专利名称：埋入式芯片基板结构的制作方法
技术领域：
本发明有关于一种封装基板结构，特别是有关于一种埋入式芯片基板结 构及其制作方法。
背景技术：
随集成电路技术的快速发展，高性能微处理器封装的设计越来越具有挑
战性。未来的微处理器将有更多的信号引脚；引脚阻抗及引脚间串扰的控制 要求更加严格；更大的功耗和更好的散热。对微电子封装而言，其电气性能 和发热管理为两个主要挑战。电气上，封装要最大限度地保证信号完整性和 半导体器件的工作频率，这项任务通常由于封装设计引入到器件-封装-主板 的过大的总感抗而变得难以完成。另一方面，封装也负责半导体芯片所在区 域的散热工作。
除去电气与散热的考虑，越来越小的最终产品要求封装尺寸减小并容许 更密的输入输出连接。未来的微处理器还可能要求同一封装集成多个芯片、 光电部件；部件间距最小化；部件间内连接数量的最大化；更苛刻的信号时 序、阻抗匹配和噪声控制。综上所述，现有的封装技术如FCPGA(flip-chip pin grid array)已不能满足要求。
为解决目前的封装技术所面临瓶颈，英特尔(Intel)公司发展出一种称作 "无凸块嵌入式封装(Bumpless Build-Up Layer,以下简称为BBUL)"技术， 其与传统封装基本制作工艺主要不同之处在于BBUL不以微细锡球(solder ball)与基板电气相连，而是直接将芯片(die)直接埋入在基板上，与基板上的 铜导线直接连接。
然而，现有的埋入式封装基板结构与制作工艺仍存有许多缺点，犹待进 一步的改良与改善。举例来说，BBUL在进行表面积层布线工序中容易出现
瑕疵，例如，制作工艺中需使用胶带支撑，在撕除胶带后，芯片的主动面上 的连接垫可能会发生残胶问题，这样会严重影响到成品的良率。 一旦成品良
率受到影响，采用BBUL封装技术设计的处理器产品在成本上，将远远超过
目前的处理器产品。此外，由于半导体芯片、填充胶和基材之间存在热膨胀
系数(Coefficientof thermal expansion, CTE)的差异，所以在进行表面积层布 线的时候可能会引起布线的龟裂现象。再者，利用现有BBUL封装技术所形 成的封装体，其散热效能也有待改进。
发明内容
本发明的主要目的即在于提供一种改良的埋入式芯片基板结构及制作方 法，可以一并解决现有技艺的缺点与问题。
本发明的另一目的在于提供一种埋入式芯片基板结构，使各种元件(如主 动元件或被动元件)植入在基板内，藉此增加基板的使用率，使产品更为轻薄， 以符合未来产品的发展趋势。
根据本发明的较佳实施例，本发明提供一种埋入式芯片基板结构，包含 有一基板，其包括一中间介电层、 一设于该基板的第一面上的第一金属层以 及一设于该基板的第二面上的第二金属层，其中该基板的该第一面上设有一 凹穴； 一金属槽体，嵌入在该凹穴中，且该金属槽体具有一平坦底部； 一半 导体芯片，固定于该平坦底部； 一介电层，覆盖在该基板的该第一面上；至 少一增层线路层，设于该介电层上； 一防焊阻剂层，覆盖在该增层线路层及 该介电层上； 一散热金属层，覆盖在该第二金属层上；以及复数散热插塞， 连结该金属槽体的该平坦底部及该散热金属层；其中该半导体芯片运作时产 生的热，可经由该金属槽体以及该散热插塞传导至设于该基板的第二面上的 该散热金属层，进行有效率的散热。
其中，第一金属层及第二金属层的材质可以是铜、铁、金、铝等等，较 佳为铜，而该金属槽体、散热插塞及散热金属材质可以是铜、银、铁、铝或 其合金，较佳材质为铜。
本发明的主要特色在于半导体芯片植入金属槽体内，构成一埋入式芯片 基板结构，可以与封装基板的线路增层制作工艺整合在一起。
图1至图14绘示的是本发明较佳实施例制作埋入式芯片基板结构的方法。
附图标号
100基板101中间介电层
101a第一面101b第二面
102第一金属层104第二金属层
106贯穿孔110凹穴
110a平坦底部110b侧壁
112a铜金属层112b铜金属层
114a光刻胶干膜114b光刻胶干膜
116a散热插塞124光刻胶图案
130铜金属槽体160介电层
162通孔180线路
182导电插塞190防焊阻剂层
192开孔200半导体芯片
202锡球260锡球
具体实施例方式
为让本发明的上述目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举较佳实 施方式，并配合所附图式，作详细说明如下。然而如下的较佳实施方式与图 式仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。
