基底载体及其制造基底载体的方法

专利名称：基底载体及其制造基底载体的方法
技术领域：
本发明涉及一种构造成分别支撑光刻基底和光刻构图装置的载体，它包括设有敞开的中空结构的第一部件，该敞开的中空结构向所述部件的至少一侧敞开。
本发明还涉及制造这种载体的方法和包括这种载体的光刻装置。
背景技术：
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置，其中该图案与要在基底的靶部上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件如集成电路或者其它器件的特殊功能层相对应(如下文)。这种构图装置的示例包括掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
可编程反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可编程反射镜阵列的另一实施方案利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴线倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到非寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图部件可包括一个或者多个可编程反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891和US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得。在可编程反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
可编程LCD阵列。例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶部上(例如包括一个或者多个电路小片(die))。一般的，单一的晶片将包含相邻靶部的整个网格，该相邻靶部由投射系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过将全部掩模图案一次曝光在靶部上而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片分档器或步进复制装置。另一种装置(通常称作分步扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投射系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,729中获得。
在用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如涂底漆，涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列技术为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学—机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造半导线加工实践入门(Microchip FabricationA Practical Guideto Semiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得。
为了简单起见，投射系统在下文称为“镜头(或透镜)”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投射系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统或者甚至是应用所谓纳米印刻技术的系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于引导、整形或者控制辐射投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置。
在光刻装置中，基底和构图装置必须相对于投影系统快速而准确地定位。尤其在基底台和支撑结构作为基底载体的情况下，所述载体优选由这样的材料制成坚硬的(即有特别高的硬度[E/ρ])，以减小振动和变形的风险；和重量轻的[ρ]，以便能容易地加速。
已知优选用非常低(即接近于零)的线性热膨胀系数的固体块材料来制造载体，因而载体具有热稳定性。为了减小载体的移动质量，使得尽管有可能随温度波动，也能更精确地定位，出于上述原因，已知的载体经常由玻璃或其它的陶瓷材料制成，通过例如铣削的机械加工在所述的固体块内形成敞开的空间，以减轻重量。
