可获得更加好的调节度和C/N比。本说明书中的吸收系数是波长为410nm时的吸收系数。另外，通过偏振光椭圓率测量仪(RudolphResearchAnalytical,品名AutoEL462P17)，测量测定值。而且，可将添加剂加入到氧化物膜3中，并且对于这种添加剂，可使用选自例如碲(Te)、铬(Cr)、钇(Pd)、柏(Pt)、铜(Cu)、锌(Zn)、金(Au)、银(Ag)、硅(Si)、钛(Ti)、铁(Fe)、镍(Ni)、锡(Sn)和锑(Sb)中的一种或多种。这种添加剂的添加改善了耐久性和/或反应性(记录敏感度)。为了改善耐久性，特别优选钯(Pd)、柏(Pt)、硅(Si)、锑(Sb)和铬(Cr)。例如，将锑(Sb)添加到氧化物膜3中时，氧化物膜3中的Sb组成在1原子％或以上且6原子％或以下的范围内是优选的。这是因为，通过保持该范围，可改善功率储备。(介电体膜)介电体膜4包括依次层压在无机记录膜6上的第一介电体膜4a和第二介电体膜4b。第一介电体膜4a和第二介电体膜4b用于对无机记录膜6进行光学上和机械上的保护，换言之，用于改善耐久性，抑制无机记录膜6记录时的变形，即膨胀。第一介电体膜4a由例如ZnS-Si02制成。第一介电体膜4a的厚度优选在10nm或以上且58nm或以下的范围内，更优选在23nm或以上且53nm或以下的范围内。通过使膜厚为10nm以上，可获得良好的抖动，并且通过使膜厚为58nm或以下，可得到良好的反射率。例如，当一次性写入型光学记录介质10为BD-R时，通过使膜厚为10nm以上，可满足抖动为6.5%或以下，即BD-R的标准，并且通过使膜厚为58nm或以下，可满足反射率为12%或以下，即BD-R的标准中所要求的。另外，通过使膜厚为23nm以上，可获得更好的抖动，并且通过使膜厚为53腿或以下，可获得更好的反射率。第二介电体膜4b由例如Zr02和Cr203制成。Cr203的含量在40原子％或以上且90原子％或以下的范围内是优选的。这是因为如果Cr203的含量小于40原子％,则耐久性下降，并且如果0203的含量大于90原子％，则耐久性以及初始记录特性降低。第二介电体膜4b还包括Si02是优选的。包括Si02使得能够调整记录特性，例如记录敏感度、功率储备和光学策略(lightstrategy)。第二介电体膜4b的膜厚在2nm或以上且20nm或以下的范围内是优选的。这是因为如果第二介电体膜4b的膜厚小于2nm，则第二介电体膜4b的均匀性下降，并且如果第二介电体膜4b的膜厚大于20nm，则由于成膜时间变得较长而使得产率降低。(透光层)透光层5包括透光片(膜)，该透光片(膜)具有例如环形的形状并具有用于将透光片粘结到基板1上的粘结层。粘结层由例如紫外固化树脂或压敏粘合剂(PSA)制成。透光层5的厚度优选自10|im或以上且177iam或以下的范围，例如为100pm。通过所述薄透光层5和经加工具有高NA(数值口径)如约0.85的物镜的组合实现了高密度记录。由对用于记录和/或再现的激光束具有低吸收能力的材料，具体而言由透光率为90%或以上的材料制成透光片是优选的。透光片的材料包括例如聚碳酸酯树脂材料、聚烯烃树脂(例如ZEONEX(注册商标》。另外，透光片的厚度优选为0.3mm或以下，更优选3(im或以上且177(im或以下。另外，透光层5的直径选为例如22.7mm。(l-2)—次性写入型光记录介质的制造方法接下来，描述本发明第一实施方案的一次性写入型光记录介质的制造方法。(基板的形成工艺)首先，形成主面上形成有凹凸面11的基板1。对于基板1的形成方法，例如可采用注射成型法、光致聚合法。