专利名称：具有优异高温特性的有机电致发光显示器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种有机电致发光显示器件及其制备方法，更具体地，本发明涉及这样的有机电致发光显示器件及其制备方法，其中现有的发射层得到改进，进而具有有效的高温特性，像素收缩现象得到解决，且具有有效、稳定的驱动特性。
背景技术：
最近，已经提议用有机电致发光显示器件作为下一代显示器件，因为有机电致发光显示器件与阴极射线管(CRT)或液晶显示器件(LCD)相比，具有厚度薄、宽视角、重量轻、体积小、响应速度快和低功耗的优点。特别地，有机电致发光显示器件的优点在于它易于通过简单的制备工艺来制备，因为有机电致发光显示器件仅构建成阳极、有机层和阴极的简单结构。根据其功能，有机层可以形成各种各样的层，一般包括空穴注入层，空穴迁移层，发射层，电子迁移层，及电子注入层。
图1是常规有机电致发光显示器件的示意性结构的横截面图。
参照图1，空穴由透明电极阳极7注入，使得所注入的空穴经空穴注入层6和空穴迁移层5，迁移至发射层4，且电子由阴极1注入，使得所注入的电子经电子注入层2和电子迁移层3迁移至发射层4。所迁移的电子和空穴彼此结合而发光。发射层4如此构建，使得掺杂剂掺杂在基质(host)上，且电子和空穴经过基质迁移至掺杂剂上而发光。
对于磷光有机电致发光显示器件，使用包括铱(Ir)或铂(Pt)的磷光材料作为掺杂剂，而对于荧光有机电致发光显示器件，则使用有机荧光材料作为发射材料。
本发明的方法改进了发射层，从而提高了有机电致发光显示器件在高温下的稳定性。US 6392339公开了通过用空穴迁移层和电子迁移层的混合物形成发射层的基质，可以提高有机电致发光显示器件的高温稳定性，进而提高有机电致发光显示器件在高温下的循环寿命。通过用包含空穴迁移层和电子迁移层的混合物抑制空穴到电子迁移层的运动，可以提高有机电致发光显示器件在高温下的稳定性。US 6392250公开了通过用空穴迁移层和电子迁移层的混合物作为发射层的基质并用掺杂剂掺杂，可以提高有机电致发光显示器件的驱动稳定性。
然而，已经确认的是，将这些方法应用于荧光材料以提高有机电致发光显示器件在高温下的稳定性时，这些方法对于磷光有机电致发光显示器件却降低器件的特性。具体地，这些方法在提高器件高温特性方面受到限制，因为具有电子迁移性的基质材料在磷光有机电致发光显示器件中受到限制。而且，除了掺杂剂的特性之外，还需要提高发射层基质的特性，才能提高有机电致发光显示器件的特性。
发明内容
因此，为了解决前述和/或其它问题，本发明一方面提供一种平板显示器件，其具有有效的高温稳定性，同时解决了驱动期间的像素收缩，并在形成有机电致发光显示器件时通过改进发射层而提高了稳定性。
为了实现前述和/其它方面，本发明提供一种有机电致发光显示器件，包括基材；形成于基材上的第一电极和第二电极；及有机薄膜层，其介于第一电极与第二电极之间，并包含至少一层发射层，其中所述发射层包含至少一种磷光掺杂剂，该掺杂剂用L2ML′表示，式中M为选自Ir、Pt、Zn和Os的一种过渡金属，L和L′是以碳和氮进行配位的两齿配位体，且L和L′中至少有一个在配位体中具有15个或更多个碳原子。
而且，本发明还提供一种有机电致发光显示器件，包括基材；形成于基材上的第一电极和第二电极；及有机薄膜层，其介于第一电极和第二电极之间，并包括至少一层发射层，其中所述发射层包含至少一种磷光掺杂剂，该掺杂剂用L3M表示，式中M为一种选自Ir、Pt、Zn和Os的过渡金属，L是以碳和氮进行配位的两齿配位体，且在配位体中具有15个或更多个碳原子。
此外，本发明还提供一种发射化合物，其特征在于该发射化合物用L2ML′或L3M表示，式中M为一种选自Ir、Pt、Zn和Os的过渡金属，L和L′是以碳和氮进行配位的两齿配位体，且L和L′中至少有一个在配位体中具有15个或更多个碳原子。