已知的载体具有盒状结构，第一侧具有容纳基底或构图装置的空间。通过对载体进行机械加工来减轻它的重量，最多可以减轻约65％的重量。
甚至优选减轻更多的重量以进一步提高载体可能的处理速度和定位精度。
可是，如果从已知载体中去除更多的材料，将以不可接受的方式降低其硬度，导致载体的动态特性欠佳。而且，载体对例如振动的有害的干扰变得更敏感，降低了载体的定位精度。用常规的铣削加工带来的问题是难以加工薄壁结构来得到轻的重量，因为铣床的精度很大程度上取决于到达载体基础材料的深度。而且，由铣加工技术侧向力引起的稳定性起作用。薄壁不够稳定来抵挡铣削工具带来的侧向力。
本发明的实施方案包括进一步减轻重量而不降低硬度和动态特性的载体。

发明内容
根据本发明的实施方案包括在开始段落中描述的载体，该载体还包括与第一部件连接的第二部件，这样，在所述部件之间形成封闭的中空内部结构。
本发明人已经认识到基本上封闭的中空盒子提供比已知载体轻的载体，已知载体至少具有一个敞开的第三侧来去除材料。基本上是封闭，即没有敞开侧的载体比具有敞开侧的载体具有大得多的硬度。因此，这种载体的壁可以比常规载体的壁做得更薄，与所述常规载体相比能达到某种所需的特定硬度。载体包含开口，例如，将例如电线的设备引入到载体的内部。载体的内部可以容纳需要电缆的定位装置或测量装置。因此，可以理解，术语“基本封闭”也包含具有这种开口的载体。
根据本发明的一个实施方案，第二部件具有敞开的中空结构，其与第一部件的敞开的中空结构一起形成载体的封闭内部结构。提供具有敞开中空结构的两个部件，简化封闭的内部结构的形成。
根据本发明的一个实施方案，在敞开的中空结构中具有多个间隔开的肋状件。这些肋状件使得载体具有更大的刚性和增加最小的重量。
根据本发明的一个实施方案，具有定位于第一部件和第二部件之间的第三部件，第三部件具有在其两相对侧敞开的中空结构。在第一部件和第二部件之间设置第三部件是在第一和第二部件的厚度保持比较薄的同时，增加载体高度的一种简单的方式，能够精确制造加工，并由此形成比较薄的壁。
根据本发明的一个实施方案，第三部件包括在所述敞开的中空结构中的多个间隔开的肋状件。这样第三部件增加了硬度。
根据本发明的一个实施方案，附加板靠着肋状件放置。这是使载体有更大的刚性的一种简便的方式，并给放置在载体内部的机器提供单一的水平接触面。
根据本发明的一个实施方案，载体的不同部件由不同材料制成，其中，至少一种选自包括玻璃、碳和/或陶瓷的组。基底或构图装置保持器可以用与载体相同的基础材料(一致的)制成，以使物理性质相同。可是，用不同材料制成保持器的不同部分以在保持器不同部位获得不同特性也是有利的。
根据又一方面，本发明涉及一种光刻装置，它包括构造成提供辐射投射光束的辐射系统；构造成支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于给所述投射光束赋予带图案的截面以形成所述带图案的光束；和投射系统将所述带图案的光束投射到所述基底的靶部，其中，所述装置包括构造成分别保持所述基底和所述构图装置的台，该台包括根据本发明的载体。根据本发明的载体可以有利地在光刻装置中使用，因为在这种装置中要求所述载体快速而准确地定位。
根据另一方面，本发明涉及一种制造用于分别支撑光刻装置和光刻构图装置载体的方法，它包括将至少两个部件彼此连接形成载体，其中，用这种方法形成部件，使载体包括基本上封闭的中空内部结构。形成具有基本上封闭的中空内部结构的载体，载体具有相对刚性和轻的重量。
根据本发明的一个实施方案，该方法包括通过铣削的方法形成至少两个部件。
因为形成的载体的部件比常规载体的相应部件的厚度薄，可以以更高的精度应用铣削加工，得到更薄的壁。因为不施加侧向力的水切割技术可以用于某些部件，还可能得到更薄的壁。
从载体中去除材料的深度决定加工的精度，尤其在铣削过程中。如果载体由一个部件组成，载体的总高度决定用铣削过程去除材料的深度。通过由两个部件制成载体，降低了两个部件必须经历铣削加工的深度，并且提高了制造两部件的精度，减小了壁厚，使得载体更轻。
根据本发明的一个实施方案，该方法还包括提供至少一个部件，该部件具有用于保持基底或构图装置的装置，例如静电夹持器。例如用于光刻行业中的基底和构图装置需要快速而准确地定位，所以根据本发明的载体可以有利地用于该技术领域。这种装置能将基底或构图装置保持在固定并且明确的位置。
根据本发明的一个实施方案，该方法包括形成至少在载体的一侧设有反射镜的载体，该载体设置成与例如干涉测量装置的定位单元组合使用。这种反射镜能协同所述干涉测量装置进行快速而准确的位置测量。
