专利名称：半导体器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。更具体地说，本发明涉及一种通过焊球与安装衬底电连接的半导体器件，其中由半导体器件和安装衬底之间的热膨胀系数的差异所引起的作用在焊球上的力可被布线金属的位移吸收，并涉及这种半导体器件的制造方法。
之后，将绝缘树脂624注入到基底金属的表面和半导体元件的背面之间，同时在半导体元件622的电极块和布线614之间通过金属凸起620而形成电连接。在绝缘树脂624固化后，半导体器件为树脂密封的，使得位于基底金属610的表面侧的半导体器件被覆盖。然后，通过化学蚀刻来去除基底金属610。之后，印刷阻焊膜，同时留出用于安装衬底的外部端子，因而布线被阻焊膜所覆盖。在由上述方法制造的半导体器件中，布线的外部端子在背面处暴露出。外部端子和安装衬底通过焊球626电连接。
然而，半导体器件和安装衬底的材料是相互不同的。因此，在这些材料的物理性能中，热膨胀系数也相互不同。当半导体器件和安装衬底受热且半导体器件安装在安装衬底上时，半导体器件和安装衬底的伸长也相互不同。
将半导体器件和安装衬底电连接的物体为焊球626。半导体器件和安装衬底位于固定的位置，因此布线614也受到半导体器件的限制。类似地，安装衬底的布线也受到限制。因此，伸长的差异使得在焊球626与半导体器件和安装衬底之间的连接位置处产生了剪切力或剪切力矩。由于这个剪切力，焊球626和半导体器件之间的连接以及焊球和安装衬底之间的连接因裂纹和间隔的原因而变得容易破裂。如果连接破裂，在半导体器件和安装衬底之间就会产生导电故障。
因此，在一些情况下，传统的半导体制造方法和结构失去了它们的可靠性。
根据本发明的半导体器件包括在一个表面上具有电极的半导体元件；通过金属凸起与所述电极相连的金属布线；位于所述半导体元件和所述金属布线之间的绝缘树脂；以及位于绝缘树脂内的下凹部分，金属布线的外部端子的自由端在下凹部分内伸出。
上述半导体器件通过焊球与安装衬底电连接。在这种情况下，当半导体器件和安装衬底受热时，半导体器件和安装衬底完全地膨胀，并分别在水平方向和垂直方向上伸长。垂直伸长很难导致半导体器件和安装衬底之间的相对位置关系发生变化。水平伸长使得在将半导体器件和安装衬底电连接的焊球上产生剪切力。
本发明金属布线的外部端子的自由端在绝缘树脂的下凹部分内伸出。外部端子的自由端并未被绝缘树脂所限制，并在下凹部分内具有很大的自由度。与传统的半导体器件相比，外部端子的自由端很容易弯曲。因此，即使当焊球相对于半导体器件发生相对位移同时受到安装衬底的限制时，此位移也可被外部端子的自由端的变形所吸收。
即使在半导体器件和安装衬底之间因热膨胀系数的差异而产生相对位移，布线的外部端子也会相对地随从此位移，因此，金属布线和焊球之间连接破裂很少发生。因此，即使当热量重复地施加在半导体器件和安装衬底上时，因连接破裂而产生的导电故障也会受到抑制，使得半导体器件的可靠性提高。
在上述半导体器件中，外部端子最好在下凹部分内伸出。由于金属布线只是由电镀形成，因此它的强度不高。因此，如果外部端子从下凹部分上突出，在半导体器件形成为成品后，在搬运半导体器件时可能会损坏外部端子。
通过构建半导体器件使得外部端子在下凹部分内伸出而不会从半导体器件的外壳上突出，就可以防止外部端子因接触而被损坏或发生变形。因此，保证了外部端子的合适的姿态和形式。这样，在采用焊球将半导体器件和安装衬底电连接的工序中，可以实现具有高可靠性的连接。
在半导体器件中，外部端子最好设有焊球连接区，外部端子包括从下凹部分的内表面上伸出的基端部分，以及与此基端部分连成一体且沿着与基端部分形成各向异性的方向延伸的弯曲部分。
如上所述，当半导体器件和安装衬底受热时，半导体器件和安装衬底完全地膨胀，并分别在水平方向和垂直方向上伸长。这就使得半导体器件和安装衬底之间的相对位置关系发生变化。在下凹部分的内表面上相互邻接的基端部分和焊球连接区通过弯曲部分而连接。因此，基端部分和半导体器件一起伸长，而焊接区通过焊球与安装衬底一起伸长。
