专利名称：半导体集成电路装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体集成电路装置，用于防止寄生效应造成的电机驱动电路的误动作。
背景技术：
在现有的三相电机驱动器中，公开了以下结构将直流电源VCC、GND间串联连接的晶体管(Tr1-Tr2、Tr3-Tr4、Tr5-Tr6)并联连接。将从Tr1-Tr2、Tr3-Tr4和Tr5-Tr6之间取出的输出端子连接到电机M。然后，随着电机的旋转/停止，产生正/反方向的电动势。在晶体管的集电极/发射极间连接保护二极管，将电动势向固定电位靠近，保护包含串联连接的晶体管的IC内部(例如，参照专利文献1)。
此外，公开了以往的DC电机的正反转控制电路(例如，参照非专利文献1)。
特开平6-104459号公报(第13-14页、第16-第17图)[非专利文献1]三浦宏文‘メカトロニクス’ォ-ム社、P.204-205在现有的半导体集成电路装置中，例如，在从驱动元件的导通动作向截止动作转移时，从电机产生反方向的电动势(以下称为反电动势)。因此，通过这种反电动势，在驱动电机的驱动元件的集电极区施加负电位。由此，从驱动元件、基板、控制元件构成的寄生晶体管的发射极区和基极区的PN结区，产生自由载流子(电子)。该自由载流子(电子)经由基板从形成驱动元件的岛区流入其他岛区。特别是对驱动元件进行控制的控制元件流入自由载流子(电子)的情况下，控制元件将产生误动作。其结果，随着控制元件的误动作，处于截止动作的驱动元件进行导通动作，向电机传送错误的信号，有妨碍电机的正常动作的问题。
发明内容
鉴于上述各种状况，在本发明的半导体集成电路装置中，包括半导体层；将所述半导体层区分为多个岛区的分离区，在所述多个岛区中，至少形成驱动电机的驱动元件、以及控制该驱动元件的控制元件，其特征在于在其他岛区中形成二极管元件，所述二极管元件的阳极区与形成所述控制元件的岛区的分离区电连接，所述二极管元件的阴极区与形成所述驱动元件的岛区电连接。因此，在本发明的半导体集成电路装置中，形成二极管元件，将该二极管元件的阳极区和形成控制元件的岛区的分离区电连接。另一方面，将该二极管元件的阴极区和形成驱动元件的岛区电连接。由此，通过电机的反电动势，形成控制元件的岛区的分离区与其他岛区的分离区相比，其电位变低。因此，可以防止驱动元件产生的自由载流子(电子)流入控制元件，使控制元件误动作。
此外，在本发明的半导体集成电路装置中，其特征在于，在以可包围形成所述驱动元件的岛区而配置的分离岛区中，形成所述二极管元件。因此，在本发明的半导体集成电路装置中，通过电机的反电动势，以分离岛区来包围产生自由载流子(电子)的驱动元件形成区的周围。因此，在该分离岛区中形成二极管元件。即，在本发明中，由于还从二极管元件产生自由载流子(电子)，所以通过在附近区中形成产生自由载流子(电子)的元件，可以容易地进行寄生效应对策。
此外，在本发明的半导体集成电路装置中，其特征在于，在所述分离岛区中，形成被施加电源电位的扩散区。因此，在本发明的半导体集成电路装置中，以分离岛区来包围产生自由载流子(电子)的驱动元件形成区的周围。因此，在该分离岛区中形成被施加电源电位的扩散区。由此，可在其附近区抽取由驱动元件产生的自由载流子(电子)，可以防止控制元件的误动作。
此外，在本发明的半导体集成电路装置中，包括半导体层，将所述半导体层区分为多个岛区的分离区，在所述多个岛区中，至少形成驱动电机的驱动元件、以及控制该驱动元件的控制元件，其特征在于将形成所述驱动元件的岛区的分离区和形成所述控制元件的岛区的分离区电连接。因此，在本发明的半导体集成电路装置中，可以使形成所述驱动元件的岛区的分离区和形成所述控制元件的岛区的分离区实质上同电位。由此，通过电机的反电动势，形成控制元件的岛区的分离区比其他岛区的分离区的电位低。其结果，可以防止驱动元件产生的自由载流子(电子)流入控制元件，防止控制元件误动作。
