一种非易失性存储器的修复方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及非易失性存储器技术领域，具体涉及一种非易失性存储器的修复方法。
【背景技术】
[0002]非易失性存储器，又称为非挥发性存储器，简单地说，就是在断电情况下能够保持所存储的数据的存储器。对于非易失性存储器，在正常的存储单元中，编程单元存储的数据为0，擦除单元存储的数据为I。然而编程单元因自身的内部缺陷或者宇宙射线等因素影响会造成浮栅漏电，相应存储单元中的电子会不断跑掉，阈值电压会逐渐降低，随着时间的推移，编程单元中的数据由O变为1，再进行读操作时，读出的数据就是错误的，从而降低了非易失性存储器的数据保持力。
[0003]数据保持力是指存储单元中单个比特能够保持其数据稳定的周期，它是非易失性存储器非常重要的一个性能指标，它的性能直接影响到存储器的可靠性和使用寿命。导致数据保持力降低的主要因素有存在的漏电、电荷的损失或者增加；此外，高温或者反复的擦除编程操作，也可能会导致电荷量的变化，从而造成数据的丢失。通常数据保持时间会伴随擦除和编程操作次数的增加而减少。非易失性存储器的数据保持特性，一般要求是在10年以上。因此，改善数据保持力，对于提高存储器的可靠性十分重要。
[0004]现有技术中，提高非易失性存储器的数据保持力的方法基本上是在非易失性存储器进行擦除操作过程中加入修复操作，但是如果长时间不做擦除操作，随着时间的累积，造成的直接结果将存储单元中编程单元的数据丢失，从而使非易失性存储器的数据保持力降低。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明提供一种非易失性存储器的修复方法，来解决非易失性存储器的数据保持力降低的技术问题。
[0006]本发明提供了一种非易失性存储器的修复方法，包括:
[0007]完成对所述非易失性存储器的上电；
[0008]判断所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求，如果没有所述擦除或编程操作的请求，则对所述非易失性存储器的修复单元进行修复校验同时监测所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求；
[0009]如果没有所述擦除或编程操作的请求并且所述修复单元没有通过所述修复校验，则对所述修复单元进行修复操作同时监测所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求；
[0010]如果没有所述擦除或编程操作的请求并且所述修复单元通过所述修复校验或如果没有所述擦除或编程操作的请求并且完成所述修复操作，则判断所述修复单元对应的修复地址是否是所述非易失性存储器的最后一个修复地址；
[0011]如果是所述最后一个修复地址，则结束对所述非易失性存储器的修复操作，否则递增所述修复单元对应的修复地址并且返回到对所述非易失性存储器的修复单元进行修复校验同时监测所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求。
[0012]进一步地，在判断所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求之后，还包括:
[0013]如果有所述擦除或编程操作的请求，则处理所述擦除或编程操作的请求并且返回到判断所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求。
[0014]进一步地，在对所述非易失性存储器的修复单元进行修复校验并同时监测所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求之后和在对所述修复单元进行修复操作同时监测所述非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求之后，均还包括:
[0015]如果所述非易失性存储器有擦除或编程操作的请求，则暂停所述修复校验并记录所述非易失性存储器的当前的修复地址；
[0016]记录完所述当前的修复地址后，处理所述擦除或编程操作的请求。
[0017]进一步地，对所述修复单元进行修复校验的方式为将所述修复单元的阈值电压与所述修复校验的基准电压进行比较。
[0018]进一步地，所述修复校验的基准电压包括读电压和校验电压，其中，所述读电压小于所述校验电压。
[0019]进一步地，在进行所述修复校验时，先进行所述读电压的修复校验，再进行所述校验电压的修复校验。
[0020]进一步地，当所述修复单元的阈值电压大于读电压且小于校验电压时，所述修复单元没有通过所述修复校验。
[0021]进一步地，当所述修复单元的阈值电压大于读电压且大于校验电压时，所述修复单元通过所述修复校验。
[0022]进一步地，当所述修复单元的阈值电压小于校验电压且小于读电压时，所述修复单元通过所述修复校验。
[0023]本发明实施例提出的非易失性存储器的修复方法，通过在非易失性存储器上电完成后，判断非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求，如果非易失性存储器没有擦除或编程操作的请求，则对非易失性存储器进行修复操作，并通过修复地址递增使得修复操作逐步覆盖整个非易失性存储器的存储空间，能够实现对整个非易失性存储器的修复，从而提高非易失性存储器的数据保持力。
【附图说明】
[0024]图1是根据本发明实施例的非易失性存储器的修复方法的流程图；
[0025]图2是根据本发明实施例的非易失性存储器的存储单元的阈值电压与存储单元的个数的曲线图。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
[0027]在图1-图2中示出了本发明的实施例。
[0028]图1是根据本发明实施例的非易失性存储器的修复方法的流程图。如图1所示，所述非易失性存储器的修复方法包括如下步骤:
[0029]步骤101、完成对非易失性存储器的上电。
[0030]首先，对非易失性存储器所在的芯片系统进行上电，经过一段时间后，完成上电，可以对非易失性存储器能够进行擦除、编程或修复等操作。
[0031]步骤102、判断非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求。
[0032]对非易失性存储器上电完成，首先芯片系统会自动判断非易失性存储器是否有擦除或编程操作的请求。如果非易失性存储器没有擦除或编程操作的请求，则执行步骤103，即对非易失性存储器的修复单元进行修复校验同时监测是否有擦除或编程操作的请求；如果非易失性存储器有擦除或编程操作的请求，则执行步骤108，即处理非易失性存储器的擦除或编程操作的请求。
[0033]步骤103、对非易失性存储器的修复单元进行修复校验同时监测是否有擦除或编程操作的请求。
[0034]所述修复单元是指进行一次修复操作所对应的非易失性存储器的存储空间的大小，例如，修复单元可以是非易失性存储器的一个BLOCK或多个BLOCK，也可以是非易失性存储器的一个BANK或多个BANK等，并且修复单元可以由操作人员根据情况进行设定。
[0035]所述修复校验是用来判断所述非易失性存储器的修复单元是否需要进行修复操作。如果没有通过所述修复校验，则表明需要进行修复操作；如果通过所述修复校验，则表明不