本发明的其它方面和/或优点将部分在随后的说明书中进行阐述，部分显见于说明书中或者通过本发明的实践来了解。
通过下列有关实施方案的描述并结合附图，本发明的这些和/或其它方面及优点将会变得显而易见和更容易理解，在附图中图1是常规有机电致发光显示器件的示意性机构的横截面图。
图2根据本发明的有机电致发光显示器件的实施方案之一的横截面图。
具体实施方案现将详述本发明的实施方案，其实施例图解于附图中，其中相同的标记数字始终代表相同的单元。下面描述实施方案，以便参照附图解释本发明。
如上所述，本发明采用具有优异高温稳定性的掺杂剂，掺杂到发射层的基质上，通过改进现有的发射层材料提高高温特性，同时抑制有机电致发光显示器的像素收缩现象。
一般地，使用金属与配位体的有机金属络合物作为磷光掺杂剂，使用诸如Ir、Pt、Zn和Os等过渡金属作为磷光掺杂剂中的金属，且使用有机化合物型配位体作为配位体。对于有机化合物配位体，通常主要使用二齿型配位体以及L2ML′或L3M型掺杂剂。
L和L′是两齿配位体，M过渡金属。该结构具有较高的效率和亮度，因为在前述结构中是利用磷光的三重态进行发射。然而，有机电致发光显示器件的高温稳定性和像素收缩现象强烈地取决于磷光有机金属络合物的结构。
辅助配位体与金属间的结合力在高温下减弱，使得归因于驱动的发射效率在常温下缓慢地降低，同时归因于驱动的发射效率在高温下剧烈地降低，这是因为L2MX型配位体(其中X为辅助配位体如乙酰丙酮化物)中辅助配位体X与金属间的结合力小。
对于L3M型配位体，高温特性取决于配位体的结构。如果配位体的玻璃化转变温度低具有小于15个碳原子的软结构，则有机电致发光显示器件的高温稳定性因配位体在高温下的变形而降低；如果配位体具有包含15个或更多个碳原子的刚性结构且具有高的玻璃化转变温度，则有机电致发光显示器件在高温下的驱动稳定化。
此外，对于L2ML′，器件的高温稳定性由配位体L和L′的刚度决定，当L和L′的至少一个配位体中使用包含15个或更多个碳原子的刚性结构时，可以提高器件的高温稳定性。
像素收缩现象是由器件中存在的氧气或残余气体导致的。因此，如果使用在氧气或残余气体中稳定的掺杂剂，则像素收缩现象减少。因此，如果使用采用辅助配位体的L2MX结构，由于辅助配位体与过渡金属间的结合力弱，所以配位键被残余气体拆解，从而表现出像素收缩现象。
相反，对于过渡金属与配位体间具有强结合力的L3M和L2ML′，像素收缩现象因L3M和L2ML′在残余气体中稳定而充分地减少。
因此，与过渡金属如Ir、Pt、Zn和Os形成有机络合物的磷光掺杂剂的配位体具有L3M或L2ML′结构，从而提高有机电致发光显示器件在高温下的驱动稳定性并降低器件的像素收缩现象，L3M结构的配位体L中具有15个或更多个碳原子。对于L2ML′，优选配位体L和L′中至少有一个具有15个或更多个碳原子。
因此，如图2所示，本发明提供一种有机电致发光显示器件20，包括基材24；形成于基材上的第一电极21和第二电极23；及有机薄膜层22，其介于第一电极21与第二电极23之间，并包含至少一层发射层，其中所述发射层包含至少一种磷光掺杂剂，该掺杂剂用L2ML′或L3M表示。
M为一种选自Ir、Pt、Zn和Os的过渡金属，L和L′是以碳和氮进行配位的两齿配位体，且L和L′中至少有一个在配位体中具有15个或更多个碳原子。
优选L和L′中至少有一个在配位体中具有至少两个六角形环结构。
另一方面，对于掺杂剂L2ML′，L和L′是选自下列化学式1～15所示配位体中的任意一种配位体
化学式1 化学式2 化学式3 化学式4
化学式5 化学式6 化学式7 化学式8
化学式9 化学式10 化学式11 化学式12
化学式13 化学式14 化学式15 此外，优选的L2ML′的化合物为选自下列化学式16～22所示掺杂剂中的任意一种掺杂剂化学式16
化学式17 化学式18 化学式19 化学式20
化学式21 化学式22 在上述化学式16～22所示的掺杂剂中，L所示的配位体包含15个或更多个碳原子，L′所示的配位体除了可以包含15个或更多个碳原子之外，还可以包含15个或更少的碳原子。
