在晶圆上沉积薄膜的装置与方法以及进行填隙沟渠的方法

专利名称：在晶圆上沉积薄膜的装置与方法以及进行填隙沟渠的方法
技术领域：
本揭露内容有关于一种在晶圆上沉积薄膜的装置及其方法以及一种填隙沟渠的 方法，且更特定而言，有关于一种用于填隙制造工艺(即制程，以下均称为制造工艺)的沉 积薄膜的装置及其方法以及一种用于半导体元件的填隙方法。
背景技术：
半导体元件制造工艺通常以在半导体基板上形成MOS晶体管的制造工艺作为开 始。使用浅沟槽隔离(STI)来实施形成MOS晶体管的制造工艺。在相关技术的STI制造 工艺中，通常借由化学气相沉积(CVD)来形成沟渠填充氧化物。然而，在具有较大高宽比 (aspect ratio)的狭窄图案中，使用借由CVD形成的氧化物的填隙具有一定局限。为了解决该填隙问题，最近已经开始应用高密度等离子体(HDP) CVD或次大气 压(SA)-CVD，在高密度等离子体(HDP) CVD中使用诸如硅烷(SiH4)的气体，在次大气压 (SA)-CVD中蒸发和反应诸如四乙基正硅酸盐(TEOS)的液体。由于HDP-CVD (其为CVD类型)的高产率(productivity)，许多元件制造商采用 HDP-CVD并重复进行沉积及蚀刻。为获得高填隙性能(capability)，HDP-CVD要求低沉积 率及高蚀刻率，其亦可导致所不希望的蚀刻较低层的问题。为解决此问题，可使用带有较宽 可允许范围的配方(recipe)。然而，由于大量生产的反应器的非一致性，此方法亦可导致对 较低层的蚀刻。使用O3-TEOS反应的SA-CVD具有以下的优点因为采用了热CVD技术及广 泛使用的O3 *TE0S，故不会发生基板损坏。然而，SA-CVD存在低沉积率的问题。并且，已 有报告指出，尽管使用了在具有0.25μπι深度及0. Ιμπι宽度(或更小)的十亿(giga)位 元组DRAM元件中的O3-TEOS氧化物或HDP-CVD氧化物，但在沟渠中形成空隙(void)的可 能性仍非常高。为了解决以上问题，引入了原子层沉积(ALD)方法。该ALD方法是一种薄膜形成 方法，在此方法中借由源气体的表面饱和(surface saturation)来形成薄膜，其中各自的 源气体会独立地供应。然而，当在ALD方法中源气体类型的数量增加时，必须建立复杂的气体供应线和 用于该控制气体供应线的多个阀以便将源气体供应至反应器内。因此，会产生以下的问题 建立气体供应线及阀会增加费用并且必须要确保(secure)用以建立气体供应线及阀的空 间。并且，应该增加用于控制源气体的供应的硬件和软件的容量(capacitance)。再者，由 于各自供应至反应器的源气体的载入并不全部对应于冲洗气体的载入，故反应器中的压力 会不规则地改变，其可能会导致制造工艺不稳定。阀的复杂性及频繁操作会缩短其生命周期，对装置的维护要求的加大会增加装置 的维护费用并且会增加装置的当机时间(downtime)，因此会减小生产率。为克服以上问题，美国专利案第5，730，802号揭露了一种沉积薄膜的装置及其方 法，其中反应器借由隔板而隔开，第一材料气体、第二材料气体及分离气体透过气体供应入 口而供应至借由隔板所隔离的反应器空间内，并且在基板支承架旋转时形成原子层。
在图1中显示了以上美国专利案所揭露的沉积薄膜的装置的构造。参照图1，沉积薄膜的装置包括反应器10、在反应器10中配备成可旋转的基板支承架20、材料气体(material gas)供应入口 30和40、分离气体供应入口 50及防止材料气 体混合的隔板60。当借由旋转基板支承架20透过材料气体供应入口 30和40以及分离气 体供应入口 50分别将材料气体和分离气体供应至基板(W)上时，实施原子层沉积。随着半导体制造技术的发展，半导体元件具有高集成度，因此电路上的线宽及线 间间隔减小。因此，要求有一种填隙制造工艺，其可完全填充具有增加的高宽比的沟渠。尽 管以上所配置的用于沉积薄膜1的装置使得在较高的高宽比的条件下实施原子层沉积基 本上成为可能，但在填隙具有非常高的高宽比的沟渠方面其能力受到限制。

