半导体器件的制作方法

技术特征：

1.一种半导体器件，其特征在于，具有向由驱动信号驱动的布线的远端部分供给升压电压的供给电路，

所述供给电路具有：

反相器电路，该反相器电路的输入与所述布线的远端部分耦合；以及

开关元件，其由所述反相器电路的输出信号控制，

所述开关元件将所述升压电压连接于所述布线的远端部分。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

还包括升压电路，该升压电路包括电容元件，

所述升压电压是使用所述电容元件生成的。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

该半导体器件还具有多个存储器单元和字线驱动器，

所述布线为与所述多个存储器单元连接的字线，

所述字线具有近端部分和所述远端部分，

所述字线驱动器与所述字线的所述近端部分连接。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

该半导体器件具有多个互补数据线对、共用数据线、设置在多个互补数据线对与共用数据线之间的多个选择开关、和列选择线驱动器，

所述布线为连接有所述多个选择开关的列选择线，

所述列选择线具有近端部分和所述远端部分，

所述列选择线驱动器与所述列选择线的所述近端部分连接。

5.一种半导体器件，其特征在于，包括：

多个字线驱动器；

分别与所述多个字线驱动器耦合的多个字线；

分别与所述多个字线耦合的多个存储器单元；

分别与所述多个字线耦合且供给第一升压电压的多个第一供给电路；以及

生成所述第一升压电压的第一升压电路，

所述多个字线分别配置在所述多个字线驱动器中的对应的字线驱动器与所述多个第一供给电路中的对应的第一供给电路之间，

所述多个第一供给电路分别具有：

反相器电路，该反相器电路的输入与对应的字线耦合；以及

开关元件，其由所述反相器电路的输出信号控制，

所述开关元件将所述第一升压电压供给至对应的所述字线。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

包括第一布线，该第一布线与所述多个第一供给电路耦合，向该第一布线供给所述第一升压电压，

所述第一升压电路包括第一电容元件，

所述第一电容元件具有：

第一端子，其与所述第一布线耦合，并且与第一电源电压选择性地连接；以及

第二端子，其与所述第一电源电压或者比所述第一电源电压低的第二电源电压选择性地连接，

所述第一电容元件通过所述第一端子与所述第一电源电压连接、且所述第二端子与所述第二电源电压连接而被充电，

在所述第一端子没有与所述第一电源电压连接的状态下，通过使所述第二端子与所述第一电源电压连接，来生成所述第一升压电压。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一升压电路还具有耦合于所述第一布线与所述第二电源电压之间的第二电容元件。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述字线驱动器耦合于所述第一电源电压与所述第二电源电压之间。

9.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述存储器单元为静态型存储器单元。

10.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

具有：

多个互补位线对，其与所述多个存储器单元耦合；

共用位线对；

列选择开关，其用于选择性地连接所述多个互补位线对和所述共用位线对；

列选择线，其与所述列选择开关耦合；

列线驱动器，其驱动所述列选择线；

第二供给电路，其与所述列选择线耦合；以及

第二升压电路，其生成第二升压电压，

所述列选择线设置在所述列线驱动器与所述第二供给电路之间，

所述第二供给电路具有：

反相器电路，该反相器电路的输入与所述列选择线耦合；以及

开关元件，其由所述反相器电路的输出信号控制，

所述开关元件将由所述第二升压电路生成的所述第二升压电压供给至所述列选择线。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

包括第二布线，该第二布线与所述第二供给电路耦合，向该第二布线供给所述第二升压电压，

所述第二升压电路包括第三电容元件，

所述第三电容元件具有：

第一端子，其与所述第二布线耦合，并且与所述第一电源电压选择性地连接；以及

第二端子，其与所述第一电源电压或者所述第二电源电压选择性地连接，

所述第三电容元件通过所述第一端子与所述第一电源电压连接、且所述第二端子与所述第二电源电压连接而被充电，

在所述第一端子没有与所述第一电源电压连接的状态下，通过所述第二端子与所述第一电源电压连接，来生成所述第二升压电压。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二升压电路还具有耦合于所述第二布线与所述第二电源电压之间的第四电容元件。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，

所述列线驱动器耦合于所述第一电源电压与所述第二电源电压之间。

14.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

所述多个存储器单元各自具有双端口存储器单元，该双端口存储器单元具有第一端口和第二端口，

所述多个字线各自包括第一端口用字线和第二端口用字线，

所述多个第一供给电路包括：

第一端口用供给电路，其与所述第一端口用字线连接；以及

第二端口用供给电路，其与所述第二端口用字线连接，

所述第一升压电路包括：

第一端口用升压电路，其与所述第一端口用供给电路耦合；以及

第二端口用升压电路，其与所述第二端口用供给电路耦合。

15.一种半导体器件，其特征在于，

具有呈四边形外形的存储装置，所述四边形由第一边、与所述第一边相对的第二边、设置在所述第一边与所述第二边之间的第三边和与所述第三边相对的第四边形成，

所述存储装置具有：

以沿着所述第一边的方式配置的行选择驱动电路以及控制电路；

以沿着所述第二边的方式配置的升压电位供给电路阵列、升压电位节点布线以及升压电路；

配置在所述行选择驱动电路与所述升压电位供给电路阵列之间并且包括存储器单元的存储器阵列；以及

配置在所述存储器阵列与所述第四边之间的列选择电路以及输入输出控制电路，

所述列选择电路配置在所述存储器阵列与所述输入输出控制电路之间，

所述升压电路配置在所述输入输出控制电路与所述第二边之间，

所述升压电位节点布线配置在所述升压电位供给电路阵列与所述第二边之间，

所述行选择驱动电路包括字线驱动器，

所述存储器阵列具有与所述字线驱动器连接的字线，

所述升压电位供给电路阵列具有：

反相器电路，该反相器电路的输入与所述字线耦合；以及

MOS开关元件，其由所述反相器电路的输出信号控制，

所述升压电路包括用于生成升压电压的第一电容元件，

所述MOS开关元件将经由所述升压电位节点布线供给来的所述升压电压供给至所述字线。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一电容元件具有：第一端子，其与所述升压电位节点布线耦合，并且，与第一电源电压选择性地连接；以及第二端子，其与所述第一电源电压或者比所述第一电源电压低的第二电源电压选择性地连接，

所述第一电容元件通过所述第一端子与所述第一电源电压连接、且所述第二端子与所述第二电源电压连接而被充电，在所述第一端子没有与所述第一电源电压连接的状态下，通过所述第二端子与所述第一电源电压连接，来生成所述升压电压。

17.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，

所述升压电路还具有耦合于所述升压电位节点布线与所述第二电源电压之间的第二电容元件。

18.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，

所述字线驱动器耦合于所述第一电源电压与所述第二电源电压之间。

19.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，

所述存储器单元为静态型存储器单元。