输的抑制电压(3V)可以通过开关MN18被提供到第四局部位线LBL4。
[0104]如图11中所示，在未被选择的局部位线不浮置时，关于多条局部位线的适当偏置是可能的。此外，因为各种电平的选择电压被施加到向其传输选择电压的第一线GSELB〈n>，所以可以通过双向驱动存储器单元执行写入操作。
[0105]同时，可以如下概括参照图10和图11描述的本示例性实施例的操作。在第一开关单元320的与一条局部位线对应布置的一个开关对中，一个开关(例如，第一开关)可以用于传输选择电压，选择性地通过第一开关或第二开关将抑制电压提供到未被选择的局部位线。此外，在第二开关单元330中的与局部位线组对应布置的一个开关对中，一个开关(例如，第一开关)可以用于传输选择电压，另一个开关(例如，第二开关)可以用于传输抑制电压。
[0106]S卩，关于被选择的局部位线，可以通过利用专用路径来将选择电压提供到被选择的局部位线，其中，所述专用路径包括来自第二开关单元330的一个开关对中的用于传输选择电压的第一开关和第一开关单元320的第一开关。相反，关于未被选择的局部位线，可以根据第一开关单元320和第二开关单元330的连接状态通过不同路径来将抑制电压提供到未被选择的局部位线。
[0107]因此，关于被选择的局部位线LBL1，可以通过第二开关单元330的第一开关丽21和第一开关单元320的第一开关MNll来施加选择电压。
[0108]此外，关于未被选择的局部位线，可以通过第一开关单元320的第二开关丽14或丽18来施加抑制电压。
[0109]此外，关于未被选择的局部位线，因为第一开关单元320的开关对与连接到被选择的局部位线的一个开关对共享控制信号，所以第一开关单元320的与未被选择的局部位线对应布置的开关对中的第一开关(例如，图11的丽15)可以接通。然而，因为第二开关单元330的对应的开关对中的第二开关(图11中的丽24)接通，所以可以通过开关丽24和丽15将抑制电压(3V)提供到未被选择的局部位线。
[0110]同时，图12示出第一开关单元320的与多条局部位线对应布置的开关对根据各自的控制信号而切换的示例。更具体地讲，图12示出第二开关单元330的一个开关对MN21和MN22与第一局部位线LBLl至第四局部位线LBL4对应布置的示例。因此，可以由第三对控制信号LY_SEL2和LY_SEL2N控制第一开关单元320的第三开关对MN15和MN16，可以由第四对控制信号LY_SEL3和LY_SEL3N控制第一开关单元320的第四开关对丽17和丽18。
[0111]如图12中所示，当来自第一局部位线LBLl至第四局部位线LBL4之中的任意局部位线LBLl被选择以与第二开关单元330的开关对丽21和丽22对应时，第二开关单元330的开关对丽21和丽22中的开关丽21接通，而另一个开关丽22断开。此外，对于第一开关单元320的与第一局部位线LBLl对应的第一开关对丽11和丽12，第一开关丽11接通，而对于第一开关单元320的其他开关对，第二开关MN14、MN16和MN18接通。
[0112]根据上面的连接关系，通过第一线GSELB〈n>、开关MN21和开关MNl I将选择电压提供到选择的局部位线LBLl。相反，关于其他未被选择的局部位线LBL2至LBL4，通过第二线VUY与开关丽14、丽16和丽18来提供抑制电压。
[0113]图13A和图13B是示出图11示出的包括列解码器的存储器装置300的双向操作的电路图。图13A示出根据第一极性的设置写入(或读取)操作，图13B示出根据第二极性的重置写入操作。在对图13A和图13B的存储器装置300的操作进行的描述中，与图10至图12示出的构造相同的构造执行与图10至图12中示出的构造的操作相同的操作，因此，省略对它们的详细的描述。
[0114]如图13A中所示，在设置写入(或读取)操作中，施加到选择字线SWL的选择电压可以具有相对大的值(例如，4V)。相反，可以将OV的选择电压施加到选择位线SBL。在图13A和图13B中，假设第一局部位线LBLl是选择位线SBL。此外，如图13B中所示，在重置写入操作中，可以将大约6V的相对大的值的选择电压施加到选择位线SBL。
