专利名称：包括含有机金属络合物的有机层的有机发光二极管的制作方法
包括含有M属络合物的有机层的有机发光二极管本发明一个实施方案中，有机发光二极管包括含低聚
物类有机金属络合物的有机层。 图9是表示按实施例3和实施例4制备的有机发光二 极管效率的0018]
图10是表示按实施例3和实施例4制备的有机发光二 极管的电流密度-电压0019
图11是表示按实施例3和实施例4制备的有机发光二 极管寿命的图；a
式l中，M是中心金属，L是与中心金属M配位的配体，且a 是2到4的整数。有机金属络合物由式1所示，其中a是2到4的整 数，因此所述有机金属络合物可以是低聚物，而不是单体。
0022式l中，M是可被L五配位或六配位的金属。因此， 式1的有机金属络合物可以是具有至少2个中心金属(M)的低聚物类 络合物。所述至少2个中心金属(M)可同时结合一个配体。中心金属(M) 的非限定性实例包括Zn、 Co、 Ni和Fe。式1中，L是阴离子配体，可与至少一个中心金属M配位。
0024一个示例性的实施方案中，L可用以下的式2或式3表
式3中，配体总共有3个结合位点，可结合2个中心金属M(例 如，参考以下式4、式5、式6和式7)。因此，可荻得式l所表示的 低聚物类有机金属络合物。适合于A、 B、 C和D的物质的非限定性实例包括苯、 并环戊二烯、茚、萘、奠、庚搭烯、偶苯、引达省、苊、芴、非那 烯、菲、蒽、荧蒽、苯并[9,10]菲、芘、篇、并四苯、茜、茈、戊芬、 并六苯、吡咯、咪喳、吡喳、异p塞哇、异嚼哇、p比咬、p比唤、嘧咬、 哒嗪、异吲哚、W咮、吲唑、嘌呤、喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、
喹唑啉、噌啉、呼唑、菲啶、吖咬、咱啶、菲咯啉、吩溱、吩噻唤、 吩嚼溱、苯并噻唑、苯并嗯唑和苯并咪唑。 根据本发明一个实施方案，式2和式3中的A和C可 各自独立为苯或萘。并且，B和D可选自吡啶、苯并噻唑、苯并嗨 哇、会淋和苯并咪峻。—个示例性的实施方案中，式1所示的化合物可用以 下式4、式5或式6表示。
式(4)<formula>formula see original document page 11</formula>
<formula>formula see original document page 11</formula><formula>formula see original document page 12</formula>0033
图1说明了式4所示的有机金属络合物的质量分析数据。喹啉 根)M)及其组合。-4,4'-二胺(TPD)、 N，N'-二(萘-l-基)-N,N'-二苯基联苯胺(a-NPD)、 N,N'-二苯基-N,N'-二(l-萘基)-(l,l'-联苯)-4,4'-二胺(NPB)、 (9,9-二辛基芴)-[N-(4-丁基苯基)二苯胺]共聚物 (TFB)、 (9,9-二辛基芴)-[双-(4-丁基苯基-二-N,N-苯基-l,4-苯二胺]共聚 物(PFB)等。
-NPD HTL的厚度可为约10nm至约100nm。 一个实施方案 中，例如HTL的厚度为约20nm至约60nm。当HTL的厚度在这些 范围内时，HTL具有极好的空穴传输能力和极好的驱动电压性质。 用于形成第二电极的材料可以是高传导性的透明金属 氧化物，如ITO、 IZO、 Sn02、 ZnO等。或者，第二电极可以是作为 薄膜形成的透明电极、反射电极等。适合于所述薄膜的材料的非限 定性实例包括Li、 Mg、 Al、 Al-Li、 Ca、 Mg-In、 Mg-Ag、 Ca-Al等。 尽管参考图4所示的结构，描述了本发明一个实施方 案的有机发光二极管以及制造该有机发光二极管的方法，但应理解， 根据本发明的有机发光二极管的结构不限于图4所示。 将作为基质的92重量份的式4所示的有机金属络合物 和作为磷光掺杂物的8重量份的Ir(piq)2acac沉积在空穴传输层上， 形成厚30nm的发光层。然后，在发光层上形成厚30nm的Alq3，从 而形成电子传输层。将Liq沉积在电子传输层上，形成厚0.5nm的电 子注入层。然后，形成厚150nm的MgAg作为阴极，完成有机发光 二极管的制造。
实施例2 按实施例1制造有机发光二极管，不同之处在于发光 层包含作为笫一^i^质的50重量份的式4所示的有机金属络合物、作 为笫二基质的50重量份的CBP和作为磷光掺杂物的8重量份的 Ir(piq)2acac。
对比实施例 用 PR650 (Spectroscan) Source Measurement Unit和 McScience Polaronix M6000评价实施例1和实施例2的有机发光二
极管与对比实施例的有机发光二极管的电流密度、效率和寿命。结
果分别如图5、 6和7所示。 按实施例1制造有机发光二极管，不同之处在于发光 层包含作为基质的90重量份的式4所示有机金属络合物和作为磷光 掺杂物的10重量份的式14所示有机金属络合物。
评价 用Spectra Radiometer(PR650, Photo Researcher Inc.)(以 5 V测定)评价实施例3和实施例4的有机发光二极管的EL谗，结果 如图12所示。参考图l2，可看出实施例3和实施例4的有机发光二 极管呈现红色发光，其中在约630nm处观察到最大发射峰。
00821 根据本发明的低聚物类有机金属络合物可用作磷光掺 杂物或基质。采用根据本发明的低聚物类有机金属络合物的有机发 光二极管具有高电流密度、良好的发光、高电流效率、长寿命等。
a其中L是阴离子配体，M是可被L五配位或六配位的金属，且a是2到4的整数。
2. 权利要求1的有机发光二极管，其中M选自Zn、 Ni、 Co和Fe。