在本发明的半导体集成电路装置中，至少有形成电机的驱动元件的岛区和形成控制该驱动元件的控制元件的岛区。此外，在其他岛区中形成二极管元件。而且，二极管元件的阳极区与形成控制元件的岛区的分离区电连接。二极管元件的阴极区与形成驱动元件的岛区电连接。由此，通过电机的反电动势，在形成控制元件的岛区中，与其他岛区相比，被电位低的分离区包围。其结果，由驱动元件产生自由载流子(电子)，但该自由载流子(电子)流入其他岛区，控制元件不误动作。因而，通过防止控制元件的误动作，也可以防止驱动元件的误动作。
此外，在本发明的半导体集成电路装置中，形成电机的驱动元件的岛区的周围被分离岛区包围。在该分离岛区中，至少形成二极管元件。因而，通过电机的反电动势，从二极管元件也产生自由载流子(电子)。因此，在本发明中，产生该自由载流子(电子)的驱动元件和二极管元件形成在附近区。由此，在本发明中，通过电机的反电动势，将产生该自由载流子(电子)的元件集中在一区，从而容易进行寄生效应对策。
此外，在本发明的半导体集成电路装置中，形成电机的驱动元件的岛区被分离岛区包围。而且，在该分离岛区中，形成二极管元件和施加电源电位的扩散区。由此，通过电机的反电动势，从驱动元件和二极管元件产生自由载流子(电子)，但产生的自由载流子(电子)可经由形成于分离岛区中的扩散区抽取。其结果，可以防止控制元件的误动作，还可以防止驱动元件的误动作。
此外，在本发明的半导体集成电路装置中，形成电机的驱动元件的岛区的分离区和形成控制该驱动元件的控制元件的岛区的分离区通过布线层连接。由此，通过电机的反电动势，在从驱动元件产生自由载流子(电子)时，随着驱动元件形成区的分离区的负电位，控制元件形成区的分离区也为负电位。其结果，在本发明中，还通过半导体层上表面的布线结构，与采用二极管元件的情况同样，可以防止从驱动元件产生的自由载流子(电子)造成的控制元件的误动作。
图1是用于说明本发明一实施方式的半导体集成电路装置的剖面图。
图2是用于说明本发明一实施方式的半导体集成电路装置的剖面图。
图3是用于说明本发明一实施方式的半导体集成电路装置中使用的二极管的图，图3(A)是剖面图，图3(B)是另一剖面图。
图4是本发明一实施方式的半导体集成电路装置的电路图。
图5是用于说明本发明一实施方式的半导体集成电路装置的剖面图。
图6是用于说明本发明一实施方式的半导体集成电路装置的上表面图。
图7(A)与本发明一实施方式的半导体集成电路装置中元件结构有关，是表示功率NPN晶体管的寄生电流值和横向PNP晶体管的基极电流值的关系的曲线图，图7(B)与施加电位有关，是表示功率NPN晶体管的寄生电流值和横向PNP晶体管的基极电流值的关系的曲线图。
具体实施例方式
以下，参照图1～图7详细说明本发明的半导体集成电路装置的一实施方式。
图1、图2和图5是表示本发明的半导体集成电路装置的结构的剖面图，图3是形成在本发明的半导体集成电路装置内的二极管结构的剖面图，图4是本发明的半导体集成电路装置中的一部分电路图。再有，在本实施方式中，在半导体集成电路装置中，作为电机的驱动元件，说明功率NPN晶体管的情况，但不限定于这种情况。例如，也可以使用功率MOS晶体管，取代功率NPN晶体管。此外，在图1和图2的剖面图中，图示了横向PNP晶体管元件，而在其他区中，形成NPN晶体管元件等。
如图1所示，在P型的单晶硅衬底5上，形成厚度2～10μm的N型的外延层6。然后，衬底5和外延层6通过贯通它们的P型的分离区7而形成第一岛区8、第二岛区9和第三岛区10。
这种分离区7由从衬底5表面上下方向扩散的第一分离区11、从外延层6表面形成的第二分离区12构成。然后，通过连结两者，将衬底5和外延层6岛状分离。
在本实施方式的半导体集成电路装置1中，在第一岛区8中形成横向PNP晶体管2，在第二岛区9中形成二极管3，在第三岛区10中形成功率NPN晶体管4。虽然未图示，但在外延层6上表面中，堆积LOCOS氧化膜、氧化硅膜等。然后，经由形成于氧化硅膜等中的接触孔，堆积阻挡金属层和Al层，形成电极。以下，说明形成于第一岛区8、第二岛区9和第三岛区10中的元件2、3、4。
