专利名称：：电压非线性电阻器陶瓷组成物和电压非线性电阻器元件的制作方法^非线性电阻器陶徵Mt/和^E非统性电阻器元件狱领域本发明涉及一种主要用于保护半导体元件或电子电路免受冲击或噪声影响的^非线性电且器陶^、以及iiffl了该^非缘性电阻,^a^j的腿非线性电阻器元件。背景駄蹄来，由半导体元件或LSI等舰的电子电路高性能化，在各种各样的用途、环境下进行4顿。另一方面，鹏半导体元件和电子鹏在低腿下驱动的情况居多，当外加过大的腿时，有穀i臓坏的危险。尤其是，由于闪电等弓胞的异常冲击电压赫噪声、静电等，当该^EM加到半导体元J拷上，导致其遭受破坏。这样的问题招顿于各种环境下的便携式设备中尤为显著。为了IS^种状况，多数清况下，在特体元條上并麟舰體傲户用的元件。谢娥用的元件在给战半导体元f拷加上正常的祖时其电阻很大，电te要MJi^半导体元4特，该半导体元件正常工作。另一方面，当働口了过大的电压时，该i^户用元件的电阻减小。因此，电mi要M:其微元件，抑制过大电流流到该半导体元件。从而，抑制该特体元件M^电流而iti撇坏。这样的傲户用元件的电流一feE特性需要具有非线性的特性。艮P，电阻随电压而改变，例如，具有在某电压以上其电阻值急居iM^的这禾种寺性。就具有这样特性的元件而言，公知的有齐纳二极管和非线性电阻(TO非线性电P且器)。非线性电阻与齐纳二极管相比较，因为动作时没有极性、耐冲击性能较高、容易小型化，故特别雌娜。非线性电卩S^用由各种材料(电压非线性电阻陶^a^))构成的电阻，特别是由以ZnO(氧化锌)为主要成分的烧结体所构成的非电阻，从其价格和非线性的大小来看，1M4顿(例如，专利1和专利2)。图10示出了非线性电阻的电流一电压(对数)特性的一，'j子。如果施加了大于击穿区域的腿，贝盹P腿著M^而电鹏大。腿，将电流为1mA的腿(VlmA)称为非线性电阻电压，在该电压以上时，^i^C的电流。所以，将非线性电阻电压适当设定为高于特体元件正常工作的腿(例如3V左右)，并且与该^Et差不大的腿。^^样的腿非线性电阻器陶^a^l中，其主成分为ZnO，其中添加了Pr(稀土叛素)，Co、Al咖方妩素)，K(Ia驗素)，Cr、Ca、Si等，作为导致导电性赫电流一^E特性的非统性等的杂质。Mi^律i尼们的浓度，改割—线性电阻的絲(专利规1)，并斷氐非线性电阻的帝隨偏差(专利2)o这种非线性电阻，例如以并^i到特体元件的方式安凝服备(鹏)Jdt行使用。这时，除非线性电阻的电卩砂卜，例如其电#|^性也对该电辦争,成影响。然而，当设备的驗变动很大的情况下，有时其电辦性变动也很大。因此，安装了这种非线性电阻的鹏设计餘变得困难。专利1:#1午第3493384号专利雄2:特开第2002-246207号
发明内容本发明京i^鉴f^的问IMf啲，其目6^于JI^J^tm问鹏发明。本发明为了解决战问题，釆用了下面所揭示的娜。本发明第一方面的电蹈璣性电阻器陶瓷组鹏，其特征在于，主要成分为氧化锌，还含有0.055原子o/。的Pr、0.120原子％的0)、0.015原子。/。的Ca、以及0.0005~0.05原子0/o的Cu。本发明第二方面的TO非统性电阻器陶徵M^J，其特征在于，其主要成分为氧化锌，还含有0.055原子。/。的Pr、0.120原子。/。的Co、0.015原子％的Ca、以及0.00050.05原Tro的Ni。较亂想的是，本发明的腿非线性电阻器陶瓷M^，欺寺征在于，其主要成分为氧化锌，还含有0.055原^T。的Pr、0.120原TT。的Co、0.01~5原子%的Ca，还包含Cu和Ni总计为0.0005~0.1原子％的Cu和Ni。较现想的是，本发明的顿非线性电阻陶Ma^t/，欺寺征在于，进一步含有0.0011原:？