3. 权利要求1的有机发光二极管，其中L选自式2和式3表示 的配体<formula>formula see original document page 2</formula>式(2) 式(3)其中A、 B、 C和D中的每一个独立选自具有5到20个环原子 的芳环和具有5到20个环原子的杂芳环，其中X。 X2、 乂3和X4中 的每一个独立选自C、 N、 O、 S或P,且"^是结合M的位点。
4. 权利要求3的有机发光二极管，其中A和B互相结合，C和 D互相结合。
5. 权利要求3的有机发光二极管，其中A和B互相稠合，C和 D互相稠合。
6. 权利要求1的有机发光二极管，其中A、 B、 C和D中的每一 个独立选自苯、并环戊二烯、茚、萘、奠、庚^^荅烯、偶苯、引达省、苊、芴、非那烯、菲、蒽、荧蒽、苯并[9,10]菲、芘、篇、并四苯、茴、茈、戊芬、并六苯、吡咯、咪哇、吡唑、异蓉哇、异瞎哇、他 啶、吡溱、嘧啶、哒嗪、异吲哚、p引咮、吲唑、噤呤、喹淋、酞溱、 萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、呻唑、菲啶、吖，定、咱啶、菲咯淋、 吩溱、吩噻溱、吩嚼溱、苯并瘗唑、苯并嚼唑和苯并咪唑。
7. 权利要求3的有机发光二极管，其中A和B中的每一个独立 选自苯和萘。
8. 权利要求3的有机发光二极管，其中C和D中的每一个独立 选自p比咬、苯并p塞峻、苯并嚼哇、唾啉和苯并咪哇。
9. 权利要求1的有机发光二极管，其中式1表示的有机金属络合 物选自式4、式5和式6表示的络合物<formula>formula see original document page 3</formula>式(4)<formula>formula see original document page 3</formula>式(5)式(6)<formula>formula see original document page 4</formula>
10.权利要求1的有机发光二极管，其中式1表示的有机金属络 合物以式7表示<formula>formula see original document page 4</formula>式(7)
11. 一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括 笫一电极；第二电极；和位于所迷第一电极和第二电极之间的有机层，其中所述有机层包含发光层，所述发光层包含式l所示的有机金属络合物式(l) <formula>formula see original document page 4</formula>其中L是阴离子配体，M是可被L五配位或六配位的金属，且 a是2到4的整数。
12. 权利要求11的有机发光二极管，其中所述发光层进一步包含 磷光掺杂物。
13. 权利要求12的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂物包括含有选自以下的金属的有机金属络合物Ir、 Pt、 Os、 Re、 Ti、 Zr和Hf。
14. 权利要求12的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂物包括含 有选自以下的金属的有机金属络合物Ir和Pt。
15. 权利要求12的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂物选自二 噻吩基吡啶'(乙酰丙酮根)合铱、二(苯并噻吩基吡啶).(乙酰丙酮根)合 铱、二(2-苯基苯并噻唑)'(乙酰丙酮根)合铱、二(1-苯基异喹啉K乙酰 丙酮根)合铱、三(l-苯基异喹啉)合铱、三(苯基吡咬)合铱、三(2-联苯 基吡啶)合铱、三(3-联苯基吡啶)合铱、三(4-联苯基吡啶)合铱、以下 式8至17表示的化合物及其组合式(8) <formula>formula see original document page 5</formula>式(9) <formula>formula see original document page 5</formula>式(12) <formula>formula see original document page 5</formula>式(13) <formula>formula see original document page 5</formula>
16. 权利要求11的有机发光二极管，其中所述发光层进一步包含 至少一种选自以下的基质4,4-N,N-二呻唑-联苯、三(8-雍基查刷艮) 合铝、双(2-曱基-8-羟基会#^艮-1^1,08>(1,1，-联苯-4-酚根)合铝和双(10-羟基苯并[h]喹斜艮)合铍。
17. 权利要求16的有机发光二极管，其中基于100重量份式1所 示有机金属络合物计算，所述至少一种基质存在的量为约50重量份 至约150重量份。
18. 权利要求11的有机发光二极管，其中所述有机层进一步包括 选自空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层的至少一 层。式(14) 式(15)式(16) 式(17)
全文摘要
本发明公开了有机发光二极管。本发明的有机发光二极管包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与第二电极之间的有机层，其中所述有机层包含式[M(L)<sub>2</sub>]<sub>a</sub>所示的有机金属络合物，其中L是阴离子配体，M是可被L五配位或六配位的金属，M选自Zn、Ni、Co和Fe，且a是2到4的整数。本发明的有机发光二极管具有良好的电性质。
文档编号H01L51/50GK101179112SQ20071010497
公开日2008年5月14日 申请日期2007年5月14日 优先权日2006年11月9日
发明者千民承, 崔庆勋, 李宽熙, 林椿于 申请人:三星Sdi株式会社