首先，说明形成于第一岛区8中的功率NPN晶体管2。如图所示，在衬底5和外延层6的边界部分中形成N型的埋入扩散区13。然后，在用作基极区的外延层6中，从其表面起，形成P型的扩散区14、15、16和N型的扩散区17。例如，将P型的扩散区15作为发射极区，将P型的扩散区14、16作为集电极区。再有，在图中，将P型的扩散区14、16独立描绘，但实际上被一体地形成，以便包围发射极区的P型的扩散区15。另一方面，通过将N型的扩散区17用作基极导出区，从而构成功率NPN晶体管2。
下面，说明形成于第二岛区9中的二极管3。如图所示，在衬底5和外延层6的边界部分中形成N型的埋入扩散区18。从外延层6的表面形成N型的扩散区19，扩散区19与埋入扩散区18连结。然后，在被N型的扩散区19包围的区中，从外延层6的表面形成P型的扩散区20，在P型的扩散区20中，从其表面形成N型的扩散区21。
在本实施方式中，设P型的扩散区20为阳极区。然后，在外延层6的上表面中，将P型的扩散区20和N型的扩散区21短路，形成阳极电极。由此，可以防止P型的扩散区20和N型的扩散区21的寄生效应。另一方面，将N型的外延层6、N型的扩散区18、19作为阴极区。然后，在外延层6上表面中，形成阴极电极。通过这种结构，形成二极管3。
如图所示，在本实施方式中，在形成二极管3时，可以利用形成于半导体集成电路装置1的其他岛区中的元件结构。然后，通过元件上表面的电极、布线结构来形成二极管3。因此，作为二极管3的结构，例如，如图3(A)所示，还可以利用横向PNP晶体管的结构。这种情况下，将P型的扩散区43、44、45作为阳极区，在外延层42上表面中，形成阳极电极。另一方面，将N型的外延层42、N型的扩散区46作为阴极区。然后，在外延层42上表面中，形成阴极电极。
此外，通过图3(B)所示的结构，也可以形成二极管3。这种情况下，将P型的埋入扩散层54、P型的扩散区55作为阳极区。然后，在外延层52上表面中，将P型的扩散区55和N型的扩散区57短路，形成阳极电极。由此，可以防止由P型的扩散区54、55构成的发射极区和N型的扩散区53、56、57构成的基极区及P型的衬底51构成的集电极区所构成的寄生PNP晶体管造成的对衬底51的漏电流。另一方面，将N型的外延层52、N型的扩散区58作为阴极区，在外延层52上表面中，形成阴极电极。
下面，说明形成于第三岛区10中的功率NPN晶体管4。如图所示，在衬底5和外延层6的边界部分中形成N型的埋入扩散区22。从外延层6的表面形成N型的扩散区23，扩散区23与埋入扩散区22连结。然后，在被N型的扩散区23包围的区中，从外延层6的表面形成P型的扩散区24。在P型的扩散区24中，从其表面形成N型的扩散区25。然后，在本实施方式中，将N型的外延层6作为集电极区，将N型的埋入扩散区22、扩散区23作为集电极导出区。将P型的扩散区24作为基极区，将N型的扩散区25作为发射极区。
再有，在本实施方式中，为了包围形成作为电机的驱动元件的功率NPN晶体管4的第三岛区10，配置第二岛区9。然后，说明了在第二岛区9中形成二极管元件的情况，但不必限定于这种情况。例如，也可以形成图2所示的结构。如图所示，在第二岛区9中，在衬底5和外延层6的边界部分中形成N型的埋入扩散区26。然后，从外延层6表面形成N型的扩散区27，将两者连结。在N型的扩散区27上施加电源电压。由此，在功率NPN晶体管4中施加电机的反电动势时，从功率NPN晶体管4产生的自由载流子(电子)可从该N型的扩散区26、27吸取。即，在图1和图2的剖面图中，分别表示形成二极管3的情况和被施加电源电压的形成了扩散区26、27的情况。但是，在第二岛区9中，形成两者。
这里，在本实施方式中，例如，将流过数mA左右的主电流的情况称为NPN晶体管，例如将流过数A左右的主电流的情况称为功率NPN晶体管。