％的&、0.001M).5原^%的Al、0.011原^%的Cr、以及0.0010.5原子Q/。的Si。本发明的M非线性电阻器元件，，征在于，具有戶，电压非线性电阻器较理想的是，本发明的秘非缘性电阻器元件，赚征在于，具有由戶脱电蹈一线性电阻器陶m^成的烧结体、和连接在^^体上的多个电极。较现想的是，本发明的顿非线性电阻器元件，期寺征在于，具有由戶脱电压非线性电阻器陶瓷组^l^成的电阻器元件层与内部电极交替层叠而成的层叠构造，一对外部电极形成于fMl叠构造的侧端部，夹持所述电阻器元件层并对置的戶腐内部电极分别与一对外部电极的两者之一相连接。本发明湖了如j^舰的娜，因而，育麟fms变化时的电辦性变化较小的M非线性电阻:^元件。图1恭示本发明实皿式的^E非线性电阻器元件的构造的剖面图。图2^/示本发明实施例的^非线性电阻器元件的电容变化率与Cu浓度的^(不添加Ni时)图。图3^^本发明实施例的^E非线性电阻器元件的电容变化率与Pr浓度的依，系(不添加Ni时)图。图4^本发明实施例的^非线性电阻器元件的电容变化率与Co浓度的M^系(不添加Ni时)图。图5^^本发明实施例的,非线性电阻器元件的电容变化率与Ca浓度的M^系(不添加Ni时)图。图6^本发明实施例的电压非线性电阻器元件的电容变化率与Ni浓度的^(不添加Cu时)图。图7^:本发明实施例的电压非线性电阻器元件的电容变化率与Pr浓度的依(不添加Cu时)图。图8彰于本发明实施例的顿非线性电阻器元件的电容变化率与Co浓度的依皿系(不、添加Cu时)图。图9^^本发明实施例的,非线性电阻器元件的电容变化率与Ca浓度的^系(不添加Cu时)图。图10标非线性电阻器元件的电流一腿特性的一，仔的图。具体实船式以下，说明本发明的实lte式。如图1所示，该te非线性电P且器(非线性电阻)元件1由分为三层形成的M非统性电阻器层元件2、夹在i^M之间形成的内部电极3、以^^到内部电极3的外电极4构成。对其大小没有糊,制，旨^非线性电阻器1的大小域为纵向(0.45.6mm)X横向(0.25.0mm)X厚度(0.21.9mm)左右。i^:小等于层^的,非线性电阻器层2的^h大小。,非线性电P且器元件层2由4E非线性电阻器陶徵M^J成，是以ZnO为主要成分的烧结体。其详细情况以后繊。内部电极3的材料釆用与^E非线性电阻器元件层2的界面特性良好，并且形^^其良好的电撒虫的鍋(导电材料)。因而，:li^顿作为贵鍋的Pd(钯)和Ag(银)，^Ag—Pd合金。当，Ag—Pd合金的情况下，Pd含有量为95My。以上是理想的。适当确定内部电极3的厚度，但0.55mhi左右是理想的。内部电极3之间的距离为550Mm左右。外部端子电极4的材料也没有特另咖以限定，与内部电极3同样，采用Pd和Ag，蹄Ag—Pd合金。也可适当确定其厚度，但1050Mm是亂想的。关于该腿非线性电阻器元件1，一对内部电极3之间的电阻随着其施加电压而改变。艮P，其间的电流一^E特性为非缘性变化。特别是，当腿升高时，电流非统魁鲷大。因此，如果将一对外繊子电极4与外部特体元《特并联连接，贝挡向该半导体元件施加过大的腿时，电te要流向该电压非线性电阻器元件l，搬户特体元件。,非线性电阻器的S^造，只MM非线性电阻器元件层和与其,的多个电极即可。这里，腿非线性电阻器元件层，理想的是，采用由电压非线性电阻器陶^^成的烧结体。在图1的结构中，通3i^成繊结,内部电极3交替层叠的层叠构造，从而形成了多个电极。该内部电极3雜到分别形鹏廳叠胸部的外部端子电极4。因为，例如特开2002-246207号中记载了以上的结构，所以省略其详细说明。