专利名称：蚀刻剂以及制造金属线和使用其的薄膜晶体管基板的方法
技术领域：
本文中公开的发明涉及蚀刻剂(etchant)以及制造金属线(金属配线，metalwiring)和使用其的薄膜晶体管基板的方法。
背景技术：
诸如液晶显示装置、等离子体显示装置、电泳显示装置和有机电致发光装置的显示装置得到了广泛的使用。显示装置包括基板和在所述基板上的多个像素。每个像素包括连接至所述基板上的栅极线和数据线的薄膜晶体管。关于薄膜晶体管，通过栅极线输入栅极导通电压 (gate-on-voltage)并且通过数据线输入图像信号。栅极线和数据线由金属形成并且通过光刻工艺而图案化。
发明内容
本发明提供了一种具有高蚀刻速率和改善的老化性能的蚀刻剂。本发明还提供了一种减少如线之间的断开(disconnection)的线缺陷的制造金属线的方法。本发明还提供了一种降低制造时间和成本、以及减少如断线的线缺陷的制造薄膜晶体管基板的方法。本发明的实施方式提供了蚀刻剂，所述蚀刻剂包含相对于所述蚀刻剂的总重量，以约0. 5重量％至约20重量％的量包含的过硫酸盐；相对于所述蚀刻剂的总重量，以约0. 01重量％至约2重量％的量包含的氟化物；相对于所述蚀刻剂的总重量，以约I重量％至约10重量％的量包含的无机酸；相对于所述蚀刻剂的总重量，以约0. 5重量％至约5重量％的量包含的环胺；相对于所述蚀刻剂的总重量，以约0. I重量％至约10. 0重量％的量包含的磺酸；以及相对于所述蚀刻剂的总重量，以约0. I重量％至约10重量％的量包含的有机酸及其盐中的至少一种。所述蚀刻剂还可以包含使得所述蚀刻剂的总重量为100重量％的量的水。所述过硫酸盐可以为K2S208、Na2S208、或(NH4)2S2O8中的至少一种。所述氟化物可以为氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠、或氟化氢钾中的至少一种。所述无机酸可以是硝酸、硫酸、磷酸、或高氯酸中的至少一种。所述环胺可以是氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、或吡咯啉中的至少一种。所述磺酸可以是对甲苯磺酸或甲磺酸。
所述有机酸可以是羧酸、二羧酸、三羧酸、或四羧酸。所述有机酸可以是乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸(磺基酞酸)、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸、或乙二胺四乙酸(“EDTA”)中的至少一种。所述蚀刻剂可以蚀刻包含铜和钛的多层。在本发明的其他实施方式中，形成金属线的方法包括堆叠包含铜和钛的金属层；在所述金属层上形成光致抗蚀剂层图案，并通过使用所述光致抗蚀剂层图案作为掩模，用蚀刻剂对所述金属层的一部分进行蚀刻；以及除去所述光致抗蚀剂层图案。在本发明的另外其他实施方式中，形成薄膜晶体管基板的方法包括在基板上形成栅极线，和连接至所述栅极线的栅电极；形成与所述栅极线交叉并与所述栅极线绝缘的数据线、连接至所述数据线的源电极和与所述源电极隔开的漏电极；以及形成连接至所述 漏电极的像素电极。形成栅极线和栅电极可以是上述形成金属线的方法。
包括附图以提供本发明的进一步理解，并且将所述附图结合在本说明书中并构成本说明书的一部分。所述附图示出了本发明的示例性实施方式，并且与描述内容一起用来解释本发明的原理。在图中图IA至图IE是示出了利用根据本发明的蚀刻剂来形成金属线的方法的示例性实施方式的截面图；图2是示出了使用根据本发明的蚀刻剂制造的显示装置的结构的示例性实施方式的平面图；图3是沿图2的线1-1’的截面图；图4A至图4C是依次示出了与根据本发明制造显示装置的方法相关的薄膜晶体管基板的制造工艺(方法)的示例性实施方式的截面平面图；图5A至图5C是分别沿图4A至图4C的线11-11’截取的截面图；图6A和图6B是使用第一蚀刻剂除去金属线的光致抗蚀剂层之前的截面扫描电子显微镜(“SEM”)照片；图7A和图7B是使用第二蚀刻剂除去金属线的光致抗蚀剂层之后的截面SEM照片；以及图8A和图SB是使用第二蚀刻剂除去金属线的光致抗蚀剂层之后的透视SEM照片。
