专利名称：金属导线的蚀刻方法
技术领域：
本发明是有关于一种半导体芯片的后段制程，特别是有关一种以一非晶碳植入层(amorphous carbon doped layer)作为硬罩幕来蚀刻金属导线的方法。
背景技术：
在半导体芯片的后段(back end of line；BEOL)制程中，在芯片中加上连接各组件与各层所需要的金属系统的制程，称为金属化制程。上述的金属化制程是包含形成一介电质层覆盖一半导体基板、平坦化并图形化上述介电质层以形成沟槽及/或介层窗、以及填充上述沟槽及/或介层窗以形成导线及/或介层窗插塞。然后执行一化学机械研磨(chemicalmechanical polishing)制程将上述半导体基板的表面作平坦化处理。
发展一具有高电子组件与内连线积集度、小尺寸、且功能强大的半导体芯片是目前的当务之急，意味着上述的内连线需要一线宽小于0.18nm(0.18μm)的金属导线。而在130nm(0.13μm)以下的制程设计准则(design rule)中最关键的因素，是以一微影制程定义上述金属导线的解析能力。在130nm(0.13μm)以下的微影制程所使用的光源是波长为不大于248nm的深紫外线雷射，而使用一介电质抗反射层(dielectricanti-reflection coating；DARC)与一厚度较薄的阻剂层的组合可以有效地增加微影制程中的小尺寸控制能力，并能够提供所需要的分辨率。然而，传统的金属层例如Al、Ti、与TiN等，与深紫外线微影制程中所使用的阻剂材料的蚀刻选择比(etch selectivity)都太小，而不足以单独使用厚度较薄的阻剂层来蚀刻金属导线。
于是，在上述金属层上必须沉积一较能耐受蚀刻的物质，除了能够在蚀刻例如反应离子蚀刻(reactive ion etching；RIE)时发挥其功能之外，并且能够在图形化(patterning)时提供较佳的抗反射性。硬罩幕材料，因为其在反应离子蚀刻中具有相当低的蚀刻速率，可在上述金属层上沉积较薄的厚度，并因此可以更容易地使用较薄的阻剂罩幕将其图形化。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种金属导线的蚀刻方法，用以在半导体后段制程中，以0.13μm或更小的制程蚀刻一金属导线。
为达成本发明的上述目的，本发明是提供一种金属导线的蚀刻方法，包括下列步骤提供一基板，上述基板具有一金属层；于上述金属层上形成一非晶碳植入层(amorphous carbon doped layer)；于上述非晶碳植入层上形成一阻剂层；图形化上述阻剂层来定义一阻剂罩幕；蚀刻上述非晶碳植入层中未被上述阻剂罩幕覆盖的部分而在上述非晶碳植入层定义一硬罩幕；剥除上述阻剂罩幕；以及蚀刻上述金属层未被该硬罩幕覆盖的部分，以形成一金属导线。
图1至图8为一系列的剖面图，是显示本发明较佳实施例中以0.13μm或更小的制程蚀刻一金属导线的步骤。
符号说明100-基板110-金属层
110a-Ti/TiN层110b-Al层110c-Ti/TiN层112-金属导线120-非晶碳植入层122-硬罩幕130-阻剂层132-阻剂罩幕136-抗反射层具体实施方式
为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下如图1至图8所示，为一系列的剖面图，是显示本发明较佳实施例中以0.13μm或更小的制程蚀刻一金属层的步骤。本发明的金属导线的蚀刻方法是包含形成一非晶碳植入层(amorphous carbon doped layer)作为硬罩幕来在上述金属层中形成一金属内连线。
首先，在图1中是提供一具有组件区(未绘示于图面)的基板100，基板100更可能包含一未完成的内连线(未绘示于图面)于上述组件区之上。由于上述的组件区与未完成的内连线并非本发明的重要特征，因此并未绘示于图面上来作详细的叙述，以免在描述本发明时失焦。一金属层110例如具有一Ti/TiN层110c层迭于一Al层110b上、而Al层110b层迭于一Ti/TiN层110a上的层迭结构的金属层是沉积于基板100之上；而在制程世代走向0.18μm或更小时，在金属层110的层迭结构中，Ti/TiN层110a的厚度通常为200-1000，Al层110b的厚度通常为3000-8000，Ti/TiN层110c的厚度通常为250-1000，且Al层110b通常更包含约0.5个重量百分比的浓度的Cu。
接下来，如图2所示，以电浆增益化学气相沉积(plasma enhancedchemical vapor deposition；PECVD)法，将一厚度为300-1000的非晶碳植入层120形成于金属层110之上。在上述PECVD法中，是以一C3H6气体作为前驱物(precursor)，以一频率为380KHZ-13.56MHZ的射频电场将上述C3H6气体离子化后；在300℃-400℃的温度下，使已离子化的碳粒子轰击金属层110，以在金属层110上形成非晶碳植入层120。请注意非晶碳植入层120亦可在以下的图形化步骤中作为一抗反射层。