(金属膜的形成工艺)其次，将基板1送至配置有例如氮化钛制成的靶的真空室，然后对真空室内部抽真空直到达到预定的压力。此后，在将处理气引入真空室的同时，对靶进行溅射，以在基板1上形成金属膜2。以下是在这种成型方法下成膜条件的实例才及限真空5.0xl(T5Pa气体氛围0.10.6Pa输入功率13kW(DC)气体类型Ar气气体流速10~40sccm(氧化物膜的形成工艺)再次，将基板1送至设置有例如锗氧化物制成的靶的真空室，然后对真空室内部抽真空直到达到预定的压力。此后，在将处理气引入真空时的同时，对靶进行賊射，以在基板1上形成氧化物膜3。以下是在这种形成方法下成膜条件的实例极限真空5.0xl(T5Pa气体氛围0.1~0.6Pa输入功率13kW(RF)气体类型Ar气Ar气流速1080sccm(第一介电体膜的形成工艺)再次，将基板1送至设置有例如ZnS-Si02制成的靶的真空室，然后对真空室内部抽真空直到达到预定的真空度。此后，在将处理气体引入真空室的同时，对靶进行溅射，以在基板1上形成第一介电体膜4a。以下是在这种形成方法下成膜条件的实例极限真空5.0xl(T5Pa气体氛围0.10.6Pa输入功率15kW(RF)气体类型Ar气Ar气流速Gsccm(第二介电体膜的形成工艺)再次，将基板1送至设置有例如Si02-Cr203-Zr02制成的靶的真空室，然后对真空室内部抽真空直到达到预定的压力。此后，在将处理气引入真空室的同时，对耙进行溅射，以在基板1上形成第二介电体膜4b。以下是在这种形成方法下成膜条件的实例极限真空5.0xl(T5Pa气体氛围0.1-0.6Pa输入功率13kW(RF)气体类型Ar气Ar气流速15sccm(透光层的形成工艺)接下来，利用例如压敏粘合剂(PSA)将环形透光片粘结到基板1的凹凸面ll一侧，所述压敏粘合剂已预先均匀地涂覆在(透光片的)主面上。这样就形成了透光层5，以便覆盖层压到基板1上的膜。上述工艺实现了图1所示的一次性写入型光记录介质10。(l-3)耙的构成以下是本发明的靶的构成。首先，对用于形成氧化物膜3的靶的构成进行说明。通过加压烧结半导体粉末Ge粉末和半导体氧化物粉末锗氧化物粉末的混合物，制得用于形成氧化物膜3的靶。靶为例如圓盘形，其直径选为例如200mm,其厚度选为例如6mm。加压烧结后氧含量在45原子％或以上且60原子％或以下的范围内是优选的。如果氧含量小于45原子。/。，则由于吸收系数k超过0.9，记录特性等将下降。而且，如果氧含量大于60原子％,则由于吸收系数k变为小于0.15，记录特性等将下降。其次，对形成金属膜2的靶的构成进行说明。通过加压烧结Ti粉末(过渡金属粉末(transitionmetalpowder))和氮化钛粉末(过渡金属氮化物粉末)的混合物，制得用于形成金属膜2的靶。所述靶为例如圓盘形，其直径选为例如200mm,其厚度选为例如6mm。优选加压并烧结之后氮含量在1原子％或以上且20原子％或以下的范围内，更优选在1原子％或以上且10原子％或以下的范围内。通过将含量保持在5原子％或以上且15原子％或以下的范围内，功率储备变大并且可抑制抖动的i曾力口。G-4)靶的制造方法以下是本发明第一实施方案的靶的制造方法。首先，对用于形成氧化物膜3的靶的制造方法进行说明。(称量、混合)分别称量预定量的Ge粉末(半导体粉末)和锗氧化物粉末(半导体氧化物粉末)，然后例如进行干混。此时，优选对Ge粉末和锗氧化物粉末的混合比进行调整，使得加压烧结之后的氧含量为45原子％或以上且60原子％或以下。(加压烧结)接下来，将上述制得的混合粉末置于碳模(carbonmold)，利用如热压装置进行加压烧结以获得烧结体(burnedsubstance)。