其次，如图4所示，本实施方式的半导体集成电路装置1是用于驱动电机的驱动IC，表示该电路图的一部分。例如，在电机驱动的电源线上，连接作为电机驱动元件的功率NPN晶体管A的集电极电极。功率NPN晶体管A的发射极电极和电机的输出端子连接。另一方面，作为控制元件的横向PNP晶体管C的集电极电极和功率NPN晶体管A的基极电极经由电阻R1来连接。然后，横向PNP晶体管C的发射极电极连接到电源线路。基极电极例如与作为电流镜电路形成的另一方的横向PNP晶体管的基极电极连接。然后，经由该横向PNP晶体管连接到电源线。
如上述那样，在本实施方式中，在第二岛区9中形成二极管3。然后，将第二岛区9进行配置，以包围形成功率NPN晶体管4的第三岛区10。或者，将第二岛区9配置在第三岛区10的附近区。形成于第二岛区9中的二极管3通过外延层6上表面的布线，其阳极区与形成功率NPN晶体管2的第一岛区8的分离区7电连接。另一方面，二极管3的阴极区通过外延层6上表面的布线，与功率NPN晶体管4的集电极区电连接。
根据这种布线结构，例如，在作为驱动元件的功率NPN晶体管4从导通动作向截止动作转移时，从电机产生反电动势，在功率NPN晶体管4上施加该反电动势。由此，在功率NPN晶体管4的集电极区中，施加负的电位，例如-2V左右。另一方面，P型的衬底5经由划分第三岛区10的分离区7被接地。由此，在由功率NPN晶体管4的N型的埋入扩散区22、P型的衬底5、横向PNP晶体管2的N型的埋入扩散区13构成的寄生NPN晶体管中，在发射极区和基极区的结区(以下，称为寄生结区)中施加正向偏置，产生自由载流子(电子)。
再有，如上述那样，在本实施方式中，通过电机的反电动势，在功率NPN晶体管4的集电极区中，以施加-2V左右的情况为例，以下进行说明。但是，在功率NPN晶体管4的集电极区中，不限定于施加-2V左右的情况。
此外，在二极管3中，同样通过电机的反电动势，在二极管3的阳极区中，施加负的电位，例如-2V左右。另一方面，衬底5被接地。由此，在由二极管3的N型的埋入扩散区18、P型的衬底5、横向PNP晶体管2的N型的埋入扩散区13构成的NPN晶体管中，在发射极区和基极区的结区(以下，称为寄生结区)中施加正向偏置，产生自由载流子(电子)。
但是，在本实施方式中，通过具有上述的布线结构，二极管3的阳极区为接地状态，而阴极区通过电机的反电动势被施加负的电位，例如施加-2V左右。由此，在二极管3的PN结区中施加正向偏置，二极管3为导通动作，在阳极电极上施加负的电位，例如施加-1.3V左右。而且，在本实施方式中，阳极电极通过布线层与第一岛区8的分离区7电连接。其结果，第一岛区8例如为被施加了-1.3V左右的负电位的分离区7包围的状态。
即，在本实施方式中，防止从二极管3和功率NPN晶体管4的寄生结区产生的自由载流子(电子)经由衬底5流入横向PNP晶体管2。如横向PNP晶体管2那样，与其他岛区的分离区7的电位相比，将形成控制驱动元件的小信号类元件的岛区的分离区7的电位降低。由此，从二极管3和功率NPN晶体管4产生的自由载流子(电子)流向被处于接地状态的分离区7包围的其他岛区。而且，在横向PNP晶体管2中，自由载流子(电子)流入基极区，在截止动作时，不进行导通动作。其结果，在本实施方式中，基于作为控制元件的横向PNP晶体管2的寄生效应造成的导通动作，可以防止作为驱动元件的功率NPN晶体管4在截止动作时进行导通动作。
下面，如图5所示，在本实施方式中，例如，即使采用在外延层6上表面中的Al布线，也可以获得与采用上述二极管3的情况同样的效果。
具体地说，形成横向PNP晶体管2的第一岛区8的分离区7和形成功率NPN晶体管4的第三岛区10的分离区7在外延层6上表面中通过Al布线进行电连接。然后，在功率NPN晶体管4的集电极区中，例如，在作为驱动元件的功率NPN晶体管4从导通动作向截止动作转移时，通过电机的反电动势，被施加负的电位，例如施加-2V左右。在P型的衬底5中，经由划分第三岛区10的分离区7被接地。因此，在由功率NPN晶体管4的P型的衬底5和N型的外延层6及埋入扩散区22构成的寄生结区中施加正向偏置，产生自由载流子(电子)。