请参阅图1至图14，其绘示的是本发明较佳实施例制作埋入式芯片基板 结构的方法。
首先，如图1所示，提供一基板100，例如，双面铜箔基板(double-sided copper clad laminate, CCL)，其包括一中间介电层101、 一第一金属层102设 于基板100的第一面101a上，以及一第二金属层104设于基板100的第二面 101b上。
其中，中间介电层101可以包含有玻璃纤维或树脂等。第一金属层102 及第二金属层104可以是铜、铁、金、铝等等，较佳为铜。 一般而言，该埋 入式芯片基板结构并不限定于任何厚度，但以800微米以下的结构为较佳的 基板厚度。
如图2所示，接着进行一钻孔制作工艺，如雷射钻孔或机械钻孔，在基 板100中形成复数个贯穿孔106,其贯穿第一金属层102、中间介电层101 以及第二金属层104。
如图3所示，利用另一钻孔制作工艺，如雷射钻孔或机械钻孔，从基板 100的第一面101a挖入中间介电层101，以形成一凹穴110，该凹穴110具 有一平坦底部110a以及侧壁110b，其中，使贯穿孔106位于平坦底部110a 上。
如图4所示，进行一铜电镀制作工艺，在基板100的第一面101a以及第 二面101b分别电镀上一铜金属层112a以及铜金属层112b，其中，先前形成 在位于凹穴110的平坦底部110a上的贯穿孔106，此时被铜金属层112a及 112b给填满，形成散热插塞116a。
如图5所示，接着在基板100的第一面101a以及第二面101b分别覆盖 一光刻胶干膜114a及114b。
如图6所示，接着利用曝光及显影制作工艺，在基板100的第一面101a 上形成一光刻胶图案124,其完全覆盖住凹穴110以及部分在凹穴110周围 的铜金属层112a。此时，光刻胶干膜114b则完全覆盖住在基板100第二面 101b的铜金属层112b。
如图7所示，接着进行一蚀刻制作工艺，利用在基板100的第一面101a
上的光刻胶图案124以及在基板100第二面101b上的光刻胶干膜114b作为 蚀刻屏蔽，将基板100的第一面101a上未被光刻胶图案124覆盖的铜金属层 112a以及第一金属层102蚀除。
如图8所示，接着将基板100的第一面101a上的光刻胶图案124以及在 基板100第二面101b上的光刻胶干膜114b同时去除，曝露出基板100的第 一面101a以及第二面101b。
此时，即在基板100的第一面101a上形成一嵌入式的铜金属槽体130， 其底部经由散热插塞116a与位于基板100第二面101b上的铜金属层112b 以及第二金属层104连结。
如图9所示，将一半导体芯片200置入铜金属槽体130中，并且使半导 体芯片200固定在金属槽体130中的底部上，而半导体芯片200设有锡球202 的一面则朝上，其作法可以先在铜金属槽体130的平坦底部或侧壁的表面上 点胶，而胶的材质可为具黏着特性的溶液，该胶的存在不会影响本发明的散 热效果。然后，将半导体芯片200置放在铜金属槽体130中，再于半导体芯 片200与金属槽体130之间填入底胶(图未示)。
当然，也可以选择不在半导体芯片200与金属槽体130之间填入底胶， 视制作工艺需要而定。
如图10所示，于基板100的第一面101a上覆盖一介电层160，例如， 环氧树脂或ABF等绝缘材，使介电层160覆盖半导体芯片200以及铜金属槽 体130，并且使介电层160填满半导体芯片200与铜金属槽体130之间的间 隙。
如图11所示，进行一雷射钻孔制作工艺，在介电层160中形成复数个 162，曝露出半导体芯片200的锡球202。
如图12所示，接着在以电镀及蚀刻等传统的线路增层制作工艺在介电层 160上形成线路180，以及线路180与锡球202之间的导电插塞182。
上述的传统的线路增层制作工艺包括电镀铜金属层、贴覆光刻胶干膜、
曝光、显影及铜的蚀刻等等步骤。当然，亦可以重复进行上述线路增层步骤， 在基板上形成多层的线路。
如图13所示，随后在基板100的第一面101a上覆盖一防焊阻剂层190， 并以曝光及显影制作工艺在防焊阻剂层190中形成复数个开孔192，曝露出 部分的线路180。此外，基板100的第二面101b上，则可以选择不覆盖防焊 阻剂。
如图14所示，接着在开孔192中植入锡球260，用来作为基板与诸如印 刷电路板等外部线路之间的连结。
