专利名称：半导体器件及该半导体器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件及该半导体器件的制造方法。本发明特别涉及作为非易失存储器而形成的半导体器件的一种电极结构，并且涉及用于防止故意读出内部数据的操作及其制造方法。
背景技术：
近年来，安装半导体器件的IC卡、尤其是IC标签(tag)得到广泛制造和使用，该半导体器件形成为非易失存储器。在这种半导体器件中，以数据不能被写入和读出的方式写入部分内部数据作为特定的数据，并且将数据适当地写入可写入的存储器部分。
用于IC标签的非易失存储器IC包括天线焊盘和测试焊盘。图10示出了用于IC标签的常规非易失存储器IC。该IC包括在衬底1上形成的天线焊盘2和测试焊盘3，并且在天线焊盘2上形成Au接线凸起(stud bump)4。为进行测试(用于写数据)暴露测试焊盘3。附图标记5表示无机绝缘膜，6表示有机绝缘膜。
在上面的IC中，在形成天线焊盘2和测试焊盘3之后，通过使测试探针与天线焊盘2和测试焊盘3相接触来进行测试。在天线焊盘2和测试焊盘3上探针接触的部分形成针尖伤痕7。
在IC标签中，在大多数情况下，内部特定数据必须保密，并且其可以是产品的历史记录和个人数据。如果可以读出或者改写该内部特定数据，那么就可能不正确地使用数据，这是不希望的。
例如，日本未审专利公开(特开)No.2003-142539(第4-6页，图3)公开了一种半导体器件及一种半导体器件的测试方法。根据这种测试方法，即使衬底表面在某种程度上是粗糙的，探针也毫无问题地接触需要的端子。因此，如图10所示，即使在衬底的表面上存在突起例如接线凸起4并且在接线凸起4和测试焊盘3之间存在高度差，也可以通过使探针接触测试焊盘3而读出数据。因此，会不正确地使用该内部特定数据。
此外，Au接线凸起4的制造成本高，希望以低成本制造该凸起。因此，希望采用一种依赖于电镀或者非电镀形成凸起的方法。
而且，在制造工艺中，在写入数据并且探针与测试焊盘接触的步骤之后在天线焊盘上形成该凸起。当通过电解电镀形成该凸起时，形成了用于UBM镀(UBM；凸起金属下面或者阻挡金属下面)的籽晶层，然后在其上镀金属，以在天线焊盘上形成凸起。如果籽晶层形成在焊盘2和3上以突出方式保留有探针的针尖伤痕7的位置，那么焊盘的该突出部分没有充分地被底层覆盖。即，镀上的凸起金属和焊盘金属彼此直接接触，在使用过程中发生扩散反应，该凸起强度降低。
而且，在依赖于非电解Ni电镀来形成凸起的方法中，在该非电解Ni电镀过程中产生的氢穿透钝化膜并且进入铁电层，可能出现针穿现象(pinningphenomenon)，使得难以改写该数据。
发明内容
本发明的目的是提供一种抑制器件内部的特定数据被读出和抑制该数据被再次写入的半导体器件及其制造方法。
根据本发明，一种半导体器件，包括衬底；形成在该衬底上的天线焊盘；形成在该衬底上的测试焊盘；覆盖测试焊盘、包含填料的绝缘树脂层；和设置在天线焊盘上的凸起。
在该结构中，除了天线焊盘之外，用包含填料的绝缘树脂覆盖测试焊盘。因此，即使未授权的人试图使探针接触该测试焊盘，该探针也不容易穿过包含填料的绝缘树脂接触测试焊盘。此外，即使试图通过蚀刻除去该绝缘树脂，填料的存在也使得蚀刻是不可能的。
根据本发明，一种半导体器件的制造方法，包括步骤在衬底上形成天线焊盘和测试焊盘；用包含填料的绝缘树脂层覆盖除了天线焊盘之外的衬底部分；在天线焊盘和包含填料的绝缘树脂层上形成用于电镀的籽晶层；和电镀该用于电镀的籽晶层，以便在该天线焊盘上形成凸起。