具体实施例方式下面将参考附图更详细地描述本发明。然而，本发明可以以不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开内容详尽而完整，并将本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。 在下文中，将根据本发明来描述蚀刻剂的示例性实施方式。根据本发明的示例性实施方式，使用蚀刻剂用于通过蚀刻堆叠在基板上并包含铜和钛的双层来形成金属层。更详细地，可以将蚀刻剂用于蚀刻包含钛层和铜层的双层。根据本发明的示例性实施方式，蚀刻剂包含过硫酸盐、氟化物、无机酸、环胺、磺酸、有机酸、或有机酸的盐中的至少一种。过硫酸盐是主要的氧化剂，可同时蚀刻钛层和铜层。相对于所述蚀刻剂的总重量，过硫酸盐以约0. 5重量％至约20重量％的量包含在所述蚀刻剂中。当过硫酸盐的含量低于约0. 5重量％时，蚀刻速率下降，使得可能不能获得期望量的蚀刻。当过硫酸盐的含量高于约20重量％时，蚀刻速率太高，使得难以控制蚀刻的程度，从而导致钛层和铜层被过度蚀刻。过硫酸盐可以包括K2S208、Na2S208、或(NH4)2S2O8中的至少一种。氟化物蚀刻钛层并且还除去通过蚀刻钛层而造成的残留物。相对于所述蚀刻剂的总重量，氟化物以约0. 01重量％至约2. 0重量％的量包含在所述蚀刻剂中。当氟化物的含量小于约0. 01重量％时，难以蚀刻期望量的钛层。当氟化物的含量高于约2. 0重量％时， 从钛蚀刻产生残留物。而且，当氟化物的含量高于约2. 0重量％时，可能蚀刻钛以及其下方的玻璃基板。氟化物可以包括氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠、或氟化氢钾中的至少一种。另外，氟化物可以包括它们的混合物。无机酸是次要氧化剂。根据无机酸在蚀刻剂中的含量，可以控制蚀刻速率。无机酸可以与蚀刻剂中的铜离子发生反应，从而防止铜离子增加和蚀刻速率下降。相对于所述蚀刻剂的总重量，无机酸以约I重量％至约10重量％的量包含在所述蚀刻剂中。当无机酸的含量低于约I重量％时，蚀刻速率下降，使得蚀刻速率可能不够快。当无机酸的含量高于10重量％时，在金属层的蚀刻期间可能在光致抗蚀剂层中产生裂纹或者光致抗蚀剂层可能会剥离。如果光致抗蚀剂层具有裂纹或者剥离，则可能过度蚀刻在光致抗蚀剂层下方的钛层或铜层。无机酸可以包括硝酸、硫酸、磷酸或高氯酸中的至少一种。环胺是抗腐蚀剂(anticorrosive agent)。根据环胺在蚀刻剂中的含量,可以控制铜层的蚀刻速率。相对于所述蚀刻剂的总重量，环胺以约0. 5重量％至约5. 0重量％的量包含在所述蚀刻剂中。当环胺的含量小于约0. 5重量％时，铜层的蚀刻速率增大，使得存在可能过度蚀刻的风险。当环胺的含量高于约5. 0重量％时，铜层的蚀刻速率下降，使得可能不能获得期望的蚀刻程度。 环胺可以包括氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡唆、嘧啶、吡咯或吡咯烷、吡咯啉中的至少一种。磺酸是用于防止老化的添加剂。磺酸在蚀刻剂中解离成硫酸根离子(SO/—)从而延迟过硫酸铵的水解速度。当待处理的储存基板的数目增加时，磺酸可防止铜和钛的蚀刻速率中的不稳定。相对于所述蚀刻剂的总重量,磺酸以约0. I重量％至约10. 