此外，如图14所示的结构，半导体芯片200与具有高散热效率的铜金属 槽体130接触，可将半导体芯片200在运作时所产生的热，经由铜金属槽体 130以及位于半导体芯片200正下方的散热插塞116a传导至基板100第二面 101b上的大面积铜金属层112b以及第二金属层104，进行有效率的散热。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均 等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
1.一种埋入式芯片基板结构，包含有一基板，包括一中间介电层、一第一金属层设于所述的基板的第一面上以及一第二金属层设于所述的基板的第二面上，其中所述的基板的所述的第一面上设有一凹穴；一金属槽体，嵌入在所述的凹穴中，且所述的金属槽体具有一平坦底部；一半导体芯片，固定于所述的金属槽体的所述的平坦底部；一介电层，覆盖在所述的基板的第一面上；至少一增层线路层，设于所述的介电层上；一防焊阻剂层，覆盖在所述的增层线路层及所述的介电层上；一散热金属层，覆盖在所述的第二金属层上；以及复数散热插塞，连结所述的金属槽体的所述的平坦底部及所述的散热金属层；其中所述的半导体芯片运作时产生的热，可经由所述的金属槽体以及所述的散热插塞传导至所述的散热金属层，进行有效率的散热。
2. 如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构，其特征在于，所述的介电 层进一步填入所述的金属槽体与所述的半导体芯片之间的间隙。
3. 如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构，其特征在于，另包含有复 数个导电插塞，形成在所述的介电层中，用来电连接所述的增层线路层与所 述的半导体芯片。
4. 如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构，其特征在于，所述的防焊 阻剂层另包含有复数个开孔，曝露出部分的所述的增层线路层。
5. 如权利要求4所述的埋入式芯片基板结构，其特征在于，另包含有复 数个锡球，分别植入在所述的复数个开孔中，用来作为所述的基板与一外部 线路之间的连结。
6. 如权利要求5所述的埋入式芯片基板结构，其特征在于，所述的外部线路包括一印刷电路板。
7. 如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构，其特征在于，所述的第一 金属层包含有铜、铁、金、铝。
8. 如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构，其特征在于，所述的第二 金属层包含有铜、铁、金、铝。
9. 如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构，其特征在于，所述的散热 金属层包含有铜。
10. 如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构，其特征在于，所述的中间 介电层包含有玻璃纤维或树脂。
11. 如权利要求l所述的埋入式芯片基板结构，其特征在于，所述的介电 层包含有环氧树脂或ABF绝缘材。
12. 如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构，其特征在于，所述的半导 体芯片可另使用具黏着特性的溶液以固定于所述的金属槽体的平坦底部表面 上。
13. 如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构，其特征在于，所述的散热 插塞为铜插塞。
14. 如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构，其特征在于，所述的金属 槽体包含有铜。
全文摘要
本发明是关于一种埋入式芯片基板结构，包含有一基板，包括一中间介电层、一第一金属层设于该基板的第一面上以及一第二金属层设于该基板的第二面上，其中该基板的该第一面上设有一凹穴；一金属槽体，嵌入在该凹穴中，且该金属槽体具有一平坦底部；一半导体芯片，固定于该金属槽体的该平坦底部；一介电层，覆盖在该基板的第一面上；至少一增层线路层，设于该介电层上；一防焊阻剂层，覆盖在该增层线路层及该介电层上；一散热金属层，覆盖在该第二金属层上；以及复数散热插塞，连结该金属槽体的该平坦底部及该散热金属层。
文档编号H01L23/488GK101350338SQ200710136100
公开日2009年1月21日 申请日期2007年7月17日 优先权日2007年7月17日
发明者林世宗, 林贤杰, 江国春, 罗兴伦 申请人:南亚电路板股份有限公司