由此，在功率NPN晶体管4的寄生结区中施加正向偏置，在划分第三岛区10的分离区7中施加负的电位，例如施加-1.3V左右。而且，在本实施方式中，形成功率NPN晶体管4的第三岛区10的分离区7和形成横向PNP晶体管2的第一岛区8的分离区7通过Al布线进行连接。尽管有Al布线造成的电压降，但通过这种结构，在形成横向PNP晶体管2的第一岛区8的分离区7中，施加-1.0V～-1.3V左右的电压。
即，在形成横向PNP晶体管2的第一岛区8的分离区7中，与处于接地状态的其他岛区的分离区7相比，被施加低的电位。其结果，在第一岛区8中，如上述采用二极管元件3那样，可以防止流入自由载流子(电子)。而且，可以防止寄生效应造成的横向PNP晶体管2的误动作。在本实施方式中，与采用二极管3的情况同样，可以防止作为电机的驱动元件的功率NPN晶体管4的误动作。
除此之外，通过期望防止寄生效应造成的误动作的岛区的分离区7通过Al布线与第三岛区10的分离区7电连接，从而防止流入自由载流子(电子)。再有，在本实施方式中，在以包围第三岛区10来配置的第二岛区9内，通过形成施加了电源电位的N型的埋入扩散区26、扩散区27，可以高效率抽取从寄生结区产生的自由载流子(电子)。
下面，图6是本发明的半导体集成电路装置1的一部分上表面图，图7是表示本发明的驱动元件中的寄生电流值与控制元件中的基极电流值之间关系的特性图。
如图6所示，在本实施方式中，在半导体芯片61的左侧配置作为电机的驱动元件的功率NPN晶体管用的地线62。在地线62的附近区中，将功率NPN晶体管在Y轴方向上四元件配置。而且，在本实施方式中，如点划线所示，配置分离岛区，以包围功率NPN晶体管。
另一方面，在半导体芯片61的右侧和上下侧中，配置其他元件用的地线63。然后，在地线63的附近区中，配置IIL(Integrated Injection Logic)。然后，在功率NPN晶体管的配置区和IIL的配置区之间，将控制信号传送到功率NPN晶体管的横向PNP晶体管在Y轴方向上四元件配置。如图所示，功率NPN晶体管和横向PNP晶体管通过分离岛区来隔离。
在图7(A)中，表示如图6所示那样配置各元件，在Y轴上表示从寄生结区产生自由载流子(电子)情况下的横向PNP晶体管的基极电流值，在X轴上表示流过功率NPN晶体管的寄生电流值。而且，用实线所示的线为现有的结构，不配置二极管，或者表示没有进行金属布线的情况。虚线表示不配置二极管，通过上述的布线连接，将横向PNP晶体管的分离区和功率NPN晶体管的分离区连接的情况。点划线表示在分离岛区中形成二极管，通过上述的布线连接，将二极管和横向PNP晶体管的分离区及功率NPN晶体管的集电极区连接的情况。
如图所示，在用实线表示的现有结构中，随着对功率NPN晶体管的寄生电流的增大，横向PNP晶体管中的基极电流增大。即，在现有的结构中，随着来自功率NPN晶体管的寄生结区的自由载流子(电子)的产生量的增加，对横向PNP晶体管的基极电流值增加。而且，通过基极电流流过大于或等于一定值，如果本来是横向PNP晶体管的截止动作时，则可能进行导通动作。即，因该横向PNP晶体管的误动作而使功率NPN晶体管也变为导通动作，向电机传送错误的信号，妨碍电机的正常动作。
另一方面，在本实施方式中，如虚线和点划线所示，与形成由自由载流子(电子)引起误动作的横向PNP晶体管的岛区有关，形成为在分离区中施加比其他岛区低的电位的结构。由此，随着来自功率NPN晶体管的自由载流子(电子)的增大，可以抑制对横向PNP晶体管中的基极电流值的增大。而且，在横向PNP晶体管中，可以防止自由载流子(电子)造成的误动作。再有，如图所示，与采用二极管元件的情况相比，横向PNP晶体管的分离区比其他分离区的电位低。因此，在横向PNP晶体管中，可以防止自由载流子(电子)造成的基极电流值的增大。
在图7(B)中，表示如图6所示来配置各元件，并表示在改变施加在形成横向PNP晶体管的岛区的分离区上的电位情况下的横向PNP晶体管的基极电流值的变化。再有，在图7(B)中，是将电压直接施加在形成横向PNP晶体管的岛区的分离区情况的数据。此外，在Y轴上，表示从寄生结区产生自由载流子(电子)情况的横向PNP晶体管的基极电流值，在X轴上，表示流过功率NPN晶体管的寄生电流值。