当在半导体器件通过焊球与安装衬底相连的情况下因热膨胀系数的不同而产生相对位移时，焊接区伴随着安装衬底而移动。基端部分和焊接区之间的相对位移可由弯曲部分的变形来吸收。因此，防止了不希望的力作用在半导体器件和焊球之间的连接位置上以及作用在安装衬底和焊球之间的连接位置上。因此，即使当热量重复地施加在半导体器件和安装衬底上时，因连接破裂而产生的导电故障受到抑制，使得半导体器件的可靠性提高。
外部端子的弯曲部分具有可吸收半导体器件和安装衬底之间的相对位移的功能。为执行此功能，弯曲部分可在两维或三维上弯曲。
通过构建外部端子使得弯曲部分可在半导体器件的两维方向上弯曲，当在半导体器件和安装衬底之间发生相对位移时，外部端子很容易吸收与外部端子从下凹部分上延伸出的方向不同的方向上的位移。当然，根据弯曲部分的形状，即使两维弯曲的弯曲部分也可吸收外部端子从下凹部分内表面上延伸出的方向上的位移。
另一方面，通过构建外部端子使得可在半导体器件的三维方向上弯曲，当在半导体器件和安装衬底之间发生相对位移时，可由外部端子容易地吸收外部端子从下凹部分内表面上延伸出的方向上的位移。
在半导体器件中，最好在半导体器件的背面上形成用于保护金属布线的阻焊膜，同时留出下凹部分。
当金属布线暴露在绝缘树脂中时，金属布线存在着受到损坏的可能性。阻焊膜可保护暴露出的金属布线，另外可防止布线不会与绝缘树脂分离。通过在背面上形成阻焊膜同时留出下凹部分，可以保护金属布线并阻止分离，同时保持外部端子的自由度。
在金属布线形成于十分接近绝缘树脂的背面的情况下，当在半导体器件的背面上形成阻焊膜时，金属布线的外部端子从阻焊膜的暴露表面上下沉。因此，可防止外部端子因接触而被损坏或发生变形，并且保证正确的姿态和形式。
图1A到1G是以工序顺序显示了传统的半导体器件制造方法的剖视图；图2A到2N是以工序顺序显示了与本发明第一实施例有关的半导体器件制造方法的剖视图；图3是此实施例的半导体器件的局部放大剖视图；图4是从背面侧看去的图3所示半导体器件的透视图；图5A到5P是以工序顺序显示了与本发明第二实施例有关的半导体器件制造方法的剖视图；图6A到6O是以工序顺序显示了与本发明第三实施例有关的半导体器件制造方法的剖视图；图7A到7P是以工序顺序显示了与本发明第四实施例有关的半导体器件制造方法的剖视图；图8A到8F是显示了外部端子的改进示例的图；和图9是显示了外部端子的一个改进示例的剖视图。
如图2A所示，制备基底金属10。基底金属10例如为铜板。然后如图2B所示，以与金属布线图案相反的图案来涂覆图案成形抗蚀膜12。接着如图2C所示，在由图案成形抗蚀膜12所形成的凹槽内进行金属电镀。就此金属而言，应采用其蚀刻速度低于基底金属10的材料铜的蚀刻速度的金属，即蚀刻比较大。这种金属通常为镍(Ni)，然而也可以采用其它金属如金。之后，在去除了图案成形抗蚀膜12后，如图2D所示，在基底金属10上形成由镍制成的金属布线14的图案。
接着，如图2E所示，形成抗蚀膜16来覆盖基底金属10的表面和金属布线14的表面。抗蚀膜16形成为其厚度可完全地覆盖金属布线14。
接着，如图2F所示，利用光掩膜18并通过紫外线来照射抗蚀膜16。在光掩膜18中，将被紫外线照射的部分被掩蔽。将被紫外线照射的部分是围绕在与金属布线的外部端子相对应的位置处的外部端子周围的部分。在图2G中显示了被紫外线照射的部分。
接着，如图2H所示，通过显影去除抗蚀膜16。在未被紫外线照射的部分处的抗蚀膜16保留下来。残余的抗蚀膜16覆盖了基底金属10表面上的金属布线14的外部端子。
接着，如图2I所示，半导体元件22的电极和金属布线14通过金属凸起20而相互电连接。此外，在基底金属10的表面和半导体元件22的背面之间注入绝缘树脂，半导体元件22的背面被绝缘树脂24所密封，同时将金属布线14和抗蚀膜16包括在内。绝缘树脂24形成为比抗蚀膜16更厚。因此，绝缘树脂24也形成于抗蚀膜16的表面上。