在这方面，可采用常用型热压装置，通过使用这种装置，在无氧气体氛围下，于一定的压力和一定的烧结温度，烧结所述粉末一段预定的时间。对于上述所得的烧结体，进行机械加工，以使其为预定大小的圆盘形。通过上述工艺，可得到目标靶。接下来，对用于形成金属膜2的靶的制造方法进行说明。(称量，混合)分别称量预定量的Ti粉末(过渡金属粉末)和氮化钛粉末(过渡金属氮化物)，然后例如进行干混。此时，优选对Ti粉末和氮化钛粉末的混合比进行调整，使得加压烧结之后氮含量为1原子％或以上且20原子°/。或以下，更优选为5原子％或以上且15原子％或以下。(加压烧结)接下来，将上述制得的混合粉末置于碳模，并利用如热压装置进行加压烧结。在这方面，可采用常用型热压装置，通过使用该装置，在无氧气体氛围中，于一定的压力和一定的烧结温度，烧结所述粉末一段预定的时间。(修整工艺)对于上述所得的烧结体，进行机械加工，以使其为预定大小的圓盘形。通过上述工艺，可得到目标靶。如上所述，在第一实施方案中，由于在基板1上依次层压金属膜2、氧化物膜3、介电体膜4和透光膜5制造了一次性写入型光记录介质10，所以可提供具有简单膜结构和高记录密度的一次性写入型光记录介质10。换言之，可提供低价的膜层数量少的一次性写入型光记录介质。另外，由于无机记录膜6包括锗氧化物制成的氧化物膜3和与氧化物膜3相邻的金属膜2，所以当激光束照射无机记录膜6时，由于所述金属膜2的光催化作用，所述氧化物膜3的氧分离出来，使得更多氧去到金属膜2—侧。这将所述氧化物膜3分离为富氧层和贫氧层，由此显著改变了氧化物膜3的光学常数。从而，可得到具有高调节度的再现信号，从而可实现良好的记录特性。另外，通过在含PSA的透光层5和ZnS-Si02制成的第一介电体膜4a之间设置Si02-Cr203-Zr02制成的第二介电体膜4b,可防止ZnS-Si02与PSA的邻接，由此抑制了PSA的退化。因而，在光斑中造成大的像差，使得再现信号的劣化能够得以抑制。而且，由于Si02-Cr203-Zr02a于第二介电体膜4b材料，在无机记录膜6由于激光束的照射引发体积膨胀的情况下，第二介电体膜4b中的开裂和邻接的第一介电体膜4a中的进一步开裂能够得以抑制。因而，可减轻水分对无机记录膜6的侵入，从而改善一次性写入型光记录介质10的耐久性。另外，由于介电体膜4由两层构成，所述两层包括Si02-Cr203-Zr02制成的第二介电体膜4b和賊射速度比Si02-Cr203-Zr02快的ZnS-Si02，所以与介电体膜4仅由Si02-Cr20rZr02构成的情况相比,可减小节拍时间(tacttime)。换言之，可提高生产率。另外，由于通过溅射由锗氧化物制成的靶形成氧化物膜3，所以在批量生产时可形成具有一定氧密度即一定吸收系数的氧化物膜3。另外，由于通过溅射由钛氮化物制成的靶形成金属膜2，所以不必进行将小流量氮气控制为恒量的困难作业。因而，批量生产时，金属膜2可稳定形成。P)第二实施方案图2为本发明第二实施方案的一次性写入型光记录介质的一种构形实例的截面示意图。一次性写入型光记录介质10具有下述构形无机记录膜6、介电体膜4和透光层5依次层压基板1。无机记录膜6具有下述构形金属膜2和氧化物膜3依次层压基板1。氧化物膜3以外的部分与上述第一实施方案相同，从而省略对氧化物膜3以外部分的说明。氧化物膜3包括第一氧化物膜3a和第二氧化物膜3b,其中第一氧化物膜3a设置在与金属膜2邻接的一侧，第二氧化物膜3b设置在与介电体膜4邻接的一侧。第一氧化物膜3a和第二氧化物膜3b由锗氧化物制成，第一氧化物膜3a和第二氧化物膜3b各自的氧组成不同。换言之，第一氧化物膜3a和第二氧化物膜3b各自的吸收系数不同。