0重量％的量包含在所述蚀刻剂中。磺酸可以包括对甲苯磺酸或甲磺酸。相对于所述蚀刻剂的总重量，有机酸和有机酸的盐中的至少一种以约0. I重量％至约10重量％的量包含在所述蚀刻剂中。当在蚀刻剂中有机酸的含量增大时，蚀刻速率下降。特别地，有机酸盐可以充当螯合剂(螯合物，chelate)以与蚀刻剂的铜离子形成络合物，从而调节铜的蚀刻速率。因此，通过将蚀刻剂中有机酸和有机酸盐的含量调节至合适的水平，可以调节蚀刻速率。当有机酸和有机酸盐中的至少一种的含量小于约0. I重量％时，难以调节铜的蚀刻速率，使得可能发生过度蚀刻(过蚀刻)。当有机酸和有机酸盐中的至少一种的含量高于约10重量％时，铜的蚀刻速率下降，使得在制造或形成工艺期间，可能延长蚀刻时间。作为其结果，可能减少在给定时间内能够处理的基板的数目。有机酸可以包括羧酸、二羧酸、或三羧酸中的至少一种。更详细地，有机酸可以包括乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸或乙二胺四乙酸(“EDTA”)。有机酸盐可以包括有机酸的钾盐、钠盐、或铵盐中的至少一种。除了上述成分之外，所述蚀刻剂还可以包含另外的蚀刻调节剂、表面活性剂、和pH 调节剂。蚀刻剂可以包含水以使所述蚀刻剂的总重量为约100重量％。所述水可以为去离子水。所述蚀刻剂还可以包含另外的成分，只要所述另外的成分不会不利地影响本文中讨论的蚀刻剂的期望性能即可。所述蚀刻剂可以用于制造电子装置的工艺，并且更详细地，可以用于在电子装置的制造工艺期间蚀刻堆叠在基板上的金属层。根据本发明的一个实施方式，将蚀刻剂特别用于通过在显示装置的制造工艺期间蚀刻钛和铜的双层而形成栅极线(gate wiring)。本发明的蚀刻剂可以具有比典型蚀刻剂更小的老化。在典型蚀刻剂的情况下，在蚀刻剂中发生沉积反应(deposition reaction),使得在蚀刻剂中降低了氧化剂的浓度。因此，可以均匀地保持本发明的蚀刻剂的蚀刻特性如蚀刻速率、锥角和单向临界尺寸(“CD”)损失。将本发明的蚀刻剂作为用于减轻老化的材料添加到磺酸中。因此，可以提高每预定小时待利用本发明的蚀刻剂处理的基板的累积数目(accumulative number)并且可以获得一致的蚀刻结果。特别地，当将蚀刻剂用于蚀刻包含钛层和铜层的金属线时，可以获得具有约25°至约50°的锥角(taper angle) 0的金属线。将利用比较例来描述锥角。图IA至图IE是示出了利用根据本发明的蚀刻剂形成金属线的方法的示例性实施方式的截面图。参考图1A，在绝缘基板INS上堆叠金属层。所述金属层可以是其中依次堆叠了第一金属层CLl和第二金属层CL2的双层,所述第一金属层CLl由第一金属形成,而所述第二金属层CL2由与所述第一金属不同的第二金属形成。这里，所述第一金属可以是钛且所述第二金属可以是铜。这里，所述金属层示例性地为双层，但不限于此。所述金属层可以是由包含第一金属和第二金属的合金形成的单层，或者由多于三层形成的多层，其中交替层叠第一金属层CLl和第二金属层CL2。然后，如图IB中所示，在绝缘基板INS上形成光致抗蚀剂层PR之后，例如，通过掩模MSK将所述光致抗蚀剂层PR曝光。所述掩模MSK包括第一区域Rl和第二区域R2，所述第一区域Rl用于屏蔽(screening)或阻挡所有投射光，所述第二区域R2用于透过一些光并屏蔽其他光。绝缘基板INS的上表面分为与第一区域Rl和第二区域R2相对应的区域。在下文中，将绝缘基板INS的对应区域分别称作第一区域Rl和第二区域R2。接着，如图IC中所示，在对通过掩模MSK曝光的光致抗蚀剂层PR显影之后，在其中在第一区域Rl中屏蔽所有光的区域上仅保留预定厚度的光致抗蚀剂层图案PRP。将在其中透过所有光的第二区域R2中的第二金属层CL2的表面暴露，这是因为完全除去了光致抗蚀剂层PR。