嵌段共聚物及高分子发光元件的制作方法

专利名称：嵌段共聚物及高分子发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及嵌段共聚物和使用它的高分子发光元件。
背景技术：
高分子量的发光材料和电荷输送材料可作为发光元件的有机层中使 用的材料等，因此对其进行了各种研究，作为其例，报道有具有以下述式所示的2价基团作为重复单元的聚合物(例如参照专利文献1)。(式中，Ar为取代或未取代的亚芳基，Ar，独立地为取代或未取代的芳 基，Z为多环式亚芳基。)专利文献1:国际公开第2005/049546号小册子但是，将上述共聚物用作发光元件用的发光材料时，其发光亮度还不 够充分。本发明的目的在于，提供一种在用作发光元件用的发光材料时，可以 成为提供能够高亮度发光的发光元件的嵌段共聚物。艮P，本发明提供一种嵌段共聚物，其特征在于，包含嵌段(A)和下述 嵌段(B)，所述嵌段(A)含有下述式(I)所示的重复单元及下述式(II)所示的重 复单元；所述嵌段(B)含有下述式(II)所示的重复单元、下述式(III)所示的重 复单元及下述式(IV)所示的重复单元。—Ar厂(I)(式中，An表示含有5元环的2价杂环基。)发明内容<formula>formula see original document page 7</formula>(式中，Al"2表示亚芳基。)(式中，R,、 R2、 R3、 R4、 R5及R6独立地表示卤原子、垸基、垸氧基、 垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳垸硫基、芳烯基、 芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺 残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，a及b独立地表示0 4的整数，c及d独立地表示0 5的整数，e及f独立地表示0~3的整数，其中，R" R2、 R3、 R4、 Rs及R6中的至少一种存在多个时，该存在 的多个原子或基团可以相同或不同。R7和R8独立地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价 杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅垸基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。)(式中，R9 R34独立地表示氢原子、卤原子、烷基、垸氧基、垸硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳垸氧基、芳烧硫基、芳烯基、芳炔基、 1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰 胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，m及p独立地表示O或1，其中，在Ru与Rn、 1112与1121、 R25与R34以及R3o与R31的组合中的 至少一个组合中，这2个基团可相互直接键合，以单键或2价基团的形式 形成环。)本发明的第二方面提供一种组合物，其特征在于，含有所述嵌段共聚 物；和溶剂、所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空 穴输送材料或者所述嵌段共聚物以外的电子输送材料，或它们的2种以上 的组合。本发明的第三方面提供一种发光性薄膜，其特征在于，含有所述嵌段 共聚物。本发明的第四方面提供一种高分子发光元件，其特征在于，具有阳 极、、阴极和下述有机层，所述有机层包含所述嵌段共聚物且设置于该阳 极和该阴极之间。本发明的嵌段共聚物可以用作发光元件的发光材料、空穴输送材料及 电子输送材料，特别是用作发光元件的发光材料时，可以提供能够高亮度 发光的发光元件。因此，包含本发明的嵌段共聚物的发光元件可以用于液 晶显示器的背光灯或照明用的曲面状或平面状光源、分段型显示元件、点阵的平板显示器等中。
具体实施方式
<术语的说明>以下对本说明书中通用的术语进行说明。作为卤原子，可以例示氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。被称为"Cx~Cy" (x、 y是满足x<y的正整数)的术语表示与该术语一 同记载的有机基团的碳原子数为x y。烷基是指未取代烷基及被卤原子等取代的垸基，其包括直链状烷基及 环状烷基(环烷基)这两者。烷基可以具有支链。垸基的碳原子数通常为 1 20、优选为1 15、更优选为1 10的范围。作为烷基，例如可举出甲 基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基 辛基、十二垸基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基 等。作为Q d2垸基，例如可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、 异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、 壬基、癸基、十二垸基等。垸氧基是指未取代的垸氧基及被卤原子、烷氧基等取代的烷氧基，其 包括直链状烷氧基及环状烷氧基(环烷氧基)这两者。烷氧基可以具有支链。 烷氧基的碳原子数通常为1 20、优选为1~15、更优选为1 10的范围。作 为垸氧基，例如可举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、 异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、 辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧 基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、 甲氧基甲氧基、2-甲氧基乙氧基等。作为d C,2垸氧基，例如可举出甲 氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁 氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬 氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、十二烷氧基等。烷硫基是指未取代的烷硫基及被卤原子等取代的院硫基，其包括直链 状垸硫基及环状烷硫基(环垸硫基)这两者。烷硫基可以具有支链。垸硫基的碳原子数通常为1~20、优选为1 15、更优选为1 10的范围。作为垸硫 基，例如可举出甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫 基、仲丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、 2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3,7-二甲基辛硫基、十二烷硫基、三氟 甲硫基等。作为C, C，2烷硫基，例如可举出甲硫基、乙硫基、丙硫基、 异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3,7-二甲基辛硫基、十二烷硫基等。芳基是从芳香族烃上除去1个键合在构成芳香环的碳原子上的氢原子 后残留的原子团，是指未取代的芳基及被卤原子、烷氧基、烷基等取代的芳基。芳基还包括具有稠环的芳基、独立的苯环或2个以上稠环介由单键 或2价有机基团例如亚乙烯基等烯基进行键合而得的芳基。芳基的碳原子 数通常为6 60、优选为7 48、更优选为7 30的范围。作为芳基，例如可 举出苯基、d C,2烷氧基苯基、C广d2垸基苯基、l-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，其中，优选C, d2烷氧基苯基、d~C12 烷基苯基。作为C广d2垸氧基苯基，例如可举出甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙 氧基苯基、异丙氧基苯基、丁氧基苯基、异丁氧基苯基、叔丁氧基苯基、 戊氧基苯基、己氧基苯基、辛氧基苯基等。作为C' C,2垸基苯基，例如可举出甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯 基、丙基苯基、均三甲苯基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、丁基苯基、异 丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、 辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。芳氧基是指未取代的芳氧基及被卤原子、垸氧基、烷氧基等取代的芳氧基。芳氧基的碳原子数通常为6 60、优选为7~48、更优选为7~30的范 围。作为芳氧基，例如可举出苯氧基、C, C2垸氧基苯氧基、C广C,2烷 基苯氧基、l-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基等，其中，优选C广C,2烷氧基苯氧基、Q d2烷基苯氧基。作为C广d2烷氧基苯氧基，例如可举出甲氧基苯氧基、乙氧基苯氧 基、丙氧基苯氧基、异丙氧基苯氧基、丁氧基苯氧基、异丁氧基苯氧基、10叔丁氧基苯氧基、戊氧基苯氧基、己氧基苯氧基、辛氧基苯氧基等。作为C广C,2垸基苯氧基，例如可举出甲基苯氧基、乙基苯氧基、二 甲基苯氧基、丙基苯氧基、1,3,5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、异丙基 苯氧基、丁基苯氧基、异丁基苯氧基、仲丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊 基苯氧基、异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基 苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。芳硫基是指未取代的芳硫基及被卤原子、垸氧基、垸基等取代的芳硫基。芳硫基的碳原子数通常为6 60、优选为7~48、更优选为7~30的范围。作为芳硫基，例如可举出苯硫基、C广d2垸氧基苯硫基、d Cu垸基苯硫基、l-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基等。芳垸基是指未取代的芳垸基及被卤原子、烷氧基、垸基等取代的芳垸 基。芳垸基的碳原子数通常为7~60、优选为7~48、更优选为7~30的左右。 作为芳烷基，例如可举出苯基—d d2垸基、d C,2垸氧基苯基一d Q2烷基、C广Ci2烷基苯基—C广Ci2烷基、l隱萘基—Ci Ci2烷基、2-萘基—Ci Ci2检其坐 ,兀垂寸。芳烷氧基是指未取代的芳垸氧基及被卤原子、垸氧基、垸基等取代的 芳烷氧基。芳烷氧基的碳原子数通常为7 60、优选为7 48、更优选为7 30 的范围。作为芳烷氧基，例如可举出苯基一C, C,2烷氧基、C广C,2垸氧 基苯基—C广d2垸氧基、C, Q2垸基苯基—CKV烷氧基、l-萘基—d~C12 烷氧基、2-萘基一Q d2烷氧基等。芳烷硫基是指未取代的芳垸硫基及被卣原子、垸氧基、烷基等取代的 芳烷硫基。芳垸硫基的碳原子数通常为7 60、优选为7~48、更优选为7~30 的程度。作为芳烷硫基，例如可举出苯基一C, C,2烷硫基、C广C,2烷氧基苯基一d Ci2院硫基、C' C'2焼基苯基—Ci C!2院硫基、l陽蔡基一Ci C,2烷硫基、2-萘基—C广Ci2烷硫基等。芳烯基是指未取代的芳烯基及被卤原子、烷氧基、垸基等取代的芳烯基。芳烯基的碳原子数通常为8 60、优选为8~48、更优选为8~30的范围。作为芳烯基，例如可举出苯基—C2 d2烯基、C, C,2垸氧基苯基一C2 d2烯基、C, C，2垸基苯基—Crd2烯基、l-萘基-C2 C,2烯基、2-萘基—C2~C12烯基等，其中，优选C, C,2烷氧基苯基一C广d2烯基、C广C,2垸基苯基一C2 C'2烯基。作为C2 d2烯基，例如可举出乙烯基、l-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、l-戊烯基、2-戊烯基、l-己烯基、2-己烯基、l-辛烯基等。芳炔基是指未取代的芳炔基及被卤原子、烷氧基、烷基等取代的芳炔基。芳炔基的碳原子数通常为8 60、优选为8 48、更优选为8 30的范围。 