磁记录介质的制造方法
【专利摘要】一种磁记录介质的制造方法，其目的在于降低润滑层的摩擦系数、且提高由润滑层对保护层表面的覆盖率。在一种在被积层体上按顺序形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法中，所述润滑层的形成是，使形成了所述保护层后的所述被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在所述被积层体上涂布第一润滑剂，之后，使用溶解于有机溶剂的第二润滑剂在所述被积层体上涂布润滑剂，所述第一润滑剂中包含的化合物的分子量比所述第二润滑剂中包含的化合物的分子量高，所述第一润滑剂中包含的化合物的极性比所述第二润滑剂中包含的化合物的极性低。
【专利说明】磁记录介质的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种磁记录介质的制造方法。
【背景技术】
[0002]近些年，磁存储装置被搭载在个人计算机、动画记录器、数据服务器等各种产品中，其重要性正在提高。磁存储装置是具有利用磁记录来保存电子数据的磁记录介质的装置，例如包括磁盘装置、可挠性盘片装置、磁带装置等。磁盘装置例如包括硬盘(HDD:HardDisk Drive)等。
[0003]一般的磁记录介质具有多层膜积层构造，该多层膜积层构造例如在非磁性基板上依次形成衬底层、中间层、磁记录层及保护层，并在保护层的表面涂布了润滑层。为了防止在形成磁记录介质的各层之间混入不纯物等，在磁记录介质的制造中，使用在减压下可连续积层各层的串联式(in-line type)真空成膜装置(例如专利文献I)。
[0004]在串联式真空成膜装置中，具备可在基板上进行成膜(形成膜)的成膜单元的多个成膜用腔室与进行加热处理的腔室或预备腔室等一起通过闸门阀被连接，形成一条成膜线。将基板安装在托架上并使其在通过成膜线期间，在基板上形成预定的层，制造期望的磁记录介质。
[0005]一般来说，成膜线被配置成环状，在成膜线上具备将基板安装在托架上或将基板从托架上卸下的基板拆装腔室。在成膜腔室间循环一周的托架被供应至基板拆装腔室，成膜后的基板从托架上被拆下，在卸下成膜后的基板的托架上新安装基板。
[0006]另夕卜，作为在磁记录介质的表面形成润滑层的方法，提出了气相润滑(Vapor-Phase Lubricat1n)成膜方法,该气相润滑成膜方法在真空容器内配置磁记录介质，并向真空容器内导入通过加热而气化了的润滑剂(例如专利文献2)。
[0007]当用串联式真空成膜装置来制造如上所述的具有多层膜积层构造的磁记录介质时，例如在磁记录层的形成中使用利用溅射法所形成的真空成膜装置，在保护层的形成中使用利用离子束法所形成的真空成膜装置，在润滑层的形成中使用利用气相润滑成膜法所形成的真空成膜装置。由此，可使被积层体不与大气接触地来进行从磁记录层到润滑层的形成工序(或成膜步骤)。
[0008]另外，提出了一种磁记录介质，其形成两层润滑层，在保护层侧具备化学上稳定且具有与保护层之间适当的紧贴性的固定层(或结合层)，并在表面侧具备主要由低摩擦系数的材料构成的流动层(或自由层)(例如专利文献3)。
[0009]<现有技术文献>
[0010]〈专利文献〉
[0011]专利文献1:(日本)特开平8-274142号公报
[0012]专利文献2:(日本)特开2004-002971号公报
[0013]专利文献3:(日本)特开2006_147012号公报
【发明内容】
[0014]<本发明所要解决的技术问题>
[0015]如果考虑磁记录介质与磁头的接触，则优选润滑层的摩擦系数低者。另一方面，若考虑磁记录介质的耐腐蚀性，则优选由润滑层覆盖保护层表面的覆盖率高者。
[0016]因此，本发明的目的在于提供一种磁记录介质的制造方法，其可降低润滑层的摩擦系数、且可提高由润滑层覆盖保护层表面的覆盖率。〈用于解决技术问题的方案>
[0017]根据本发明的一个方案，提供一种在被积层体上按顺序形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述润滑层的形成是，使形成了所述保护层后的所述被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在所述被积层体上涂布第一润滑齐?，之后，使用在有机溶剂溶解的第二润滑剂在所述被积层体上涂布润滑剂，所述第一润滑剂中包含的化合物的分子量比所述第二润滑剂中包含的化合物的分子量高，所述第一润滑剂中包含的化合物的极性比所述第二润滑剂中包含的化合物的极性低。