在该结构中，不允许探针容易地穿过包含填料的绝缘树脂层接触测试焊盘。此外，在用包含填料的绝缘树脂层覆盖除了天线焊盘之外的测试焊盘之前使测试焊盘表面平滑的情况下，在测试步骤中由探针弄成的伤痕变得平滑了。此外，在接着的步骤中通过电镀形成凸起中，测试焊盘的突起变得平滑。因此，测试焊盘很好地被UBM层覆盖，并且可靠地形成了凸起。
根据本发明，一种半导体器件的制造方法，包括步骤在衬底上形成天线焊盘和测试焊盘；用包含填料的绝缘树脂层覆盖除了天线焊盘之外的衬底部分；在天线焊盘、测试焊盘和绝缘树脂层上形成用于电镀的籽晶层；电镀用于电镀的籽晶层以便在天线焊盘上形成凸起；和除了天线焊盘之外除去用于电镀的籽晶层和测试焊盘。
此外，根据本发明，一种半导体器件的制造方法，包括步骤在衬底上形成天线焊盘和测试焊盘；用包含填料的绝缘树脂层覆盖除了天线焊盘之外的衬底部分；通过非电镀在天线焊盘上形成凸起；和用焊料层覆盖该凸起的表面。
在该结构中，实施预定的测试步骤。然后，在形成凸起之后，除了天线焊盘之外除去测试焊盘。在除去了测试焊盘的情况下，可以不再使探针接触测试焊盘，并且不能读出该半导体器件中的数据。也在这种情况下，在形成凸起的步骤之前预处理测试焊盘，使探针伤痕平滑，然后，通过电镀形成凸起。
根据本发明，一种半导体器件，包括衬底；形成在该衬底上的天线焊盘；形成在该衬底上的测试焊盘；和设置在该天线焊盘上的凸起，该凸起主要由通过非电镀形成的铜构成。
在使用铜的非电镀中，氢很难产生。因此，由于氢不会穿透钝化膜进入铁电层，因此针穿现象不会发生。这样使其能够低成本地形成高可靠的半导体器件。
图1是说明根据本发明实施例的半导体器件的剖面图；图2A和2B是说明探针与图1的半导体器件接触状态的剖面图；图3A至3F是说明图1的半导体器件的制造方法的视图；
图4是说明根据本发明实施例的半导体器件的剖面图；图5是说明探针与图4的半导体器件接触状态的剖面图；图6A至6F是说明图5的半导体器件的制造方法的视图；图7是说明根据本发明实施例的半导体器件的剖面图；图8A至8F是说明图7的半导体器件的制造方法的视图；图9A至9C是说明包含本发明半导体器件的IC标签的视图；和图10是说明常规半导体器件的剖面图。
具体实施例方式
现在将参考附图描述本发明的优选实施例。
图1是说明根据本发明第一实施例的半导体器件的视图，图2A和2B是说明探针与图1的半导体器件相接触状态的图。该半导体器件10形成为用于IC标签的非易失存储器。该半导体器件10包括在衬底(半导体晶片、半导体芯片等)11上形成的天线焊盘12和测试焊盘13，凸起14形成在天线焊盘12上。半导体电路通过半导体工艺形成在衬底11上，天线焊盘12和测试焊盘13连接到该半导体电路。
在图1至2B中，附图标记15表示无机绝缘膜，16表示包含填料的绝缘树脂层。附图标记17表示针尖伤痕，18表示用于电解电镀(UBM凸起金属下面或者阻挡金属下面)的籽晶层。
无机绝缘膜15具有用于露出天线焊盘12和测试焊盘13的开口。包含填料的绝缘树脂层16具有用于露出天线焊盘12的开口，但是覆盖测试焊盘13。
参考图2A，在形成天线焊盘12、测试焊盘13和无机绝缘膜15之后，在形成包含填料的绝缘树脂层16和凸起14之前，通过使测试探针19与天线焊盘12和测试焊盘13接触来实施测试或者写入数据。针尖伤痕17形成在天线焊盘12和测试焊盘13上探针19接触的部分。针尖伤痕17呈现部分突起的形式。在使用探针19测试之后，形成包含填料的绝缘树脂层16和凸起14。