作为芳炔基，例如可举出苯基—C广d2炔基、d Ci2烷氧基苯基一C2~C12 炔基、C广C,2烷基苯基—C广d2炔基、l-萘基—C广C，2炔基、2-萘基—C2~C12炔基等，其中，优选C广C,2烷氧基苯基—C广C,2炔基、C, d2烷基苯基— C2 C,2炔基。作为C广d2炔基，例如可举出乙炔基、l-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、l-戊炔基、2-戊炔基、l-己炔基、2-己炔基、l-辛炔基等。1价杂环基是指从杂环式化合物中除去1个氢原子后残留的原子团， 是指未取代的1价杂环基及被垸基等取代基取代的1价杂环基。1价杂环 基的碳原子数不包含取代基的碳原子数，通常为4~60、优选为4~30、更 优选为4 20的左右。这里，所谓杂环式化合物，是指在具有环式结构的 有机化合物中，作为构成环的元素，不仅包含碳原子还包含氧原子、硫原 子、氮原子、磷原子、硼原子、硅原子、硒原子、碲原子、砷原子等杂原 子。作为l价的杂环基，例如可举出噻吩基、C, C,2垸基噻吩基、吡咯 基、呋喃基、吡啶基、C广C,2垸基吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三 嗪基、吡咯烷基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基等，其中，优选噻吩基、C,~C12 烷基噻吩基、吡啶基、C广C!2烷基吡啶基。杂环硫基是指巯基的氢原子被1价杂环基取代的基团。作为杂环硫基， 例如可举出吡啶基硫基、哒嗪基硫基、嘧啶基硫基、吡嗪基硫基、三嗪 基硫基等杂芳基硫基等。氨基是指未取代的氨基及被选自烷基、芳基、芳烷基及l价杂环基的 1或2个取代基取代了的氨基(以下称为取代氨基。)。取代基还可以进一 步具有取代基(以下有时称为二次取代基。)。取代氨基的碳原子数不包含 二次取代基的碳原子数，通常为1 60、优选为2~48、更优选为2 40的左 右。作为取代氨基，例如可举出甲氨基、二甲氨基、乙氨基、二乙氨基、 丙氨基、二丙氨基、异丙氨基、二异丙氨基、丁氨基、异丁氨基、仲丁氨基、叔丁氨基、戊氨基、己氨基、庚氨基、辛氨基、2-乙基己氨基、壬氨 基、癸氨基、3，7-二甲基辛氨基、十二烷氨基、环戊氨基、二环戊氨基、 环己氨基、二环己氨基、双三氟甲氨基、苯氨基、二苯氨基、C广C,2烷氧 基苯氨基、二(C广d2烷氧基苯基)氨基、d d2垸基苯氨基、二(C广d2烷 基苯基)氨基、l-萘氨基、2-萘氨基、五氟苯氨基、吡啶基氨基、哒嗪基氨 基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基、苯基一C, C,2烷基氨基、d~C12 烷氧基苯基—Q C!2烷基氨基、双(C广Cn烷氧基苯基一Ci Ci2烷基)氨基、C广Cn垸基苯基—C, C12烷基氨基、双(C广C,2烷基苯基一C广Cu垸基)氨基、1-萘基一C广d2烷基氨基、2-萘基一d d2垸基氨基等。甲硅烷基是指未取代的甲硅烷基及被选自垸基、芳基、芳烷基及l价杂环基中的1、 2或3个取代基取代了的甲硅垸基(以下称为取代甲硅烷 基。)。取代基可以具有二次取代基。取代甲硅烷基的碳原子数不包含二次 取代基的碳原子数，通常为1~60、优选为3~48、更优选为3 40的范围。 作为取代甲硅烷基，例如可举出三甲基甲硅垸基、三乙基甲硅烷基、三 丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅垸基、二甲基-异丙基甲硅烷基、二乙基-异 丙基甲硅烷基、叔丁基甲硅院基-二甲基甲硅烷基、戊基-二甲基甲硅烷基、 己基-二甲基甲硅烷基、庚基-二甲基甲硅烷基、辛基-二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基-二甲基甲硅烷基、癸基-二甲基甲硅烷基、 3,7-二甲基辛基-二甲基甲硅垸基、十二烷基-二甲基甲硅烷基、苯基一C, C,2烷基甲硅垸基、C广C,2垸氧基苯基一C, C,2烷基甲硅垸基、C广C,2烷基苯基—C, d2垸基甲硅烷基、1-萘基—C, C,2烷基甲硅垸基、2-萘基一C, C,2烷基甲硅垸基、苯基一C, C,2垸基二甲基甲硅垸基、三苯基甲硅垸基、三对二甲苯基甲硅烷基、三苄基甲硅垸基、二苯基甲基甲硅烷基、 叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅垸基等。酰基是指未取代的酰基及被卤原子等取代了的酰基。酰基的碳原子数 通常为2~20、优选为2~18、更优选为2 16的范围。作为酰基，例如可举 出乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、新戊酰基、苯甲酰基、三氟乙 酰基、五氟苯甲酰基等。酰氧基是指未取代的酰氧基及被卤原子等取代的酰氧基。酰氧基的碳 原子数通常为2 20、优选为2~18、更优选为2 16的范围。作为酰氧基，例如可举出乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、异丁酰氧基、新戊酰氧基、 苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。
亚胺残基是指从具有式H-NKX及式-NK:H-中的至少一个所示的
结构的亚胺化合物中除去该结构中的1个氢原子后的残基。作为这样的亚 胺化合物，例如可举出醛亚胺、酮亚胺及键合在醛亚胺中的氮原子上的 氢原子被垸基、芳基、芳烷基、芳烯基、芳炔基等取代了的化合物。亚胺
残基的碳原子数通常为2~20、优选为2 1S、更优选为2 16的范围。作为 亚胺残基，例如可举出通式-CR"-N-R"，或通式-N=C(R'")2(式中，R" 表示氢原子、垸基、芳基、芳垸基、芳烯基、芳炔基，R，"独立地表示垸 基、芳基、芳烷基、芳烯基、芳炔基，其中，存在2个R"'时，2个R"' 可以相互键合而合在一起，以2价基团例如亚乙基、三亚甲基、四亚甲基、 五亚甲基、六亚甲基等碳原子数2 18的亚垸基的形式形成环。)所示的基 团等。作为亚胺残基的具体例，可举出以下结构式所示的基团等。
(式中，Me表示甲基。)
酰胺基是指未取代的酰胺基及被卤原子等取代了的酰胺基。酰胺基的 碳原子数通常为2 20、优选为2~18、更优选为2~16的左右。作为酰胺基， 例如可例示甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、 三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、 二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、双三氟乙酰胺基、双五氟苯甲酰胺基等。
14酰亚胺基是指从酰亚胺中除去键合在其氮原子上的氢原子而得到的
残基。酰亚胺基的碳原子数通常为4 20、优选为4~18、更优选为4 16的
范围。作为酰亚胺基，例如可举出以下所示的基团等。
(式中，Me表示甲基。)
羧基是指未取代的羧基以及被烷基、芳基、芳烷基、l价杂环基等取 代基取代了的羧基(以下称为取代羧基。)。取代基可以具有二次取代基。 取代羧基的碳原子数不包含二次取代基的碳原子数，通常为1~60、优选为 2~48、更优选为2 45的范围。作为取代羧基，例如可举出甲氧基羰基、 乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、丁氧基羰基、异丁氧基羰基、 仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、环己氧基羰基、 庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、 3,7-二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基 羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、 萘氧基羰基、吡啶氧基羰基等。
<式(1)所示的重复单元>
本发明的嵌段共聚物中，在嵌段(A)中包含下述式(I)所示的重复单元。 本发明的嵌段共聚物还可以在嵌段(A)中包含下述式(I)所示的不同的2种以上的重复单元。 一Ar— (I)
(式中，Ar,表示含有5元环的2价杂环基。)
所谓含有5元环的2价杂环基，是指从含有5元环的杂环式化合物中 除去2个氢原子后残留的原子团，是指含有5元环的未取代的2价杂环基 及含有5元环的取代2价杂环基。这里，所谓含有5元环的杂环式化合物， 是指在具有含5元环的环式结构的有机化合物中，作为构成环的元素，不 仅有碳，还包含氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子、硅原子、硒 原子、碲原子、砷原子等杂原子。在含有5元环的2价杂环基中，优选含 有5元环的2价芳香族杂环基。含有5元环的取代2价杂环基中的取代原 子及取代基没有特别限定，从溶解性、荧光特性、合成进行的容易程度、 做成元件时的特性等观点考虑，优选卤原子、垸基、烷氧基、烷硫基、芳 基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、 1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰 胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。含有5元环的2价杂环基的除去取 代基的部分的碳原子数通常为3~60，优选为3~50，更优选为3 40的左右。 另外，含有5元环的2价杂环基的包含取代基在内的总碳原子数通常为 3 100，优选为3 80，更优选为3 70的左右。
作为含有5元环的2价杂环基，例如可举出如下化合物。
*含有氧原子、硅原子、氮原子、硫原子、硒原子等作为杂原子且具 有芴结构的基团(下式141~155)。
含有氧原子、硅原子、氮原子、硫原子、硒原子、硼原子、磷原子 等作为杂原子的含5元环的杂环基(下式156 175)。
含有氧原子、硅原子、氮原子、硫原子、硒原子等作为杂原子的含 5元环的稠合杂环基(下式176~187)。
为含有氧原子、硅原子、氮原子、硫原子、硒原子等作为杂原子的 含5元环的杂环基，并且在杂原子的a位杂环相互键合，形成二聚物或低 聚物的基团(下式188 189)。
为含有氧原子、硅原子、氮原子、硫原子、硒原子等作为杂原子的 含5元环的杂环基，并且在杂原子的a位键合有杂环和亚苯基的基团(下式190~196)。
，含有氧原子、氮原子、硫原子、硒原子等作为杂原子的含5元环的 稠合杂环被亚苯基、亚呋喃基、亚噻吩基取代了的基团(下式197~202)。
R R
R R<formula>formula see original document page 18</formula><formula>formula see original document page 19</formula>200 201 202
上述式141~202中，R表示氢原子、卤原子、烷基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳垸氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅垸基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。
从提供发光效率高的元件的观点考虑，上述式(I)中，An优选为下述式(V)所示的基团。
(式中，R35、 R36、 R37、 R38、 R39及R4o独立地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，
n及o独立地表示0 3的整数，
X,、 X2及X3独立地表示氧原子或硫原子，
其中，R35、 R36、 R39、 R4()、 X,及X3中的至少1种存在多个时，该存在的多个原子或基团可以相同或不同。)
从原料单体合成的容易程度的观点考虑，上述式(V)中，R35、 R36、 R37、R38、 &9及R4。优选独立地为氢原子、烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基或杂环硫基，更优选为氢原子、烷基、烷氧基、芳基或芳氧基，进一步优选为氢原子、烷基或芳基。
从原料单体合成的容易程度的观点考虑，上述式(V)中，n及o优选独立地为0 2的整数，更优选为0或1。
进一步，从本发明的嵌段共聚物的耐久性的观点考虑，上述式(v)中，
X,、 X2及X3优选为氧原子或硫原子，更优选为硫原子。
作为上述式(V)所示的重复单元的具体例，可列举下述式(V-l) (V-9)
所示的重复单元。
(V國l) (V画2) (V-3)
(v-4) (V-5) <y-6)
(V-7) (V-8) (V-9)
<式(11)所示的重复单元>
本发明的嵌段共聚物在嵌段(A)中除具有上述式(i)所示的重复单元以
