专利名称：用作电源开关的碳化硅n沟场效应晶体管及其制造方法
技术领域：
本发明通常涉及半导体制作，尤其涉及具有高击穿电压的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)，及其制造方法和组合了该SiC MOSFET或该方法的半导体器件。
电源变换器是把输入电压波形变换为特定的输出电压波形的电源处理电路。在很多要求稳定输出和可调输出的应用中，通常有利地是使用切换模式电源变换器。切换模式电源变换器一般包括一个反相器、一个具有耦合于反相器的初级绕组的变压器、一个耦合于该变压器的次级绕组的输出整流器、一个输出滤波器和一个控制器。反相器通常包括电源开关，如场效应晶体管(FET)，其把输入电压变换为在变压器两端应用的切换电压。变压器可把电压变换为另一个值并且输出电路在变换器的输出处产生所需的电压。输出滤波器通常包括电感器和输出电容器。输出电容器平滑并滤波输出电压以传送到负载。
在很多电源变换器的应用中，输出电压要求和电源开关的电压处理要求大。在常规的硅半导体晶片中，在横向结构的FET中是难以实现大电压处理能力的，这是由于所固有的非常接近的源极和漏极引起的。从而这种设置造成低于器件所需的击穿电压。这通常使得有必要使用称作垂直器件金属氧化物半导体FET(VDMOSFET)。VDMOSFET被构造成使得漏极被定位于器件的底部，源极被定位于顶部，把栅极垂直插入在漏极与源极之间。这个垂直设置使得VDMOSFET达到更高的击穿电压，因此使得VDMOSFET在使用常规的硅半导体晶片技术时容纳更大的工作电压。
不幸的是，VDMOSFET有更大的固有接通电阻(on-resistance)，这一点在把VDMOSFET用作开关时变得很重要，并且VDMOSFET还有更大的固有电容。更大的接通电阻和电容部分是由于源极和漏极更远的分开以及添加的层所引起的，该添加的层是获得更大的击穿和工作电压性能所需要的。VDMOSFET的更大的接通电阻增大了VDMOSFET产生的损失，并且从而会降低使用VDMOSFET的电源变换器的整体效率。另外，增加的电容降低切换速度，从而也会增加切换损失。
另一个问题是由这种电子器件向更小的器件尺寸和更大的封装密度发展的一般趋势引起的。随着VDMOSFET的尺寸继续缩小和器件封装密度提高，两个相邻的P阱之间的垂直区域的结式场效应晶体管电阻也增加，从而妨碍器件性能进一步改进。这样，由于这些物理限制，VDMOSFET在这种电源变换器中的使用目前基本上受到了限制。
因此，该技术中需要的是把提供有利的击穿电压特性同时表现出低的接通电阻的MOSFET作为开关。
为解决上面讨论的已有技术的缺陷，本发明提供一种在半导体晶片的衬底之上或之内形成的横向的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，并提供其制造方法以及组合了MOSFET或该方法的半导体器件。在一个实施例中，MOSFET包括位于衬底之上或之内的并且优选是在其之上的碳化硅层，具有一个栅极，该栅极形成于碳化硅层之上。源区和漏区位于碳化硅层中并且横向地偏离开该栅极。在一个优选的实施例中，碳化硅有比硅的击穿场更大的击穿场。例如，在一个特定的有利的实施例中，重掺杂碳化硅的p-n结的击穿电压至少是大约10V。
因此本发明引入了一个在横向MOSFET器件中使用碳化硅来提高MOSFET的击穿电压的广义的概念。击穿电压是影响MOSFET器件的应用范围的关键参数。击穿电压在作为与电源相关的应用中的开关而使用的MOSFET器件中尤其重要，这种应用诸如是电源变换器。横向MOSFET器件提供附加的优点，尤其在电源应用的实施例中，这是由于作为开关它的接通电阻本质上低于垂直构造的器件。本质上降低的接通电阻提高了电源变换器和其它使用横向MOSFET的开关器件的效率。另外，集成碳化硅横向MOSFET器件和互补金属氧化物半导体(CMOS)器件到同一半导体晶片上的能力允许电源位于非常靠近它们的负载电路。
MOSFET的源区和漏区优选掺杂有N型掺杂物并且优选形成在掺杂有P型掺杂物的桶形区(tub)中。