根据根据本发明的一个实施方案，该方法包括以使第三部件包括第一和第二敞开侧的方式，在第三部件中形成中空结构。
以使载体10包括基本上封闭的中空的内壁结构的方式，将第一部件15连接到第三部件16的第一敞开侧，并且将第二部件17连接到第三部件16的第二敞开侧。这使得可以产生比较薄的载体。
根据根据本发明的一个实施方案，该方法包括以使第一和第二部件具有一个敞开侧的方式，在第一和第二部件中形成中空结构。
以使载体包括基本上封闭的中空的内部结构的方式，将第一部件的敞开侧连接到第三部件的第一敞开侧，并将第二部件的敞开侧连接到第三部件的第二敞开侧。通过将载体分成两件以上的部件，那些非顶部件或底部件的部件能使用铣削技术之外的技术来形成，例如水切割技术，能更精确并且加工不受部件高度的限制。水切割机床产生水喷射，产生喷射时在材料上不施加侧向力，并且能从两敞开侧加工孔。机床的精度非常高，因此，不受第三部件高度的限制，壁能做得非常薄。此外，铣削技术可以甚至更精确地应用于顶部件和底部件，因为这些部件的厚度能做得比较薄。
根据本发明的一个实施方案，该方法包括在第一与第三部件和/或第二与第三部件之间设置附加板。这样提供比较轻的重量来加固载体。
根据根据本发明的一个实施方案，该方法包括使用挤压成形技术或水切割技术在第三部件中形成中空结构。这些技术已知非常精确，因此能够在第二部件内形成薄壁，从而形成中空结构。这些技术还有在侧向不产生力的优点。
根据根据本发明的一个实施方案，该方法包括在载体中形成开口。这种开口可以用于使载体内部结构适应压力的波动，即在整个所述载体内部结构中，载体内的压力变化能够得到平衡。开口还能用于给载体内部的机器提供控制或电源电缆。
尽管在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于制造集成的光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“分划板”，“晶片”或者“电路小片(die)”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“靶部”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(UV)(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和极远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。


下面参照附图，仅通过实施的方式对本发明的实施方案进行描述，附图中相同的附图标记表示相同的部件，其中图1示意性地表示根据本发明一个实施方案的光刻装置；图2示意性地表示根据现有技术的载体；图3示意性地表示根据本发明第一实施方案的载体；图4a和4b表示根据本发明另一实施方案的载体；以及图5a和5b表示本发明另一实施方案；具体实施方式
图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的光刻投影装置。该装置包括辐射系统Ex，IL，用于提供辐射投射光束PB(例如EUV辐射)，在这个具体例子中，该辐射系统还包括一辐射源LA；第一载物台(掩模台)MT，设有用于保持掩模MA(例如分划板)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；第二载物台(基底台)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；和投影系统(“镜头”)PL(例如透镜反射镜)，用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个电路小片(die))上。
如这里指出的，该装置属于反射型(即具有反射掩模)。可是，一般来说，它还可以是例如透射型(具有透射掩模)。另外，该装置可以利用其它种类的构图部件，如上述涉及的程控反射镜阵列型。
辐射源LA产生辐射光束。该光束直接或横穿过如扩束器Ex的调节装置后，再照射到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其它组件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有理想的均匀度和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻装置的壳体中(例如当辐射源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投影装置，其产生的辐射光束被(例如借助于合适的定向反射镜)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。