氧化物膜3的这种构形扩大了功率储备，从而提供具有优异记录特性的一次性写入型光记录介质。在这方面，当第一氧化物膜3a和第二氧化物膜3b的吸收系数分别为k,和k2时，优选所述吸收系数k,、k2满足0.15^k,、k2^0.90,更优选0.20^k,、k2￡0.70,并且进一步优选0.25^k,、k2$0.60。通过满足关系式0.15^k,、k2^).90，例如，可得到良好的调节度和C/N比。通过满足关系式0.20￡k!、k2^0.70,例如，可得到更好的调节度和C/N比。通过满足关系式0.25^k,、k2^).60，例如可得到更加好的调节度和C/N比。另外，吸收系数k,、k2满足k,>k2是优选的。通过满足这种关系，可扩大功率储备并实现具有优异记录特性的一次性写入型光记录介质10。以下是第一氧化物膜3a和第二氧化物膜3b的形成工艺的一个实例。(第一氧化物膜的形成工艺)例如，将设置有金属膜2的基板1送至其中设置有例如锗氧化物制成的靶的真空室，然后对所述真空室内部抽真空直到达到预定压力。此后，在将例如Ar气引入真空室的同时，对所述靶进行溅射，从而在金属膜2上形成由例如锗氧化物制成的第一氧化物膜3a。以下是在这种形成工艺下成膜条件的实例极限真空5.0xl(T5Pa气体氛围0.10.6Pa输入功率13kW(RF)气体类型Ar气Ar气流速1080sccm(第二氧化物膜的形成工艺)其次，例如，将基板1送至其中设置有例如锗氧化物制成的靶的真空室，然后对真空室内部抽真空直到达到预定压力。此后，在将例如Ar气引入真空室的同时，对靶进行溅射，从而在第一氧化物膜3a上形成由例如锗氧化物制成的第二氧化物3b。以下是在这种形成工艺下成膜条件的实例才及限真空5.0xl(T5Pa气体氛围0.1~0.6Pa输入功率13kW(RF)气体类型Ar气Ar气流速1080sccm如上所述，在第二实施方案中，由于氧化物膜3是由锗氧化物制成的第一氧化物膜3a和氧组成比异于第一氧化物膜3a的锗氧化物制成的第二氧化物膜3b形成的，所以第一氧化物膜3a和第二氧化物膜3b各自的吸收系数可以是不同的。由此使得能够扩大功率储备。(3)第三实施方案图3为本发明第三实施方案的一次性写入型光记录介质的一种构成实例的截面示意图。该一次性写入型光记录介质IO具有下述构形无机记录膜6、介电体膜4和透光层5依次层压基板1。所述无机记录膜6具有下述构形金属膜2和氧化物膜3依次层压基板1。金属膜2以外的部分与上述第一实施方案相同，从而省略对金属膜2以外部分的说明。金属膜2包括第一金属膜2a和第二金属膜2b,其中第一金属膜2a设置在基板1一侧，第二金属膜2b设置在氧化物膜3—侧。第一金属膜2a由例如Ti和Si制成。第二金属膜2b由例如Ti制成。此外，为了改进光学特性、耐久性、记录敏感度等，还可将添加剂加入到第一金属膜2a和/或第二金属膜2b中。对于所述添加剂，例如，可使用与上述第一实施方案中相同的一种。而且，形成第一金属膜2a和/或第二金属膜2b的材料可被氧化。通过氧化，可改善抖动。另外，形成第一金属膜2a和/或第二金属膜2b的材料可被氮化。通过氮化，可扩大功率储备。优选第一金属膜2a的膜厚在2nm或以上且10nm或以下的范围内。如果膜厚小于2nm，则通过设置第一金属膜2a所达到的效果降低，使得功率储备将几乎与金属膜2仅由第二金属膜2b单层构成的情况相同。另外，优选第一金属膜2a的Si组成在8原子％或以上且32原子％或以下的范围内。这是因为如果Si组成小于8原子％，则不能够得到良好的抖动值，如果Si组成大于32原子％,则不能够得到良好的记录敏感度。以下是第一金属膜2a和第二金属膜2b的形成工艺的一个实例。