[0115]当第一局部位线LBLl被选择时，第二开关单元330的与包括第一局部位线LBLl的第一位线组BLGl对应的第一开关对丽21和丽22中的第一开关丽21接通，第二开关丽22断开。相反，第二开关单元330的与其他位线组(例如，第二位线组BLG2)对应的第二开关对丽23和丽24中的第一开关丽23断开，第二开关丽24接通。
[0116]此外，第一开关单元320的与第一局部位线LBLl对应的第一开关对丽11和丽12中的第一开关丽11接通，而第二开关丽12断开。此外，与第一开关对丽11和丽12共享控制信号LY_SEL0和LY_SEL0N的第三开关对丽15和丽16中的第一开关丽15接通，而第二开关MN16断开。此外，关于与剩余的未被选择的局部位线对应的开关对，与其它未被选择的局部位线对应的开关对中的第一开关丽13和丽17断开，而第二开关丽14和丽18接通。
[0117]根据上面的开关连接状态，选择电压被施加到被选择的局部位线LBL1，抑制电压可以适当地被施加到其它未被选择的局部位线LBL2至LBL4。此外，如图13A和图13B中所示，可以控制开关使得双向写入是可能的。
[0118]同时，因为如图13A和图13B中所示，根据双向驱动来执行写入操作和读取操作，所以可以将OV的相对低电平的选择电压或6V的相对高电平的选择电压施加到被选择的第一局部位线LBLl。这里，当通过实现为NMOS晶体管的第一开关MNl来传输6V的相对高电平的选择电压时，由于因NMOS晶体管的阈值电压造成的电压降特性，实际提供到被选择的第一局部位线LBLl的电压可以具有比6V小的值。因此，在双向驱动器中，当施加相对高电平的选择电压时，由电力生成器产生的选择电压可以被调节为高的。
[0119]同时，虽然图11至图13A和图13B中示出施加到被选择的局部位线SLB和未被选择的局部位线的特定电平的电压，但是本公开的示例性实施例不限于此，电压可以不同。
[0120]图14和图15分别是示出根据另一个示例性实施例的列解码器的结构的框图和电路图。
[0121]如图14和图15中所示，存储器装置400可以包括存储器单元阵列410、作为列解码器所包括的至少一个开关单元的第一开关单元420、第二开关单元430和第三开关单元440与写入/读取电路450。此外，对地址(例如，列地址)进行解码的解码单元460还可以包括在存储器装置400中，解码单元460可以包括在列解码器中。
[0122]在图14和图15的示例性实施例中，连接到局部位线LBL的第一开关单元420可以被称作局部开关单元Local Sff Unit，切换用于双向驱动存储器单元的各种电压信号的第二开关单元430可以被称作方向开关单元Direct1n Sff Unit。同时，因为第三开关单元440对应于全局开关单元Global Sff Unit，所以可以布置第三开关单元440以控制全局位线GBL与写入/读取电路450之间的连接关系。在图14和图15的示例性实施例中，第三开关单元440可以或可以不包括在存储器装置400中。因此，图14中，用虚线示出了第三开关单元440。当第三开关单元440包括在存储器装置400中时，第三开关单元440的操作与图11至图13A和图13B中示出的全局开关单元Global Sff Unit的操作基本相同，因此，省略对它的描述。
[0123]下面将描述根据本示例性实施例的列解码器的结构和操作的示例。为了便于解释，图15示出两条局部位线LBLl和LBL2。此外，假设第一局部位线LBLl是选择位线SBL，第二局部位线LBL2是未被选择的位线UBL。
[0124]第一开关单元420可以包括与每条局部位线对应布置的一个开关对。例如，开关对可以包括具有CMOS结构的开关。第一开关对与第一局部位线LBLl对应地布置，第一开关对可以包括实现为NMOS晶体管的第一开关丽31和实现为PMOS晶体管的第二开关MPlI。此外，第二开关对与第二局部位线LBL2对应地布置并且可以包括实现为NMOS晶体管的第一开关MN32和实现为PMOS晶体管的第二开关MP12。第一开关对和第二开关对中的每个可以互补地控制。例如，可以由第一局部控制信号LY_SEL0控制第一开关对MN31和MP11，可以由第二局部控制信号LY_SEL1控制第二开关对MN32和MP12。
[0125]同时，存储器装置400可以包括用于传输各种电压信号的多条线。例如，还可以布置用于传输选择电压的第一线GSEL〈n>、用于传输抑制电压的第二线VUY以及根据施加的电压传输各种电平的电压的作为至少一条线的第三线SELB [m]和第四线SELBN[m]。