图2B是说明在形成包含填料的绝缘树脂层16和凸起14之后，探针19与该半导体器件接触状态的图。在这种情况下，试图使探针19与测试焊盘13接触以便访问该数据。然而，由于测试焊盘13被包含填料的绝缘树脂层16覆盖，因此探针19不能接触测试焊盘13，对数据的访问是不可能的。
在IC标签等中，在大多数情况下，内部特定数据为那些需要高度保密的数据，例如产品的历史记录和个人数据。根据本发明，不能读出或者改写内部特定数据，并且没有错误使用该数据的可能性。
如果测试焊盘13被不包含填料的树脂层覆盖，也能够防止探针19接触测试焊盘13。然而，当不包含填料的树脂层厚度非常小时，尽管测试焊盘13被不包含填料的树脂层覆盖，探针19也有可能穿过该不包含填料的树脂层而接触测试焊盘13。如果测试焊盘13被包含填料的绝缘树脂层16覆盖，则能够确实防止探针19通过穿过该包含填料的树脂层16而接触测试焊盘13。即，即使包含填料的绝缘树脂层16的厚度非常小，该填料也起到增加该包含填料的绝缘树脂层16的硬度并且防止探针19穿过该包含填料的树脂层的作用。此外，即使试图通过灰化等措施除去该包含填料的绝缘树脂层16，也难以除去遗留的填料。
可以使用二氧化硅或者丙烯酸树脂作为绝缘树脂层16中的填料。二氧化硅或者丙烯酸树脂允许光透过，因此甚至可以用作光敏树脂。当通过印刷等方法形成该树脂膜时，填料可以是金属或者不允许光透过的材料。例如，以30-40％重量比将包括大小为1至2μm的二氧化硅粒子的填料混合到树脂中。该包含填料的绝缘树脂层16为例如3至6μm厚。
希望用于包含填料的绝缘树脂层16的树脂是可以在例如不高于230℃固化的树脂，以便防止非易失存储器中的数据被热扰乱。该树脂材料的例子包括硅树脂和环氧树脂。该包含填料的树脂层16具有足够的厚度，以便覆盖针尖伤痕17。另一方面，衬底(半导体芯片)11具有小的厚度。因此，如果包含填料的绝缘树脂层16具有大的厚度，会出现翘曲。因此，希望包含填料的绝缘树脂层16具有尽可能小的厚度。
图3A至3F是说明图1的半导体器件的制造方法的视图。图3A说明了对衬底1进行半导体工艺处理以便形成天线焊盘12和测试焊盘13以及进行测试的状态。针尖伤痕17会形成。无机绝缘膜15具有开口以便露出天线焊盘12和测试焊盘13。
图3B示出了在用包含填料的绝缘树脂层16覆盖除了天线焊盘12之外的测试焊盘13之前实施预处理以便使测试焊盘13表面平滑的状态。结果，针尖伤痕17变小。通过蚀刻实施预处理，使得针尖伤痕17的高度变得小于2.5μm。由于该处理，使针尖伤痕17平滑。
图3C示出了用包含填料的绝缘树脂层16覆盖包括测试焊盘13并且除了天线焊盘12之外衬底11的部分的状态。例如，该包含填料的绝缘树脂层16选自光敏绝缘树脂，并且形成为具有不小于大约4μm的厚度。使用二氧化硅或者丙烯酸树脂作为填料。
图3D是表示在衬底11的表面上通过使用溅射装置形成用于电解电镀的底层18的状态的图，该衬底11具有形成在其上的包含填料的绝缘树脂层16。例如，通过使用Ti形成该该籽晶层18。图3E是表示在底层18上形成预定图形的光刻胶20的状态的视图。图3F是表示使用光刻胶20作为掩模、通过实施电解电镀、在底层18上通过光刻胶20中的开口露出的部分形成凸起14的状态的视图。该凸起14例如包括Au镀层。