被掩模MA反射后，光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW(和干涉测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似的，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现载物台MT、WT的移动。可是，在晶片分档器中(与分步扫描装置相对)，掩模台MT可与短冲程致动装置连接，或者固定。掩模MA和基底W可以使用掩模对准标记M1，M2和基底对准标记P1，P2对准。
所示的装置可以按照二种不同模式使用1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够由光束PB照射。
2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是所给的靶部C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动，以使投射光束PB扫描整个掩模图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的靶部C，而没有牺牲分辨率。
在本发明下面的描述中，通过支撑基底的载体(基底载体)来描述本发明。但并无意以任何方式将本发明局限于这种基底载体，只是通过示例的方式来描述本发明。
在根据现有技术和图2表示的基底载体9中，基底载体9的至少一侧是敞开的，例如通过铣削加工在基底载体9中形成中空结构。形成中空结构是为了减轻基底载体9的重量。在基底载体9的内部形成不同高度的肋状件8，以提供多个接触面，用于例如电机或传感器这些需要放在基底载体9中的机器。基底载体9具有至少一个敞开侧。在基底载体9的顶面可以放置基底，例如构图装置或晶片。因此，基底载体优选具有将基底安装在其位置的装置。
根据本发明第一实施方案的基底载体10如图3中的侧视图所示，基底载体10分为顶部件11和底部件12。尽管这里所示的顶部件11和底部件12是分离的，这些部件彼此连接起来就形成基底载体10。下面将描述不同的连接技术。
部件11和部件12例如通过铣削加工制成中空的，但是，因为顶部件11和底部件12的厚度小于组装的基底载体10的厚度，铣削加工能更加精确。因此，铣削加工后剩下的壁就更薄。这样使得基底载体10与已知/常规的基底载体相比具有比较轻的重量。
将基底载体10从其高度中间分为顶部件11和底部件12，与图2所示的具有敞开盒结构的基底载体9相比，深度减小2倍。这种技术优选用于降低高度的基底载体10，例如小于80mm。此后，两个分离部件11和12的高度小于40mm，顶部件11和底部件12的厚度大约2-3mm。根据具体要求优选壁厚。一般说来，优选壁尽可能薄，但是，基底载体10也应当有足够的刚性和强度使基底精确处理和定位。
因为基底载体10具有(部分)封闭的盒结构，即，它没有敞开侧，这种结构比有敞开侧的常规基底载体9的刚性好得多。因此，需要减少材料量来获得具有最佳动态特性的基底载体10。
图4a示出根据另一实施方案的基底载体10的三维图，包括顶部件11和底部件12。可以看到，在基底载体10内部形成内肋状件13和14，肋状件13和14具有不同高度。形成低肋状件14以优化基底载体10的局部硬度并提供机器定位的接触面。机器可以是多个电机和传感器。形成高肋状件13以加固基底载体10的主结构。图4b提供了肋状件13和14更详细的示图。尽管图4a和4b仅示出在底部件12中形成的肋状件13和14，优选在顶部11内具有类似的肋状件13和14。
当然，顶部件11和底部件12也可以是其它的肋状件结构。因为肋状件13和14以三角形的结构形成，这里示出的肋状件结构具有良好的动态特性。还可以形成所有的肋状件具有相同高度的肋状件结构或提供具有更大高度差的肋状件的肋状件结构，以进一步提高基底载体10的特性。
图5a示出根据本发明另一实施方案的基底载体10。在这个实施方案中，基底载体10分为第一部件15、第二部件17和第三部件16。优选具有降低高度的第一部件15和第二部件17，以便能形成具有更高精度的肋状件结构。肋状件第一部件15和第二部件17的高度优选为2mm，第一部件15和第二部件17具有在其上形成的肋状件20，肋状件20分别从第一部件15和第二部件17的内表面延伸大约l0mm。肋状件20可以通过铣削加工形成并具有如上所述相似的三角形结构。当然，第一部件15和第二部件17也可以是简单的片，而不需要有低的铣削结构的肋状件。