[0126]在第一开关单元420的开关对中，一个开关可以连接到第三线SELB[m]，另一个开关可以连接到第四线SELBN[m]。例如，第一开关对MN31和MPll中的第一开关丽31可以连接到第三线SELB [m]，第二开关MPll可以连接到第四线SELBN[m]。此外，第二开关对MN32和MP12中的第一开关丽32可以连接到第三线SELB [m]，第二开关MP12可以连接到第四线SELBN[m]。
[0127]同时，第二开关单元430可以包括多个开关对。例如，第二开关单元430可以包括与第一开关单元420的多个开关对对应的两个开关对。图15示出第二开关单元430包括与第一开关单元420的两个开关对对应的两个开关对。然而，第二开关单元430可以包括与第一开关单元420的更多个开关对对应的两个开关对。
[0128]第二开关单元430中包括的每个开关对可以包括具有CMOS结构的开关。例如，第二开关单元430的第一开关对MN33和MP13可以连接到第三线SELB [m]，第二开关单元430的第二开关对丽34和MP14可以连接到第四线SELBN[m]。可以响应于方向控制信号DIR_SELO和DIR_SEL0N来控制第二开关单元430的第一开关对MN33和MP13与第二开关对MN34和MP14中的每个。
[0129]在图15的示例性实施例中，当执行存储器单元的双向驱动时，如果将相对低电平的选择电压提供到被选择的局部位线LBL1，那么可以控制选择电压经由NMOS晶体管传输。相反，如果将相对高电平的选择电压提供到被选择的局部位线LBL1，那么可以控制选择电压经由PMOS晶体管传输，以减小通过开关的电压降。即，基于第二开关单元430的切换操作，可以通过开关丽33将低电平(例如，0V)的选择电压施加到第三线SELB [m]，可以通过第三线SELB[m]和开关丽31将选择电压提供到被选择的局部位线LBL1。相反，可以通过开关MP14将较高电平(例如，6V)的选择电压施加到第四线SELBN[m]，可以通过第四线SELBN[m]和开关MPll将选择电压提供到被选择的局部位线LBL1。
[0130]根据第一开关单元420和第二开关单元430的操作，可以适当地执行关于存储器单元的双向驱动。如上所述，因为仅经由PMOS晶体管将较高电平的选择电压提供到被选择的局部位线LBL1，所以可以使电压降最小化。
[0131]同时，第二开关单元430还可以包括偏置开关单元431。偏置开关单元431可以包括一个或更多个开关。例如，偏置开关单元430可以包括对应于一条局部位线布置的一个开关。此外，偏置开关单兀431可以实现为PMOS晶体管或NMOS晶体管。图15不出偏置开关单元431包括NMOS晶体管的示例。偏置开关单元431中包括的第一开关MN41可以连接在第一开关单元420的第一开关对MN31和MPll中的任意一个与传输抑制电压的第二线VUY之间，偏置开关单元431中包括的第二开关MN42可以连接在第一开关单元420的第二开关对丽32和MP12中的任意一个与传输抑制电压的第二线VUY之间。
[0132]当将与图15中示出的局部位线LBLl和LBL2对应地布置的多个存储器单元假设为一个单元区域时，传输选择电压的第一线GSEL〈n>电连接到感测放大器或写入驱动器(未示出)，以使被选择的局部位线LBLl进行写入操作或读取操作。此外，根据第一开关单元420和第二开关单元430的用于驱动包括被选择的存储器单元的单元区域的开关操作，通过开关丽33和丽31将选择电压提供到被选择的局部位线LBL1，通过开关丽34和MP12将抑制电压提供到未被选择的局部位线LBL2。在这种情况下，可以通过偏置控制信号DIR_USLO断开包括在偏置开关单元431中的开关MN41和MN42。S卩，根据图15中示出的Case 1，将选择电压提供到被选择的局部位线LBLl，将抑制电压提供到未被选择的局部位线LBL2。
[0133]相反，当与局部位线LBLl和LBL2对应地布置的单元区域未被选择时，传输选择电压的第一线GSEL〈n>可以与感测放大器或写入驱动器电分离。此外，第二开关单元430中的第一开关对丽33和MP13与第二开关