在本发明的电压非线性电阻器元件中，特别JtM^添加到腿非離电阻器陶瓷组鹏的杂质进行控制以改善期寺性。电蹈一线性电阻器元件的构造并非局限于图1标的方式，只要細同样的电压非线性电阻器元件层，都肖辦获得同样的效果。i^M，^ffi非统性电阻器陶^a^t^良好的电流一^E特性，并且M变化时的电，性的e^较小。为了满;S^种要求，该M非线性电阻器元件层2使用以ZnO为主要成分的'鹏体(陶瓷)。向赚结体中添加Pr(镨)、Co(钴)、Ca(钙)、以及铜(Cu)或镍(Ni)。也可以同时添加Cu和Ni。进而，也可以添加K(钾)、Al(铝)、Cr(铬)以及Si(硅)。其中，PrTO离子判5大于Zn，难Wi2A^]^^体中的ZhO^#内而凝只在在敲鹏上。鹏，阻碍电子在敲她微移动，戯电流顿特糊戦性的原因。即，^!加Pr辦寻非线性，ffil其3ti^力睞^ffi的与戦性顿且顿。Co、Ca、Cr也l^l繊戦性，并ii31ia^加Co、Ca、Q雜糊戦性电阻腿。Al(mb方玩素)在ZnO内fe^作用，带来导电性。因而，由于这种添加就可能在图io中的,区:駄的电流。但是，若^^加量较多，贝爛电i^尤增加。ZnO内的导电性由晶格间的Zn承担。另一方面，Cu或Ni固溶于ZnO中，^f,电流。发明A^恥iM^制以上的杂质浓度，育^i呆持良好电流一^ffi特性，而且，改变时的电#^寺性的改变较小。i^V质浓度的范围是，Pr为0.055.0原^0/。、Co为0.120原:？％、Ca为0.015.0原^%、以及Cu或Ni为0.0005~0.05原^%。添加Cu的情形就不添加Ni，添加Ni的情形不添加Cu。这M^fl胃的不添加，就是浓度在0.0001原^%以下。财卜，当添加Cu和M的情形，将Pr、Co、Ca舰设定为战范围，并且将Cu和Ni的^i十设定为0.0005~0.1原子％。在这些范围内时，可以设定以温度25'C时为基准的85。C下的电容变化率为10%以下。在该舰范围内，可以将85。C的介iit员耗角正切(tand)设为15%以下，理想的是11%以下。在该,范围内，随着,变化的电容变化率以及介质损耗显著M4、。从而，追着该^il非统性电阻器元件的温度改变，电容待性的改变也>，4顿了这种顿非线性电阻器元件的體也容易设计。进而，即使^l加了K为0.0011.0原^%、Al为0.001M).5原^%、Cr为0.011.0原？/0、以及Si为0.001~0.5原？/o的情形，也會辦获得同样的效果。作为战以外的元素，例如，也可以添加Mo(钼)和Zr(锆)。細，例如钼为0.5原，/。以下，Zr为0.1原？/。以下，贝脂辦获得同样的效果。在将烧结体作为电压非线性电阻器陶^B^I的瞎形下，細了该电压非线性电阻器元件的體的设计变得容易，其中i^^体就ZnO添加了J^^范围的添力嫩而形成的。而且，在作为i^分的ZnO中，Zn单独的原子M，伏选在烧结体中含有85%以上，更|^有94%以上。接下来，说明该顿非线性电阻器元件1的帝隨方法的一舊仔。在该电压非线性电阻器元件中采用的电压非线性电阻器陶瓷纟M^/是晓结体。因此，实际上，ifci^将层叠的3个腿非线性电阻器元件层2和l对内部电极3烧结为一体而形成。因此，例如可以MM^用了浆料的通常的印刷法或薄片法葡H乍生芯片(greenchip)，然后对其进fi^烧结，得到层叠的,非线性电阻器元件层2和内部电极3的烧结体。然后，可以舰印刷赫转印然后进行烧结来审ij^卜^子电极4。下面具体说明该律隨方法。首先，分别准备电压非缘性电阻wi^a^用浆料、内部电丰細浆料、外鹏子电鹏浆料。电压非线性电阻器陶瓷组成物用浆料可以是混炼了电ii非线性电阻器陶瓷^M;用i^斗和有机介质的有机^^斗，也可以J^7K^f斗。