发明内容
本揭露内容提供一种使用简单制造工艺来沉积具有优良的填隙性能的薄膜的装置。本揭露内容还提供一种沉积具有优良的填隙性能的薄膜的方法。本揭露内容还提供一种填隙具有优良的填隙性能的沟渠的方法。根据示例性实施例，沉积薄膜的装置包括反应器；及多个基板，配备于反应器内 的相同空间上，其中当旋转该多个基板时，借由将多个基板暴露于在预定的时间间隔上同 时供应的两个或多个源气体和蚀刻气体来重复进行对薄膜的沉积以及对已沉积的薄膜的 部分蚀刻，藉此在多个基板上形成薄膜。该装置可包括基板支承板，其配备有多个基板装载部，在该多个基板装载部上装 载多个基板并且将该多个基板装载部可旋转地安装至反应器内；以及气体注入组件，其配 备于反应器中的基板支承板上以将气体注入至基板支承板上，并且包括径向设置的多个气 体注入单元，其中该多个气体注入单元包括至少一第一源气体注入单元，配置为将第一源 气体注入至基板支承板上；至少一第二源气体注入单元，配置为将与第一源气体不同的第 二源气体注入至基板支承板上；至少一蚀刻气体注入单元，配置为将蚀刻薄膜的蚀刻气体 和第二源气体注入至基板支承板上，其中此薄膜借由第一源气体所沉积；至少一冲洗气体 注入单元，配置为将冲洗第一源气体的冲洗气体、第二源气体及蚀刻气体注入至基板支承 板上。根据另一示例性实施例，沉积薄膜的方法包括(al)在配备有多个基板装载部并 且可旋转地安装至反应器内的基板支承板上装载多个基板；(a2)旋转该基板支承板，使得 该多个基板依序暴露于径向设置的第一源气体注入块、冲洗气体注入块、第二源气体注入 块、冲洗气体注入块、蚀刻气体注入块及冲洗气体注入块；(a3)借由透过各自的气体注入 块而将第一源气体、第二源气体、冲洗气体及蚀刻气体同时(together)供应至基板支承板 上来沉积薄膜。根据另一示例性实施例，沉积薄膜的方法包括(bl)在配备有多个基板装载部并 且可旋转地安装至反应器内的基板支承板上装载多个基板；(b2)旋转该基板支承板，使得 此多个基板依序暴露于径向设置的第一源气体注入块、冲洗气体注入块、第二源气体注入 块、冲洗气体注入块、蚀刻气体注入块及冲洗气体注入块；(b3)借由透过第一源气体注入 块、第二源气体注入块及冲洗气体注入块将第一源气体、第二源气体及冲洗气体同时供应至基板支承板上来沉积薄膜；(b4)在将薄膜沉积至一预定厚度后，停止供应第一源气体和 第二源气体，并且透过使用蚀刻气体注入块以供应蚀刻气体来蚀刻已沉积的薄膜；(b5)在 一预定时间之后，停止供应蚀刻气体并且透过第一源气体注入块及第二源气体注入块而将 第一源气体和第二源气体供应至基板支承板上以沉积薄膜；以及(b6)连续重复操作(b4) 及操作(b5)至少一次。更根据另一示例性实施例，借由使用以上的薄膜沉积方法在基板上沉积薄膜来实 施填隙一形成于基板上的沟渠或间隙的方法，其中使用氧化物或氮化物形成源作为第一源 气体、使用含氧气体或含氮气体作为第二源气体并且使用氧化物或氮化物蚀刻气体作为蚀 刻气体以在形成于基板上的沟渠或间隙中形成第一氧化层或第一氮化层来同时地或交替 地实施沉积和蚀刻。根据另一示例性实施例，借由使用以上的薄膜沉积方法在基板上沉积薄膜来实施用于填隙一形成于基板上的接触窗(contact hole)或介层窗(via hole)的方法，其中使 用金属源气体作为第一源气体、使用反应气体作为第二源气体并且使用金属蚀刻气体或金 属氮化物蚀刻气体作为蚀刻气体以在形成于基板上的接触窗或介层窗中形成金属层或金 属氮化层来同时地或交替地实施沉积和蚀刻。