外，还具有下述式(n)所示的重复单元。另外，本发明的嵌段共聚物在嵌段(b)中具有下述式(n)所示的重复单元。本发明的嵌段共聚物在嵌段(A)及嵌段(b)的任一个中均可以具有下述式(ii)所示的不同的2种以上的重复单元。<formula>formula see original document page 21</formula>
(式中，Ar2表示亚芳基。)
亚芳基是从芳香族烃中除去键合在构成芳香环的碳原子上的2个氢原子后残留的原子团，是指未取代的亚芳基及取代了的亚芳基。亚芳基还包括具有稠环的亚芳基、独立的苯环或2个以上稠环介由单键或2价有机基团例如亚乙烯基等烯基进行键合而得的亚芳基。取代的 芳基中的取代原、荧光特性、合成进行的容易程度、作为元件的材料的特性等观点考虑，优选卤原子、烷基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。
亚芳基的除去取代基的部分的碳原子数通常为6 60、优选为6~20、更优选为6~18的范围。另外，包含取代基的亚芳基的总碳原子数通常为6 100、优选为6~80、更优选为6 70的范围。
作为亚芳基，例如可举出亚苯基(例如下式1 3)、亚萘基(例如下式4 13)、亚蒽基(例如下式14~19)、亚联苯基(例如下式20 25)、亚三联苯基(例如下式26 28)、亚芴基(例如下式36 38)、亚苯并芴基(例如下式39 46)、及其它的2价稠合多环式芳香族烃基(例如下式29 35)等。<formula>formula see original document page 23</formula>上述式1~46中，R表示与上述相同的意思。
从使用本发明的嵌段共聚物的发光元件的耐久性的观点考虑，上述式
(II)中，Ar2优选为下述式(VI)所示的基团。
(R )e (p")f
(式中，R43及R44独立地表示卤原子、烷基、垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅垸基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、
酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，
e及f独立地表示0 3的整数，
其中，R43及R44中的至少一种存在多个时，该存在的多个原子或基团
可以相同或不同。
R45及R46独立地表示氢原子、卤原子、垸基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价 杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、 酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。)
从原料单体合成的容易程度的观点考虑，上述式(VI)中，R43及R44优 选为烷基或垸氧基。
从原料单体合成的容易程度的观点考虑，上述式(VI)中，e及f优选为
0或1，最优选为o。
从原料单体合成的容易程度的观点考虑，上述式(VI)中，R45及R46优
选为烷基或芳基。
作为上述式(VI)所示的基团的具体例，可举出下述式(VI-lHVI-8)所
示的基团。
(VI-5) (VI-6) (VI-7) (VI-8)
<式(111)所示的重复单元>
本发明的嵌段共聚物在嵌段(B)中除具有上述式(II)所示的重复单元以
外，还具有下述式(in)所示的重复单元。本发明的嵌段共聚物还可以在嵌
段(B)中具有下述式(III)所示的不同的2种以上的重复单元。<formula>formula see original document page 26</formula>
(式中，R,、 R2、 R3、 R4、 Rs及R6独立地表示卤原子、烷基、垸氧基、
烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳垸氧基、芳垸硫基、芳烯基、 芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅垸基、酰基、酰氧基、亚胺 残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，
a及b独立地表示0 4的整数， c及d独立地表示0~5的整数， e及f独立地表示0~3的整数，
其中，R,、 R2、 R3、 R4、 Rs及R6中的至少一种存在多个时，该存在 的多个原子或基团可以相同或不同。
R7和Rs独立地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、垸硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳垸硫基、芳烯基、芳炔基、1价 杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅垸基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、
酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。)
从原料单体合成的容易程度的观点考虑，上述式(in)中，a、 b、 e及f 优选为0或1，更优选为0。
从原料单体合成的容易程度的观点考虑，上述式(in)中，c及d优选 为0~3的整数，更优选为1 3的整数。
从原料单体合成的容易程度的观点考虑，上述式(ni)中，R7和R8优选 为垸基或芳基。
从原料单体合成的容易程度的观点考虑，上述式(III)中，R3及R4优选 为垸基、烷氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基或杂环硫基，更优选为 烷基、烷氧基、芳基或芳氧基，进一步优选为芳基、烷氧基或芳基。
从原料单体合成的容易程度的观点考虑，上述式(III)中，&、 R2、 R5
及R6优选为垸基或烷氧基。作为上述式(ni)所示的重复单元的具体例，可列举下述式(m-i) (ni-6)
所示的重复单元。
(III)-4 则-5 则~6
<式(1^)所示的重复单元>
本发明的嵌段共聚物在嵌段(B)中除具有上述式(n)及上述式(in)所示 的重复单元以外，还具有下述式(iv)所示的重复单元。本发明的嵌段共聚
物还可以在嵌段(B)中具有下述式(IV)所示的不同的2种以上的重复单元。
(式中，R9 R34独立地表示氢原子、卤原子、垸基、垸氧基、烷硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、 1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰 胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，
m及p独立地表示0或1,其中，R"与Ru、 R,2与R2！、 R25与R34及R30与R^的组合中的至少 一个组合可不表示上述原子或基团，而合为一体形成单键或由式-O-或
式-8-表示的2价基团。)
从原料单体合成的容易程度的观点考虑，R9~R34优选独立地为氢原 子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基或杂环硫基，更优选 为氢原子、烷基、烷氧基、芳基或芳氧基，进一步优选为氢原子、烷基或 烷氧基。
从原料单体合成的容易程度的观点考虑，Ru和Rn及1125和&4的组 合中至少一个组合可不表示上述原子或基团，而以一个整体的形式形成单
键或由式-O-或式-S-表示的2价基团时，优选形成由式-O-或式-S-表示的2价基团，进一步优选由形成式-O-表示的基团。
从原料单体合成的容易程度的观点考虑，Ru与1121及R3o与R31的组
合中至少一个组合可不表示上述原子或基团，而是合为一体形成单键或由
式-O-或式-S-表示的2价基团时，优选形成单键。
作为上述式(IV)所示的重复单元的具体例，可举出下述式
(IV-1 ) (I V-17)所示的重复单元。
<formula>formula see original document page 28</formula><formula>formula see original document page 29</formula>CIV-17)
<其它重复单元>
进一步，从改变电荷输送性的观点、提高耐热性的观点等考虑，本发
明的嵌段共聚物优选为在嵌段(A)及(B)的任一个中均含有上述式(I) (IV) 所示的重复单元以外的重复单元的共聚物。作为上述式(I) (IV)所示的重复 单元以外的重复单元，优选下述式(C)所示的重复单元。 一Ar— (C)
(式中，Ara表示不含5元环的2价杂环基。)
所谓不含有5元环的2价杂环基，是从不含有5元环的杂环式化合物 中除去2个氢原子后残留的原子团，是指不含有5元环的未取代的2价杂 环基及不含有5元环的取代的2价杂环基。这里，所谓不含有5元环的杂 环式化合物，是指在具有不含5元环的环式结构的有机化合物中，作为构 成环的元素，不仅有碳，还包含氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原 子、硅原子、硒原子、碲原子、砷原子等杂原子。在不含有5元环的2价 杂环基中，优选不含有5元环的2价芳香族杂环基。不含有5元环的取代 2价杂环基中的取代原子及取代基没有特别限定，从溶解性、荧光特性、 合成进行的容易程度、做成元件时的特性等观点考虑，优选卤原子、烷基、 垸氧基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳烷氧基、芳烷硫基、 芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅垸基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。不含有5元环的
2价杂环基的除去取代基的部分的碳原子数通常为3~60，优选为6~40，更 优选为6 30的范围。另外，不含有5元环的2价杂环基的包含取代基在 内的总碳原子数通常为3~100的范围。
作为不含有5元环的2价杂环基，例如可举出如下化合物。 含有氮作为杂原子的2价含6元环的杂环基亚吡啶基(下式 101~106)、 二氮杂亚苯基(下式107 110)、亚喹啉基(下式111~125)、亚喹 喔啉基(下式126~130)、亚吖啶基(下式131 134)、亚联吡啶基(下式 135 137)、亚菲咯啉基(下式138~140)
含有氧、氮等作为杂原子的其它2价含6元环的杂环基(下式203~206)
<formula>formula see original document page 30</formula><formula>formula see original document page 31</formula>
上述式101~140及203~206中，R表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧 基、垸硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳烷硫基、芳 烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅垸基、酰基、酰氧基、 亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。
<嵌段共聚物>
相对于嵌段共聚物中的总重复单元，上述式(I)所示的重复单元的总含有率通常为0.02摩尔％~30摩尔％的范围，上述式(II)所示的重复单元的含
有率通常为10摩尔％ 90摩尔％的范围，上述式(ni)所示的重复单元的含
有率通常为0.1摩尔％~30摩尔％的范围，更优选为0.5摩尔％~20摩尔％ 的范围，进一步优选为0.5摩尔％~10摩尔％的范围，上述式(IV)所示的重 复单元的含有率通常为0.1摩尔％~50摩尔％的范围。另外，本发明的嵌段 共聚物包含上述式(I) (IV)所示的重复单元以外的重复单元，例如上述式(C) 所示的重复单元时，这样的重复单元的含有率相对于嵌段共聚物中的总重 复单元通常为0.1摩尔％ 30摩尔％的范围。
从元件的寿命特性的观点考虑，本发明的嵌段共聚物优选聚苯乙烯换 算的数均分子量为1 X 103~1 x 107，更优选为1 X 104 1 x io7。
从元件的寿命特性的观点考虑，本发明的嵌段共聚物优选聚苯乙烯换
算的重均分子量为1 X 103~1 X 107，更优选为1 X 104~1 x io7。
对于本发明的嵌段共聚物，从元件的寿命特性的观点考虑，嵌段(A) 优选聚苯乙烯换算的数均分子量为1X103~1X105，更优选为1X104~1X 105。
对于本发明的嵌段共聚物，从元件的寿命特性的观点考虑，嵌段(A) 优选聚苯乙烯换算的重均分子量为1X103 1X105，更优选为1X104 1X 105。