(第一金属膜的形成工艺)例如，将基板1送至其中设置有TiSi制成的靶的真空室，然后对真空室内部抽真空直到达到预定压力。此后，在将例如Ar气引入真空室的同时，对把进行溅射，从而在基4反1上形成由例如TiSi制成的第一金属膜2a。以下是在这种形成工艺下成膜条件的实例才及限真空5.0xl(T5Pa气体氛围0.1~0.6Pa输入功率13kW(DC)气体类型Ar气Ar气流速1040sccm(第二金属膜的形成工艺)接下来，例如，将基板1送至其中设置有Ti制成的靶的真空室，然后对真空室内部抽真空直到达到预定压力。此后，在将例如Ar气引入真空室的同时，对靶进行溅射，从而在基板1上形成由例如Ti制成的第二金属膜2b。以下是在这种形成工艺下成膜条件的实例极限真空5.0x10-5Pa气体氛围0.10.6Pa输入功率13kW(DC)气体类型Ar气Ar气流速1040sccm如上所述，在第三实施方案中，由于由TiSi制成的第一金属膜2a和由Ti制成的第二金属膜2b形成金属膜2，并且第二金属膜2b设置在氧化物膜3—侧，所以可扩大功率储备。(4)第四实施方案由于除第一金属膜2a和第二金属膜2b以外第四实施方案的一次性写入型光记录介质IO与上述第三实施方案相同，所以省略对第一金属膜2a和第二金属膜2b以外部分的说明。金属膜2包括由Al制成的第一金属膜2a和由TiSi制成的第二金属膜2b,设置所述第二金属膜2b，以使其与所述氧化物膜邻接。优选第一金属膜2a的膜厚在7nm或以下。另外，第一金属膜2a和/或第二金属膜2b还可包括添加剂，对于所述添加剂，例如，可使用与上述第一实施方案中相同的一种。而且，第一金属膜2a和/或第二金属膜2b可被氮化和/或氧化。以下是第一金属膜2a和第二金属膜2b的形成工艺的一个实例。(第一金属膜的形成工艺)例如，将基板1送至其中设置由Al制成的靶的真空室，然后对真空室内部抽真空直到达到预定压力。此后，在将处理气引入真空室的同时，对靶进行溅射，从而在基板1上形成第一金属膜2a。以下是在这种形成工艺下成膜条件的实例极限真空5.0xl(T5Pa气体氛围0.10.6Pa输入功率13kW(DC)气体类型Ar气Ar气流速1040sccm(第二金属膜的形成工艺)接下来，例如将基板1送至其中设置有TiSi制成的靶的真空室，然后对真空室内部抽真空直到达到预定压力。此后，在将处理气引入真空室的同时，对靶进行溅射，从而在基板1上形成第二金属膜2b。以下是在这种形成工艺下成膜条件的实例才及限真空5.0xl(y5Pa气体氛围0.1~0.6Pa输入功率13kW(DC)气体类型Ar气Ar气流速10~40sccm如上所述，在第四实施方案中，由于由Al制成的第一金属膜和由TiSi制成的第二金属膜2b形成金属膜2，并且所述第二金属膜2b设置在氧化物膜3一侧，所以可提高记录敏感度。("第五实施方案由于除第一金属膜2a和第二金属膜2b以外第五实施方案的一次性写入型光记录介质IO与上述第三实施方案相同，所以省略对除第一金属膜2a和第二金属膜2b以外部分的说明。第一金属膜2a和第二金属膜2b由TiSi制成。当第一金属膜2a和第二金属膜2b的组成分别为TiSix、TiSiy时，优选TiSix和TiSiy满足x<y。另外，第一金属膜2a和/或第二金属膜2b还可包括添加剂，对于所述添加剂，例如，可使用与上述第一实施方案中相同的一种。另外，第一金属膜2a和/或第二金属膜2b可被氮化和/或氧化。以下是第一金属膜2a和第二金属膜2b的形成工艺的一个实例。(第一金属膜的形成工艺)例如将基板1送至其中设置有TiSi制成的靶的真空室，然后对真空室内部抽真空直到达到预定压力。此后，在将处理气引入真空室的同时，对靶进行溅射，从而在基板1上形成第一金属膜2a。