[0018]〈发明的效果〉
[0019]根据公开的磁记录介质的制造方法，可降低润滑层的摩擦系数，且可提高由润滑层覆盖保护层表面的覆盖率。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]图1是表示本发明的一个实施方式中的磁记录介质的制造装置的一个例子的示意图。
[0021]图2是表示用图1的制造装置所制造的磁记录介质的一个例子的剖视图。
[0022]图3是表示具备在本实施方式中所制造的磁记录介质的磁存储装置的构成的一个例子的立体图。
【具体实施方式】
[0023]以下参照附图对本发明的各实施方式中的磁记录介质的制造方法及装置进行说明。
[0024]根据本发明人的研究可知:如果使被积层体不与大气接触而连续地进行磁记录介质的从磁记录层到润滑层的形成工序，则根据润滑剂的种类可将在润滑层中包含的粘合层的比例(或粘合率)提高至接近100%。但是，根据本发明人的研究，对于润滑层的粘合率，100%也并非是最佳值。从降低磁记录介质与磁头接触时的摩擦系数的观点来看，优选润滑层包含适度的自由层。另一方面，如果从提高磁记录介质的耐腐蚀性的观点来看，优选提高由润滑层覆盖保护层表面的覆盖率。
[0025]因此，如以下所说明的，本发明人发现了一种磁记录介质的制造方法，其通过在适当的范围内提高润滑层的对保护层的表面的粘合率从而在润滑层中包含适当的自由层，并提高由润滑层覆盖的保护层表面的覆盖率。
[0026]对于磁记录介质的润滑层，在保护层侧需要与保护层坚固结合(也即粘合率(bonded rat1)高)化学上稳定的粘合层,在表面侧需要主要由低摩擦系数的材料形成的自由层。在此，如果使用气相润滑成膜方法，则可容易形成该粘合层，但难以提高保护层表面的由润滑剂覆盖的覆盖率、且难以使润滑层含有适度的自由层。换言之，对于具有这样特性的磁记录介质的润滑层，其由特殊的润滑剂及其他的润滑剂的混合物形成的情况较多，但若要用气相润滑成膜方法来涂布这样的润滑剂，则存在由于加热使得包含在润滑剂中的化合物的一部分会分解或热聚合而变质成别的化合物、或者只是分子量低的低沸点的化合物会先蒸发而被涂布的问题。
[0027]对此，在磁记录介质的制造方法的一个实施方式中，由于在用气相润滑成膜方法在被积层体上涂布第一润滑剂之后，使用溶解于有机溶剂的第二润滑剂来涂布润滑剂，因此与包含于润滑层中的保护层的结合力低的化合物被有机溶剂冲洗，能够使润滑层确实地包含第二润滑剂。由此，能够形成适度包含结合层和自由层的润滑层。
[0028]另外，在磁记录介质的制造方法的一个实施方式中，也可以将在被积层体上涂布第二润滑剂的步骤设置成，将涂布在被积层体上的第一润滑剂的一部分或全部置换为第二润滑剂的步骤。如上所述，作为用气相润滑成膜方法涂布的物质，适用分子量低、且分子量范围窄的物质，但这样性质的物质与适用于磁记录介质的润滑层的化合物并不一定一致。换言之，对于磁记录介质的润滑层，除了粘合率以外，还寻求由润滑层覆盖保护层表面的高覆盖率。
[0029]另外，包含极性低的化合物的润滑剂适于气相润滑成膜。因此，本发明人发现，作为形成结合层的润滑剂，即使包含于润滑剂中的化合物的分子量较高也可得到一定程度的覆盖率及一定值以上的粘合率，因此优选化合物的极性较低。另外，本发明人发现，作为形成自由层的润滑剂，即使包含于润滑剂中的化合物的分子量较低也可得到一定值以下的摩擦系数、抑制磁头上的润滑剂拾取、且得到一定值以上的覆盖率，因此优选化合物的极性较高。另一方面，发现为了发挥润滑层的润滑性，优选设置例如膜厚为2埃(A)?3農左右的自由层，如果润滑层的总膜厚为例如10A，则优选粘合层的膜厚为总膜厚的大约80%?大约70%的8 A?7 A左右。
[0030]因此，对于凃布于被积层体的第一润滑剂，使用对于保护层表面的粘合率为一定值以上、且可形成适度的结合层的极性低的化合物，对于置换第一润滑剂的一部分或全部的第二润滑剂，使用对于保护层的表面的覆盖率为一定值以上、且可形成摩擦系数为一定值以下的自由层的极性高的化合物。由此，可形成实现了包含适度的自由层、高粘合率、高覆盖率、低摩擦系数的润滑层。