本发明中，聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量由体积排阻色谱
仪(SEC)(岛津制作所制LC-10Avp)求出。将测定的嵌段共聚物以浓度为 约0.5重量％的方式溶解在四氢呋喃中，然后将50(iL注入到SEC中。使 用四氢呋喃作为SEC的流动相，以0.6mL/min的流速流动。作为色谱柱， 将2根TSKgel SuperHM-H (东丽制)和1根TSKgel SuperH2000 (东丽制) 串联连接的色谱柱。检测器使用差示折射率检测器(岛津制作所制 RID-10A)。
相对于嵌段(A)及嵌段(B)的总计，将嵌段(A)的摩尔分率表示为[A]、 嵌段(B)的摩尔分率表示为[B]时，从获得本发明的高分子化合物的电子和 空穴的输送性的平衡性及提高发光效率的观点考虑，优选[A]/[B]为0.1以 上、IO以下，更优选为0.3以上、3以下。
另外，由于在本发明的嵌段共聚物的末端直接残留与縮聚有关的取代基时，做成元件时的发光特性及寿命可能降低，因此，可以用稳定的保护 基将该嵌段共聚物的末端保护起来。作为保护基，优选具有与主链的共轭 结构相连接的共轭键的基团，例如可举出具有介由碳-碳键与芳基或杂环 基键合的结构的基团。具体而言，可例示日本特开平9-45478号公报的 化10中记载的取代基等。
作为本发明的嵌段共聚物的良好溶剂，可例示氯仿、二氯甲烷、二 氯乙垸、四氢呋喃、甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢化萘、十氢化萘、正 丁基苯等。也与嵌段共聚物的结构及分子量有关，通常可以在这些溶剂中 溶解0.1重量％以上嵌段共聚物。
<嵌段共聚物的制造方法>
下面对本发明的嵌段共聚物的制造方法进行说明。
作为嵌段聚合物的合成方法，例如可举出合成高分子量的嵌段(A)， 再向其中添加构成嵌段(B)的单体进行聚合的方法;事先合成高分子量的嵌 段(A)和高分子量的嵌段(B)，然后使它们同时聚合的方法等。
例如，可以使用YrAr,-Y2所示的化合物、Y,-ArrY2所示的化合物、 Y,-A-Y2所示的化合物及YrB-Y2所示的化合物作为原料，通过使它们縮 聚来制造本发明的嵌段共聚物。式中，-A-表示上述式(III)所示的重复单元， -B-表示上述式(IV)所示的重复单元，An及Ar2与上述表示相同的意思， Y,及Y2各自独立地表示与縮聚有关的取代基。
另外，本发明的嵌段共聚物在具有上述式(I) (IV)所示的重复单元以外 的重复单元时，可以使具有2个与縮聚有关的取代基、且聚合后成为上述 式(I) (IV)所示的重复单元以外的重复单元的化合物共存而进行縮聚。作为 这样的化合物，可举出Y3-ArvY4的化合物。式中，Ara与上述表示相同的 意思，K及Y4表示与縮聚有关的取代基。作为其具体例，可举出下述式 (H)所示的化合物。该化合物具有2个与缩聚有关的取代基，且聚合后成 为包含上述式140所示的基团的重复单元。(式中，R与上述表示相同的意思，Ys及Y6表示与縮聚有关的取代基。)
本发明的制造方法中，作为与縮聚有关的取代基(Y,、 Y2、 Y3、 Y4、
Ys及Y6)，可举出卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳烷基磺酸
酯基、硼酸酯基、锍甲基、膦甲基、磷酸酯甲基、单卤代甲基、-B(OH)2、
甲酰基、氰基或乙烯基等。
作为烷基磺酸酯基，可列举例如甲磺酸酯基、乙磺酸酯基、三氟甲 磺酸酯基等，作为芳基磺酸酯基，可列举例如苯磺酸酯基、对甲苯磺酸 酯基等，作为芳基磺酸酯基，可列举苄基磺酸酯基等。
作为硼酸酯基，可例示下述式所示的基团。
OMe
OEt
、OMe
Me
OEt
01
■Me 'Me
/
.0、
/
'B
O一
Me
(式中，Me表示甲基，Et表示乙基。)
作为锍甲基，可例示下述式所示的基团。 —CH S+Me X一、 一 CH S+Ph X—
2 2 2 2
(式中，X表示卤原子，Me表示甲基，Ph表示苯基。) 作为膦甲基，可例示下述式所示的基团。 一CH P+PhX_
2 3
(式中，X表示卤原子，Ph表示苯基。)
作为磷酸酯甲基，可例示下述式所示的基团。
一CH PO(OR')
2 2
(式中，R'表示垸基、芳基、芳烷基。)
作为单卤代甲基，可例示氟代甲基、氯代甲基、溴代甲基或碘代甲
作为有关縮聚的取代基所优选的取代基，根据聚合反应的种类而不 同，例如Yamamoto偶联反应等使用0价镍络合物(Ni(O)络合物)时，可举 出卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳垸基磺酸酯基。另外，Suzuki 偶联反应等使用镍催化剂或钯催化剂时，可举出烷基磺酸酯基、卤原子、
硼酸酯基、3(0印2等。本发明的制造方法具体而言可以将作为单体的具有2个与縮聚有关的 取代基的化合物根据需要溶解于有机溶剂中，使用例如碱或适当的催化 剂，在有机溶剂的熔点以上、沸点以下的温度下进行。例如，可以使用
"Organic Reactions (有机反应)"，第14巻，270-490页，John Wiley & Sons, Inc.(约翰威立国际出版公司)，1965年;"Organic Syntheses (有机合成)"， Collective Volume VI， 407-411页，John Wiley & Sons, Inc.(约翰威立国 际出版公ffj)，簡年;Chem.Rev.(化学评论)，第95巻，2457页(1995 年)；J.Organomet.Chem (有机化学期刊)，第576巻，147页(1999年)； Macromol.Chem.,Macromol.Symp.(高分子化学高分子学报)，第12巻，229 页(1987年)等中记载的公知的方法。
作为嵌段聚合物的制造方法，例如可以使用WO2005/36666等中记载 的公知的方法。
在本发明的嵌段共聚物的制造方法中，可以对应与縮聚有关的取代 基，使用已知的縮合反应。例如可例示通过Suzuki偶联反应将该单体聚 合的方法；通过Grignard反应将该单体聚合的方法；通过0价镍络合物将 该单体聚合的方法；通过FeCl3等氧化剂将该单体聚合的方法；将该单体 电化学氧化聚合的方法；或利用具有适当的离去基团的中间体高分子的分 解的方法等。其中，通过Suzuki偶联反应进行聚合的方法；通过Grignard
反应进行聚合的方法及通过0价镍络合物进行聚合的方法容易控制结构， 因此优选。
本发明的制造方法中，优选与缩聚有关的取代基(Y" Y2、 Y3、 Y4、 Ys及Y6)独立地选自卣原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳烷基磺酸 酯基，在0价镍络合物存在下进行縮聚的制造方法。作为原料化合物，例 如可举出二齒代化合物、双(烷基磺酸酯)化合物、双(芳基磺酸酯)化合物、 双(芳烷基磺酸酯)化合物、卤代-烷基磺酸酯化合物、卤代-芳基磺酸酯化合 物、卤代-芳烷基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、垸基磺 酸酯-芳垸基磺酸酯化合物及芳基磺酸酯-芳垸基磺酸酯化合物。其中，可 举出使用例如卤代-烷基磺酸酯化合物、卤代-芳基磺酸酯化合物、卤代-芳 烷基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、垸基磺酸酯-芳垸基 磺酸酯化合物或芳基磺酸酯-芳烷基磺酸酯化合物作为原料化合物，制造控制了顺序的嵌段聚合物的方法。
另外，在本发明的制造方法中，优选与縮聚有关的取代基(Y,、 Y2、 Y3、 Y4、 Y5及Y6)独立地选自卤原子、垸基磺酸酯基、芳基磺酸酯基或芳
垸基磺酸酯基、硼酸基(-B(OH)2)或硼酸酯基，总原料化合物具有的硼酸基 及硼酸酯基的摩尔数的总和(K)与卤原子、垸基磺酸酯基、芳基磺酸酯基 或芳烷基磺酸酯基的摩尔数的总和(J)之比K/J在实质上为l(通常为0.7 1.2 的范围)，使用镍催化剂或钯催化剂进行縮聚的制造方法。作为具体的原料
化合物的组合，可举出二卤代化合物、双(垸基磺酸酯)化合物、双(芳基
磺酸酯)化合物或双(芳烷基磺酸酯)化合物与二硼酸化合物或二硼酸酯化
合物的组合。另外，可举出卤代-硼酸化合物、卤代-硼酸酯化合物、烷
基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基磺酸酯-硼酸化合 物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳烷基磺酸 酯-硼酸酯化合物。其中，可举出使用例如卤代-硼酸化合物、卤代-硼酸酯 化合物、烷基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基磺酸 酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳垸基磺酸酯-硼酸化合物、 芳垸基磺酸酯-硼酸酯化合物，制造控制了顺序的嵌段共聚物的方法。
反应中使用的溶剂根据所使用的化合物及反应而不同，通常，为了抑 制副反应，优选充分地实施脱氧处理。反应优选在惰性氛围下进行。另外，
同样，反应中使用的溶剂优选实施脱水处理。其中，像Suzuki偶联反应这 样的在与水的2相体系中反应时不在该限制内。
作为溶剂，可例示戊烷、己垸、庚垸、辛烷、环己烷、十氢化萘等 饱和烃；苯、甲苯、乙苯、正丁基苯、二甲苯、四氢化萘等芳香族烃；四 氯化碳、氯仿、二氯甲垸、氯丁垸、溴丁垸、氯戊垸、溴戊烷、氯己烷、 溴己垸、氯环己烷、溴环己烷等卤化饱和烃；氯苯、二氯苯、三氯苯等卤 化芳香族烃；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、叔丁醇等醇类；甲酸、 乙酸、丙酸等羧酸类；二甲醚、二乙醚、甲基叔丁基醚、四氢呋喃、四氢 吡喃、二噁垸等醚类；三甲胺、三乙胺、N,N,N，,N，-四甲基乙二胺、吡啶 等胺类；N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N，N-二乙基乙酰胺、N-甲基吗啉氧化物等酰胺类等。这些溶剂可以单独使用，也可以混合使用。 其中，优选醚类，更优选四氢呋喃、二乙基醚。为了使反应进行，适当地添加碱或合适的催化剂。它们可以根据所使 用的反应进行选择。该碱或催化剂优选充分地溶解在反应所使用的溶剂中 的物质。作为碱，例如可举出碳酸钾、碳酸钠等无机碱；三乙胺等有机 碱；氟化铈等无机盐。作为催化剂，例如可举出[四(三苯基膦)]钯、醋酸 钯类。作为混合碱或催化剂的方法，可例示以下方法在氩或氮气等惰性 氛围下搅拌反应液，同时缓慢地添加碱或催化剂的溶液，或者相反，向碱 或催化剂的溶液中缓慢地添加反应液。
将本发明的嵌段共聚物用于高分子LED等中时，由于其纯度会影响 发光特性等元件的性能，因此，优选用蒸馏、升华精制、再结晶等方法将 聚合前的单体进行精制后再进行聚合。另外，在聚合后，优选通过再沉淀 精制、色谱法等进行分离等纯化处理。
<组合物>
本发明的组合物是含有本发明的嵌段共聚物；和溶剂、所述嵌段共聚 物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴输送材料或者所述嵌段共 聚物以外的电子输送材料，或它们的2种以上的组合的组合物。该组合物 可以含有至少2种所述嵌段共聚物。
为了使本发明的组合物形成后述的液态组合物，可以添加溶剂。作为 组合物中所含的溶剂，优选可以溶解或分散在该组合物中的该溶剂以外的 成分的溶剂。作为该溶剂，可例示氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙垸、1,1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二噁垸等醚系溶剂； 甲苯、二甲苯、三甲基苯、均三甲苯等芳香族烃系溶剂；环己烷、甲基环 己烷、正戊垸、正己垸、正庚垸、正辛垸、正壬烷、正癸烷等脂肪族烃系 溶剂；丙酮、甲乙酮、环己酮等酮系溶剂；醋酸乙酯、醋酸丁酯、苯甲酸 甲酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂；乙二醇、乙二醇单丁醚、乙二醇单 乙醚、乙二醇单甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇单 乙醚、甘油、1,2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、异丙 醇、环己醇等醇系溶剂；二甲基亚砜等亚砜系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、 N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。另外，这些溶剂可以单独使用1种，也 可以组合多种使用。在上述溶剂中，从粘度、成膜性等观点考虑，优选包