这里，根据本发明的示例性实施方式，将正性光致抗蚀剂(positivephotoresist)用于除去暴露区域中的光致抗蚀剂层，但不限于此。根据本发明的其他实施方式，可以将负性光致抗蚀剂(negative photoresist)用于除去未暴露区域中的光致抗蚀剂层。然后，如图ID中所示，利用作为掩模的光致抗蚀剂图案PRP，对在光致抗蚀剂图案 PRP下方和覆盖所述光致抗蚀剂图案PRP的第一金属层CLl和第二金属层CL2进行蚀刻。在第一金属层CLl和第二金属层CL2的蚀刻期间，使用根据本发明上述实施方式的蚀刻剂。结果，形成了包含由第一金属形成的第一金属线MLl和由第二金属形成的第二金属线ML2的金属线丽。之后，如图IE中所示，通过除去残留的光致抗蚀剂图案PRP而形成最终的金属线丽。在上述工艺之后，完全制造了具有锥角0且由第一金属和第二金属例如钛/铜金属层形成的金属线。由于制造了显示装置(包括根据本发明实施方式的金属线制造方法)，所以参考显示装置首先描述显示装置的结构，然后描述制造显示装置的方法。图2是示出了使用根据本发明的蚀刻剂制造的显示装置的结构的示例性实施方式的平面图。图3是沿图2的线1-1’的截面图。根据本发明的实施方式，显示装置包括多个像素并且显示图像。显示装置没有特别限制并且可以包括各种显示面板如液晶显示面板、有机发光显示面板、电泳显示面板、电润湿显示面板、和微机电系统显示面板。根据本发明的一个实施方式，将液晶显示装置示出为显示面板的一个实例。这里，每个像素具有相同的结构，因此，为了便于描述，以与像素中的一个邻接的栅极线和数据线示出了一个像素的示例性实施方式。参考图2和图3，显示装置包括具有多个像素PXL的第一基板SUB1、面对所述第一基板SUBl的第二基板SUB2、以及在所述第一基板SUBl和所述第二基板SUB2之间的液晶层LC0所述第一基板SUBl包括第一绝缘基板INSl、以及在所述第一绝缘基板INSl上的多条栅极线GL和多条数据线DL。所述栅极线GL沿所述第一绝缘基板INSl上的第一方向纵向延伸。所述数据线DL在栅极绝缘层GI上并且沿与所述第一方向交叉的第二方向纵向延伸。每个像素PXL连接至栅极线GL的对应一条栅极线GL和数据线DL的对应一条数据线DL。每个像素PXL包括薄膜晶体管TFT和连接至所述薄膜晶体管TFT的像素电极PE。所述薄膜晶体管TFT包括栅电极GE、半导体层SM、源电极SE、和漏电极DE。所述栅电极GE从所述栅极线GL中突出。
通过其间的栅极绝缘层GI将半导体层SM设置在栅电极GE上。所述半导体层SM包括直接在所述栅极绝缘层GI上的有源层ACT以及直接在所述有源层ACT上的欧姆接触层0HM。将所述有源层ACT平直地设置在具有源电极SE和漏电极DE的区域上以及与所述源电极SE和所述漏电极DE之间的区域对应的区域上。将所述欧姆接触层OHM设置在所述有源层ACT和所述源电极SE之间以及所述有源层ACT和所述漏电极DE之间。源电极SE从数据线DL分支，并且从平面图中的顶部可看出，源电极SE的至少一部分覆盖栅电极GE。漏电极DE与源电极SE隔开，并且从顶部可看出，漏电极DE的至少一部分覆盖栅电极GE。像素电极PE通过其间的钝化层PSV而物理地和/或电连接至漏电极DE。所述钝化层PSV具有接触孔CH，所述接触孔CH延伸通过其厚度并暴露漏电极DE的一部分。所述像素电极PE通过所述接触孔CH连接至所述漏电极DE。第二基板SUB2面对第一基板SUB I并且包括第二绝缘基板INS2、在所述第二绝缘基板INS2上以提供颜色的滤色器(滤色片，color filter)CF、围绕所述滤色器CF的外边 缘以屏蔽光的黑色矩阵(黑底)BM以及与像素电极PE形成电场的共用电极CE。图4A至图4C是依次示出了与根据本发明制造显示装置的方法相关的薄膜晶体管基板的制造工艺的示例性实施方式的截面平面图。