极卩艮真空5.0X10-5Pa气体氛围0.1~0.6Pa输入功率13kW(DC)气体类型Ar气Ar气流速1040sccm(第二金属膜的形成工艺)接下来，例如将基板1送至其中设置有TiSi制成的靶的真空室，然后对真空室内部抽真空直到达到预定压力。此后，在将处理气引入真空室的同时，对靶进行溅射，从而在基板1上形成第二金属膜2b。在第二金属膜2b的形成工艺中，所使用的靶的组成与第一金属膜2a形成工艺中所用的不同。另外，第二金属膜2b的形成工艺中所用靶的Si含量高于第一金属膜2a的形成工艺中所用靶的Si含量。例如，当第一金属膜2a和第二金属膜2b的靶组成分别为TiSix、TiSiy时，优选TiSix和TiSiy满足x<y。以下是在这种形成工艺中成膜条件的实例极限真空5.0x10—5Pa气体氛围0.1~0.6Pa输入功率13kW(DC)气体类型Ar气Ar气流速1040sccm如上所述，在第五实施方案中，由于金属膜2由TiSi制成的第一金属膜2a和組成与第一金属膜2b不同的TiSi制成的第二金属膜2b形成，并且将第一金属膜2a的Si含量调为小于第二金属膜的Si含量，所以可改善记录敏感度。由此保证了高功率一侧的宽储备，从而扩大OPC(最佳功率控制，通过驱动最佳化记录范围)。而且，便于支持高线速记录和具有两层或更多层的高容量多层介质。实施例接下来，将利用实施例更具体的描述本发明。然而，应当注意的是本发明不限于这些实施例。对比例1对比例1描述了存在耐久性问题的SiN用于第二介电体膜(保护膜)的情况。首先，通过注射成型法，形成了在主面上设置有槽内和槽上的基板。基板的厚度为l.lmm，道间距为0.32fim，槽深为20nm，并且为BD用基板。接下来，通过溅射法，金属膜、氧化物膜、第一介电体膜和第二介电体膜依次层压在基板上。对于层压，使用UnaxisSprinter(注册商标)。以下是各个膜的材料和膜厚金属膜材料Ti75Si25，膜厚22nm氧化物膜材料Ge5。05。，膜厚25nm第一介电体膜材料ZnS-Si02,膜厚55nm第二介电体膜材料Si3N4,膜厚4nm以下是各个膜的成膜条件金属膜气体类型Ar、N，气体流速30sccm(Ar)、5sccm(N)，输入功率3kW(DC)氧化物膜气体类型Ar,气体流速30sccm,输入功率2kW(RF)第一介电体膜气体类型Ar,气体流速6sccm,输入功率4.5kW(RF)第二介电体膜气体类型Ar、N，气体流速50sccm、37sccm，输入功率4kW(DC)接下来，利用压敏粘合剂(PSA)将环形聚碳酸酯片粘结到基板1上，从而形成厚0.1mm的透光层，所述压敏粘合剂(PSA)预先已涂覆在所述片的主面上。透光层符合BD标准，并且透光层一侧为记录和再现光的照射面。通过所述工艺完成了目标一次性写入型光记录介质。接下来，对于上述所得的一次性写入型光记录介质，评价了(a)记录之后的SER(符号错误率(SymbolErrorRate))，(b)在恒温槽中进行加速试验之后的SER,(c)耐久性判定，(d)底抖动(bottomjitter),和(e)功率储备。(a)记录之后的SER通过使用BD用光盘测试仪(PulstecIndustrial,Co.,Ltd.ODU-1000),BD25GB，2x,在所述一次性写入型光记录介质上记录和再现信息信号，并测定SER。结果，记录之后的SER非常好且为约2x10-5。(b)在恒温槽中进行加速试验之后的SER将所述一次性写入型光记录介质置于温度为80°C、湿度为85%的恒温槽中200h并进行加速试验，然后将温度降至室温，之后再现在(a)记录之后的SER的情况下测定过的相同区域来测定SER。