在另一个实施例中，MOSFET还包括埋置氧化层，埋置氧化层可形成于衬底中。在一个有利的实施例中，它形成于衬底中。栅极和衬底可由常规材料构成，分别为如多晶硅和硅。在碳化硅形成于硅衬底上的这些实施例中，形成3C碳化硅结构。在又一个实施例中，MOSFET形成于包括CMOS器件的半导体晶片上，在一些实施例中其可形成电源变换器的驱动控制器。
本发明提供的MOSFET器件可有各种用途。一个特殊的有用的应用是MOSFET是用在电源变换器的电源组中的电源开关。
本发明的另一方面提供一种在半导体晶片的衬底上或在其内形成横向MOSFET的方法。在一个实施例中，该方法包括在衬底上形成碳化硅层，在碳化硅层上形成栅极，以及在碳化硅层中横向偏离开栅极形成源区和漏区。该方法还包括在大约1200度对源区和漏区退火。
对于该器件的情况，该方法还包括在衬底中形成埋置氧化物层。在优选的实施例中，埋置氧化物层形成于衬底中。而且，形成源区和漏区可包括把N型掺杂物注入掺杂有P型掺杂物的碳化硅层。
在一个优选的实施例中，碳化硅层形成在衬底上，其可以是硅衬底。在这种实施例中，可形成3C碳化硅层。
在另一个实施例中，该方法包括把MOSFET配置为电源开关并且把MOSFET集成到电源变换器中。
在另一方面，本发明提供一种电源变换器，其包括隔离变压器、耦合于隔离变压器的初级绕组的初级侧电源开关和耦合于隔离变压器的次级绕组的次级侧电源开关。应理解用在电源变换器中的任何开关可包括由本发明提供的横向MOSFET。电源变换器还包括耦合于次级侧电源开关的驱动电路。驱动电路优选包括形成于硅衬底上的CMOS器件并具有低于MOSFET的击穿电压的工作电压。耦合于次级侧电源开关的输出电感器和耦合于输出电感器的输出电容器也形成为电源变换器的一部分。
组合到电源变换器中的MOSFET优选包括位于衬底之上或之内的碳化硅层、形成于碳化硅层之上的栅极和位于碳化硅层中的并且横向偏离栅极的源区和漏区。在这种实施例中，工作电压区为大约3V到5V，而击穿电压为大约10V到30V。
对于原来的实施例，MOSFET还可包括埋置氧化物层，其可以位于衬底中。另外，源区和漏区可掺杂有N型掺杂物，而源区和漏区形成于其中的桶形区可掺杂有P型掺杂物。在硅形成于硅衬底之上的这些实施例中，形成3C碳化硅。
在又一个方面，本发明提供形成电源变换器的方法。在一个优选的实施例中，该方法包括形成隔离变压器、形成耦合于隔离变压器的初级绕组的初级侧电源开关和形成耦合于隔离变压器的次级绕组的次级侧电源开关。应理解用在电源变换器中的任何开关可以是由本发明提供的横向MOSFET。该方法还包括形成耦合于次级侧电源开关的驱动电路，驱动电路包括形成于硅衬底上的CMOS器件并具有低的工作电压，其中MOSFET具有高于CMOS器件的工作电压的击穿电压；形成耦合于次级侧电源开关的输出电感器以及形成耦合于输出电感器的输出电容器。
该特定方法的又一方面包括在大约1200度对源区和漏区退火，并且还可包括在碳化硅层上使用化学汽相淀积形成氧化物层。优选地氧化物层在大约950度退火。
前面概要列出而不是广泛地列出本发明的优选的和可替换的特征，从而对于熟悉本领域的技术人员而言很好理解下面的对本发明的具体说明。本发明的附加的特征后面将进行说明，其构成本发明的权利要求的主题。熟悉本领域的技术人员应理解可使用公开的概念和特定的实施例作为基础来设计和修改执行本发明的相同的目的的其它结构。熟悉本领域的技术人员也应认识到这些等价结构在最广泛的形式上没有背离本发明的精神和范围。
为更完全理解本发明，参考下面的附图进行说明，其中
图1是包括根据本发明的原理构造的横向MOSFET的一个实施例的半导体晶片；图2A是本发明覆盖的在制造中间阶段的MOSFET的截面图；图2B是在图2A的制造中间阶段之后的MOSFET的截面图；图2C是在图2B的制造中间阶段之后的MOSFET的截面图；图2D是在图2C的制造中间阶段之后的MOSFET的截面图；图2E是本发明覆盖的MOSFET的一个实施例的截面图；图2F是本发明覆盖的MOSFET的另一个实施例的截面图；图3A是半导体那晶片的实施例，表示使用根据本发明的原理构造的碳化硅横向MOSFET和COMS器件的集成结构；图3B是半导体晶片的另一实施例，表示使用根据本发明的原理构造的并具有组装于其中的绝缘体的碳化硅横向MOSFET和COMS器件的集成结构；图4是上述MOSFET和CMOS器件可组装于其中的电源变换器的简图。