在电压非线性电阻器陶徵M^用原4斗中，根据战的顿非统性电阻器陶瓷组的组成，配合构te成分(ZnO)的Mf斗、构^^添力嫩成分的原料以进行使用。即，混合作为主成分的ZnO粉末、作为添力嫩的Pr60、O)304、CaC03、CuO、Ni203、K2C03、A1203、Cr203、SiCb等由添加物元素构成的氧化物、碳酸盐、溴Kk、,化物、石肖m等粉末作为原4斗。此时的ZnO粉末的粒径可以为0.15mhi左右，添力PtJ成分粉末的粒径可以为0.13Mm左右。有机介质是将粘结齐嗨鹏有机翻仲的物质，在有机介质中4糊的粘结剂没有特别的限定，可以从乙基纤维素、聚乙烯醇^rr^^通常的各种粘结剂中适当选择。另外，这时i顿的有机竊他没有t韩啲限定，根据印刷法棘薄片法等所利用的方法，可以从松油醇、二甘醇二乙醚、丙酮、甲苯等有机竊仲适当选择。另外，7]^^料是妇乂中溶解了7尺溶性粘结剂、分散齐轉盼凃料，水溶性粘结齐股有特另啲限定，可以腿乙烯醇、纤维素、7jC溶性丙烯翻脂、孚L布傳中适当，。对战的Pd等各种导电材料棘^^后妙战导甜才料的各禾t^化物、有禾;i^属化^、树脂Kk等和，的有机介质进fi^re，从而调制内部电tOT浆料。另外，与该内部賴媚用浆料|^#地调制外子献鹏浆料。各浆料中有机介质船量没有特别柳艮定，通常的缝，搬阿以为粘结剂15%左右、織Ul050M"/。左右。另外，在各浆料中还可以根据需要含有从各种分散剂、增塑剂、电介质、纟"6^,中:W^^力嫩。^ffi印刷法的瞎形下，在舰苯二甲酸乙二醇l^S^h按照规定的厚度印刷多次电压非线性电阻器陶^a^ti用桨料，形成图i中示出的下侧的秘非线性电阻器元件层2。接下来，在其上按照规定的图形印刷内部电丰OT浆料，形成生材(green)状态的下侧的内部电极3。接下来，在该内部电极3上与，,地按照溯定的厚度印刷多次电蹈一线性电阻器陶徵I^tl用浆料，形成图1中示出的中间的层间腿非线性电阻器元件层2。接下来，在其上按照溯定的图形印刷内部賴鹏浆料，形^th侧的内部电极3。将内部电极3印刷为在相对置的不同的端臓面上露出。驗，^i:侧的内部电极3上与战同样地按照规定的厚度印刷多次腿非线性电阻器陶^i^tl用浆料，形成图1中示出的上侧的腿非线性电阻器元件层2。然后，湖n热鄉啦，进行压接，切断^^见定的靴，从而成为生芯片。ffl^薄片法的情形下，用極非统性电阻器陶^a^/用浆料形成生片，然后层慰见定片数的该生片，形成图1中示出的下侧的腿非线性电阻器元件层2。接下来，在其上按照规定的图形印刷内部电t鹏浆料，形成生林扰态的内部电极3。同样地，在图1中示出的上侧的顿非统性电阻器元件层2上形成内部电极3。将层慰见定片数的生片形成的图1中示出的中间的非线性电阻器元件层2夹在中间，并Mfi为内部电丰媳3之间相对置并在不同端臓面上露出，边加热边加压，进行压接，切断戯J定的微，从而成为生芯片。接下来，对该生芯片进行S^占结齐l鹏和烧结，伟怖烧结体(层叠了3个电蹈一线性电P且器元件层2和1对内部电极3的结构)。鹏占结剂鹏可以^i常的剝牛下进行。例如，在空气气氛中，升^M为5300。C/小时左右，保挣皿为1804(XTC左右，，保持时间为0.524小时左右。生芯片的'麟^l常的剝牛下进行。例如，在空气气氛中，升^iM为505(XrC/小时左右，^t^j^100014(KrC左右，ag，时间为o.58小时左右，7糊繊为50500。C/小时左右。保挣^31低时致密化变得不充分，保持^i高时，由于内部电极的异常烧结电极会发生层断。^M寻到的烧结体上例如Mil滚WF磨^f砂货行端WF磨，印刷Mt转印外部端子电极用浆料然后进行烧结，形戯卜部端子电极4。