非易失性半导体存储装置及存储器系统的制作方法

文档序号:11098090阅读:来源:国知局
技术总结
本发明的实施方式提供一种能提高处理能力的非易失性半导体存储装置及存储器系统。实施方式的存储器系统(1)包括第1非易失性半导体存储装置(10)与控制器(100)。第1非易失性半导体存储装置(10)包含:第1电路(60),连接于接收第2信号REn的第1端子;及第2电路(52),根据第1信号ODTEN而控制第1电路(60)。第2电路(52)在当切换第1信号ODTEN的逻辑电平时第2信号REn为第1逻辑(“H”)电平的情况下,将第1及第2开关元件(61)及(62)断开,且在第2信号REn为第2逻辑(“L”)电平的情况下,将第1及第2开关元件(61)及(62)接通。

技术研发人员:平嶋康伯;小柳胜
受保护的技术使用者:株式会社东芝
文档号码:201610140470
技术研发日:2016.03.11
技术公布日:2017.05.10

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