先参考图1，图示出的是半导体晶片100，包括根据本发明的原理构造的横向MOSFET 107的一个实施例。半导体晶片100包括衬底105和形成于衬底105之上的横向MOSFET 107。在本实施例中，横向MOSFET 107包括位于衬底105之上的碳化硅层110。横向MOSFET107有一个栅极121。栅极121形成于栅极氧化层115之上，具有栅极层120，而栅极氧化层115形成于碳化硅层110之上。源区和漏区125，130分别常规地形成在碳化硅层110中。源区和漏区125，130横向偏离栅极，如所示出的那样，并且与栅极121接触。
在示出的实施例中，衬底105和碳化硅层110掺杂有P型掺杂物，如铝或硼。栅极结构121优选地是常规设计并且由常规工艺形成，可包括多晶硅栅极形成的二氧化硅栅极氧化物。源区和漏区125，130被常规地注入碳化硅层110中，如所示出的那样。源区和漏区125，130优选地掺杂有N型掺杂物，如氮、砷、磷。当然可使用其他材料作为N型掺杂物或P型掺杂物。
因此，本发明在横向MOSFET 107中使用碳化硅以提高横向MOSFET 107的击穿电压。横向MOSFET 107的击穿电压通常在大约10V到30V或更高的范围内，如前面讨论的那样。击穿电压的这个范围由碳化硅层110的掺杂参数和使用的栅极几何大小决定。横向MOSFET 107的击穿电压通常被选择为基本上在其它常规形成的器件如也用在半导体晶片100中的CMOS决定的工作电压之上。
击穿电压是影响横向MOSFET 107的应用范围的关键参数。特别重要的应用包括本发明的一个实施例，其中横向MOSFET 107被用作与电源相关的应用中的开关，这种应用诸如是电源变换器。横向MOSFET 107与更高的击穿电压一起提供附加的优点。当用作开关时，MOSFET 107的总的接通电阻本质上低于与垂直结构的器件或在带有相同的击穿电压的硅上的横向器件相关的总电阻。MOSFET 107的总的接通电阻通常仅由源区125和漏区130之间的通道电阻构成(通常设定的RCH)。与通常的垂直结构的器件相比，低的内在接通电阻提高作为电源开关的横向MOSFET 107的效率，并且在其它开关应用中也是这样。
在要图示和讨论的另一个实施例中，集成横向MOSFET 107和CMOS器件到半导体晶片100上的能力允许电源位于非常靠近它们的负载电路。这种能力非常有价值，因为它允许把具有不同工作电压的CMOS器件组容纳在半导体晶片100上的多种电源要求。用于具有相同工作电压的CMOS器件组分开的电源允许该器件组更好地电隔离，从而降低和包含半导体晶片100上的固有噪声干扰。
现参见图2A到2D，图示出的是本发明所覆盖的MOSFET 200在不同制造阶段的截面。在图2A中，图示出的是衬底205和碳化硅层210。碳化硅层210通过在P型掺杂物如铝或硼存在的情况下生长立方晶体的碳化硅形成在衬底205上。在一个优选的实施例中，碳化硅层210的淀积可在石英反应管中在大约900度的温度下以三甲氧硅烷(trimethoisilane)作为气体源来执行或以其它常规方法执行。如原来提到的那样，碳化硅层110提供比已有技术的材料如硅明显的优点，即它提供高得多的击穿场。而且由于它的结构，MOSFET能够表现得象NMOS器件，但是却能够释放比通常的NMOS器件高得多的电压。这些方面允许MOSFET容易地集成在CMOS器件中，应用到需要高击穿电压的各种技术中，如电源变换器中。
在碳化硅层210形成之后，接着在碳化硅层210上常规地淀积光刻胶层215，并形成如图2B所示的图案。图2C表示MOSFET 200，其中碳化硅层210的不需要的部分被常规地蚀刻掉，并且光刻胶层215已经被移除，从而限定用于碳化硅横向MOSFET的区域。