外子电|細浆料的烧结^l賴铷tt^在空气气氛中在600^90(rC下进行10併中1小时左右。下面参照附图中示出的实船式说明本发明。实施例下面，以働;f^添力嫩元素浓度舒;M^;范围内的瞎形下的ao烧结体为电蹈战性电阻器元件层的顿非线性电阻器元4徘为实施例。雕地，以細働/f^添加物元素浓度^^脱范围外的情形下的ZnO烧结体时的相同元fH乍为比较例，示出了船们的特ftia行石欣的结果。其中，戶熵i腊的顿非離电阻器元件层的大小为1.6mmX0.8mmX0,8mm。该制造方法釆用所述薄片法进行，^非线性电阻器元件层等的烧结在空气气氛中进行，升MM3(XrC/小时，^f鹏125(TC，M3M3(xrc/小时。内部电极为Pd，外部驗电极为Ag。以下，针对各样品对非线性电阻电压、漏电流、电容变化辭卩介厨员耗角正切进行了测定。其中，非统性电阻腿定义为电流妙lmA的腿(VlmV)。艮卩，在该电压非线性电阻器元件与半导体元件并^a的情形下，施加了该腿以上的电压时，电要^1该顿非线性电阻器元件，^i^户半导体元件。电容变化率是以，为25。C的情形为基准的85。C下的变化率(AC/C)o电容和介Mt员耗角正切是用HP公司制的LCR仪HP4184A测量的。为了4採用了该电压非线性电阻器元件的设备的设计变得容易，tt^S雖较小。漏电流JiM加电压为3V的瞎形下的电流(Id)。即，该漏电流是常使用了半导体元件的电压下^3i该,非统性电阻器元件的电流，它的值较小。作为刑介，将电容变化率(AC/C)在10%以下，介Mt员耗角正切(tanS)在15%以下，3V下M电流为10nA时设为合格。这，值中的ftf可一个处在该范围以外时为不合格。对于实施例l34禾口比较例l12，设定为不添加Ni(浓度在0.000P/o以下)，并艘Pr、Co、Ca、Cu的浓度。各实施例中，Pr、Co、Ca、Cu的浓度分别设在0.055.0原1^0/0、0.120原^%、0.015.0原^%、以及0.0005~0.05原1^0/(^范围内。在比较例112中，则设定鹏元素之中的仅仅一种M^b于战范围以外。表1^ffi测定结果。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>，l的结果可以看出，牛賴瞎重于Cu浓度，关于其它元素为Jd^范围外的比较例5~12"卜的样品,图2示出了对电容变化率与Cu浓粒间的^a行，的结果。Cu浓度在0.0005^0.05原子％的范围内，电容变化率变为小于等于10%的總氐值。同时，織了介JMt员耗角正切、漏电流也分别在15%以下、10nA以下(实际上为9nA以下)。,,M^1的结果可以看出，1^瞎重Pr浓度，关于其它元素为i^范围外的比较例17、11、12W卜的样品，图3示出了对电容变化率与Pr浓駄间的^iS行研究的结果。Pr浓度在0.055.0原？/o的范围内，电容变化率'10%以下的较低值。同时，鹏了介鹏耗角正切、漏电流也分别在15%以下，10nA以下(实P示上在9nA以下)。同样，从表l的结果可以看出，特别着重Co浓度，关于其它元素为战范围外的比较例14、812W卜的样品，图4示出了对电容变化率与Co浓度之间的关^it行鹏的结果。Co浓度在0.120原，/。的范围内，电容变化率成了小于等于10%的较低值。同时，确保了介厕员耗角正切、漏电流也分别在15%以下,10nA以下(实际上在9nA以下)。雕地，細的结果可以看出，傲瞎重Ca鹏，关于其它碡为说范围外的t饭剩l10"卜^a，图5示出了对^^W^Ca、mt间的^a行WS的结果。Ca^g在0.055.0原子。/o的范围内，电^(t^变为10%以下,氐值。