对于掺杂剂L3M，L可以是选自上述式1～14所示配位体中的任意一种配位体。
此外，还优选L3M的化合物为选自下列化学式23～31所示掺杂剂中的任意一种掺杂剂化学式23
化学式24 化学式25 化学式26 化学式27
化学式28 化学式29 化学式30 化学式31
上面化学式23～31所示的掺杂剂包括其中L含有15或更多个碳原子的材料。
另一方面，发射层包含红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层的子像素，且发射层中的蓝色发射层可以包括荧光发射层。
而且，有机电致发光显示器件包括采用磷光掺杂剂的磷光发射层作为蓝色发射层，且L和L′中的任意一个包含磷光掺杂剂的配位体中具有小于15个碳原子的掺杂剂，所述磷光掺杂剂包括磷光发射层作为蓝色发射层。
另一方面，有机薄膜层还包括选自空穴注入层，空穴迁移层，电子迁移层，电子注入层及空穴阻挡层中的一层或多层。具体地，优选空穴阻挡层形成于电子迁移层与发射层之间，来自空穴迁移层的空穴经过发射层时，在发射层被捕获。因此，在红色、绿色和蓝色发射层的子像素分别包含磷光发射层的情况下，空穴阻挡层包括位于基材正面(front surface)的公用层。另一方面，空穴阻挡层不形成在蓝色发射层的上部，或者当发射层中的蓝色发射层包含荧光发射层时，蓝色发射层作为公用层形成于红色和绿色磷光发射层的上部。
另一方面，如果第一电极为阳极，则第二电极为阴极；如果第一电极为阴极，则第二电极为阳极，而且如果第一电极或第二电极中的任一电极为反射电极，则另一电极为透明电极。
如上所述，可以制备有机电致发光显示器件，其中与现有普通磷光掺杂剂掺杂在基质上的结构相比，采用具有本发明结构的磷光掺杂剂，可以极大地提高高温稳定性，并减少像素收缩现象。
下面给出本发明的优选实施例。然而，提出下面实施例的目的是帮助理解本发明而不是限制本发明。
实施例1于10-6torr的真空下，在ITO透明电极上沉积厚度为10nm的铜酞菁(CuPc)作为有机电致发光显示器件的空穴注入层之后，于10-6torr的真空下，在空穴注入层上沉积厚度为50nm的N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺(NPD)空穴迁移层。在铜酞菁(CuPc)上沉积NPD之后，通过在咔唑联苯(CBP)上沉积浓度为10％的下面化学式27所示的三(1-苯基喹啉)合铱，在空穴迁移层上形成厚度为30nm的发射层。在发射层上沉积厚度为5nm的二苯氧基-二(8-羟基喹啉)合铝(BAlq)空穴阻挡层之后，在空穴阻挡层上，于10-6torr的真空下，沉积厚度为20nm的三(8-羟基喹啉)合铝(Alq)电子迁移层。在空穴阻挡层上沉积电子迁移层之后，在电子迁移层上沉积厚度为1nm的LiF电子注入层。在LiF电子注入层上沉积厚度为300nm的Al作为金属电极，最后，将沉积在LiF电子注入层上的金属电极用金属罐和氧化钡(BaO)密封。
化学式27 利用前述方法制备的有机电致发光显示器件在6V下给出300cd/m2的亮度，8.0cd/A的发射效率，及0.62和0.37的彩色坐标。该有机电致发光显示器件的循环寿命在70℃下为3500小时，该有机电致发光显示器件在70℃高温下的循环寿命评价结果是800cd/m2的发射效率。在驱动有机电致发光显示器件的过程中，未观察到像素收缩现象。