图2D表示MOSFET 200，其中通过把N型掺杂物注入碳化硅层210而形成源极225和漏极230。N型掺杂物优选是磷。当然，可适当地使用氮或其它N型掺杂物。源极225和漏极230区域然后在大约1200度退火以激活掺杂物。从而提供碳化硅基底，在该基底上随后形成适合于用在需要高击穿电压的器件中的横向MOSFET 107。
图2E表示又一个实施例，其中在其中形成有具有绝缘层240的衬底上形成MOSFET器件200，该绝缘层通常已知是埋置氧化物层或绝缘体上外延硅。绝缘层240通常在碳化硅层210形成之前形成。绝缘层240提供降低存在于集成电路器件中的整体寄生电容的优点。
图2F表示又一个实施例，其中在其中形成有具有绝缘层240的衬底205内形成MOSFET器件200，该绝缘层在图2E中进行了讨论。在这种实施例中，通常在碳化硅层210形成之前在衬底205中形成硅沟槽209。碳化硅层210然后被淀积在硅沟槽209中。当然，本发明的另一个实施例在没有绝缘层240的衬底内形成硅沟槽209和碳化硅层210。在形成碳化硅层210之后，以这里对于其它实施例讨论的方式在碳化硅层210上形成栅极。
现在转向图3A，图示出的是半导体晶片的一个实施例，表示使用根据本发明的原理构造的碳化硅横向MOSFET 307和硅CMOS器件334、335的集成结构。在这个特定的实施例中，半导体晶片300包括形成于其上的具有本发明提供的第一和第二CMOS器件334、335和碳化硅横向MOSFET 307的P型掺杂的硅衬底305。第一CMOS器件334是PMOS晶体管，第二CMOS器件33是NMOS晶体管，二者是常规的设计并由常规工艺形成。这样，第一CMOS器件334包括N掺杂的桶形区区335、栅极338和与栅极338接触的P掺杂的源区与漏区336、339。第二CMOS器件335包括P掺杂的桶形区区340、栅极343和与栅极343接触的N掺杂的源区与漏区341、344。在这个特定的实施例中，碳化硅横向MOSFET 307包括包含P型掺杂物的碳化硅层310、栅极321和与栅极321接触的N掺杂的源区与漏区325、330。栅极338、343和321是在诸如二氧化硅的栅极氧化物上形成的多晶硅。
在这个特定的结构中，横向MOSFET 307可具有大约10V到30V或更高的击穿电压，其基本上高于用于第一和第二CMOS器件334、335的大约3V到5V的工作电压。在图示的实施例中，横向MOSFET307可被用作电源变换器中的电源开关。本发明的这一方面后面更具体说明。
构造半导体晶片300的方法组合了在图2A到2D所描述的图，以构成碳化硅横向MOSFET 307，直到碳化硅层栅极，这在后面限定。一旦已经构成了碳化硅层310，接着在衬底305上常规地构成第一和第二CMOS器件334、335，直到发生欧姆接触，这在后面将说明。在形成CMOS器件334、335之后，在CMOS器件334、335上常规地淀积等离子体增强原硅酸四乙脂氧化物(PETEOS)层346以把它们从MOSFET 307栅极氧化物和栅极形成工艺隔离开。MOSFET 307栅极氧化物是通过950度再氧化退火后首先淀积的。然后，诸如多晶硅的MOSFET 307栅极层被淀积在栅极氧化物层上。之后常规地把这些层图案化并蚀刻形成栅极氧化物层315和栅极320，如图3A所示。然后对横向MOSFET 307形成未知的金属欧姆接触并且在氩气中在大约900度进行退火，这是在形成大约450度的退火的CMOS器件的欧姆接触后进行的。图3B简单地图示出原来讨论的绝缘层350如何出现在MOSFET 307被集成在CMOS电路中的一个实施例中。
现转向图4，示出电源变换器400的简图，在该电源变换器400中组装了原来讨论的MOSFET和CMOS器件。在图示的实施例中，电源变换器400包括隔离变压器410、耦合于隔离变压器410的初级绕组420的初级侧电源开关415。电源变换器400还包括耦合于隔离变压器410的次级绕组430的次级侧电源开关425。应理解用在电源变换器400中的任何开关可包括由本发明覆盖的MOSFET，这一点在上面已经讨论过。