含i种以上具有含至少i个以上苯环的结构、且熔点为or以下、沸点为IO(TC以上的有机溶剂。
作为溶剂的种类，从溶剂对组合物中的溶剂以外的成分的溶解性、成 膜时的均匀性、粘度特性等观点考虑，优选芳香族烃系溶剂、脂肪族烃系 溶剂、酯系溶剂、酮系溶剂，具体而言，优选甲苯、二甲苯、乙苯、二乙 基苯、三甲基苯、均三甲苯、正丙基苯、异丙基苯、正丁基苯、异丁基苯、 仲丁基苯、茴香醚、乙氧基苯、l-甲基萘、环己垸、环己酮、环己基苯、 双环己烷、环己烯基环己酮、正庚基环己垸、正己基环己烷、苯甲酸甲酯、
2-丙基环己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬酮、2-癸酮、二环 己酮，更优选包含二甲苯、茴香醚、均三甲苯、环己基苯、双环己垸、苯 甲酸甲酯中的至少l种。
从成膜性的观点及元件特性等观点考虑，组合物中所含的溶剂的种类 优选为2种以上，更优选为2 3种，进一步优选为2种。
组合物中包含2种溶剂时，其中的l种溶剂在25t:下可以为固体状态。 从成膜性的观点考虑，优选1种溶剂为沸点180'C以上的溶剂、另1种溶 剂为沸点小于180。C的溶剂，更优选1种溶剂为沸点20(TC以上的溶剂、 另1种溶剂为沸点小于18(TC的溶剂。另外，从粘度的观点考虑，优选在 6(TC下，除去组合物中的溶剂后的成分的0.2重量％以上溶解在溶剂中， 优选在25°C下，除去了组合物中的溶剂后的成分的0.2重量％以上溶解在 2种溶剂中的l种溶剂中。
组合物中含有3种溶剂时，其中的1或2种溶剂在25'C下可以为固体 状态。从成膜性的观点考虑，优选3种溶剂中的至少1种溶剂为沸点180 。C以上的溶剂、至少1种溶剂为沸点小于18(TC的溶剂，更优选3种溶剂 中的至少1种溶剂为沸点20(TC以上、30(TC以下的溶剂，至少1种溶剂为 沸点小于18(TC的溶剂。另外，从粘度的观点考虑，优选在6(TC下，除去 组合物中的溶剂后的成分的0.2重量％以上溶解于3种溶剂中的2种溶剂 中，优选在25。C下，除去了组合物中的溶剂后的成分的0.2重量％以上溶 解在3种溶剂中的1种溶剂中。
组合物中含有2种以上溶剂时，从粘度及成膜性的观点考虑，沸点最 高的溶剂优选为组合物中所含的全部溶剂的重量的40~90重量％，更优选 为50 90重量％，进一步优选为65~85重量％。本发明的嵌段共聚物如上所述，可以用作发光元件的发光材料、空穴 输送材料及电子输送材料，为了对得到的发光元件的特性进行改性，可以 根据需要添加其它的发光材料、空穴输送材料及电子输送材料中的至少1 种。
作为上述嵌段共聚物以外的发光材料，例如可举出低分子荧光材料， 作为其具体例，可举出萘衍生物、蒽、蒽衍生物、茈、茈衍生物、聚亚 甲基系色素、噻吨系色素、香豆素系色素、菁系色素等色素类；将8-羟基 喹啉作为配位基的金属络合物、将8-羟基喹啉衍生物作为配位基的金属络 合物、其它荧光性金属络合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯、四苯基环戊 二烯衍生物、四苯基丁二烯、四苯基丁二烯衍生物、芪系、含硅芳香族系、 噁唑系、氧化呋咱系、噻唑系、四芳基甲垸系、噻二唑系、吡唑系、间环 芳系、乙炔系等低分子化合物荧光性材料。具体而言，例如可举出曰本 特开昭57-51781号公报、日本特开昭59-194393号公报等中记载的发光材 料等公知的发光材料。这些发光材料可以单独使用也可以并用两种以上。
作为上述嵌段共聚物以外的空穴输送材料，例如可举出聚乙烯基咔 唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或主链具有芳香族胺的聚硅氧烷 衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、聚 苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚对苯乙炔及 其衍生物、聚(2,5-噻吩乙炔)及其衍生物等。这些空穴输送材料可以单独使 用，也可以并用2种以上。
作为所述嵌段共聚物以外的电子输送材料，例如可举出噁二唑衍生 物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及 其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙 烯及其衍生物、联苯醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚 喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。这些电子输 送材料可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
除所述嵌段共聚物、溶剂、所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌 段共聚物以外的空穴输送材料及所述嵌段共聚物以外的电子输送材料以 外，本发明的组合物还可以根据需要含有稳定剂、用于调节粘度和/或表面 张力的添加剂、抗氧化剂等。这些任意成分分别可以单独使用1种，也可
39以并用2种以上。
作为本发明的组合物可以含有的稳定剂，例如可举出酚系抗氧化剂、 磷系抗氧化剂等。
作为本发明的组合物可以具有的用于调节粘度和/或表面张力的添加 剂，例如可举出用于增大粘度的高分子量化合物(增粘剂)或不良溶剂、 用于减小粘度的低分子量化合物、用于减小表面张力的表面活性剂，及它 们的组合。
作为所述高分子量化合物，为不损害发光及电荷输送的化合物即可， 该组合物包含溶剂时，通常为可溶于该溶剂的化合物。作为高分子量的化 合物，例如可以使用高分子量的聚苯乙烯、高分子量的聚甲基丙烯酸甲酯 等。所述高分子量化合物的聚苯乙烯换算的重均分子量为50万以上，更 优选为100万以上。另外，可以使用不良溶剂作为增粘剂。
作为本发明的组合物可以含有的抗氧化剂，为不阻碍发光及电荷输送 的抗氧化剂即可，该组合物包含溶剂时，通常为可溶于该溶剂的抗氧化剂。
作为抗氧化剂，可例示酚系抗氧剂、磷系抗氧化剂等。通过使用抗氧 化剂，可以改善所述嵌段共聚物、溶剂的保存稳定性。
在本说明书中，所谓"液态组合物"，是指包含所述嵌段共聚物和溶 剂的、在元件制作时为液态的组合物，典型的是指在常压(g卩1个气压)、 25C下为液态的组合物。液态组合物有时通常称为油墨、油墨组合物、溶 液等。本发明的液态组合物对高分子发光元件等发光元件及有机晶体管的 制作是有用的。
在制作高分子发光元件时，使用该液态组合物成膜时，涂敷该液态组 合物后，仅通过干燥除去溶剂即可，并且，在混合所述发光材料、空穴输 送材料、电荷输送材料时，也可以使用相同的方法，因此，在制造上是非
常有利的。这里，在干燥时，可以在升温至50 15(TC程度的状态下进行干 燥，也可以在减压至1(^Pa程度的状态下进行干燥。
作为使用液态组合物的成膜方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹版 涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、狭缝 涂布法、毛细管涂布法、喷涂法、网版印刷法、柔性版印刷、胶版印刷、 喷墨印刷法、喷嘴涂布法等涂布法。从图案形成及多色的分开涂布容易的观点考虑，优选网版印刷法、柔性版印刷、胶版印刷、喷墨印刷法等印刷 法。
液态组合物的粘度根据印刷法而不同，优选在25。C下为0.5 500mPa s 的范围，在喷墨印刷法等液态组合物经过喷出装置时，为了防止喷出时的 孔堵塞及飞行弯曲，粘度优选在25。C下为0.5 20mPa s的范围。
本发明的组合物中的本发明的嵌段共聚物的比例相对于该组合物的 总重量，通常为1重量％ 99.9重量％，优选为10重量％ 99.9重量％，进 一步优选为20重量％~99.9重量％。
本发明的组合物含有溶剂时，该组合物中的溶剂的比例相对于该组合 物的总重量通常为1重量％~99.9重量％，优选为60重量％~99.9重量％， 进一步优选为90重量％~99.8重量％。
本发明的组合物在含有本发明的嵌段共聚物以外的发光材料时，该组 合物中的该发光材料的比例相对于该组合物的总重量通常为1重量％ 80 重量％,优选为5重量％~60重量％。
本发明的组合物在含有本发明的嵌段共聚物以外的空穴输送材料时， 该组合物中的该空穴输送材料的比例相对于该组合物的总重量通常为1重 量％~80重量％，优选为5重量％~60重量％。
本发明的组合物在含有本发明的嵌段共聚物以外的电子输送材料时， 该组合物中的该电子输送材料的比例相对于该组合物的总重量通常为1重 量％ 80重量％，优选为5重量％~60重量％。
在本发明的组合物中，本发明的嵌段共聚物的比例；和溶剂、所述嵌 段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴输送材料、或者所 述嵌段共聚物以外的电子输送材料或它们的2种以上的组合物的比例；以
及根据需要添加的上述其它任意成分的比例的总和相对于该组合物的总 重量为100重量％。 <用途>
本发明的嵌段共聚物不仅可以用作发光材料，而且可以用作薄膜、有 机半导体材料、有机晶体管、光学材料、太阳电池或通过掺杂用作导电性 材料。
对本发明的薄膜进行说明。该薄膜是使用所述嵌段共聚物而成的薄膜。作为薄膜的种类，可例示发光性薄膜、导电性薄膜、有机半导体薄膜
本发明的发光性薄膜含有本发明的嵌段共聚物。该发光性薄膜还可以 进一步含有所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴 输送材料、或者所述嵌段共聚物以外的电子输送材料，或它们的2种以上 的组合。这些发光材料、空穴输送材料及电子输送材料的例子如上所述。 从元件的亮度及发光电压等的观点考虑，发光性薄膜优选发光的量子收率
为50%以上，更优选为60%以上，进一步优选为70%以上。
导电性薄膜优选表面电阻为1KQ/口以下。通过在薄膜中掺杂路易酸、 离子性化合物等，可以提高导电率。表面电阻更优选为100Q/口以下，进 一步优选为10Q/口以下。
对于有机半导体薄膜，电子迁移率或空穴迁移率中的任一较大者优选 为1(^cm々V秒以上，更优选为1(^cm々V秒以上，进一步优选为10"cmVv 秒以上。另外，可以使用有机半导体薄膜制作有机晶体管。具体而言，可 以通过在形成有Si02等绝缘膜和栅电极的Si基板上形成有机半导体薄膜、 用Au等形成源电极和漏电极，由此形成有机晶体管。
下面对作为有机晶体管的一个方案的高分子场效应晶体管进行说明。
本发明的嵌段共聚物可以优选用作高分子场效应晶体管的材料特别 是中性层。作为高分子场效应晶体管的结构，通常，以源电极及漏电极连 接在包含高分子的活性层上的方式设置、进而以夹持连接在活性层的绝缘 层的方式设置栅电极即可。
高分子场效应晶体管通常形成于支撑基板上。作为支撑基板，只要不 阻碍作为场效应晶体管的特性，材质就没有特别限定，除了Si基板以外， 还可以使用玻璃基板及柔性薄膜基板及塑料基板。
高分子场效应晶体管可以通过公知的方法例如日本特开平5-110069 号公报中记载的方法制造。
形成活性层时，使用本发明的嵌段共聚物溶解于溶剂中而形成的溶液 在制造上是非常有利的，因此优选。作为利用溶液成膜的方法，可以使用 旋涂法、浇铸法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂 布法、浸渍涂布法、狭缝涂布法、毛细管涂布法、喷涂法、网版印刷法、
42柔性版印刷、胶版印刷、喷墨印刷法、喷嘴涂布法等涂布法。从图案形成 及多色的分开涂布容易的观点考虑，优选网版印刷法、柔性版印刷、胶版 印刷、喷墨印刷法等印刷法。
优选制作高分子场效应晶体管后进行密封而成的密封高分子场效应 晶体管。由此，高分子场效应晶体管与大气隔绝，可以抑制高分子场效应 晶体管的特性降低。
作为密封的方法，可举出用紫外线(UV)固化树脂、热固化树脂及无 机SiONx膜等覆盖的方法；用UV固化树脂、热固化树脂等将玻璃板或薄 膜粘起来的方法等。为了有效地与大气隔绝，优选从制作高分子场效应晶 体管后到迸行密封的工序在不暴露在大气中(例如在干燥的氮气氛围中、真 空中等)的情况下进行。
以下对有机太阳电池进行说明。用作为有机太阳电池的一个方式的有 机光电转换元件说明利用光生伏打效应的固体光电转换元件。
本发明的嵌段共聚物可以优选用作有机光电转换元件的材料、特别是 利用了有机半导体和金属的界面的肖特基势垒型元件的有机半导体层、或
者利用有机半导体和无机半导体或者有机半导体之间的界面的pn异质结
型元件的有机半导体层。
并且可以优选用作使给电子体-受电子体的接触面积增大的体异质结 型元件的给电子性高分子、受电子性高分子，或使用了高分子，低分子复 合体系的有机光电转换元件例如分散有富勒烯衍生物作为受电子体的体 异质结型有机光电转换元件的给电子性共轭系高分子(分散支撑体)。