图1是根据相关技术的具有可旋转的基板支承架的沉积薄膜的装置的示意图。图2是根据示例性实施例的沉积薄膜的装置的示意图。图3是根据示例性实施例绘示了沉积薄膜的装置的基板支承板的剖视图，其为沿 图2的线III-III截取的剖视图。图4是根据示例性实施例绘示了沉积薄膜的装置的气体注入组件的剖视图，其为 沿图2的线IV-IV截取的剖视图。图5是根据另一示例性实施例绘示了沉积薄膜的装置的气体注入组件的剖视图， 其为沿图2的线IV-IV截取的剖视图。图6是根据示例性实施例绘示了沉积薄膜的装置的气体注入组件的气体注入单 元的剖视图，其为沿图4的线V-V截取的剖视图。图7是根据示例性实施例绘示了沉积薄膜的方法的流程图。图8是根据另一示例性实施例绘示了沉积薄膜的方法的流程图。图9至图11是根据示例性实施例显示了第一源气体、第二源气体、蚀刻气体及冲 洗气体对时间的流率的图表。图12是根据示例性实施例显示了薄膜形成制造工艺的图表，在该制造工艺中交 替地实施沉积及蚀刻。图13是具有沟渠的基板的示例性剖视图。图14是根据示例性实施例绘示了使用薄膜沉积方法而在沟渠中沉积氧化层的制 造工艺的示例性剖视图，其中该沟渠在基板上形成。图15是根据示例性实施例的示例性剖视图，其中该示例性剖视图绘示了使用薄 膜沉积方法于氧化层上沉积其它氧化层的制造工艺，其中该氧化层在沟渠中形成。图16是根据示例性实施例绘示了使用薄膜沉积方法来填隙半导体元件中的沟渠的方法的示例性剖视图。图17是根据示例性实施例绘示了在使用薄膜沉积方法来填隙一沟渠时在供应一 种蚀刻气体前的状态的示意图。图18是根据示例性实施例绘示了在使用薄膜沉积方法来填隙一沟渠时在供应一 种蚀刻气体后的状态的示意图。图19是根据示例性实施例绘示了使用薄膜沉积方法来填隙半导体元件中的沟渠 的方法的流程图。10 反应器20 基板支承架30:材料气体供应入口40:材料气体供应入口50:分离气体供应入口60:隔板100:薄膜沉积装置110:反应器111 底部112 侧壁113:上板120 基板支承板121 衬托器122 基板装载部123 轴杆130 气体注入组件131 上板140 等离子体产生单元150 气体注入单元150a 第一源气体注入单元150b 第二源气体注入单元 150c 蚀刻气体注入单元150d 冲洗气体注入单元155 中央冲洗气体注入单元160 薄膜沉积空间170 等离子体产生器180a 第一源气体注入块180b 第二源气体注入块180c:蚀刻气体注入块180d、180e、180f 冲洗气体注入块210:主体211 盖板212 侧壁220 气体注入板230 气体扩散空间250 注入孔240 气体供应孔700 沟渠710 硅基板720 氧化垫层730 氮化层740 氧化层750 其它氧化层A 旋转中心轴线W 基板S810、S820、S830、S910、S920、S930、S940、S950、S960、S310、S320、S330、S340、 S350 操作IV-IV 线III-III 线
具体实施例方式现将参照附图更充分地介绍本发明，在附图中显示了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以大量不同的形式来实现并且不应将其解释为是对本文所阐述的实施例的限 制；更确切地说，提供该些实施例使得本揭露内容更加透彻和完整，并且可充分地传达本发 明的思想于彼等本领域熟知此项技艺者。
图2是根据本发明的实施例的沉积薄膜的装置的示意图，图3是沿图2的线 III-III截取的剖视图，图4和图5是沿图2的线IV-IV截取的剖视图，而图6是沿图4的 线V-V截取的剖视图。参照图2至图6，根据本发明的实施例的沉积薄膜的装置包括反应器110、基板支承板120、气体注入组件130及等离子体产生单元140。反应器110包括底部111、侧壁112及上板113。底部111具有圆板形状(circular plate shape)，侧壁112为自底部111的周界(perimeter)向上竖直延伸而成的圆柱形状。 侧壁112具有输送通道(transferpassage)(未显示)，透过该输送通道来装载或卸载基板 W。上板113具有圆板形状，并可粘附地耦接于侧壁112的上端。