实施例2于10-6torr的真空下，在ITO透明电极上沉积厚度为10nm的铜酞菁(CuPc)作为有机电致发光显示器件的空穴注入层之后，于10-6torr的真空下，在空穴注入层上沉积厚度为50nm的N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺(NPD)空穴迁移层。在铜酞菁(CuPc)上沉积NPD之后，通过在咔唑联苯(CBP)上沉积浓度为10％的下面化学式28所示的三(1-苯基喹啉)合铱，在空穴迁移层上形成厚度为30nm的发射层。在发射层上沉积厚度为5nm的二苯氧基-二(8-羟基喹啉)合铝(BAlq)空穴阻挡层之后，在空穴阻挡层上，于10-6torr的真空下，沉积厚度为20nm的三(8-羟基喹啉)合铝(Alq)电子迁移层。在空穴阻挡层上沉积电子迁移层之后，在电子迁移层上沉积厚度为1nm的LiF电子注入层。在LiF电子注入层上沉积厚度为300nm的Al作为金属电极，最后，将沉积在LiF电子注入层上的金属电极用金属罐和氧化钡(BaO)密封。
化学式28 利用前述方法制备的有机电致发光显示器件在6V下给出230cd/m2的亮度，5.0cd/A的发射效率，及0.67和0.32的彩色坐标。该有机电致发光显示器件的循环寿命在70℃下为4000小时，该有机电致发光显示器件在70℃高温下的循环寿命评价结果是800cd/m2的发射效率。在驱动有机电致发光显示器件的过程中，未观察到像素收缩现象。
对比例1于10-6torr的真空下，在ITO透明电极上沉积厚度为10nm的铜酞菁(CuPc)作为有机电致发光显示器件的空穴注入层之后，于10-6torr的真空下，在空穴注入层上沉积厚度为50nm的N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺(NPD)空穴迁移层。在铜酞菁(CuPc)上沉积NPD之后，通过在咔唑联苯(CBP)上沉积浓度为10％的二(1-苯基异喹啉)乙酰乙酸合铱，在空穴迁移层上形成厚度为30nm的发射层。在发射层上沉积厚度为5nm的二苯氧基-二(8-羟基喹啉)合铝(BAlq)空穴阻挡层之后，在空穴阻挡层上，于10-6torr的真空下，沉积厚度为20nm的三(8-羟基喹啉)合铝(Alq)电子迁移层。在空穴阻挡层上沉积电子迁移层之后，在电子迁移层上沉积厚度为1nm的LiF电子注入层。在LiF电子注入层上沉积厚度为300nm的Al作为金属电极，最后，将沉积在LiF电子注入层上的金属电极用金属罐和氧化钡(BaO)密封。
利用前述方法制备的有机电致发光显示器件在6V下给出300cd/m2的亮度，11.0cd/A的发射效率，及0.62和0.37的彩色坐标。该有机电致发光显示器件的循环寿命在70℃下为1000小时，该有机电致发光显示器件在70℃高温下的循环寿命评价结果是800cd/m2的发射效率。自驱动有机电致发光显示器件开始100小时后出现像素收缩现象。
对比例2于10-6torr的真空下，在ITO透明电极上沉积厚度为10nm的铜酞菁(CuPc)作为有机电致发光显示器件的空穴注入层之后，于10-6torr的真空下，在空穴注入层上沉积厚度为50nm的N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺(NPD)空穴迁移层。在铜酞菁(CuPc)上沉积NPD之后，通过在咔唑联苯(CBP)上沉积浓度为10％的二(1-苯基异喹啉)四甲基庚二酮合铱，在空穴迁移层上形成厚度为30nm的发射层。在发射层上沉积厚度为5nm的二苯氧基-二(8-羟基喹啉)合铝(BAlq)空穴阻挡层之后，在空穴阻挡层上，于10-6torr的真空下，沉积厚度为20nm的三(8-羟基喹啉)合铝(Alq)电子迁移层。在空穴阻挡层上沉积电子迁移层之后，在电子迁移层上沉积厚度为1nm的LiF电子注入层。在LiF电子注入层上沉积厚度为300nm的Al作为金属电极，最后，将沉积在LiF电子注入层上的金属电极用金属罐和氧化钡(BaO)密封。
利用前述方法制备的有机电致发光显示器件在6V下给出280cd/m2的亮度，10.0cd/A的发射效率，及0.62和0.37的彩色坐标。该有机电致发光显示器件的循环寿命在70℃下为500小时，该有机电致发光显示器件在70℃高温下的循环寿命评价结果是800cd/m2的发射效率。自驱动有机电致发光显示器件开始30小时后出现像素收缩现象。