接着，如图2J所示，用密封树脂26将半导体元件22密封在基底金属10上，并且如图2K所示，通过溶剂去除基底金属10。在这些工序之后，金属布线14在绝缘树脂24的背面上暴露出来。此外，围绕着金属布线14的外部端子的抗蚀膜16也暴露出来。
接着，在去除抗蚀膜16之后，如图2L所示，在绝缘树脂24的背面上形成下凹部分28，并将金属布线14的外部端子与绝缘树脂24分开。之后如图2M所示，在绝缘树脂24和密封树脂26的背面上通过印刷而形成阻焊膜29，同时留出下凹部分28。然后如图2N所示，金属布线14的外部端子经焊球30而与安装衬底(未示出)电连接。
图3和图4是由上述方法制造的半导体器件的背面被局部放大的截面图和透视图。
在金属布线14的外部端子周围形成了形状与剩余抗蚀膜16相一致的下凹部分28。在此实施例中，抗蚀膜16形成为圆柱形，因而下凹部分28也形成为圆柱形，其具有由底面32和侧面34构成的内表面。绝缘树脂24形成为比上述工序中的抗蚀膜16更厚，可防止半导体元件暴露在下凹部分28的底面32上。下凹部分28并不总是需要形成为圆柱形，它可以为中空部分，从而将金属布线14的外部端子与绝缘树脂24间隔开。
在此下凹部分28中，金属布线14的外部端子50从下凹部分28的侧面上伸出。外部端子50包括直接位于从下凹部分28的侧面上伸出的部分之后的基底部分52、与焊球30电连接的盘形焊接区54，以及将基底部分52和焊接区54的外边缘相连的弯曲部分56。因此，焊接区54通过弯曲部分56而在一端处被支撑。通过这样构建的外部端子50，无论与焊接区54相连的焊球30在X，Y，Z方向中的哪一方向上移动，焊接区54均可不受限制地随从焊球30的位移而移动。
此外，在此实施例中，外部端子50形成为与绝缘树脂24和阻焊膜29平行。因此，外部端子50设置在下凹部分28内，且不与下凹部分28的底面32接触，也不突出到阻焊膜29的暴露表面之外。此外，虽然外部端子50可与底面32接触，然而外部端子50必须被周边元件所限制。
在此实施例中，由于外部端子50设置在下凹部分28内，当搬运半导体器件自身时，例如外部端子50的损坏和变形等问题就得到了抑制。
当然，如果只考虑焊球30的随动性，那么可允许外部端子50从下凹部分28中突出。
接着将参考图5A到5P来介绍本发明的第二实施例。图5A到5P是以工序顺序显示了与本发明的第二实施例有关的半导体器件制造方法的截面图。
如图5A到5D所示，在基底金属110上涂覆图案成形阻蚀膜112，使其图案与金属布线图案相反，并在凹槽中进行金属电镀。然后，在去除了图案成形阻蚀膜112后，在基底金属110上形成金属布线114的图案。
接着如图5E所示，形成抗蚀膜116以覆盖基底金属110的表面和金属布线114的表面。抗蚀膜116形成为其厚度可完全地覆盖金属布线114。
然后如图5F所示，利用光掩膜118并通过紫外线来照射抗蚀膜116。在光掩膜118中，将不应被紫外线照射的部分掩蔽。将被紫外线照射的部分是围绕在与金属布线的外部端子相对应的位置处的外部端子周围的部分。在图5G中显示了被紫外线照射的部分。
接着，如图5H所示，通过显影去除抗蚀膜116。在未被紫外线照射的部分处的抗蚀膜116保留下来。抗蚀膜116残留在基底金属110的表面上，同时留出了金属布线114的外部端子。
接着，如图5I所示，在外部端子上填充去除树脂117。将被去除树脂117填充的部分是已通过显影去除了抗蚀膜116的部分。在填充了去除树脂117的部分将在以后形成下凹部分。之后，如图5J所示，从基底金属110上完全去除抗蚀膜116。在这种情况下，去除树脂117覆盖在基底金属110上的金属布线114的外部端子上。