在图3F的步骤之后，除去光刻胶20，蚀刻底层18，完成凸起的形成。图1示出了该状态。
图4是说明根据本发明第二实施例的半导体器件的视图。该实施例的半导体器件10类似于图1的半导体器件10。然而，在本实施例中，除去了图1的测试焊盘13，在设置测试焊盘13的部分形成了空腔13A。此外，设置包含填料的绝缘树脂层16A，取代包含填料的绝缘树脂层16。包含填料的绝缘树脂层16A在设置测试焊盘13的位置处暴露该空腔13A。
图5是探针19与图4的半导体器件接触的状态的视图。在这种情况下，试图使探针19接触测试焊盘13以便访问该数据。然而，由于没有测试焊盘13，因此探针19不能接触测试焊盘13，并且不可访问该数据。
图6A至6F是说明图4的半导体器件的制造方法的图。图6A示出了对衬底11进行半导体工艺处理以便形成天线焊盘12和测试焊盘13以及进行测试的状态。形成有针尖伤痕17。无机绝缘膜15具有开口，以便露出天线焊盘12和测试焊盘13。
图6B示出了实施预处理以便使测试焊盘13的表面平滑的状态。结果，减小了针尖伤痕17。图6C是说明包含填料的绝缘树脂层16A的形成状态。包含填料的绝缘树脂层16A具有用于露出天线焊盘12和测试焊盘13的开口。可以设置绝缘树脂层16A不包含填料。
图6D是说明通过使用溅射装置在衬底11的表面上形成用于电解电镀的底层18的状态，该衬底11具有形成在其上的包含填料的绝缘树脂层16A。此外，在底层18上形成预定图形的光刻胶20，使用该光刻胶20作为掩模实施电解电镀，在底层18上通过光刻胶20中的开口露出的部分上形成凸起14。该凸起14通过使用例如Au电镀形成。图6E是说明除去光刻胶20，蚀刻底层18，完成凸起的形成的状态的视图。
图6F是说明进一步实施蚀刻以便除去测试焊盘13的状态图。因此，包含填料的绝缘树脂层16A在设置测试焊盘13的位置露出空腔13A。该测试焊盘13由A1制成。在这种情况下，在控制蚀刻速率的同时使用磷酸型蚀刻剂除去测试焊盘13，使得内层布线留在衬底11中。
图7是说明根据本发明第三实施例的半导体器件的图。本实施例的半导体器件10类似于图1的半导体器件10。然而，在本实施例中，凸起14主要由通过非电解电镀形成的铜构成，用焊料层21覆盖铜。
图8A至8F是说明图7的半导体器件的制造方法的视图。图8A示出了对衬底11进行半导体工艺处理以便形成天线焊盘12和测试焊盘13以及进行测试的状态。形成了针尖伤痕17。无机绝缘膜15具有开口，以便露出天线焊盘12和测试焊盘13。
图8B示出了实施预处理以便使测试焊盘13的表面平滑的状态。结果，针尖伤痕17缩小。图8C是说明包含填料的绝缘树脂层16A形成的视图。该包含填料的绝缘树脂层16A覆盖测试焊盘13。
图8D是说明在衬底11的表面上形成预定图形的光刻胶20、此外使用光刻胶20作为掩模通过非电解电镀铜形成凸起14的状态图，该衬底11具有形成在其上包含填料的绝缘树脂层16。图8E是说明除去光刻胶20以便完成凸起的形成的状态。图8F是说明覆盖凸起14的焊料层21的形成。在这种情况下，可以根据需要形成该焊料层21。此外，可以不仅使用铜层而且使用包括其它材料(例如Ni和Au)的多个层形成凸起14。
通常，通过Ni电镀来进行通过非电解电镀的凸起的形成。然而，在非电解Ni电镀过程中产生的氢穿透钝化膜并且进入铁电层，引起针穿现象的出现，使得难以改写数据。因此，在本实施例中，在低成本下，用铜通过电镀形成凸起14，这样产生很少的氢，并且消除了不能将数据改写到非易失存储器中的可能性。