当将上板113耦接于侧壁 112的上端时，在反应器110中会形成一空间。诸如0型环的密封件插置于上板113的底面 和侧壁112的上端之间以密封在反应器110中所界定的空间。在底部111或侧壁112中配 备用于冲洗保留在反应器110中所不需要的气体和粒子的排气口(exhaust)(未显示)。薄膜沉积空间160形成在基板支承板120上并位于该基板支承板120和气体注入 组件130之间。借由在薄膜沉积空间160中利用第一源气体和第二源气体沉积薄膜以在基 板W上形成薄膜，并且其后使用蚀刻气体来蚀刻已沉积的薄膜。基板支承板120配备于反应器110中，并且包括衬托器(susc印tor) 121、基板装载 部122、轴杆123及加热器(未显示)。衬托器121形成为圆板并且可旋转地设置于反应器110中。将在衬托器121中形 成的基板装载部122配备为以6个为1组，以下将会对其进行介绍。如图3中所示，在基板 支承板120上基板装载部122呈圆周排列，并且基板W被装载至各自的基板装载部122上。 在垂直方向上升或下降的起落件(lift pin)(未显示)安装在各基板装载部122中。轴杆123的一末端耦接于衬托器121的底面，而轴杆123的另一末端穿过反应器 110并且连接至旋转驱动装置。因此，当轴杆123旋转时，衬托器121绕借由图2中的虚线 (broken line)所代表的旋转中心轴线A而旋转。并且，轴杆123连接于可升高和降低衬托 器121的上升和下降驱动装置。旋转驱动装置以及上升和下降驱动装置可包括电动机、齿 轮(gear)等。加热器(未显示)埋设(buried)于衬托器121之下以控制基板W的温度。气体注入组件130耦接于反应器110的上板113(其配备于基板支承板120之上)， 并包括耦接各气体注入单元150用的上板131。气体注入单元150根据供应气体的类型可 分类为第一源气体注入单元150a、第二源气体注入单元150b、蚀刻气体注入单元150c及冲 洗气体注入单元150d。第一源气体注入单元150a供应诸如硅烷(SiH4)的第一源气体至基 板支承板120上，并且第二源气体注入单元150b供应诸如氧气(O2)的第二源气体至基板支 承板120上。蚀刻气体注入单元150c供应诸如CF4的蚀刻气体至基板支承板120上。冲 洗气体注入单元150d供应用以冲洗第一源气体、第二源气体及蚀刻气体的冲洗气体至基 板支承板120上。冲洗气体可为诸如Ar的惰性气体。本文中，供应冲洗气体以使透过该气体注入组件130而供应的第一源气体，第二 源气体及蚀刻气体不互相混合。第一源气体、第二源气体及蚀刻气体可在基板支承板120 的中心部上混合。因此，需要提供一种用于防止第一源气体、第二源气体及蚀刻气体在基板 支承板120的中心部上混合的装置。在较佳的实施例中，如图2、图4及图5中所示，用于将冲洗气体(其用于冲洗第一源气体、第二源气体及蚀刻气体)供应至基板支承板120上的中央冲洗气体注入单元155 可安装于气体注入组件130的中心部上。中央冲洗气体注入单元155所供应的冲洗气体可 防止第一源气体、第二源气体及蚀刻气体在基板支承板120的中心部上混合。沿图2的线IV-IV截取的剖视图在图4中示出，其作为根据本发明的沉积薄膜装 置中的气体注入组件130的较佳实施例。如图4中所示，中央冲洗气体注入单元155设置 于气体注入组件130的中心部上，并且第一源气体注入单元150a、第二气体注入单元150b、 蚀刻气体注入单元150c及冲洗气体注入单元150d绕中央冲洗气体注入单元155而径向设 置着。如图4所示的十个气体注入单元150由一个第一源气体单元150a、四个第二源气 体单元150b、一个蚀刻气体注入单元150c及四个冲洗气体注入单元150d构成。该一个第 一源气体注入单元150a形成第一源气体注入块180a，彼此相邻的该四个第二源气体注入 单元150b形成第二源气体注入块180b，并且该一个蚀刻气体注入单元150c形成蚀刻气体 注入块180c。