同时，繊了介i^^正切、漏电流也分别为15%以下，10nA以下(实际上为9nA以下)。根据以上结果，不添加Ni而添加了Cu的情况下，在Pr为0.055.0原子0/0、Co为0.120原^f0/0、Ca为0.015.0原^0/0、以及Cu为0.0005~0.05原^%的乡腿范围内，确认出电容变化率为10%以下并显著>。而且，在该范围内，介i^t员耗角正切、漏电流也分别为15%以下，10nA以下(实际上为9nA以下)的较低值。这时，非线性电阻^也術目同。比较例112都是相同的非线性电阻电压，但电容变化率、介Mt员耗角正切、漏电流都大于实施例131。同样，在实施例3568、比较例1324中，设定不添加Cu(浓度在0.0001%以下)，而被Pr、Co、Ca、Ni的浓度，各实施例中，Pr、Co、Ca、Ni的浓度分别设为0.055.0原^f0/0、0.120原^%、0.015.0原:？％、以及0.00050.05原^%的范围内。在比较例1324中，则设定这些元素之中的仅仅一种会MAb于<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>膽2的结果可以看出，特另瞎重于Ni浓度，对于其它元素为i^范围外的比较例1724^卜的样品，图6是研究电容变化率与Ni浓度t间的关系的结果。Ni浓度在0.0005M).05原，/。的范围内，确认出电容变化率为10%以下并显著^>。在该范围内，介厕员耗角正切、漏电流也分别妙15%以下、10nA(实际上为9nA以下)以下的较低值。,，>錄2的结果可以看出，特另瞎重Pr浓度，对于其它元素为战范围夕卜的比较例1319、23、24W卜的样品，图7是鹏电容变化率与Pr浓度的关系的结果。Pr浓度在0.055.0原子y。的范围内，电容变化率为10%以下并显著减小。财卜，在该范围内，介鹏耗角正切、漏电流也分别为15%以下，10nA以下(实际上为9nA以下)的较低值。,，从表2的结果可以看出，特另i谱重于Co浓度，对于其它元素为，范围外的比较例1316、2024W卜的样品，图8是研究电容变化率与Co浓度之间的关系的结果。Co浓度在0.120原？/。的范围内，确认出电容变化率为10%以下并显著^>。财卜，在该范围内，介i^员耗角正切、漏电流也分别为15%以下，10nA以下(实际上为9nA以下)的较低值。,，从表2的结果可以看出，特别着重于Ca浓度，对于其它元素为，范围外的比较例1322a卜的样品，图9JW^电容变化率与Ca浓虹间的关系的结果。Ca浓度在0.055.0原？/o的范围内，确认出电容变化率为10%以下并显著M^、。在该范围内，介Mt员耗角正切、漏电流也分别变成15%以下，10nA以下(实际上为9nA以下)的總氐值。根据以上结果，不添加Cu而添加了Ni的情况下，在Pr为0.055.0原f/0、0)为0.120原:？％、Ca为0.015.0原T0/0、以及Ni为0.00050.05原^%的tM范围内，确认出电容变化率为10%以下并显著>。而且，在该范围内，介^t员耗角正切、漏电流也分别变为15%以下，10nA以下(实际上为9nA以下)的较低值。这时，非離电阻腿也躺胴。比较例1324都是相同的非线性电阻^，但电容变化率、介，耗角正切、漏电流都大于实施例3568。其次，实施例6972、比较例2528是"^添加Cu和Ni并改变Pr、Co、Ca、Cu、Ni的浓度时的测定结果，各实施例中Cu和Ni的总量的乡賊范围设为0.0005M).05原子％的范围内，至于比较例2528，则设定为该范围以外。表3^M^测定结果。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>其结果，在Cu和Ni的总量在0.0005^0.1原子％的,范围内，确认出电容变4W为10%以下并显著^^>。