作为有机光电转换元件的结构，例如对于pn异质结型元件，在欧姆 性电极例如ITO上形成p型半导体层，进而层叠n型半导体层，在其上设 置欧姆性电极即可。
有机光电转换元件通常形成于支撑基板上。作为支撑基板，只要为不 阻碍作为有机光电转换元件的特性的材质就没有特别限定，除了 Si基板以 外，还可以使用玻璃基板、柔性薄膜基板或塑料基板。
有机光电转换元件可以通过公知的方法例如Synth.Met.,102，982(1999) 中记载的方法或Science,270，1789(1995)中记载的方法来制造。
以下对本发明的高分子发光元件进行说明。
43本发明的高分子发光元件具有阳极、阴极和包含所述嵌段共聚物且设 置在该阳极和该阴极之间的有机层。所述有机层可以进一步包含所述嵌段 共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴输送材料或者所述嵌 段共聚物以外的电子输送材料，或它们的2种以上的组合。这些发光材料、 空穴输送材料及电子输送材料的例子如上所述。本发明的高分子发光元件 中，所述有机层优选为发光层。
另外，作为本发明的高分子发光元件，可举出(l)在阴极和发光层之 间设置有电子输送层的高分子发光元件、(2)在阳极和发光层之间设置有空 穴输送层的高分子发光元件、(3)在阴极和发光层之间设置有电子输送层且 在阳极和发光层之间设置有空穴输送层的高分子发光元件等。
更具体而言，可例示以下a) d)的结构。
a) 阳极/发光层/阴极
b) 阳极/空穴输送层/发光层/阴极
c) 阳极/发光层/电子输送层/阴极
d) 阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极 (这里，/表示各层邻接而层叠。以下相同。)
这里，所谓发光层是具有发光功能的层，所谓空穴输送层是具有输送 空穴的功能的层，所谓电子输送层是具有输送电子的功能的层。这里，将 电子输送层和空穴输送层统称为电荷输送层。发光层、空穴输送层、电子
输送层可以独立地使用2层以上。
另外，有时将邻接于发光层的空穴输送层称为夹层。 发光层的成膜方法没有限定，可例示利用溶液成膜的方法。 作为利用溶液成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹版涂布法、 凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、狭缝涂布法、 毛细管涂布法、喷涂法、网版印刷法、柔性版印刷、胶版印刷、喷墨印刷 法、喷嘴涂布法等涂布法。从图案形成及多色的分开涂布容易的观点考虑， 优选网版印刷法、柔性版印刷、胶版印刷、喷墨印刷法等印刷法。
在制作高分子发光元件时，通过使用本发明的嵌段共聚物，利用溶液 成膜时，涂布该溶液后，仅通过干燥除去溶剂即可，并且，在混合所述发 光材料、空穴输送材料、电荷输送材料时，也可以使用相同的方法，因此，在制造上是非常有利的。
作为发光层的膜厚，根据所使用的材料的不同，最适合的值不同，以
驱动电压和发光效率为适当的值的方式进行选择即可，例如为lmn liim， 优选为2nm 500nm，进一步优选为5nm 200nm。
在本发明的高分子发光元件中，可以在发光层中混合所述嵌段共聚物 以外的发光材料使用。另外，在本申请发明的高分子发光元件中，包含所 述嵌段共聚物以外的发光材料的发光层还可以与包含所述嵌段共聚物的 发光层层叠。
作为所述嵌段共聚物以外的发光材料，可以使用公知的发光材料。作 为低分子化合物，例如可以使用萘衍生物、蒽及其衍生物、茈及其衍生物、 聚亚甲基系、噻吨系、香豆素系、菁系等色素类；8-羟基喹啉及其衍生物 的金属络合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯及其衍生物、四苯基丁二烯及 其衍生物等。
具体而言，例如可举出日本特开昭57-51781号公报、日本特开昭 59-194393号公报等中记载的发光材料等公知的发光材料。
本发明的高分子发光元件具有空穴输送层时，作为所使用的空穴输送 材料，可例示聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅垸及其衍生物、在侧链或 主链具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍 生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡 咯及其衍生物、聚对苯乙炔及其衍生物、聚(2,5-噻吩乙炔)及其衍生物等。 具体而言，作为该空穴输送材料，可例示日本特开昭63-70257号公报、日 本特开昭63-175860号公报、日本特开平2-135359号公报、日本特开平 2-135361号公报、日本特开平2-209988号公报、日本特开平3-37992号公 报、日本特开平3-152184号公报中记载的材料等。
其中，作为空穴输送层所使用的空穴输送材料，优选聚乙烯基咔唑及 其衍生物、聚硅烷及其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺化合物基团的 聚硅氧烷衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对苯乙炔及 其衍生物、聚(2,5-噻吩乙炔)及其衍生物等高分子空穴输送材料，更优选聚 乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅垸及其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺 的聚硅氧垸衍生物。为低分子空穴输送材料时，优选分散在高分子粘合剂中使用。
聚乙烯基咔唑及其衍生物例如可以由乙烯基单体进行阳离子聚合或 自由基聚合而得到。
作为聚硅烷及其衍生物，可例示Chem.Rev.第89巻、1359页(1989年)、 英国特许GB2300196号公开说明书中记载的化合物等。合成方法也可以 使用这些中记载的方法，特别优选使用Kipping法。
聚硅氧烷衍生物的硅氧垸骨架结构几乎不具有空穴输送性，因此，优 选使用在侧链或主链具有上述低分子空穴输送材料的结构的材料。特别可 例示在侧链或主链具有空穴输送性的芳香族胺的材料。
空穴输送层的成膜方法没有限定，为低分子空穴输送材料时，可例示 由与高分子粘合剂的混合溶液成膜的方法。另外，为高分子空穴输送材料 时，可例示利用溶液成膜的方法。
作为利用溶液成膜时使用的溶剂，只要是可以溶解空穴输送材料的溶 剂就没有特别限定。作为该溶剂，可例示氯仿、二氯甲垸、二氯乙垸等 氯系溶剂；四氢呋喃等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂；丙酮、 甲乙酮等酮系溶剂；醋酸乙酯、醋酸丁酯、以及溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂。
作为利用溶液成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹版涂布法、 凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂布法、狭缝涂布法、 毛细管涂布法、喷涂法、网版印刷法、柔性版印刷、胶版印刷、喷墨印刷 法、喷嘴涂布法等涂布法。从图案形成及多色的分开涂布容易的观点考虑， 优选网版印刷法、柔性版印刷、胶版印刷、喷墨印刷法等印刷法。
作为混合的高分子粘合剂，优选不极度阻碍电荷输送的粘合剂，并且 优选使用对可见光的吸收强的粘合剂。作为该高分子粘合剂，可例示聚 碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、 聚氯乙烯、聚硅氧垸等。
作为空穴输送层的膜厚，根据所使用的材料的不同，最适合的值也不 同，以驱动电压和发光效率成为适当的值的方式进行选择即可，至少需要 为不产生针孔的厚度，过厚时，元件的驱动电压变高，不优选。因此，作 为该空穴输送层的膜厚，例如为lnm lpm，优选为2nm 500nm，进一步 优选为5nm 200nm。本发明的高分子发光元件具有电子输送层时，作为所使用的电子输送 材料，可以使用公知的材料，可例示噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍 生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌 二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、联苯醌 衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹 喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。具体而言，可例示日本特开昭
63-70257号公报、日本特开昭63-175860号公报、日本特开平2-135359 号公报、日本特开平2-135361号公报、日本特开平2-209988号公报、日 本特开平3-37992号公报、日本特开平3-152184号公报中记载的材料等。
其中，进一步优选噁二唑衍生物、苯醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、 8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其 衍生物、聚芴及其衍生物，更优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-l,3，4-噁 二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。
作为电子输送层的成膜法，没有特别限定，为低分子电子输送材料时， 可例示利用粉末的真空蒸镀法、利用溶液或熔融状态的材料成膜的方法； 为高分子电子输送材料时，可例示利用溶液或熔融状态的材料成膜的方 法。利用溶液或熔融状态的材料成膜时，可以并用高分子粘合剂。
作为利用溶液成膜时使用的溶剂，只要是使电子输送材料和/或高分子 粘合剂溶解的溶剂就没有特别限定。作为该溶剂，氯仿、二氯甲垸、二氯 乙烷等氯系溶剂；四氢呋喃等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂; 丙酮、甲乙酮等酮系溶剂；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯 系溶剂。
作为利用溶液或熔融状态的材料成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸 法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸渍涂 布法、狭缝涂布法、毛细管涂布法、喷涂法、网版印刷法、柔性版印刷、 胶版印刷、喷墨印刷法、喷嘴涂布法等涂布法。从图案形成及多色的分开 涂布容易的观点考虑，优选网版印刷法、柔性版印刷、胶版印刷、喷墨印 刷法等印刷法。
作为混合的高分子粘合剂，优选不极度阻碍电荷输送的粘合剂，并且 优选使用对可见光的吸收不强的粘合剂。作为该高分子粘合剂，可例示聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对苯乙炔 及其衍生物、聚(2,5-噻吩乙炔)及其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲 基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。
作为电子输送层的膜厚，根据所使用的材料的不同，最合适的值也不 同，以驱动电压和发光效率为合适的值的方式选择即可，至少需要为不产 生针孔的厚度，过厚时元件的驱动电压变高，不优选。因此，作为该电子
输送层的膜厚，例如为lnm lpm，优选为2nm 500nm，进一步优选为 5nm 200nm。
另外，邻接电极设置的电荷输送层中，具有改善从电极注入电荷的效 率的功能、且具有降低元件的驱动电压的效果的层有时通常被特别称为电 荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。
为了进一步提高与电极的密合性及改善从电极注入电荷的效率，可以 邻接电极地设置所述电荷注入层或绝缘层，另外，为了提高界面密合性及 防止混合等，可以在电荷输送层及发光层的界面插入薄的缓冲层。
对于层叠的层的顺序及数目及各层的厚度，考虑发光效率及元件寿命 进行适当选择即可。
在本发明中，作为设置有电荷注入层(电子注入层、空穴注入层)的高 分子发光元件，可举出邻接阴极及阳极的任何一方或两方设置电荷注入 层的高分子发光元件。
例如，具体可举出以下e) p)的结构。
e) 阳极/电荷注入层/发光层顺极
f) 阳极/发光层/电荷注入层/阴极