结果，如图4所示，产生一些具有错误严重的区域。(c)耐久性判定利用SEM(扫描电子显微镜)等分析高出错的区域，发现存在一些Ge聚集的部分，从而造成高出错区域。这是在水浸入GeO制成的氧化物膜的情况下所引发的现象，并发现这是因为第二介电体膜在记录之后没有起到充分保护的作用。(c)底抖动通过LimitEqualizer(Pulstec)，矛J用TimeIntervalAnalyzer(YokogawaElectricCorporation,TA720)测定抖动，并且最小抖动值为底抖动。(d)功率储备通过LimitEqualizer(Pulstec)，利用TimeIntervalAnalyzer(YokogawaElectricCorporation,TA720)测定抖动，用抖动测量值为8.5%或以下的功率范围除以具有最小抖动的功率所计算的值为功率储备。实施例1接下来，除使用(SiO2;h5(Cr2O3)70(ZrO2)15作为第二介电体膜以外，采用与对比例1相同的条件，得到一次性写入型光记录介质。然后，与对比例1相同，对(a)(e)进行评价。初始记录特性几乎与对比例1相同或者优于对比例1。换言之，反射率、记录每l感度和底^f动几乎与对比例1中的相同，实施例1具有稍稍优于对比例1的记录功率储备，并且还改善了记录特性。另外，根据加速试验的结果，如图5所示，几乎完全改善了SER的劣化。如上所述，作为第二介电体膜的材冲+,就初始记录特性而言，Si3N4和(Si02)15(Cr203)7()(Zr02)15都是良好的，但就耐久性而言，(Si02)15(Cr203)7Q(Zr02)15具有更好的结果。这是因为第二介电体膜的内应力可能具有影响。换言之，SiN膜是内应力高且易于开裂的材料，并且与ZnS-Si02膜具有良好的粘附性，使得即使SiN膜的厚度仅为4nm,在其造成开裂的同时ZnS-Si02膜也造成开裂，从而可能造成耐久性下降。实施例2~8如表1所示，除Si02-Cr203-Zr02用于第二介电体膜并将0"203组成调整到40原子％或以上且90原子％或以下的范围内以外，采用与对比例1相同的条件得到一次性写入型光记录介质。然后，与对比例l相同，对(a)(e)进行了评价。只十比例2~5如表1所示，除Si02-Cr203-Zr02用于第二介电体膜并将0203组成调整到40原子％或以上且90原子％或以下的范围之外，采用与对比例l相同的条件得到一次性写入型光记录介质。然后，与对比例l相同，对(a)(e)进行评价。对比例6~9除表1所示的材料用于第二介电体膜以外，采用与对比例1相同的条件得到一次性写入型光记录介质。然后，与对比例l相同，对(a)(e)进行评价。对比例10如表1所示，除略去第二介电体膜的形成以外，采用与对比例1相同的条件得到一次性写入型光记录介质。然后，与对比例l相同，对(a)(e)进行评价。表1显示了在实施例18和对比例1~10中测得的(a)记录后的SER,(b)在恒温槽中进行加速试验之后的SER,(c)耐久性判定，(d)底抖动，和(e)功率储备的评价结果。在此，SER为从内周到外周测量符号错误率时的所有数据的平均值。以两个级别表示综合判定"〇"为良好，"x，，为低于实用标准。以下为判定标准。〇没有SER上升或Ge聚集，且抖动和功率储备良好x:存在SER上升或Ge聚集或抖动或功率储备劣化。<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>表l显示二尽管第二介电体膜的膜厚仅为4nm并且所述膜不直接接触金属膜和氧化物膜，但记录特性(抖动和功率储备)受到了影响，并且耐久性明显受到该材料的影响。