而且，在该范围内，介Mt员耗角正切、漏电流也分别妙15%以下，10nA以下(实际上为9nA以下)的较低值。这时，非统性电阻腿也鰣瞷。比较例2528都是相同糊一线性电阻顿，但电容变化率、介Mt员耗角正切、漏电流都大于实施例6972。在实施例73^90中，将Pr、Co、Ca、Cu、Ni的浓度设定^hi^范围内，进而添加了K、Al、Cr以及Si。分别在0.0011.0原^%、0.001M).5原^%、0.011.0原:？％、以及0.001MX5原^"/。的舰范围内添加了K、Al、Cr以及Si。<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>根据±3^果，在K、Al、Cr以及Si在i^贼范围内，确认出电容变化率为10%以下并显著^^。而且，在滅围内，介Mt员耗角正切、漏电流也分别为15%以下，10nA以下(实际上为9nA以下)的较低值。这时，非线性电阻电压也都相同。因此，确认出^^有的实施例中，其电容变化率^。凡是具有偏离本申请发明范围的M的比较例，其电容变化率都大幅上升了。并且，确认出介,耗角正切、漏电流也与电容变化率同样地，^0有的实施例中均变小。权利要求1.一种电压非线性电阻器陶瓷组成物，其特征在于，主要成分为氧化锌，并包含0.05～5原子％的Pr、0.1～20原子％的Co、0.01～5原子％的Ca、以及0.0005～0.05原子％的Cu。2.—种顿非统性电阻器陶Mi^t/，辦征在于，主要成分为氧化锌，將含0.055原子e/。的Pr、0.120原f/o的Co、0.015原子。/。的Ca、以及0.0005~0.05原^To的Ni。3.—种电压非线性电阻器陶徵M^，期伊征在于，主要成分为氧化锌，將含0.055原TTo的Pr、0.120原，/o的Co、0.015原T^。的Ca,还包含Cu和Ni总计为0.0005~0.1原子％的Cu和Ni。4.根据权利要求i3中任一卿万述的电压非线性电阻器陶^a^吻，期寺征在于，还包含o.ooi1原:？％的1<:、0.001~0.5原^%的^、0.011原子％的0、以及0.001~0.5原^%的&。5.—种电压非线性电阻器元件，^tr征在于，具有根据^5l利要求13中任一1#皿的电压非线性电阻器陶^&。6.根据权利要求5所述的电压非线性电阻器元件，期寺征在于，具有由所述电压非线性电阻器陶瓷纟M^构成的烧结体、和连接在该晓结体的多个电极。7.根据权利要求5戶;M的feE非线性电阻器元件，期寺征在于，具有由戶M^非线性电阻器陶^^l成的电阻器元件层与内部电极交替层叠的层叠构造，一对外部电丰跡成于BW1叠构造的侧端部，夹持戶腐电阻器元件层并对置的戶脱内部电极分别与一对外部电极的任意一个相雜。全文摘要本发明涉及一种电压非线性电阻器陶瓷组成物、和电压非线性电阻器元件。本发明获得温度变动时电容特性改变较小的电压非线性电阻器元件。使用以ZnO为主要成分的烧结体作为该电压非线性电阻器元件层(2)。该烧结体中添加了Pr、Co、Ca、以及Cu或Ni。就其成分范围而言，Pr为0.05～5.0原子％、Co为0.1～20原子％、Ca为0.01～5.0原子％、以及Cu或Ni为0.0005～0.05原子％。在上述的范围内时，能够实现温度以25℃时为基准的85℃下的电容变化率为10％以下。文档编号H01C7/112GK101286395SQ20081012583公开日2008年10月15日申请日期2008年3月28日优先权日2007年3月30日发明者吉田尚义,松冈大,田中均申请人:Tdk株式会社