如图5b所示，第一部件15和第二部件17还可以通过在肋状件结构上放置附加板19来加固。这个附加板19放置在第一部件15与第三部件16之间和/或放置在第二部件17与第三部件16之间。板19还具有需要放置在基底载体10内的机器的精确的单一水平接触面。
基底载体10能够由一个、二个、三个、四个甚至更多部件制成。
在优选实施方案中，基底载体10的不同部件是这样确定尺寸的，即所有机器能够靠着基底载体10的顶部件15来放置。因此，包含肋状件20的顶部件15必须具有与机器优选位置匹配的厚度。
在另一实施方案中，第三部件16可以分成不同部分。如果机器需要不同的接触水平面，这种结构能给基底载体10增加硬度或是有利的。
第三部件16优选具有两个敞开侧的中空盒。由此第三部件能使用例如水切割技术或挤压成形技术形成。这些技术非常精确，因此在第三部件16内提供相对薄的内壁18。内壁18的厚度大约为1mm，并且最好延伸超过第三部件16的整个高度。在图5a和5b所示的实施方案中，出于强度和稳定性的缘故，内壁18形成三角形结构。当然，也能使用其它结构和厚度。
图2所示的常规基底载体与图5a和5b所示根据本发明的基底载体之间的主要区别在于基底载体以层状方式构成。图5a和5b所示的基底载体10从最终载体的内部空间所需的最低水平面开始构造。这就意味着第一部件15和第二部件17具有相同的最低所需高度的肋状件20。这个水平在图5a中由虚线I-I表示。从这个水平面向上(或向下，根据所考虑的部件)，通过后续部件的方式构成载体结构的剩余部分(图5a中的第三部件16或图5b中的板19)。
通过铣削第一部件15和第二部件17只形成最短的肋状件，可以获得最佳壁/肋状件的厚度和稳定性。根据本发明的层状方式组装载体的结果是以容易和可靠的方式提供具有最佳厚度和稳定性的载体。
制造基底载体10的材料需要满足严格的机械要求和热要求。为了使基底载体10的重量最轻，优选由低密度的材料制成。材料的密度优选低于3000kg/m3，例如2200kg/m3。但是，材料还应当提供稳定的基底载体10。因此，材料的弹性模量E优选小于10×1011N/m2，例如，0,9×1011N/m2。
热要求具体涉及低线性热膨胀系数和相对低的热容及热导。优选热导系数小于5×10-61/K的材料，例如甚至是50×10-91/K。热容值优选低于1000J/(kgK)，例如，700J/(kgK)。最后，热导优选低于10W/(mK)，例如，1,3W/(mK)。
在光刻装置使用极远紫外(EUV)辐射(例如波长范围在5-20nm)的情况下，在其上具有基底W的基底载体10处于(非常)高真空环境。当用EUV照射时，由于公知的氧化和碳化的化学过程，在光刻装置中多层反射镜的反射率降低。导致这些不良效果的污染物是由于在真空环境中除去所有材料的气体析出的水蒸汽和碳氢化合物。因此，不可以使用具有不可接受的高真空除气率的材料。
如玻璃、碳和/或陶瓷的材料，例如ZeodurR(由Schoot生产)、ULE(Corning)、CO210(Kyocera)已经被证明满足上述要求，基底载体优选由这些材料制成。其它示例是HSC701[AI/SiC](M3)、SiC[直接烧制]、SSC-802[Si/SiC](M3)或GrAS501[纤维加强AL-Si](M3)等等。在处理(非常)高真空的情况时，使用陶瓷低热膨胀材料将导致基底载体具有合适的除气特性。而且，更容易达到在需要这种水平的光刻装置中的那些部件中所需的真空水平，并且，该设计对热变化不敏感。
本领域的普通技术人员可以理解，基底载体可以由一种材料(一致的)制成，但也可以由不同的材料(不一致的)制成。例如，当基底载体的不同部分需要不同特性时可以这样做。
在上述的实施方案中，基底载体由不同的部件形成。因此，不同部件需要彼此连接。连接可以用不同的方法来实现，例如胶粘、螺钉或其它固定技术。根据使用的材料，其它的连接技术是环形结构、焊接、熔接、烧结(共烧结)、低温玻璃粘接(Schott技术)和阳极粘接。这些技术是本领域公知的。
为了取得最佳动态特性优选载体为封闭结构。但是，因为载体的内部空间可以用于安装上述的设备，载体可以有开口。这些开口可以用作出气孔，例如在载体中空结构内部形成真空状态，但是，开口也可以用于为安装设备提供电源或控制缆线。
虽然，上面已经描述了本发明的具体实施方案，但应当理解本发明除了上述之外，可以采用其它方式来实现。本发明不局限于这些描述。特别是本发明不局限于图中所示的示例，即不局限于设置成支撑光刻基底的基底载体，本发明还涉及设置成支撑光刻构图装置的载体。应当理解更多的时侯本发明还应用于其它需要重量轻和高稳定性载体结构的技术领域。
权利要求
1.一种构造成分别支撑光刻基底(W)和光刻构图装置(MA)的载体(10)，它包括设有敞开的中空结构的第一部件(11，15)，所述敞开的中空结构向所述部件(10)的至少一侧敞开，其中，所述载体(10)还包括与第一部件连接的第二部件(12，17)，这样，在所述部件(11，15；12，17)之间形成封闭的中空内部结构。