对比例3于10-6torr的真空下，在ITO透明电极上沉积厚度为10nm的铜酞菁(CuPc)作为有机电致发光显示器件的空穴注入层之后，于10-6torr的真空下，在空穴注入层上沉积厚度为50nm的N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺(NPD)空穴迁移层。在铜酞菁(CuPc)上沉积NPD之后，通过在咔唑联苯(CBP)上沉积浓度为5％的三(1-苯基吡啶)合铱，在空穴迁移层上形成厚度为30nm的发射层。在发射层上沉积厚度为5nm的二苯氧基-二(8-羟基喹啉)合铝(BAlq)空穴阻挡层之后，在空穴阻挡层上，于10-6torr的真空下，沉积厚度为20nm的三(8-羟基喹啉)合铝(Alq)电子迁移层。在空穴阻挡层上沉积电子迁移层之后，在电子迁移层上沉积厚度为1nm的LiF电子注入层。在LiF电子注入层上沉积厚度为300nm的Al作为金属电极，最后，将沉积在LiF电子注入层上的金属电极用金属罐和氧化钡(BaO)密封。
利用前述方法制备的有机电致发光显示器件在6V下给出250cd/m2的亮度，24.0cd/A的发射效率，及0.29和0.62的彩色坐标。该有机电致发光显示器件的循环寿命在70℃下为700小时，该有机电致发光显示器件在70℃高温下的循环寿命评价结果是800cd/m2的发射效率。自驱动有机电致发光显示器件开始100小时后出现像素收缩现象。
前述对比例的结果表明，本发明的有机电致发光显示器件，通过采用配位体中具有15或更多个碳原子的结构为L3M和L2ML′的含铱(Ir)磷光掺杂剂，确保了高温下的驱动稳定性，并抑制了驱动过程在的像素收缩现象。
尽管已经给出并说明了本发明的一些实施方案，但是本领域的技术人员应当理解，在不脱离本发明的原理和构思的情况下，可以对其进行各种替换，本发明的范围定义于权利要求或其等价物中。
权利要求
1.一种有机电致发光显示器件，包括基材；形成于基材上的第一电极和第二电极；及有机薄膜层，其介于第一电极与第二电极之间，至少包含一层发射层，其中所述发射层包含至少一种磷光掺杂剂，该掺杂剂用L2ML′表示，式中M为选自Ir，Pt，Zn和Os的过渡金属，L和L′是以碳和氮进行配位的两齿配位体，且L和L′中至少有一个在配位体中具有15个或更多个碳原子。
2.根据权利要求1的有机电致发光显示器件，其中L和L′中至少有一个在配位体中具有至少两个六角形环结构。
3.根据权利要求1的有机电致发光显示器件，其中所述发射层包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层的子像素。
4.根据权利要求3的有机电致发光显示器件，其中所述蓝色发射层是荧光发射层。
5.根据权利要求3的有机电致发光显示器件，其中所述蓝色发射层包含磷光掺杂剂，且L和L′中的任意一个包含配体中的碳原子数小于15的掺杂剂。
6.根据权利要求1的有机电致发光显示器件，其中L和L′彼此不同，并且为选自下面化学式1～15中的任意一种化合物化学式1 化学式2 化学式3 化学式4 化学式5 化学式6 化学式7 化学式8 化学式9 化学式10 化学式11 化学式12 化学式13 化学式14 化学式15
7.根据权利要求1的有机电致发光显示器件，其中所述L2ML′是选自下面化学式16～22所示的化合物化学式16 化学式17 化学式18 化学式19 化学式20 化学式21 化学式22
8.根据权利要求1的有机电致发光显示器件，其中所述有机薄膜层还包括选自空穴注入层，空穴迁移层，电子迁移层，电子注入层和空穴阻挡层中的至少一层。
9.根据权利要求8的有机电致发光显示器件，其中所述有机薄膜层包括红色发射层，绿色发射层和蓝色荧光发射层，且其中所述的空穴阻挡层形成于红色发射层和绿色发射层的上部。
10.根据权利要求4的有机电致发光显示器件，其中所述蓝色荧光发射层在基材的正面作为公用层形成于红色和绿色磷光发射层的上部。