这可能是因为第二介电体膜的机械特性如硬度与结果有关。由于记录之后记录膜的膜厚显著改变，所以特别是高功率一侧的记录特性受到了影响。另外，包含Cr203和Zr02的第二介电体膜显示出良好的特性，特别是当0203组成为40原子％或以上且卯原子°/。或以下时耐久性的改善效果良好。这是使用这种具有大体积膨胀的记录膜的情况时的固有特性，并且显示出作为保护膜获得良好特性的范围。尽管对本发明的实施方案和实施例进行了具体描述，但本发明不限于上述实施方案和实施例，在本发明所附权利要求的构思和范围内，可进行各种改进。例如，上述实施方案和实施例中描述的数值仅为实例，因而根据需要可使用不同的值。另外，在不脱离本发明范围的情况下，上述实施方案和实施例中的各构形可相互组合。而且，在上述实施方案和实施例中，对本发明应用于具有无机材料制成的无机记录膜6的一次性写入型光记录介质10的情况进行了说明，但也可应用于具有有机染料制成的记录膜的一次性写入型光记录介质。另外，在上述实施方案和实施例中，对氧化物膜3由单层或双层氧化物膜形成的情况进行了说明，但氧化物膜3也可由三层或更多层的多层形成。另外，在上述实施方案和实施例中，对金属膜2由单层或双层金属膜形成的情况进行了说明，但金属膜2也可由三层或更多层的多层形成。另外，在上述实施方案和实施例中，对金属膜2由Ti制成的情况进行了说明，但应当认为使用由除Ti以外实现光催化效果的其它金属材料制成的金属膜2也可实现与上述实施方案和实施例相同的能够记录信息信号的一次性写入型光记录介质。权利要求1.一种信息记录介质，其包括基板；设置在基板上的记录膜；和设置在基板上的介电体膜，其中所述记录膜由通过光能照射引发体积膨胀的记录材料制成，并且所述介电体膜由ZrO2和Cr2O3制成。2.根据权利要求1的信息记录介质，所述介电体膜包含40原子％或以上且90原子％或以下的Cr203。3.根据权利要求1的信息记录介质，其中所述介电体膜还包含Si02。4.根据权利要求1的信息记录介质，其中所述记录膜包括锗氧化物制成的氧化物膜。5.根据权利要求4的信息记录介质，其中所述记录膜还包括与所述氧化物膜邻接的邻接膜，并且所述邻接膜由钛(Ti)制成。6.根据权利要求4的信息记录介质，其中所述记录膜还包括与所述氧化物膜邻接的邻接膜，并且所述邻接膜由TiSi制成。7.根据权利要求1的信息记录介质，其中所述介电体膜的膜厚为2nm或以上且20nm或以下。8.根据权利要求1的信息记录介质，其中由ZnS-Si02制成的介电体膜设置在所述记录膜以及由Zr02和Cr203制成的所述介电体膜之间。9.一种制造信息记录介质的方法，所述信息记录介质具有基板、设置在基板上的记录膜和设置在基板上的介电体膜，所述方法包括以下步骤由通过光能照射引发体积膨胀的记录材料形成所述记录膜；以及形成由Zr02和0"203制成的所述介电体膜。全文摘要即使显示出大体积膨胀的记录材料用作信息记录介质的记录膜，也可保证高的耐久性。信息记录介质(10)在基板(1)上具有记录膜(6)和介电体膜(4)。所述记录膜(6)由用光能照射时显示出体积膨胀的记录材料组成。所述介电体膜(4)由ZrO<sub>2</sub>和Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>组成。即使所述记录材料显示出由光能照射引发的体积膨胀，也仍可防止介电体膜(4)开裂并防止水分进入记录膜(6)。文档编号G11B7/24GK101322191SQ200780000480公开日2008年12月10日申请日期2007年1月11日优先权日2006年1月30日发明者佐飞裕一,池田悦郎申请人:索尼株式会社