g) 阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极
h) 阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/阴极
i) 阳极/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极 j)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极 k)阳极/电荷注入层/发光层/电荷输送层/阴极 1)阳极/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极 m)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极 n)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷输送层/阴极
48O)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极 P)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极 作为电荷注入层的具体例子，可例示包含导电性高分子的层；设置 在阳极和空穴输送层之间，包含具有阳极材料和空穴输送层所含的空穴输 送材料的中间值的离子化电势的材料的层；设置在阴极和电子输送层之 间，包含具有阴极材料和电子输送层所含的电子输送材料的中间值的电子 亲和力的材料的层等。
上述电荷注入层为包含导电性高分子的层时，该导电性高分子的导电
率优选为l(T5S/cm以上、10、/cm以下，为了减小发光像素间的漏电流， 更优选为l(T5S/cm以上、102S/cm以下，进一步优选为l(T5S/cm以上、 10'S/cm以下。通常，为了使该导电性高分子的导电率在l(T5S/cm以上、 10、/cm以下，在该导电性高分子中掺杂适量的离子。
对于掺杂的离子的种类，如果为空穴注入层，则为阴离子，如果为电 子注入层，则为阳离子。作为阴离子的例子，可举出聚苯乙烯磺酸离子、 烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子等，作为阳离子的例子，可举出锂离子、
钠离子、钾离子、四丁基铵离子等。
电荷注入层的膜厚例如为lnm 100nm，优选为2nm 50nm。 电荷注入层所使用的材料根据与电极及邻接的层的材料的关系适当 选择即可，可例示聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其
衍生物、聚对苯乙炔及其衍生物、聚噻吩乙炔及其衍生物、聚喹啉及其衍 生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主链或侧链含有芳香族胺结构的聚合物等 导电性高分子、金属酞菁(铜酞菁等)、碳等。
绝缘层是具有使电荷注入更容易的功能的层。该绝缘层的平均厚度通
常为0.1 20nm，优选为0.5 10nm，更优选为1 5nm。作为绝缘层的材料，
可举出金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。作为设置有绝缘层 的高分子发光元件，可举出邻接阴极及阳极的任一方或两方设置绝缘层 的高分子发光元件。
具体而言，例如可举出以下q) ab)的结构。
q)阳极/绝缘层/发光层/阴极 r)阳极/发光层/绝缘层/阴极S)阳极/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极
t)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层顺极
U)阳极/空穴输送层/发光层/绝缘层/阴极
"阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/绝缘层/阴极
W)阳极/绝缘层/发光层/电荷输送层/阴极
X)阳极/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极
y)阳极/绝缘层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极
Z)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极
aa) 阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极
ab) 阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极 形成本发明的高分子发光元件的基板为在形成电极及有机物的层时
不发生变化的基板即可，例如可例示玻璃、塑料、高分子薄膜、硅等基 板。为不透明基板时，优选与更靠近该基板的电极相反一侧的电极为透明 或半透明。
本发明中，通常，优选包含阳极及阴极的电极的至少一方为透明或半 透明，且阳极侧为透明或半透明。
作为阳极的材料，使用导电性金属氧化物膜、半透明的金属薄膜等。 具体而言，使用由包含氧化铟、氧化锌、氧化锡及它们的复合体即铟锡氧 化物(ITO)、铟锌氧化物等导电性玻璃制成的膜(NESA等)及金、白金、银、 铜等，优选ITO、铟锌氧化物、氧化锡。作为制作方法，可举出真空蒸 镀法、溅射法、离子镀法、电镀法等。另外，作为该阳极，可以使用聚苯 胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等有机透明导电膜。
阳极的膜厚可以根据透光性和导电率适当选择，例如为10nm 10(am，
优选为20nm lpm，更优选为50nm 500nm。
另外，为了容易地注入电荷，可以在阳极上设置包含酞菁衍生物、导 电性高分子及碳等的层，或包含金属氧化物、金属氟化物及有机绝缘材料 等的层。
作为阴极材料，优选功函数小的材料，例如使用锂、钠、钾、铷、铯、 铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、硒、钐、铕、铽、镱等 金属；及它们的2种以上的合金；或它们的l种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、铬、镍、钩、锡中的1种以上的合金；石墨或石墨层间化合物等。 作为合金的例子，可举出镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、 锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。可以使阴极为2层以上 的层叠结构。
阴极的膜厚可以根据导电率及耐久性适当选择，例如为10nm 10(im， 优选为20nm l(im，更优选为50nm 500nm。
作为阴极的制作方法，使用真空蒸镀法、溅射法、或热压接金属薄膜 的层压法等。另外，可以在阴极和有机层之间设置包含导电性高分子的层， 或包含金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等的层，在制作阴极后， 可以安装保护该高分子发光元件的保护层。为了长期稳定地使用该高分子 发光元件，优选安装用于保护元件不受外部影响的保护层和/或保护罩。
作为该保护层，可以使用树脂、金属氧化物、金属氟化物、金属硼化 物等。另外，作为保护罩，可以使用玻璃板、表面实施了低透水率处理的 塑料板等，优选使用通过热固化树脂或光固化树脂使该罩与元件基板粘贴 进行密闭的方法。使用间隔物来维持空间时，可较容易地防止元件受损。 在该空间封入氮气或氩气这样的惰性气体时，可以防止阴极氧化，并且， 通过进一步在该空间内设置氧化钡等干燥剂，可容易地抑制制造工序中吸 附的水分损坏元件。其中，优选采取任意一种以上的对策。
本发明的高分子发光元件可以用于面状光源、分段显示装置、点阵显 示装置、液晶显示装置(例如背光灯等)等显示装置等。
为了使用本发明的高分子发光元件得到面状的发光，以面状的阳极和 阴极重合的方式进行配置即可。另外，为了得到图案状的发光，有以下方 法在所述面状发光元件的表面设置设有图案状的窗的掩膜的方法；极厚 地形成非发光部的有机层，使其基本上不发光的方法；使阳极或阴极的任 一个或两个电极形成图案状的方法。通过用它们中的任一个方法形成图 案，并以可以独立地ON/OFF几个电极的方式进行配置，可以得到能显示 数字、文字、简单的符号等的分段型显示元件。进一步，为了形成点阵元 件，以阳极和阴极均形成条纹状并垂直相交的方式进行配置即可。采用分 开涂布多种发光色不同的高分子化合物的方法、或使用滤光片或荧光转换 滤光片的方法，可以进行部分颜色显示、多色显示。点阵元件可以进行被动驱动，也可以与TFT等组合进行主动驱动。这些显示元件可以用作计算 机、电视、便携式终端、手机、汽车导航仪、摄影机的取景器等的显示装 置。
进一步，所述面状发光元件为自发光薄型，可以优选用作液晶显示器 的背光灯用面状光源、或面状照明用光源。另外，使用柔性基板时，还可 以用作曲面状光源及显示装置。
实施例
以下列举实施例及比较例对本发明进行更详细地说明，本发明并不受 这些实施例的限定。
(实施例1)高分子化合物〈P-^的合成
:/口 y夕B
在惰性氛围下，混合2,7-双(1，3,2-二氧硼戊环-2-基)-9,9-二己基芴 (0.69g)、 4,7-二溴-2,l,3-苯并噻二唑(0.40g)、 4，7-双(5-溴-4-甲基-2-噻吩 基)-2，1,3-苯并噻二唑(O.llg) 、 二氯双(三苯基膦)钯(3.3mg)、 Aliquat336(0.20g，阿尔德里奇(Aldrich)制)、甲苯(16mL)，加热至105"。 向该反应液中滴加2MNa2C03水溶液(5mL)，回流4小时。这时的聚苯乙 烯换算重均分子量为2*104。冷却至701:后，向反应液中混合2,7-双(1,3,2-二氧硼戊环-2-基)-9,9-二己基芴(1.46g)、 2,7-二溴-9,9-二己基芴(0.66g)、双 (4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.52g)、 N，N'-双-(4-溴苯基)-N,N'-二对甲苯 -9,9- 二辛基芴-2,7- 二胺(0.41g) 、 二氯双(三苯基膦)钯(6.2mg)、Aliquat336(0.38g，阿尔德里奇制)、甲苯(30mL)，加热至105。C。向该反应 液中滴加2MNa2C03水溶液(8mL)，回流7小时。反应后，添加苯基硼酸 (0.05g)，再回流2小时。然后，添加二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在 8(TC搅拌2小时。冷却后，用水(100mL)洗涤3次，用3重量％醋酸水溶 液(100mL)洗涤3次，用水(100mL)洗涤3次，使其通过氧化铝柱子、硅胶 柱子，进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(1.5L)中，搅拌1小时后， 过滤得到的固体，并使其干燥。得到的高分子化合物<^1>的产量为2.45g。
高分子化合物<^1>的聚苯乙烯换算重均分子量为2.9xl05，聚苯乙烯 换算数均分子量9.5X104。
这里，4,7-二溴-2,1,3-苯并噻二唑根据US3577427记载的方法合成， 4,7-双(5-溴-2-噻吩基)-2， 1,3-苯并噻二唑及4,7-双(5-溴-4-甲基-2-噻吩 基)-2,1,3-苯并噻二唑根据WO00/046321记载的方法合成，双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺根据WO02/045184记载的方法合成，N,N'-双-(4-溴苯 基)-N，N，-二对甲苯-9,9-二辛基芴-2,7-二胺根据WO2005/049548记载的方 法合成。
(比较例1)高分子化合物〈P-2〉的合成
在惰性氛围下，混合2,7-双(1，3,2-二氧硼戊环-2-基)-9,9-二己基笏 (0.69g)、 4,7-二溴-2,l,3-苯并噻二唑(0.35g)、 4，7-双(5-溴-4-甲基-2-噻吩 基)-2,l,3-苯并噻二唑(0.10g)、 2，7-二溴-9,9-二己基芴(0.59g)、双(4-溴苯 基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.46g)、N,N，-双-(4-溴苯基)-N，N，-二对甲苯-9,9-二辛 基芴-2，7-二胺(0.36g)、 二氯双(三苯基膦)钯(8.4mg)、 Aliquat336(0.52g，阿 尔德里奇制)、甲苯(40mL)，加热至105'C。向该反应液中滴加2MNa2C03 水溶液(llmL)，回流7小时。反应后，添加苯基硼酸(0.05g)，再回流2小时。然后，添加二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80。C搅拌2小时。冷