接着如图5K所示，通过金属凸起120将半导体元件122的电极和金属布线114电连接。此外，在基底金属110的表面和半导体元件122的背面之间注入绝缘树脂124，半导体元件122的背面被绝缘树脂124所密封，同时将金属布线114和去除树脂117包括在内。绝缘树脂124形成为比去除树脂117更厚。因此，绝缘树脂124也形成于去除树脂117的表面上。
接着，如图5L所示，将半导体元件122密封在基底金属110上，并且如图5M所示，通过溶剂去除基底金属110。在这些工序之后，金属布线114暴露在绝缘树脂124的背面。此外，围绕着金属布线114的外部端子的去除树脂117也暴露出来。
接着，在去除了去除树脂117之后，如图5N所示，在绝缘树脂124的背面上形成下凹部分128，以将金属布线114的外部端子与绝缘树脂124分开。之后如图5O所示，在绝缘树脂124和密封树脂126的背面上通过印刷而形成阻焊膜129，同时留出下凹部分128。然后如图5P所示，金属布线114的外部端子经焊球130而与安装衬底(未示出)电连接。
同样在上述第二实施例中，金属布线114的外部端子具有位于下凹部分128内的自由端。外部端子的形状也形成为可吸收半导体器件和安装衬底之间的相对位移。
接着将参考图6A到6O来介绍与本发明的第三实施例有关的半导体器件的制造方法。
如图6A所示，制备基底金属210。基底金属210为铜板。然后如图6B所示，涂覆图案与金属布线图案相反的图案成形阻蚀膜212。然后如图6C所示，在由图案成形阻蚀膜212所形成的凹槽中进行金属电镀。电镀是采用铜以外的金属如镍来进行的。然后，在去除了图案成形阻蚀膜212后，在基底金属210上形成金属布线214的图案，如图6D所示。
接着如图6E所示，形成抗蚀膜216以覆盖基底金属210的表面和金属布线214的表面。抗蚀膜216形成为其厚度可完全地覆盖金属布线214。
然后如图6F所示，利用光掩膜218并通过紫外线来照射抗蚀膜216。在光掩膜218中，将不应被紫外线照射的部分掩蔽。将被紫外线照射的部分是围绕在与金属布线的外部端子相对应的位置处的外部端子周围的部分。在图6G中显示了被紫外线照射的部分。
接着，如图6H所示，通过显影去除抗蚀膜216。在未被紫外线照射的部分处的抗蚀膜216保留下来。抗蚀膜216残留在基底金属210的表面上，同时留出了金属布线214的外部端子。
然后如图6I所示，将作为与基底金属210相同的金属的铜镀层217涂覆在外部端子上。将被填充铜镀层217的部分是已经通过显影去除了抗蚀膜216的部分。在填充有铜镀层217的部分处在以后将形成下凹部分。之后如图6J所示，从基底金属210上完全地去除抗蚀膜216。在这种情况下，铜镀层217覆盖在基底金属210上的金属布线214的外部端子上。
接着如图6K所示，通过金属凸起220将半导体元件222的电极和金属布线214电连接。此外，在基底金属210的表面和半导体元件222的背面之间注入绝缘树脂224，半导体元件222的背面被绝缘树脂224所密封，同时将金属布线214和铜镀层217包括在内。绝缘树脂224形成为比铜镀层217更厚。因此，绝缘树脂224也形成于铜镀层217的表面上。
接着，如图6L所示，用密封树脂226将半导体元件222密封在基底金属210上。之后采用硫酸铜溶液或氯化铜溶液进行蚀刻。通过此蚀刻工序，可以同时去除由铜制成的基底金属210和铜镀层217。
在如图6M所示地去除了基底金属210和铜镀层217后，在绝缘树脂224的背面上形成下凹部分228，以将金属布线214的外部端子与绝缘树脂224相隔开。之后如图6N所示，在绝缘树脂224和密封树脂226的背面上通过印刷而形成阻焊膜229，同时留出下凹部分228。然后如图6O所示，将金属布线214的外部端子经焊球230而与安装衬底(未示出)电连接。
同样在上述第三实施例中，金属布线214的外部端子具有位于下凹部分228内的自由端。外部端子的形状也形成为可吸收半导体器件和安装衬底之间的相对位移。