[0031]将第一润滑剂的一部分或全部置换为第二润滑剂的步骤可通过在向被积层体涂布第一润滑剂的涂布步骤之后，涂布溶解于有机溶剂的第二润滑剂来实现，作为所述步骤的具体涂布方法，可举出浸溃法(dip method)或旋涂法(spin coat method)等。当在由包含极性低的化合物的第一润滑剂所形成的第一润滑层上形成了由包含极性高的化合物的第二润滑剂所形成的第二润滑层时，包含极性低的化合物的第一润滑剂的一部分或全部被包含极性高的化合物的第二润滑剂置换。
[0032]当使用浸溃法时，例如可使用如下方法，通过在浸溃涂布装置的浸溃槽中所加入的润滑层形成用溶液中，浸溃形成有至保护层为止的各层的被积层体，之后，以预定的速度从浸溃槽捞起被积层体，从而将润滑层形成用溶液涂布在被积层体的保护层上的表面上。
[0033]当使用旋涂法时，例如可使用如下方法，由喷嘴向被积层体表面吹喷润滑层形成用溶液，之后，使被积层体高速旋转而甩掉多余的溶液，在保护层上的表面上涂布润滑剂。
[0034]作为用于润滑剂层形成用溶液的有机溶剂，例如可举出Vertrel XF(商品名，三井杜邦氟化学公司制)等氟类溶剂等，通过改变溶剂与第二润滑剂的混合比例，从而能够改变第一润滑剂的向第二润滑剂的置换率。具体来说，当提高包含于润滑剂层形成用溶液中的第二润滑剂的混合比例时，能够提高第一润滑剂的向第二润滑剂的置换率。
[0035]另外，根据用于润滑剂层形成用溶液的有机溶剂的种类，也能够改变第一润滑剂的向第二润滑剂的置换率。具体来说，当相对于第二润滑剂，提高针对有机溶剂的第一润滑剂的溶解力时，能够提高第一润滑剂的向第二润滑剂的置换率。
[0036]在磁记录介质的制造方法的一个实施方式中，第一润滑剂中包含的化合物的分子量比第二润滑剂中包含的化合物的分子量高，第一润滑剂中包含的化合物的极性比第二润滑剂中包含的化合物的极性低。
[0037]在磁记录介质的制造方法的一个实施方式中，作为第一润滑剂，优选包含分子量在1500~5000范围内的二元醇(d1l)。通过使用分子量较高、极性较低的二元醇，可得到一定程度的覆盖率及一定值以上的粘合率、并且可抑制润滑剂拾取。需要说明的是，所谓的二元醇是2个羟基与2个不同的碳结合的脂肪族或脂环化合物的总称，例如，可例举下述化合物。当第一润滑剂中所包含的化合物是二元醇时，二元醇的极性可由羟基的量而调整。
[0038][化I]
[0039]
【权利要求】
1.一种在被积层体上按顺序形成磁记录层、保护层、润滑层的磁记录介质的制造方法，其特征在于， 所述润滑层的形成是，使形成了所述保护层后的所述被积层体不与大气接触而利用气相润滑成膜方法在所述被积层体上涂布第一润滑剂，之后，使用溶解于有机溶剂的第二润滑剂在所述被积层体上涂布润滑剂， 所述第一润滑剂中包含的化合物的分子量比所述第二润滑剂中包含的化合物的分子量高， 所述第一润滑剂中包含的化合物的极性比所述第二润滑剂中包含的化合物的极性低。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中，在所述被积层体上涂布所述第二润滑剂的步骤是将涂布在所述被积层体上的所述第一润滑剂的一部分或全部置换为所述第二润滑剂的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述第一润滑剂包含分子量在1500?5000范围内的二元醇。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述第二润滑剂包含分子量在500?2000范围内的四元醇。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述第二润滑剂包含多个化合物。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的磁记录介质的制造方法，其中，将所述保护层与所述润滑层的粘合率设为60%?99%的范围内。
【文档编号】G11B5/84GK104078057SQ201410112268
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2014年3月25日 优先权日:2013年3月27日
【发明者】冈部健彦, 藤克昭 申请人:昭和电工株式会社