却后，用水(100mL)洗涤3次，用3重量。/。醋酸水溶液(100mL)洗涤3次， 用水(100mL)洗涤3次，使其通过氧化铝柱子、硅胶柱子，进行精制。将 得到的甲苯溶液滴加到甲醇(1.5L)中，搅拌1小时后，过滤得到的固体， 并使其干燥。得到的高分子化合物<^2>的产量为1.83g。
高分子化合物<^2>的聚苯乙烯换算重均分子量为2.6xl05，聚苯乙烯 换算数均分子量9.8X104。
(合成例1)高分子化合物<^3>的合成
在惰性氛围下，混合2,7-双(1,3,2-二氧硼戊环-2-基)-9,9-二辛基芴 (5.20g)、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.14g)、醋酸钯(2.2mg)、三(2-甲 基苯基)膦(15.1mg)、 Aliquat336(0.91g，阿尔德里奇制)、甲苯(70mL)，加 热至105。C。向该反应液中滴加2MNa2C03水溶液(19mL)，回流4小时。 反应后，添加苯基硼酸(121mg)，再回流3小时。然后，添加二乙基二硫 代氨基甲酸钠水溶液，在80'C搅拌4小时。冷却后，用水(60mL)洗涤3 次，用3重量y。醋酸水溶液(60mL)洗涤3次，用水(60mL)洗涤3次，使其 通过氧化铝柱子、硅胶柱子，进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(3L) 中，搅拌3小时后，过滤得到的固体，并使其干燥。得到的高分子化合物 4-3>的产量为5.25g。
高分子化合物〈P-3〉的聚苯乙烯换算重均分子量为2.6X105,聚苯乙 烯换算数均分子量为1.2xl05。
(比较例2)高分子化合物〈P-4〉的合成<formula>formula see original document page 55</formula>丫
嵌段B'
在惰性氛围下，混合2,7-双(1，3,2-二氧硼戊环-2-基)-9,9-二己基芴 (0.77g)、 4，7-二溴-2，l,3-苯并噻二唑(0.44g)、 4,7-双(5-溴-4-甲基-2-噻吩 基)-2，1,3-苯并噻二唑(0.15g) 、 二氯双(三苯基膦)钯(3.8mg)、 Aliquat336(0.25g，阿尔德里奇制)、甲苯(25mL)，加热至105。C。向该反应 液中滴加2MNa2C03水溶液(5mL)，回流2小时。这时的聚苯乙烯换算重 均分子量为7.2x103。冷却至70。C后，向反应液中混合2,7-双(l,3,2-二氧硼 戊环-2-基)-9，9-二己基芴(2.09g)、 2,7-二溴-9,9-二己基芴(U8g)、双(4-溴苯 基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.83g) 、 二氯双(三苯基膦)钯(8.8mg)、 Aliquat336(0.55g，阿尔德里奇制)、甲苯(45mL)，加热至105。C。向该反应 液中滴加2MNa2C03水溶液(11.4mL)，回流1小时。反应后，添加苯基硼 酸(0.07g)，再回流2小时。然后，添加二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液， 在8(TC搅拌2小时。冷却后，用水(80mL)洗涤2次，用3重量％醋酸水溶 液(80mL)洗涤2次，用水(80mL)洗涤2次，使其通过氧化铝柱子、硅胶柱 子，进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(1.0L)中，搅拌1小时后， 过滤得到的固体，并使其干燥。得到的高分子化合物〈P-4〉的产量为2.76g。
高分子化合物<^4>的聚苯乙烯换算数均分子量为8.8xl04，聚苯乙烯 换算重均分子量1.9X105。
(实施例2)
发光元件的制作
通过溅射法以150nm的厚度在带ITO膜的玻璃基板承载聚(3,4-亚乙 二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(拜尔制，商品名BaytronP)的悬浮液，通过旋 涂法成膜，形成约65nm的厚度，在热板上，在200。C下干燥15分钟。然后，使高分子化合物<^3>以1.5重量％的浓度溶解在混合二甲苯中，将得
到的二甲苯溶液承载在BaytronP的膜上，通过旋涂法成膜后，在氧浓度及 水分浓度10ppm以下(重量基准)的氮气氛围下，在20(TC下干燥1小时。 干燥后，通过在大气中使用混合二甲苯冲洗可溶成分，形成厚度约10nm 左右的高分子化合物<^3>的膜。然后，使高分子化合物〈P-1〉以1.5重量 %的浓度溶解在混合二甲苯中，将得到的二甲苯溶液承载在高分子化合物 <^3>的膜上，通过旋涂法成膜，形成约100nm的厚度。然后，在氧浓度 及水分浓度10ppm以下(重量基准)的氮气氛围下，在13(TC下干燥1小时。 减压至1.0xl(T4Pa以下后，作为阴极，在高分子化合物〈P-1〉的膜上蒸镀 约5nm钙，然后在钙层上蒸镀约80nm铝。蒸镀后，通过使用玻璃基板进 行密封，制作高分子发光元件。元件构成如下所述。
ITO/BaytronP(约70nm)/高分子化合物<P-3>( 10nm)/高分子化合物 〈P-l〉(约100nm)/Ba/Al EL元件的性能
对得到的高分子发光元件施加10.0V电压时，发出发光波长的峰顶为 645nm的荧光，这时的亮度为5315cd/m2，发光效率为1.5cd/A。 (比较例3) 发光元件的制作
在实施例2中，代替高分子化合物〈P-1〉，使用高分子化合物〈P-2、 除此以外，与实施例2同样操作，制作高分子发光元件。元件构成如下所 述。
ITO/BaytronP(约70nm)/高分子化合物<P-3>( 1 Onm)/高分子化合物 〈P-2〉(约100nm)/Ba/Al 'EL元件的性能
对得到的高分子发光元件施加IO.OV电压时，得到发光波长的峰顶为 645nm的荧光，这时的亮度为3062cd/m2，发光效率为1.3cd/A。
产业实用性
如以上所说明，根据本发明，可以提供在用作发光元件的材料时，能 制造能高亮度发光的发光元件的嵌段共聚物、以及使用该嵌段共聚物的组合物、液态组合物、发光性薄膜及高分子发光元件。
本发明的嵌段共聚物可以用作发光元件的发光材料、空穴输送材料及 电子输送材料，包含本发明的嵌段共聚物的发光元件可以用于液晶显示器 的背光灯或照明用的曲面状或平面状光源等。
权利要求
1、一种嵌段共聚物，其特征在于，包含下述嵌段(A)和下述嵌段(B)，所述嵌段(A)含有下述式(I)所示的重复单元及下述式(II)所示的重复单元，所述嵌段(B)含有下述式(II)所示的重复单元、下述式(III)所示的重复单元及下述式(IV)所示的重复单元，-Ar1-(I)式(I)中，Ar1表示含有5元环的2价杂环基，-Ar2-(II)式(II)中，Ar2表示亚芳基，式(III)中，R1、R2、R3、R4、R5及R6独立地表示卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，a及b独立地表示0～4的整数，c及d独立地表示0～5的整数，e及f独立地表示0～3的整数，其中，R1、R2、R3、R4、R5及R6中的至少一种存在多个时，该存在的多个原子或基团可以相同或不同，R7和R8独立地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，式(IV)中，R9～R34独立地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，m及p独立地表示0或1，其中，R11与R13、R12与R21、R25与R34以及R30与R31的组合中的至少一个组合可不表示上述原子或基团，而合为一体形成单键或由式-O-或式-S-表示的2价基团。
2、根据权利要求1所述的嵌段共聚物，其中， 上述式(I)中，Ar,为下述式(V)所示的基团，<formula>formula see original document page 3</formula>式(V)中，R35、 R36、 R37、 R38、 R39及R4o独立地表示氢原子、卤原子、 烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳 垸硫基、芳烯基、芳炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰 基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，n及o独立地表示0 3的整数，X,、 X2及X3独立地表示氧原子或硫原子，其中，R35、 R36、 R39、 R40、 X,及X3中的至少1种存在多个时，该存 在的多个原子或基团可以相同或不同。
3、 根据权利要求2所述的嵌段共聚物，其中，上述式(V)中，X,、 X2及X3为硫原子。
4、 根据权利要求1 3中任一项所述的嵌段共聚物，其中， 上述式(II)中，Ar2为下述式(VI)所示的基团，式(VI)中，R43及R44独立地表示齒原子、垸基、垸氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、 1价杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰 胺基、酰亚胺基、羧基、氰基或硝基，e及f独立地表示0~3的整数，其中，R43及R44中的至少一种存在多个时，该存在的多个原子或基团可以相同或不同，R45及R46独立地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳垸氧基、芳垸硫基、芳烯基、芳炔基、1价 杂环基、杂环硫基、氨基、甲硅垸基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、 酰亚胺基、羧基、氰基或硝基。
5、 根据权利要求1~4中任一项所述的嵌段共聚物，其中， 上述式(IV)中，p及m为0。
6、 根据权利要求1~5中任一项所述的嵌段共聚物，其中， 所述嵌段共聚物的聚苯乙烯换算的重均分子量为1 X 103 1 X 107。
7、 根据权利要求1~6中任一项所述的嵌段共聚物，其中， 嵌段(A)的聚苯乙烯换算的重均分子量为1 X 103 1 X 105。
8、 根据权利要求1 7中任一项所述的嵌段共聚物，其中， [A]/[B]在0.1以上、10以下，所述式[A]/[B]中，[A]表示嵌段(A)相对于嵌段(A)及嵌段(B)的总计的 摩尔分率，[B]表示嵌段(B)相对于嵌段(A)及嵌段(B)的总计的摩尔分率。
9、 一种组合物，其特征在于，含有 权利要求1 8中任一项所述的嵌段共聚物；和溶剂、所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴 输送材料或所述嵌段共聚物以外的电子输送材料，或者它们的2种以上的 组合。
10、 根据权利要求9所述的组合物，其中， 含有至少2种所述嵌段共聚物。
11、 一种发光性薄膜，其特征在于， 含有权利要求1~8中任一项所述的嵌段共聚物。
12、 根据权利要求ll所述的发光性薄膜，其中， 所述发光性薄膜还含有所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴输送材料或所述嵌段共聚物以外的电子输送材料，或者它 们的2种以上的组合。
13、 一种高分子发光元件，其特征在于， 具有阳极、阴极及下述有机层，所述有机层包含权利要求1 8中任一项所述的嵌段共聚物，且设置于 所述阳极和所述阴极之间。
14、 根据权利要求13所述的高分子发光元件，其中， 所述有机层还包含所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴输送材料或所述嵌段共聚物以外的电子输送材料，或者它们的 2种以上的组合。
15、 根据权利要求13或14所述的高分子发光元件，其中， 所述有机层为发光层。
全文摘要
本发明提供嵌段共聚物、组合物、发光性薄膜和高分子发光元件，所述嵌段共聚物的特征在于，包含嵌段(A)和嵌段(B)，所述嵌段(A)含有包含含5元环的2价杂环基的重复单元及包含亚芳基的重复单元，所述嵌段(B)含有包含亚芳基的重复单元及包含特定的2价芳香族胺残基的不同的2种重复单元。所述组合物含有所述嵌段共聚物；和溶剂、所述嵌段共聚物以外的发光材料、所述嵌段共聚物以外的空穴输送材料或者所述嵌段共聚物以外的电子输送材料，或它们的2种以上的组合。所述发光性薄膜的特征在于，含有所述嵌段共聚物。所述高分子发光元件的特征在于，具有阳极、和阴极和含有所述嵌段共聚物且设置在该阳极和该阴极之间的有机层。
文档编号H01L51/50GK101595155SQ20088000352
公开日2009年12月2日 申请日期2008年2月1日 优先权日2007年2月1日
发明者中谷智也, 柿本秀信 申请人:住友化学株式会社