在优选的实施例中，电源变换器400还包括耦合于初级侧电源开关415的初级侧控制驱动电路435和耦合于次级侧电源开关425的次级驱动电路440。在优选的实施例中，驱动电路435、440之一或二者包括优选地形成于相同的硅衬底上的CMOS器件作为MOSFET。CMOS器件优选地具有低于MOSFET的击穿电压的工作电压。如上面讨论的那样，MOSFET的击穿电压优选地基本上高于耦合于CMOS器件的工作电压。电源变换器400还包括耦合于次级侧电源开关425的输出电感器445和耦合于输出电感器445的输出电容器450。
熟悉本领域的技术人员应该理解原来描述的电源变换器的实施例仅是为了图示的目的才提交的，使用分立的或集成的磁体的其它电源变换器拓朴结构如半桥、全桥、回扫和升压变换器拓朴结构也在本发明的实施例的广义的范围内。另外，本发明的例示的实施例已经参考特定的电子组件进行了图示。但是熟悉本领域的技术人员也应认识到可替代这些组件(对于相同的类型的组件不是必要的)以产生所需的条件或完成所需的结果。例如，可用多个组件代替单个组件或者相反。
尽管本发明已经进行了具体描述，熟悉本领域的技术人员应理解在不脱离本发明的精神和范围的情况下他们可进行最广义形式上的各种改变、替代和变化。
权利要求
1．横向金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括位于半导体晶片的衬底之上或之内的碳化硅层，形成于碳化硅层之上的栅极；以及位于碳化硅层中并且横向地偏离开该栅极的源区和漏区。
2．根据权利要求1的MOSFET，其中碳化硅层有比硅的击穿电压更大的击穿电压。
3．根据权利要求2的MOSFET，其中碳化硅层的击穿电压至少是大约10V。
4．根据权利要求1的MOSFET，其中源区和漏区掺杂有N型掺杂物。
5．根据权利要求1的MOSFET，其中源区和漏区形成在掺杂有P型掺杂物的桶形区中。
6．根据权利要求1的MOSFET，还包括形成于衬底中的埋置氧化物层。
7．根据权利要求1的MOSFET，其中碳化硅层形成在衬底上。
8．根据权利要求7的MOSFET，其中衬底包括硅并且碳化硅是3C碳化硅。
9．根据权利要求1的MOSFET，其中MO SFET位于包括CMOS器件的半导体晶片上。
10．根据权利要求1的MOSFET，其中MOSFET是用在电源变换器的电源组中的电源开关。
11．在半导体晶片的衬底之上或之内形成横向金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，包括在衬底上形成碳化硅层，在碳化硅层上形成栅极，以及在碳化硅层中横向偏离开栅极形成源区和漏区。
12．根据权利要求11的方法，还包括在大约1200度对源区和漏区退火。
13．根据权利要求11的方法，还包括形成埋置氧化物层。
14．根据权利要求13的方法，其中形成埋置氧化物层包括在衬底中形成埋置氧化物层。
15．根据权利要求11的方法，其中形成源区和漏区包括把N型掺杂物注入碳化硅层。
16．根据权利要求11的方法，其中形成源区和漏区包括在掺杂有P型掺杂物的桶形区中形成源区和漏区。
17．根据权利要求11的方法，其中形成碳化硅层包括在衬底上形成碳化硅层。
18．根据权利要求17的方法，其中在衬底上形成碳化硅层包括在硅衬底上形成3C碳化硅层。
19．根据权利要求11的方法，还包括把MOSFET配置为电源开关并且把MOSFET集成到电源变换器中。
20．根据权利要求11的方法，其中形成MOSFET包括在包括CMOS器件的半导体晶片上形成MOSFET。
21．电源变换器，包括隔离变压器；耦合于隔离变压器的初级绕组的初级侧电源开关；和耦合于隔离变压器的次级绕组的次级侧电源开关，其中初级侧电源开关或次级侧电源开关中的至少一个是在硅晶片的衬底之上或之内形成的横向金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；耦合于次级侧电源开关并包括形成于硅衬底上且具有一个工作电压的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的驱动电路，所述MOSFET具有高于CMOS器件的工作电压的击穿电压；耦合于次级侧电源开关的输出电感器；和耦合于输出电感器的输出电容器。
