技术特征：
技术总结
本发明公开了一种静态随机存取存储器(SRAM)，包括由6个传输MOS组成的写单元和2个传输MOS组成的读单元，述读单元由串联的第一PMOS P1和第二PMOS P2组成。所述读单元的第一PMOS P1第一端作为该读单元的第一端，第一PMOS P1的第二端作为该读单元的第二端，第一PMOS P1的第三端连接第二PMOS P2的第一端，第二PMOS P2的第二端作为该读单元的第三端连接写单元，第二PMOS P2的第三端作为该读单元的第四端连接地。本发明能避免由于RPBL(读单元的位线)漏电流过大造成的讯号读取错误判断。
技术研发人员：陈品翰
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.03.29
技术公布日：2018.08.21