如图所示，如用实线所示，在分离区为接地状态(0V)的情况下，被与其他岛区的分离区同电位的分离区包围。因此，随着对功率NPN晶体管的寄生电流的增大，横向PNP晶体管中的基极电流值增大。另一方面，如用虚线所示，在分离区中施加-0.1V的情况下，与其他岛区的分离区相比为低电位。由此，横向PNP晶体管中的基极电流值下降。同样，如用点划线和两点点划线所示，设施加在分离区中的电位为-0.2V、-0.3V。这种情况下，形成横向PNP晶体管的岛区与其他岛区相比，被低电位的分离区包围。由此，横向PNP晶体管中的基极电流值进一步下降。
即，从图7(A)和图7(B)可知，在本实施方式中，在电机产生反电动势时，通过从驱动元件的寄生结区产生的自由载流子(电子)，与引起误动作的元件的岛区有关，在分离区中形成与其他岛区相比施加低电位的结构。由此，可以防止通过电机的反电动势，从驱动元件产生的自由载流子(电子)流入形成控制元件的岛区而引起误动作。此时，在本实施方式中，通过二极管和金属布线，可以在要求的分离区中施加比其他分离区低的电位。此外，在形成二极管的分离岛区中，通过形成施加电源电位的N型扩散区，可以吸上自由载流子(电子)。而且，可以有效地防止控制元件的误动作。
再有，在本实施方式中，说明了将二极管装入同一衬底构成的半导体集成电路装置内的情况，但不限定于这种情况。例如，准备单独形成的二极管，即使进行外部连接，也可获得同样的效果。此外，也可以置换为形成受到寄生效应影响的元件的岛区的分离区的电位与其他岛区的分离区的电位相比可为低电位的任意的结构。另外，在不脱离本发明的要点的范围内，可进行各种变更。
权利要求
1.一种半导体集成电路装置，包括半导体层；将所述半导体层区分为多个岛区的分离区，在所述多个岛区中，至少形成驱动电机的驱动元件、以及控制该驱动元件的控制元件，其特征在于在其他岛区中形成二极管元件，所述二极管元件的阳极区与形成所述控制元件的岛区的分离区电连接，所述二极管元件的阴极区与形成所述驱动元件的岛区电连接。
2.如权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，所述二极管元件形成于所述驱动元件的附近区。
3.如权利要求1或权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征在于，在以可包围形成所述驱动元件的岛区而配置的分离岛区中，形成所述二极管元件。
4.如权利要求3所述的半导体集成电路装置，其特征在于，在所述分离岛区中，形成被施加电源电位的扩散区。
5.一种半导体集成电路装置，包括半导体层；将所述半导体层区分为多个岛区的分离区，在所述多个岛区中，至少形成驱动电机的驱动元件、以及控制该驱动元件的控制元件，其特征在于将形成所述驱动元件的岛区的分离区和形成所述控制元件的岛区的分离区电连接。
6.如权利要求5所述的半导体集成电路装置，其特征在于，形成所述驱动元件的岛区的分离区和形成所述控制元件的岛区的分离区通过所述半导体层上面的金属布线进行电连接。
7.如权利要求5或权利要求6所述的半导体集成电路装置，其特征在于，在以可包围形成所述驱动元件的岛区而配置的分离岛区中，形成被施加电源电位的扩散区。
全文摘要
在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在第二岛区(9)配置二极管(3)。二极管(3)的阳极区和横向PNP晶体管(2)形成的第一岛区(8)的分离区(7)电连接，二极管(3)的阴极区和功率NPN晶体管(4)的集电极区电连接。由此，横向PNP晶体管(2)形成的第一岛区(8)的分离区(7)与其他岛区的分离区相比为低电位，可以防止流入自由载流子(电子)。
文档编号H01L27/04GK1604328SQ20041008252
公开日2005年4月6日 申请日期2004年9月20日 优先权日2003年9月29日
发明者神田良, 大川重明, 吉武和广 申请人:三洋电机株式会社