专利名称：梯型结构的半导体晶片处理设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体生产的晶片处理设备结构，特别是用化学方法去除边 缘光刻胶或去除晶片上残余物设备的结构。
背景技术：
半导体生产厂内的生产环境要求非常高，保证这一生产环境的设施工作运行 时费用很大，是工厂的较大费用支出之一，为了降低该项支出，购买设备时，机 器占地面积是一个重要的考核技术指标。这使得机器向高的方向发展，工艺模块 堆叠放置是技术发展的趋势。
半导体制造厂黄光区内的涂胶设备基本上是应用公知的离心旋涂方式实现 的，从制程工艺的特点来看，涂胶、化学方法去除边缘光刻胶是在涂胶模块中顺 序进行的。
随着技术的发展，对涂胶设备的产能要求加大，尤其是对涂厚胶的涂胶设备 的产能要求逐步加强，就出现了涂厚胶与化学方法去除边缘光刻胶这两个顺序进 行的工艺不在一个工艺模块中完成，而是在两台不同工艺的设备中顺序进行。另 外，由于半导体制造厂制程工艺技术的发展，对各制程前的晶片表面清洁度要求
越来MT格，各种半导体清洗设备随之产生，因此，迫切需要一种能适合半导体 生产工艺的需要，同时适应产品的工艺生产质量、产能、可维护性的需求的半导 体晶片处理设备。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型的半导体晶片处理设备在结构布局上进行 了梯形排布，这样的排布满足化学方法去除光刻胶或去除晶片上残余物设备的工 艺生产质量、产能、可维护性的需要。
本实用新型的技术方案是 一种梯型结构的半导体晶片处理设备，包括盒站 模块、第一晶片处理模块、第二晶片处理模块、传送机器人模块，所述的盒站模 块包括第一盒站单元和第二盒站单元，所述的模块及组成单元呈梯形结构，2个 盒站单元占据梯形的上顶边的两个顶点、2个晶片处理模块占据梯形的下底边的 两个顶点，l个传送机器人在下底边的中心。所述的梯形结构为等边梯形结构。
所述第一盒站单元和第二盒站单元夹角为110 ~ 130度。
所述两个晶片处理模块是独立的功能单元体，可以是化学方法去除边缘光 刻胶模块或去除晶片上残余物模块。
本实用新型的优点及有益效果是
1、 本实用新型的工艺模块主要是将化学药液用针头喷射清除晶片边缘光刻胶 的方法，被处理的晶片是旋转的，这样的方法简单实用，不仅满足工艺生产的要 求，还使得机台产能大大提升。
2、 机台的组成是模块化设计，便于维修，使得设备具有良好的可维护性。
3、 本实用新型的工艺过程是通过机器人传送晶片在各个模块中流动，实现了 程序化的自动生产，不仅满足了单片生产工艺的要求，还使得产品晶片质量的稳 定性大大提升。
图l是本实用新型结构示意图； 图2是本实用新型立体图。
其中，CA为对中调整单元、CS1为第一盒站单元、CS2为第二盒站单元、ROBOT 为传送机器人、EBR1/SCRUBBER1为第一晶片处理模块、EBR2/SCRUBBER2第二晶片 处理模块。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作详细描述。
如图所示，第一盒站单元CS1和第二盒站单元CS2以110-130度夹角摆 放在一个平板上，对中调整单元CA安装在该平板下面，三者组成一个盒站模 块；传送机器人ROBOT可以进行旋转、升降及伸缩手臂；两个晶片处理模i^ 独立的功能单元体，可以是化学方法去除边缘光刻胶模块EBR1、 EBR2或去除 晶片上残余物模块SCRUBBER1、 SCRUBBER2,两个晶片处理模块排布在传送机器 人ROBOT两侧。
化学方法去除边缘光刻胶的生产工艺流程为CS1/CS2 - CA - EBR1/EBR2 -CS1/CS2.
传送机器人ROBOT通过旋转、升降及伸缩手臂将晶片从第一盒站单元CS1或第二盒站单元CS2中取出，送到对中调整单元CA中进行晶片的对中，对中后的晶
片再被传送机器人R0B0T分别送入第一化学方法去除边缘光刻胶模块EBR1和第二 化学方法去除边缘光刻胶模块EBR2中，通过模块内的晶片离心旋转、针状喷射的 化学药液由晶片边缘外逐渐切入到指定宽度后再切离晶片边缘,完成功能目的后， 最后再由传送机器人ROBOT将晶片送回盒站第一盒站单元CS1或第二盒站单元 CS2中。
化学机械方法去除晶片上残余物的生产工艺流程为CS1/CS2 -CA-SCRUBBER1/SCRUBBER2 -CS1/CS2.
传送机器人ROBOT通过旋转、升降及伸縮手臂将晶片从第一盒站单元CS1或 第二盒站单元CS2中取出，送到对中调整单元CA中进行晶片的对中，对中后的晶 片再被传送机器人ROBOT分别送入第一去除晶片上残余物模块模块SCRUBBERl和 第二去除晶片上残余物模块SCRUBBER2中，通过模块内的晶片离心旋转、针状喷 射的化学药液由晶片边缘外逐渐切入到指定宽度后再切离晶片边缘，完成功能目 的后，最后由传送机器人ROBOT将晶片送回第一盒站单元CS1或第二盒站单元CS2 中。
权利要求1、一种梯型结构的半导体晶片处理设备，包括盒站模块、第一晶片处理模块、第二晶片处理模块、传送机器人模块，所述的盒站模块包括第一盒站单元和第二盒站单元，其特征是所述的模块及组成单元呈梯形结构，2个盒站单元占据梯形的上顶边的两个顶点、2个晶片处理模块占据梯形的下底边的两个顶点，1个传送机器人在下底边的中心。
2. 按权利要求1所述的设备，其特征是所述的梯形结构为等边梯形结构。
3. 按权利要求1所述的设备，其特征是所述第一盒站单元和第二盒站 单元夹角为110 ~ 130度。
4. 按权利要求1所述的设备，其特征是所述两个晶片处理模块是独立 的功能单元体，可以是化学方法去除边缘光刻胶模块或去除晶片上残余物模 块。
专利摘要本实用新型涉及半导体生产的晶片处理设备的结构，特别是用化学方法去除边缘光刻胶或去除晶片上残余物设备的结构。包括盒站模块、第一晶片处理模块、第二晶片处理模块、传送机器人模块，所述的盒站模块包括第一盒站单元和第二盒站单元，所述的模块及组成单元呈梯形结构，2个盒站单元占据梯形的上顶边的两个顶点、2个晶片处理模块占据梯形的下底边的两个顶点，1个机器人在下底边的中心。这样的结构简单实用，便于维修，使得设备具有良好的可维护性，还使得晶片质量的稳定性大大提升。
文档编号H01L21/00GK201247765SQ20082001365
公开日2009年5月27日 申请日期2008年6月25日 优先权日2008年6月25日
发明者伟 冯, 胡延兵 申请人:沈阳芯源微电子设备有限公司