接着将参考图7A到7P来介绍与本发明的第四实施例有关的半导体器件的制造方法。
如图7A所示，制备基底金属310。基底金属310为铜板。然后如图7B所示，在基底金属210上靠近基端部分处形成下凹部分311，其在器件形成为成品后用作外部端子的自由端。在此实施例中，下凹部分311由与基底金属310相同的铜制成，然而它可由如第二实施例所述的去除树脂形成。然而在采用去除树脂的情况下需增加溶解树脂的工序，因此优选采用与基底金属310相同的金属来形成下凹部分311。另外，可以在制备基底金属310的工序中在预定部分处形成不规则的部分311。
然后如图7C所示，涂覆与金属布线图案相反的图案成形阻蚀膜312。然后如图7D所示，在由图案成形阻蚀膜312所形成的凹槽中进行金属电镀。电镀是采用铜以外的金属如镍来进行的。然后，在去除了图案成形阻蚀膜312后，在基底金属310上形成金属布线314的图案，如图7E所示。在此工序后，金属布线314横跨在靠近基端部分处的下凹部分311上，其在器件形成为成品后用作外部端子的自由端。
接着如图7F所示，形成抗蚀膜316以覆盖基底金属310的表面和金属布线314的表面。抗蚀膜316形成为其厚度可完全地覆盖金属布线314。
然后如图7G所示，利用光掩膜318并通过紫外线来照射抗蚀膜316。在光掩膜318中，将不应被紫外线照射的部分掩蔽。将被紫外线照射的部分是围绕在与金属布线的外部端子相对应的位置处的外部端子周围的部分。在图7H中显示了被紫外线照射的部分。
接着，如图7I所示，通过显影去除抗蚀膜316。在未被紫外线照射的部分处的抗蚀膜316保留下来。抗蚀膜316残留在基底金属310的表面上，同时留出了金属布线314的外部端子。
然后如图7J所示，将作为与基底金属310和下凹部分311相同的金属的铜镀层317涂覆在外部端子上。将被填充铜镀层317的部分是已经通过显影去除了抗蚀膜316的部分。在填充有铜镀层317的部分处将在以后形成下凹部分。
之后如图7K所示，从基底金属310上完全地去除抗蚀膜316。在这种情况下，铜镀层317覆盖在基底金属310上的金属布线314的外部端子上。
接着如图7L所示，通过金属凸起320将半导体元件322的电极和金属布线314电连接。此外，在基底金属310的表面和半导体元件322的背面之间注入绝缘树脂324，半导体元件322的背面被绝缘树脂324所密封，同时将金属布线314和铜镀层317包括在内。绝缘树脂324形成为比铜镀层317更厚。因此，绝缘树脂324也形成于铜镀层317的表面上。
接着，如图7M所示，用密封树脂326将半导体元件322密封在基底金属310上。之后采用硫酸铜溶液或氯化铜溶液进行蚀刻。通过此蚀刻工序，可以同时去除由铜制成的基底金属、由铜制成的下凹部分311和铜镀层317。
如图7N所示，在去除了基底金属310、下凹部分311和铜镀层317后，在绝缘树脂324的背面上形成下凹部分328，以将金属布线314的外部端子与绝缘树脂324分开。在所示实施例中，还同时去除下凹部分311。结果，外部端子的自由端可在三维方向上弯曲。
之后如图7O所示，在绝缘树脂324和密封树脂326的背面上通过印刷而形成阻焊膜329，同时留出下凹部分328。
接着如图7P所示，将金属布线314的外部端子经焊球330而与安装衬底(未示出)电连接。
同样在上述第四实施例中，金属布线314的外部端子具有位于下凹部分328内的自由端。外部端子的形状也形成为可吸收半导体器件和安装衬底之间的相对位移。
上述第一到第三实施例的方法只用于制造外部端子的自由端可在二维方向上弯曲的半导体器件。此第四实施例所述的制造方法适于形成自由端可在三维方向上弯曲的情况以及自由端可在二维方向上弯曲的情况。
图8A到8F显示了金属布线的外部端子的其它示例。这些外部端子具有在二维方向上弯曲的弯曲部分。