图5A至图5C是分别沿图4A至图4C的线11-11’截取的截面图。在下文中，将参考图4A至图4C和图5A至图5C来描述根据本发明的制造显示装置的方法的示例性实施方式。参考图4A和图5A,通过第一光刻工艺在第一绝缘基板INSl上形成第一线单兀(first wiring unit)。所述第一线单元包括在第一方向上延伸的栅极线GL和连接至所述栅极线GL的栅电极GE。通过在第一绝缘基板INSl上依次堆叠第一金属和第二金属以形成第一金属层CU以及在所述第一金属层CLl上的第二金属层CL2，然后通过使用第一掩模(未示出)对所述第一金属层CLl和所述第二金属层CL2进行蚀刻，形成了栅极线GL和栅电极。所述第一金属层CLl可以包括钛并且所述第二金属层可以包括铜。这里，所述第一金属层CLl可以以约50埃(A)至约300 A的厚度形成，并且所述第二金属层CL2可以以约2000A至约5000 A的厚度形成。通过根据本发明实施方式的蚀刻剂对所述第一金属层CLI和所述第二金属层CL2进行蚀刻。在这一点上，第一线单元被蚀刻成具有约25°至约50°的锥角9。锥角0是指在金属线的侧面与绝缘基板的上表面之间的角。因此，利用其中依次堆叠第一金属和第二金属的双层结构形成了栅极线GL和栅电极GE。参考图4B和图5B，在具有第一线单元的第一绝缘基板INSl上形成栅极绝缘层GI。通过第二光刻工艺在具有栅极绝缘层GI的第一绝缘基板INSl上形成半导体层SM和第二线单元。所述第二线单元包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线DL、从所述数据线DL延伸的源电极SE以及与所述源电极SE隔开的漏电极DE。通过在具有第一线单元的第一绝缘基板INSl上堆叠第一绝缘材料来形成栅极绝缘层GI。通过在第一绝缘基板INSl上依次堆叠第一半导体材料、第二半导体材料和第三导电材料，并通过使用第二掩模(未示出)对分别由所述第一半导体材料、所述第二半导体材料和所述第三导电材料形成的第一半导体层(未示出)、第二半导体层(未示出)和第三导电层(未示出)进行选择性蚀刻，形成了第二线单元。所述第二掩模可以是缝隙掩模(slit mask)或衍射掩模。所述第三导电材料是金属如铜、钥、铝、钨、铬、钛、或它们的合金。当对第三导电层进行蚀刻时，使用对用于所述第三导电层的金属合适的预定蚀刻剂。所述蚀刻剂可以与用于形成第一线的蚀刻剂不同，从而使所述第三导电层的锥角大于所述第一线的锥角。参考图4C和图5C，通过第三和第四光刻工艺在具有第二线单元的第一绝缘基板INSl上形成像素电极PE。参考图5C，在具有第二线单元的第一绝缘基板INSl上形成钝化层PSV，所述钝化层PSV具有暴露漏电极DE的一部分的接触孔CH。所述钝化层PSV通过以下形成在具有第二线单元的第一绝缘基板INSl上堆叠第二绝缘材料层(未示出)和具有第二绝缘材料 的光致抗蚀剂层(未示出)，通过对所述光致抗蚀剂层进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂层图案(未示出)，然后通过使用所述光致抗蚀剂层图案作为掩模而除去所述第二绝缘材料层的一部分。再次参考图5C，通过第四光刻工艺形成了布置在钝化层PSV上且通过接触孔CH连接至漏电极DE的像素电极PE。所述像素电极PE通过以下形成在具有钝化层PSV的第一绝缘基板INSl上依次堆叠透明导电材料层(未示出)和光致抗蚀剂层(未示出)，通过对所述光致抗蚀剂层进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂层图案(未示出)，然后通过使用所述光致抗蚀剂层图案作为掩模而使所述透明导电材料层图案化。