有机电致发光显示设备及其制造方法

文档序号:6855890阅读:79来源:国知局
专利名称:有机电致发光显示设备及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示设备,更具体地,涉及能够提高其对比率的有机电致发光显示设备及其制造方法。
背景技术
近来开发出各种重量减少和体积减小的平板显示设备,重量和体积是阴极射线管CRT的缺点。这种平板显示设备包括液晶显示器LCD、场致发射显示器FED、等离子体显示面板PDP和电致发光EL显示设备等等。
特别地,EL显示设备基本上具有把电极粘贴到有机发光层的两侧表面的形状,该覆盖层是由空穴输运层、发光层和电子输运层组成,且该EL显示设备作为下一代平板显示器因其宽视角、高孔径率、高色感等等而吸引了人们的关注。
这种EL显示设备根据其使用的材料不同大致上分为无机EL显示设备和有机EL显示设备。在这些EL显示设备中,有机EL显示设备具有比无机EL显示设备驱动电压低的优点,因为,当将电荷注入位于空穴注入电极和电子注入电极之间的有机EL层时,电子和空穴在构成一对,然后他们猝灭以发出光。此外,即使在柔性的例如塑料的透明基板上,有机EL显示设备也可以形成元件,并且有机EL显示设备能够以低于10V的电压驱动,具有相对低的功耗并且与PDP或者无机EL显示设备相比它具有相对小的功耗和出色的色感。
图1是表示相关技术的有机EL显示设备的透视图,图2是表示图1所示的有机EL显示设备沿I-I’线剖开的图。
图1所示的有机EL显示设备具有第一电极(或者阳极)4和第二电极(或者阴极)12,它们以彼此交叉的方向形成于基板2上。
多个阳极4形成于基板2上,以彼此分开一个规定的间隙。在形成了阳极4的基板2上形成对每个EL单元具有开口部分的绝缘膜6。在绝缘膜6上设置隔条8,用于分隔要形成于其上的有机发光层10和阴极12。隔条8是以与阳极4交叉的方向形成,并且具有倒锥形结构,即上端部比下端部的宽度更宽。在形成有隔条8的绝缘膜6的整个表面上相继沉积由有机化合物形成的有机发光层10和阴极12。有机发光层10具有沉积和形成于绝缘膜上的空穴输运层、发光层和电子输运层。如果在阳极4和阴极12上施加驱动信号,那么有机EL显示设备发射电子和空穴,并且从阳极4和阴极12发出的电子和空穴在有机发光层10内复合而产生可见光。这时,所产生的可见光通过阳极4出射到外面而显示规定的画面或者图象。
另一方面,在相关技术的有机EL显示设备中,从外面入射的光几乎完全透过阳极4、隔条8和有机发光层10。结果,当光不从有机发光层10发射的时候,如图3所示,从基板2的表面入射的外部光40透过有机发光层10和由透明导电材料构成的阳极4,并且经过金属电极的阴极12反射后出射到设备的外面。因而,存在其对比率劣化的问题。

发明内容
因此,本发明的目的是提供一种能够通过截断外部光来提高它的对比率的有机电致发光显示设备及其制造方法。
为了实现本发明的这些和其它的目的,根据本发明一方面所述的有机电致发光显示设备包括形成于基板上的阳极;和形成于该基板上除形成该阳极的区域之外的区域的凹凸区域。
在该有机电致发光显示设备中,还包括将该阳极部分地暴露出来以限定发光区域的绝缘膜;在该发光区域上形成的有机发光层;和与该阳极交叉且其间具有该有机发光层的阴极,并且其中该凹凸区域截断入射到阳极且在阴极上反射的外部光的前进路径。
根据本发明的另一方面,一种制造有机电致发光显示设备的方法,其包括步骤在基板上除了形成有阳极的区域之外的区域形成凹凸区域;在除了该凹凸区域之外的区域形成该阳极;形成将该阳极部分地暴露出来以限定发光区域的绝缘膜;在该发光区域上形成有机发光层;以及形成与该阳极交叉且其间具有该有机发光层的阴极。
在该制造方法中,形成于该基板上的该凹凸区域是利用激光、光刻工艺和喷砂工艺中至少任一种方法形成的。
在该制造方法中,该凹凸区域截断外部光。