22．根据权利要求21的电源变换器，其中所述MOSFET包括位于衬底之上或之内的碳化硅层，形成于碳化硅层之上的栅极；和位于碳化硅层中且横向偏离栅极的源区和漏区。
23．根据权利要求21的电源变换器，其中工作电压区为大约3V到5V，而击穿电压区为大约10V到30V。
24．根据权利要求21的电源变换器，还包括埋置氧化物层。
25．根据权利要求24的电源变换器，其中埋置氧化物层位于衬底中。
26．根据权利要求21的电源变换器，其中源区和漏区掺杂有N型掺杂物。
27．根据权利要求21的电源变换器，其中碳化硅为3C碳化硅。
28．根据权利要求21的电源变换器，其中源区和漏区形成于掺杂有P型掺杂物的桶形区中。
29．根据权利要求21的电源变换器，其中碳化硅层形成于硅衬底上。
30．根据权利要求21的电源变换器，其中栅极包括多晶硅并且衬底包括掺杂有P型掺杂物的硅。
31．电源变换器的形成方法，包括形成隔离变压器；形成耦合于隔离变压器的初级绕组的初级侧电源开关；形成耦合于隔离变压器的次级绕组的次级侧电源开关，初级侧电源开关和次级侧电源开关中的至少一个是形成在硅晶片的衬底之上或之内的横向金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；形成耦合于次级侧电源开关并包括形成于硅衬底上且具有一个工作电压的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的驱动电路，所述MOSFET具有高于CMOS器件的工作电压的击穿电压；形成耦合于次级侧电源开关的输出电感器；以及形成耦合于输出电感器、次级侧电源开关的输出电容器。
32．根据权利要求31的方法，其中形成MOSFET包括在衬底之上或之内形成碳化硅层；在碳化硅层上形成栅极；及形成在碳化硅层中与栅极接触的源区和漏区。
33．根据权利要求31的方法，还包括在大约1200度对源区和漏区退火。
34．根据权利要求31的方法，还包括形成埋置氧化物层。
35．根据权利要求34的方法，其中形成埋置氧化物层包括在衬底中形成埋置氧化物层。
36．根据权利要求31的方法，其中形成源区和漏区包括把N型掺杂物注入碳化硅层。
37．根据权利要求31的方法，其中形成源区和漏区包括在掺杂有P型掺杂物的桶形区中形成源区和漏区。
38．根据权利要求31的方法，其中形成碳化硅层包括在衬底上形成碳化硅层。
39．根据权利要求31的方法，其中衬底上形成碳化硅层包括在硅衬底上形成碳化硅层。
40．根据权利要求31的方法，还包括在碳化硅层上使用化学汽相淀积形成氧化物层。
41．根据权利要求40的方法，还包括在大约950度对氧化物层退火。
42．根据权利要求31的方法，其中形成碳化硅层包括形成3C碳化硅层。
43．根据权利要求31的方法，其中形成CMOS器件包括形成CMOS器件以具有大约3V到大约5V的工作电压区，并且形成MOSFET包括形成击穿电压区为大约10V到大约30V的MOSFET。
全文摘要
一种形成在半导体晶片的衬底之上的横向金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、一种制造它的方法和组装了MOSFET的半导体器件及其制造方法。在一个实施例中,MOSFET包括位于衬底之上或之内的碳化硅层,栅极形成于碳化硅层之上。MOSFET还包括位于碳化硅层中并且与该栅极接触的源区和漏区,碳化硅层提高了MOSFET的击穿电压。
文档编号H01L29/16GK1297258SQ0013095
公开日2001年5月30日 申请日期2000年11月22日 优先权日1999年11月23日
发明者谭健, 阿施拉夫·瓦吉赫·洛特菲 申请人:朗迅科技公司