将通过上述方法制造的薄膜晶体管基板，例如第一基板SUBl结合至具有滤色器层CF的第二基板SUB2，同时面对所述第二基板SUB2。在所述第一基板SUBl和所述第二基板SUB2之间形成液晶层LC。根据示例性实施方式，可以通过全部四个光刻工艺来制造薄膜晶体管基板。这里，通过在使用第一掩模的第一光刻工艺期间利用根据本发明上述实施方式的蚀刻剂形成金属线，可以完全形成具有合适锥角的栅电极和栅极线，并且可以在第一线单元的形成期间降低或有效地防止有缺陷的坏掉的线。表I表示通过利用根据本发明的蚀刻剂的示例性实施方式蚀刻金属层来形成金属线时的结果。所述金属层通过依次堆叠钛和铜而形成。所述金属线通过以下来制造在金属层上施加光致抗蚀剂层，对所述光致抗蚀剂层进行曝光和显影，然后利用根据本发明的蚀刻剂的示例性实施方式对所述金属层进行蚀刻。[表 I]
权利要求
1.一种蚀刻剂，包含 相对于所述蚀刻剂的总重量，以约O. 5重量％至约20重量％的量包含的过硫酸盐； 相对于所述蚀刻剂的总重量，以约O. 01重量％至约2重量％的量包含的氟化物； 相对于所述蚀刻剂的总重量，以约I重量％至约10重量％的量包含的无机酸； 相对于所述蚀刻剂的总重量，以约O. 5重量％至约5重量％的量包含的环胺； 相对于所述蚀刻剂的总重量，以约O. I重量％至约10. O重量％的量包含的磺酸；以及相对于所述蚀刻剂的总重量，以约O. I重量％至约10重量％的量包含的有机酸或其盐中的至少一种。
2.根据权利要求I所述的蚀刻剂，其中，所述过硫酸盐是K2S208、Na2S2O8、或(NH4)2S2O8中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述氟化物为氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠、或氟化氢钾中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述无机酸是硝酸、硫酸、磷酸、或高氯酸中的至少一种。
5.根据权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述环胺是氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、或吡咯啉中的至少一种。
6.根据权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述磺酸是对甲苯磺酸或甲磺酸。
7.根据权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述有机酸是羧酸、二羧酸、三羧酸、或四羧酸。
8.根据权利要求7所述的蚀刻剂，其中，所述有机酸是乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸、或乙二胺四乙酸中的至少一种。
9.根据权利要求I所述的蚀刻剂，还包含使得所述蚀刻剂的总重量为100重量％的量的水。
10.根据权利要求I所述的蚀刻剂，其中，所述蚀刻剂蚀刻包括铜和钛的多层。
全文摘要
本发明提供了一种蚀刻剂以及制造金属线和使用其的薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂包含过硫酸盐、氟化物、无机酸、环胺、磺酸、以及有机酸及其盐中的一种。
文档编号H01L21/3213GK102827611SQ20121010258
公开日2012年12月19日 申请日期2012年4月9日 优先权日2011年6月14日
发明者郑钟铉, 金善一, 朴智荣, 金湘甲, 宋溱镐, 崔新逸, 权五柄, 朴英哲, 刘仁浩, 李昔准, 林玟基, 张尚勋, 秦荣晙 申请人:三星电子株式会社, 东友精细化工有限公司