图9A至9C是说明包含本发明的半导体器件的IC标签的示例图。图9A是说明IC标签22的平面，半导体器件10连接和固定于该IC标签22。图9B是说明半导体器件10与IC标签22的天线电路23在一起的部分的视图。图9C是说明IC标签22的侧视图，半导体器件10连接和固定于该IC标签22。将该半导体器件10通过凸起14连接和固定于IC标签22。该IC标签22具有天线电路23，并且将半导体器件10的凸起连接到IC标签22的天线电路23。在图9中示出了测试焊盘13。在不通过未示出的装置本体接触的情况下将IC标签22中的数据读出。
根据本发明，如上所述，抑制了半导体器件中特定数据被读出或者改写。即，可以安全地并且可靠地将该半导体器件用作非易失存储器。
权利要求
1.一种半导体器件，包括衬底；天线焊盘，形成在该衬底上；测试焊盘，形成在该衬底上；包含填料的绝缘树脂层，覆盖该测试焊盘；以及凸起，设置在所述天线焊盘上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述包含填料的绝缘树脂层包含二氧化硅或者丙烯酸树脂填料。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述填料包括1至2μm大小的粒子，并且所述包含填料的绝缘树脂层具有3至6μm的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述凸起由Al、Cu、Ni或者Au制成。
5.一种半导体器件的制造方法，包括步骤在衬底上形成天线焊盘和测试焊盘；用包含填料的绝缘树脂层覆盖该衬底除了所述天线焊盘之外的部分；在所述天线焊盘和所述包含填料的绝缘树脂层上形成用于电镀的籽晶层；以及电镀所述用于电镀的籽晶层，以便在所述天线焊盘上形成凸起。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，进一步包括在用所述包含填料的绝缘树脂层覆盖该衬底的步骤之前，使该测试焊盘的表面平滑的步骤。
7.一种半导体器件的制造方法，包括步骤在衬底上形成天线焊盘和测试焊盘；用包含填料的绝缘树脂层覆盖该衬底除了所述天线焊盘之外的部分；在所述天线焊盘、该测试焊盘和所述包含填料的绝缘树脂层上形成用于电镀的籽晶层；电镀所述用于电镀的籽晶层以便在所述天线焊盘上形成凸起；以及除去所述用于电镀的籽晶层除了所述天线焊盘之外的部分和该测试焊盘。
8.一种半导体器件的制造方法，包括步骤在衬底上形成天线焊盘和测试焊盘；用包含填料的绝缘树脂层覆盖该衬底除了所述天线焊盘之外的部分；通过非电解电镀在所述天线焊盘上形成凸起；和用焊料层覆盖所述凸起的表面。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中该非电解电镀使用铜。
全文摘要
一种半导体器件，具有形成在衬底上的天线焊盘和测试焊盘。包含填料的绝缘树脂层覆盖测试焊盘，在天线焊盘上设置凸起。通过设置包含填料的绝缘树脂层从而抑制该半导体器件中的特定数据被读出或者改写。
文档编号H01L21/822GK1677656SQ20041007979
公开日2005年10月5日 申请日期2004年9月20日 优先权日2004年4月1日
发明者松木浩久, 生云雅光 申请人:富士通株式会社