接下来，如图3所示，阻剂层130是以例如旋转涂布法等方法形成于非晶碳植入层120上。视需要可在阻剂层130的顶层或底层形成一抗反射层136；抗反射层136可与非晶碳植入层120一起在以下的图形化的过程中减少光的反射。而在本发明的较佳实施例中，抗反射层136是位于阻剂层130的底层。
接下来，如图4所示，以一波长为不大于248nm的光源例如为一深紫外线激光束图形化阻剂层130，形成阻剂层开口134并形成阻剂罩幕132。其中阻剂罩幕132是在蚀刻抗反射层136与非晶碳植入层120时作为罩幕之用。
接下来，如图5所示，以一含氧电浆蚀刻阻剂层开口134下方的抗反射层136与非晶碳植入层120，形成硬罩幕开口124；而未被蚀刻的非晶碳植入层120则成为硬罩幕122，而在蚀刻硬罩幕开口124下方未被硬罩幕122遮蔽的金属层110时，作为硬罩幕之用。
接下来，如图6所示，将阻剂罩幕132剥除，以曝露出硬罩幕122。
接下来，如图7所示，在10mT-150mT的气压、以100瓦-1500瓦的功率，以反应离子蚀刻(reactive ion etching；RIE)，使用氧气(O2)、氮气(N2)、或含氟气体例如CF4蚀刻金属层110中在硬罩幕开口124下方、未被硬罩幕122覆盖的部分。在蚀刻金属层110时，抗反射层136亦被移除，而硬罩幕层122即发挥其作为蚀刻罩幕的功能，将一线宽为0.13μm或更小的预定图形转移至金属层110，而形成一具有0.13μm或更小的线宽的金属导线112。
最后，如图8所示，以氧气将硬罩幕122灰化(ashing)，以暴露出金属层112。
与习知技术比较，本发明的优点是可以降低在金属导线的线宽以形成一高密度的金属内连线。本发明是可以将上述在金属导线的线宽降低至0.13μm以下，是达成上述本发明的主要目的。
权利要求
1.一种金属导线的蚀刻方法，包括下列步骤提供一基板，该基板具有一金属层；于该金属层上形成一非晶碳植入层(amorphous carbon dopedlayer)；于该非晶碳植入层上形成一阻剂层；图形化该阻剂层来定义一阻剂罩幕；蚀刻该非晶碳植入层中未被该阻剂罩幕覆盖的部分而在该非晶碳植入层定义一硬罩幕；剥除该阻剂罩幕；以及蚀刻该金属层未被该硬罩幕覆盖的部分，以形成一金属导线。
2.根据权利要求1所述的金属导线的蚀刻方法，其中该金属层更包含一第一Ti/TiN层、一Al层、与一第二Ti/TiN层，其中该Al层是于该第一Ti/TiN层上，且该第二Ti/TiN层是于该Al层上。
3.根据权利要求2所述的金属导线的蚀刻方法，其中该Al层更包含大体为0.5个重量百分比的浓度的Cu。
4.根据权利要求2所述的金属导线的蚀刻方法，其中该第一Ti/TiN层的厚度为200-1000、该Al层的厚度为3000-8000、该第二Ti/TiN层的厚度为250-1000。
5.根据权利要求1所述的金属导线的蚀刻方法，其中该非晶碳植入层的厚度为300-1000。
6.根据权利要求1所述的金属导线的蚀刻方法，更包含在形成该非晶碳植入层之后，形成一抗反射层。
7.根据权利要求1所述的金属导线的蚀刻方法，其中该阻剂罩幕是以一波长为不大于248nm的光源来图形化该阻剂层而形成。
8.一种金属导线的蚀刻方法，包括下列步骤提供一基板，该基板具有一金属层，其中该金属层更包含一第一Ti/TiN层、一Al层、与一第二Ti/TiN层，其中该Al层是于该第一Ti/TiN层上，且该第二Ti/TiN层是于该Al层上；于该金属层上形成厚度为300-1000的一非晶碳植入层(amorphous carbon doped layer)；于该非晶碳植入层上形成一阻剂层；以一波长为不大于248nm的光源图形化该阻剂层来定义一阻剂罩幕；蚀刻该非晶碳植入层中未被该阻剂罩幕覆盖的部分而在该非晶碳植入层定义一硬罩幕；剥除该阻剂罩幕；蚀刻该金属导线未被该硬罩幕覆盖的部分，以形成一金属导线；以及灰化(ashing)该硬罩幕，以暴露该金属导线。
9.根据权利要求8所述的金属导线的蚀刻方法，其中该第一Ti/TiN层的厚度为200-1000、该Al层的厚度为3000-8000、该第二Ti/TiN层的厚度为250-1000。
10.根据权利要求8所述的金属导线的蚀刻方法，更包含在形成该非晶碳植入层之后，形成一抗反射层。
全文摘要
本发明揭示一种金属导线的蚀刻方法，包括下列步骤提供一基板，上述基板具有一金属层；于上述金属层上形成一非晶碳植入层(amorphous carbon doped layer)；于上述非晶碳植入层上形成一阻剂层；图形化上述阻剂层来定义一阻剂罩幕；蚀刻上述非晶碳植入层中未被上述阻剂罩幕覆盖的部分而在上述非晶碳植入层定义一硬罩幕；剥除上述阻剂罩幕；以及蚀刻上述金属层未被该硬罩幕覆盖的部分，以形成一金属导线。
文档编号H01L21/02GK1553486SQ0313636
公开日2004年12月8日 申请日期2003年6月2日 优先权日2003年6月2日
发明者聂俊峰, 王清帆, 郑丰绪, 陈振隆 申请人:矽统科技股份有限公司