11.根据权利要求1的有机电致发光显示器件，其中如果所述第一电极为阳极，则所述第二电极为阴极；如果所述第一电极为阴极，则第二电极为阳极。
12.一种有机电致发光显示器件，包括基材；形成于基材上的第一电极和第二电极；及有机薄膜层，其介于第一电极与第二电极之间，至少包含一层发射层，其中所述发射层包含至少一种磷光掺杂剂，该掺杂剂用L3M来表示，式中M为选自Ir，Pt，Zn和Os的过渡金属，L是以碳和氮进行配位的两齿配位体，且配位体中具有15个或更多个碳原子。
13.根据权利要求12的有机电致发光显示器件，其中所述L在配位体中具有至少两个六角形环结构。
14.根据权利要求12的有机电致发光显示器件，其中L是选自下列化学式1～14所示化合物中的任意一种化合物化学式1 化学式2 化学式3 化学式4 化学式5 化学式6 化学式7 化学式8 化学式9 化学式10 化学式11 化学式12 化学式13 化学式14
15.根据权利要求12的有机电致发光显示器件，其中所述L3M为下面化学式23～31所示的化合物化学式23 化学式24 化学式25 化学式26 化学式27 化学式28 化学式29 化学式30 化学式31
16.根据权利要求12的有机电致发光显示器件，其中所述发射层包括红色发射层，绿色发射层和蓝色发射层，其分别利用子像素产生红色，绿色和蓝色。
17.根据权利要求16的有机电致发光显示器件，其中所述蓝色发射层为蓝色荧光发射层。
18.根据权利要求17的有机电致发光显示器件，其中所述蓝色荧光发射层在基材的正面作为公用层形成于红色和绿色磷光发射层的上部。
19.根据权利要求12的有机电致发光显示器件，其中所述有机薄膜层还包括选自空穴注入层，空穴迁移层，电子迁移层，电子注入层及空穴阻挡层中的至少一层。
20.根据权利要求19的有机电致发光显示器件，其中所述有机薄膜层包括红色发射层，绿色发射层和蓝色荧光发射层，且其中的空穴阻挡层形成于红色发射层与绿色发射层的上部。
21.根据权利要求12的有机电致发光显示器件，其中如果所述第一电极为阳极，则所述第二电极为阴极；如果所述第一电极为阴极，则所述第二电极为阳极。
22.一种化学结构为L2ML′或L3M的发射化合物，式中M为选自Ir，Pt，Zn和Os的过渡金属，L和L′是以碳和氮进行配位的两齿配位体，且L和L′中至少有一个在配位体中具有15个或更多个碳原子。
23.根据权利要求22的发射化合物，其中所述L和L′彼此不同，且各自为下面化学式1～15所示化合物中的任意一种化合物化学式1 化学式2 化学式3 化学式4 化学式5 化学式6 化学式7 化学式8 化学式9 化学式10 化学式11 化学式12 化学式13 化学式14 化学式15
24.根据权利要求22的发射化合物，其中所述L2ML′为选自下列化学式16～22所示化合物中的任意一种化合物化学式16 化学式17 化学式18 化学式19 化学式20 化学式21 化学式22
25.根据权利要求22的发射化合物，其中所述L3M为选自下列化学式23～31所示化合物中的任意一种化合物化学式23 化学式24 化学式25 化学式26 化学式27 化学式28 化学式29 化学式30 化学式3全文摘要
一种有机电致发光显示器件，其提高了高温驱动特性和贮存特性，并且通过这样的有机电致发光显示器件防止其像素收缩现象，所述有机电致发光显示器件包括基材，形成于基材上的第一电极和第二电极，及介于第一电极与第二电极之间至少包括一层发射层的有机薄膜层。发射层包含至少一种磷光掺杂剂，该掺杂剂用L3M或L2ML′表示，其中M为选自Ir，Pt，Zn和Os的过渡金属，L和L′是以碳和氮进行配位的两齿配位体，且L和L′中至少有一个在配位体中具有15个或更多个碳原子。
文档编号H01L51/50GK1622720SQ200410045800
公开日2005年6月1日 申请日期2004年5月27日 优先权日2003年11月25日
发明者李俊烨, 崔鎔中, 权章赫, 郑昊均 申请人:三星Sdi株式会社