2.根据权利要求1所述的载体(10)，其特征在于，第二部件(12，17)具有敞开的中空结构，其与第一部件(11，15)的敞开的中空结构一起形成载体(10)的封闭的内部结构。
3.根据权利要求2所述的载体(10)，其特征在于，在所述敞开的中空结构中设有多个隔开的肋状件(13，14)。
4.根据前述任何一项权利要求所述的载体(10)，其特征在于，设有定位于第一部件和第二部件(11，15；12，17)之间的第三部件(16)，第三部件(16)具有在其两相对侧敞开的中空结构。
5.根据权利要求5所述的载体(10)，其特征在于，第三部件(16)包括在所述敞开的中空结构中的多个隔开的内壁(18)。
6.根据权利要求3-5所述的载体(10)，其特征在于，附加板(19)靠着肋状件(13，14)放置。
7.根据前述任何一项权利要求所述的载体(10)，其特征在于，载体(10)的不同部件由不同材料制成，其特征在于，至少一种选自包括玻璃、碳和/或陶瓷的组。
8.一种光刻装置，它包括构造成提供辐射投射光束的辐射系统；构造成支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于给所述投射光束赋予带图案的截面以形成所述带图案的光束；和投射系统将所述带图案的光束投射到所述基底的靶部，其特征在于，所述装置包括构造成分别保持所述基底和所述构图装置的台，该台包括根据权利要求1-7之一所述的载体。
9.一种用于制造分别支撑光刻基底(W)和光刻构图装置(MA)的载体(10)的方法，它包括将至少两个部件(11，15；12，17)彼此连接形成载体(10)，用这种方法形成部件(11，15；12，17)，以使载体(10)包括基本上封闭的中空内部结构。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，其包括通过铣削的方法形成所述至少两个部件(11，15；12，17)。
11.根据权利要求9-10所述的方法，其特征在于，其还包括提供至少一个部件(11，12，15，16，17)，该部件(11，12，15，16，17)具有用于分别保持基底(W)和构图装置(MA)的装置。
12.根据权利要求9-11中任何一项所述的方法，其特征在于，其包括形成至少在载体(10)的一侧设有反射镜的载体(10)，该载体布置成用于与例如干涉测量装置(IF)的定位确定单元组合。
13.根据权利要求9-11中任一项所述的方法，其特征在于，其包括以使第三部件(16)包括第一和第二敞开侧的方式，在第三部件(16)中形成中空结构；以使载体(10)包括基本上封闭的中空内部结构的方式，将第一部件(15)连接到第三部件(16)的第一敞开侧，并且将第二部件(17)连接到第三部件(16)的第二敞开侧。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，其包括以使第一和第二部件(15，17)具有一个敞开侧的方式，在第一和第二部件(15，17)中形成中空结构，以使载体(10)包括基本上封闭的中空的内部结构的方式，将第一部件(15)的敞开侧连接到第三部件(16)的第一敞开侧，并将第二部件(17)的敞开侧连接到第三部件(16)的第二敞开侧。
15.根据权利要求9-14中任一项所述的方法，其特征在于，其包括在第一与第三部件(15，16)和/或第二与第三部件(17，16)之间设置附加板(19)。
16.根据权利要求9-15中任一项所述的方法，其特征在于，其包括使用挤压成形技术或水切割技术在第三部件(16)中形成中空结构。
17.根据权利要求9-16中任一项所述的方法，其特征在于，其包括在载体(10)中形成开口。
18.根据权利要求9-17中任一项所述的方法，其特征在于，形成载体(10)的各个部件通过阳极结合的方式连接在一起。
全文摘要
一种构造成分别支撑光刻基底(W)和光刻构图装置的载体，它包括具有敞开的中空结构的第一部件(11，15)，该敞开的中空结构向该部件(10)的至少一侧敞开，其中，载体(10)还包括与第一部件连接的第二部件(12，17)，这样，该部件(11，15；12，17)之间形成封闭中空内部结构。
文档编号H01L21/683GK1540446SQ20041004519
公开日2004年10月27日 申请日期2004年4月22日 优先权日2003年4月22日
发明者N·J·吉里森, J·J·奥特坦斯, H·K·范德肖特, P·M·H·沃斯特斯, H 沃斯特斯, N J 吉里森, 奥特坦斯, 范德肖特 申请人:Asml荷兰有限公司