从下面参照附图对本发明的实施例的具体描述中,本发明的这些和其它目的将变得清楚,其中图1是简要示出相关技术的有机电致发光显示设备的透视图;图2是表示图1所示的有机EL显示设备沿I-I’线剖开的图;图3是表示入射的外部光在有机电致发光显示设备的阴极发生反射的图;图4是表示本发明一个实施例的有机EL显示设备的透视图;图5是示出该有机EL显示设备沿图4中II-II’线剖开的截面图;图6是描述图5所示的凹凸区域的遮光角色的图;
图7A至7F是描述相关技术的有机电致发光显示设备的制造方法的图。
具体实施例方式
现在具体参照本发明优选实施例进行讨论,其中的例子示于附图中。
参照图4至图7F,下面解释本发明的实施例。
图4是表示本发明一个实施例的有机EL显示设备的透视图,图5是示出该有机EL显示设备沿图4中II-II’线剖开的截面图。
图4和图5所示的有机EL显示设备具有第一电极(或者阳极)104和第二电极(或者阴极)112,它们以彼此交叉的方向形成于基板102的显示区域P1上,并且包括凹凸区域(A),其形成于基板102的显示区域P1上不设置第一电极104的区域的区域内。
多个阳极104彼此分开一个规定的间隙形成于基板102上。在形成了阳极104的基板102上形成对每个EL单元具有开口部分的绝缘膜106。在绝缘膜106上设置隔条108,用于分隔要形成于其上的有机发光层110和阴极112。隔条108是以与阳极104交叉的方向形成,并且具有倒锥形结构,即上端部比下端部的宽度更宽。在形成有隔条108的绝缘膜106的整个表面上相继沉积由有机化合物形成的有机发光层110和阴极112。有机发光层110具有沉积于并且形成于绝缘膜106上的空穴输运层、发光层和电子输运层。
凹凸区域(A)具有遮蔽或者吸收外部光的作用。也即,凹凸区域(A)是不平坦区域,其是通过把激光照射到基板102上受到损伤或者应用光致抗蚀剂工艺和蚀刻工艺形成的区域,因而使得该凹凸区域(A)具有遮蔽外部光的作用。
换句话说,如图6所示,入射到基板102的外部光140经过在凹凸区域(A)内的多次反射后消失,并且通过凹凸区域(A)之外的区域入射的外部光140经过阴极112反射后,由于该凹凸区域(A),该外部光140几乎不能出射到外面并且消失。以这种方式,凹凸区域(A)截断外部光的前进路径,由此能够提高它的对比率。
以这种方式,在本发明的有机EL显示设备中,该凹凸区域(A)是在显示区域P1上除阳极104之外的区域形成的。凹凸区域(A)截断相当多的从外面入射到该设备内面的外部光,并且起着截断在阴极112中部分透射和反射的外部光的作用。因而,对比率得到提高。
然后,参照图7A至7F,如下描述相关技术的有机EL显示设备的制造方法。
首先,在提供了通过采用钠钙玻璃或者硬质玻璃形成的基板102之后,用激光照射基板102的显示区域P1上除了要形成阳极104的区域之外的区域以损伤基板102的表面,或者实施光刻工艺和蚀刻工艺,从而在基板102上形成凹凸区域(A),如图7A所示。另一方面,该凹凸区域(A)可以通过采用喷砂处理方法(其采用感光胶膜DFR)代替光刻工艺和干蚀工艺来形成。
在形成有凹凸区域(A)的基板102上沉积透明导电金属材料之后,通过光刻工艺和蚀刻工艺对该透明导电金属材料进行构图,这样形成阳极104,如图7B所示。这里,金属材料是氧化铟锡或者SnO2。
在形成有阳极104的基板102上形成光敏绝缘材料之后,通过光刻工艺对该光敏绝缘材料进行构图,由此把阳极104部分地暴露出来,以形成定义发光区域的绝缘膜106,如图7C所示。
在形成有绝缘膜106的基板102上沉积光敏有机材料之后,通过光刻工艺对该光敏有机材料进行构图,由此形成隔条108,如图7D所示。隔条108形成于非发光区域,以与多个阳极104交叉,用于划分像素。
利用热沉积法和真空沉积法在形成有隔条108的基板102上沉积有机材料,由此形成有机发光层110,如图7E所示。
在形成有有机发光层110的基板102上沉积金属材料,由此形成阴极112,如图7F所示。
如上所述,根据本发明的有机EL显示设备及其制造方法在显示区域除阳极之外的区域上形成有凹凸区域。该凹凸区域截断相当多的从该设备的外面入射到其内面的外部光,并且也用作截断在阴极中部分地透射和反射的外部光的作用。因而,对比率得到提高。
尽管本发明是通过如上所述示于附图中的实施例来解释的,但是本领域普通技术人员应该理解,本发明不限于这些实施例,相反其在不脱离本发明的精神的情况下可以有各种改变或者修改。因而,本发明的范围应该仅仅有所附权利要求及其等效权利要求来确定。
权利要求
1.一种有机电致发光显示设备,包括形成于基板上的阳极;和形成于该基板上除形成该阳极的区域之外的区域的凹凸区域。
2.如权利要求1所述的有机电致发光显示设备,进一步包括将该阳极部分地暴露出来以限定发光区域的绝缘膜;形成于该发光区域上的有机发光层;和与该阳极交叉且其间具有该有机发光层的阴极,以及其中该凹凸区域截断入射到该阳极并且在该阴极上反射的外部光的前进路径。
3.一种有机电致发光显示设备的制造方法,包括以下步骤在基板上除了形成有阳极的区域之外的区域形成凹凸区域;在除了该凹凸区域之外的区域形成该阳极;形成将该阳极部分地暴露出来以限定发光区域的绝缘膜;在该发光区域上形成有机发光层;以及形成与该阳极交叉且其间具有该有机发光层的阴极。
4.如权利要求3的制造方法,其中形成于该基板上的该凹凸区域是利用激光、光刻工艺和喷砂工艺中至少任一种方法形成的。
5.如权利要求3的制造方法,其中该凹凸区域截断外部光。
全文摘要
本发明公开了一种提高了对比率的有机电致发光显示设备及其制造方法。根据本发明一个实施例所述的有机电致发光显示设备包括形成于基板上的阳极;和形成于该基板上除了形成阳极的区域之外的区域的凹凸区域。
文档编号H01L51/50GK1773719SQ200510118529
公开日2006年5月17日 申请日期2005年10月27日 优先权日2004年11月11日
发明者孙雨铉 申请人:Lg电子株式会社
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