如图8A所示的外部端子410具有弯曲部分412，其形成为从基端部分411延伸出约180°的弧形；和焊接区414，其经跨接部分413支撑于弯曲部分412的端部。这样构建的外部端子410适于吸收在基端部分411的延伸方向上的位移，即正交于跨接部分的延伸方向上的位移。
如图8B所示的外部端子420具有从基端部分421上延伸出的尖锐的L形弯曲部分422，以及支撑于弯曲部分422的端部处的焊接区424。这样构建的外部端子420适于吸收在基端部分421的延伸方向上的位移。
如图8C所示的外部端子430具有一对弧形的弯曲部分432，432，其从基端部分431上延伸出约90°；和焊接区434，其经跨接部分433支撑于弯曲部分432，432的端部。这样构建的外部端子430适于吸收在基端部分431的延伸方向上的位移，即正交于跨接部分433的延伸方向上的位移。
如图8D所示的外部端子440具有一对弧形的弯曲部分442，442，其从基端部分441上延伸出约180°，此对弯曲部分442，442形成一个圆。焊接区444由向内的跨接部分443支撑于弯曲部分442上与基端部分441相反的一侧。这样构建的外部端子440适于吸收与基端部分441的延伸方向和跨接部分433的延伸方向正交的方向上的位移。
如图8E所示的外部端子450具有一对从基端部分451上延伸出的尖锐的L形弯曲部分452，452，以及支撑于这对弯曲部分452，452的前端处的焊接区454。这样构建的外部端子450适于吸收在基端部分451的延伸方向上的位移。
如图8F所示的外部端子460具有弧形的弯曲部分462，其从基端部分461上延伸出约45°；跨接部分463，其从弯曲部分462的端部朝向弧的中心；和焊接区464，其支撑于跨接部分463的前端。这样构建的外部端子460适于吸收正交于跨接部分463的延伸方向上的位移。
图9是显示了金属布线的外部端子的另一示例的截面图。此示例的金属布线的外部端子550具有在半导体器件的三维方向即厚度方向上的弯曲部分。图9所示的半导体器件是参考图7A到7P所示的第四实施例的方法来制造的。
如图9所示，外部端子550从下凹部分528内部的下凹部分528的侧面上延伸出。外部端子550包括紧接着从下凹部分528的侧面上延伸出的部分之后的基端部分552、与焊球530电连接的焊接区554，以及将基端部分552和焊接区554相连的弯曲部分556。
当在半导体器件和安装衬底之间的箭头方向上发生相对位移时，弯曲部分556发生三维的变形并吸收此位移。因此，焊接区554可随从焊球550的位移而变形，不会受到外部端子550的限制。此示例的外部端子具有很强的吸收外部端子的突出方向上和垂直于此突出方向上的位移的能力。
一个半导体器件可具有多个外部端子。在各个端子中，预计位移方向相互不同。最好，各个外部端子的形状选择成外部端子可从半导体器件上径向地移动，因而可更有效地吸收半导体器件和安装衬底之间的相对位移。
如上述详细的介绍，根据本发明，下凹部分形成于绝缘树脂的背面中，外部端子的自由端在下凹部分内突出。即使因半导体器件和安装衬底之间的热膨胀系数的差异而发生相对位移时，此位移也会被外部端子的自由端在下凹部分内的变形所吸收、焊球伴随着安装衬底而移动，几乎没有其它的力如剪切力作用在外部端子和焊球的连接部分上。因此，即使半导体器件重复地受热，在半导体器件和安装衬底之间的连接部分处也几乎不产生性能恶化，延长了半导体器件的寿命，提高了产品的可靠性。
权利要求
1.一种半导体器件，包括在一个表面上具有电极的半导体元件；通过金属凸起与所述电极相连的金属布线；位于所述半导体元件和所述金属布线之间的绝缘树脂；和位于所述绝缘树脂内的下凹部分，所述金属布线的外部端子的自由端在所述下凹部分内伸出。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外部端子在所述下凹部分内伸出。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述外部端子包括在所述下凹部分内伸出的基端部分、位于所述下凹部分内的焊球连接区和位于所述下凹部分内的弯曲部分，所述弯曲部分在与连接在所述连接区上的所述基端部分的伸出方向不同的方向上弯曲和延伸。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述弯曲部分在平行于所述半导体器件的平面的方向上延伸和弯曲。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述弯曲部分在正交于所述半导体器件的平面的方向上延伸和弯曲。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体器件的所述表面上形成了用于保护金属布线的阻焊膜，同时留出了所述下凹部分。
7.一种半导体器件的制造方法，包括步骤在基底金属的表面上形成金属布线图案；在所述基底金属和所述金属布线上形成抗蚀膜；去除所述抗蚀膜，同时留出所述金属布线的外部端子；通过金属凸起将半导体元件的电极和所述布线电连接；采用位于所述基底金属的表面和所述半导体元件的背面之间的绝缘树脂来密封所述布线和所述抗蚀膜；用密封树脂将所述半导体元件密封在所述基底金属上；去除所述基底金属；和去除所述抗蚀膜。
8.一种半导体器件的制造方法，包括步骤在基底金属的表面上形成金属布线图案；在所述基底金属和所述金属布线上形成抗蚀膜；去除所述金属布线的外部端子上的所述抗蚀膜；将去除树脂填充在所述金属布线的外部端子上；去除所述抗蚀膜；通过金属凸起将半导体元件的电极和所述布线电连接；采用位于所述基底金属的表面和所述半导体元件的背面之间的绝缘树脂来密封所述布线和所述抗蚀膜；用密封树脂将所述半导体元件密封在所述基底金属上；去除所述基底金属；和去除所述去除树脂。
9.一种半导体器件的制造方法，包括步骤在由铜形成的基底金属的表面上形成铜以外的金属的布线图案；在所述基底金属和所述金属布线上形成抗蚀膜；去除所述金属布线的外部端子上的所述抗蚀膜；在所述金属布线的外部端子上进行铜镀；去除所述抗蚀膜；通过金属凸起将半导体元件的电极和所述布线电连接；采用位于所述基底金属的表面和所述半导体元件的背面之间的绝缘树脂来密封所述布线和所述抗蚀膜；用密封树脂将所述半导体元件密封在所述基底金属上；同时去除所述基底金属和铜镀层。
10.根据权利要求9所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述铜以外的金属为蚀刻速度小于铜的金属。
11.根据权利要求7到10中任一项所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法还包括在形成金属布线图案之前在所述基底金属的表面上的所述外部端子的位置处形成不规则的部分的工序，所述金属布线图案的形成是在所述不规则的部分上形成金属布线图案。
12.根据权利要求7到10中任一项所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法还包括用阻焊剂涂覆所述密封树脂、绝缘树脂和金属布线同时留出所述外部端子的工序。
全文摘要
在金属布线的外部端子的附近形成形状与残余阻蚀膜相适应的下凹部分。金属布线的外部端子从下凹部分的侧面上伸出。通过这样构建外部端子，无论与焊接区相连的焊球在X，Y和Z方向上的哪一方向上移动，焊接区均可不受限制地随从焊球的位移而移动。因此，即使半导体器件和安装衬底因热膨胀系数的差异而具有相互间不同的伸长差异，此伸长也能被吸收。
文档编号H01L23/498GK1445842SQ0215989
公开日2003年10月1日 申请日期2002年12月24日 优先权日2001年12月26日
发明者野纯, 泷泽朋子, 前田武彦 申请人:恩益禧电子股份有限公司