在四个冲洗气体注入单元150d中，在第一源气体注入块180a和第二源气体 注入块180b间的两个冲洗气体注入单元150d相邻设置以形成冲洗气体注入块180d。在 第二源气体注入块180b和蚀刻气体注入块180c间的一个冲洗气体注入单元150d可形成 冲洗气体注入块180e，并且在第一源气体注入块180和蚀刻气体注入块180c间的剩余冲 洗气体注入单元150d可形成冲洗气体注入块180f。结果，总共形成三个冲洗气体注入块 180d、180e及180f。即，在如图4所示的气体注入组件130中，形成了一个第一源气体注入 块180a、一个第二源气体注入块180b及一个蚀刻气体注入块180c，并且形成了三个冲洗气 体注入块(180d、180e 和 180f)。在基板支承板120的每一完全旋转过程(full rotation)中实施一次沉积和一次蚀刻，其中在以上所配置的气体注入组件130的下方将基板W装载至该基板支承板120 上。当旋转的基板W依序暴露于在预定的时间间隔供应的第一源气体、冲洗气体、第二源气 体及冲洗气体时可实施原子层沉积制造工艺。当基板W穿过气体注入组件130的蚀刻气体 注入单元150c的下方时会蚀刻一部分已沉积的薄膜。特别地，会首先蚀刻一突出沉积部 (prominent deposition portion) 0因此，在实施了数十个蚀刻周期时，可增强所形成的薄 膜的阶梯覆盖率(st印coverage)。当第二源气体的饱和时间比第一源气体的饱和时间长且当第一源气体的排放不 理想时，则如图4所示的实施例是较佳的。与第一源气体相比具有较长的饱和时间的第二 源气体透过借由四个第二源气体注入单元150b所组成的第二源气体注入块180b而供应。 换言之，借由可注入具有更长饱和时间的第二源气体的面积(area)的增加，则可提高效 率。由于第一源气体的排放不理想，组合两个冲洗气体注入单元150d以形成一个冲洗气体 注入块180d，其中此两个冲洗气体注入单元150d可在注入第一源气体之后借由基板支承 板120的旋转而将待供应的冲洗气体注入至基板支承板120上。籍此，可获得更大的冲洗 气体注入面积，使得第一源气体的排放变得顺畅并且增加效率。因此，考虑到各源气体的饱 和时间和排放率，在适当地组合气体注入单元150以形成一气体注入块时，沉积薄膜而不 浪费源气体甚至不改变基板支承板120的旋转率或停止特定气体的供应是可能的。对ALD而言，要求可防止第一源气体、第二源气体及蚀刻气体的混合，使得在气相 中该些气体并不反应。因此，如图4中所示，冲洗气体注入块180d在第一源气体注入块180a和第二源气体注入块180b间设置，冲洗气体注入块180e在第二源气体注入块180b和蚀刻 气体注入块180c间设置，且冲洗气体注入块180f在蚀刻气体注入块180c和第一源气体注 入块180a间设置。然而，在使用循环式CVD方法来沉积薄膜的情况下，可不将冲洗气体供 应至在第一源气体注入块180a和第二源气体注入块180b间的冲洗气体注入块180d内。同时，根据本发明的另一实施例的用于沉积薄膜的装置100的气体注入组件130 可具有与图4不同的气体注入面积。此构造如图5所示。与图4相似，图5是沿图2的线 IV-IV而截取的图式。如图5所示的八个气体注入单元150由一个第一源气体单元150a、一个第二源气 体单元150b、一个蚀刻气体注入单元150c及五个冲洗气体注入单元150d所构成。该第一 源气体注入单元150a、该第二源气体注入单元150b及该蚀刻气体注入单元150c分别形成 一个第一源气体注入块180a、一个第二源气体注入块180b及一个蚀刻气体注入块180c。 在五个冲洗气体注入单元150d中，第一源气体注入块180a和第二源气体注入块180b间的 两个冲洗气体注入单元150d相邻设置以形成冲洗气体注入块180d。在第二源气体注入块 180b和蚀刻气体注入块180c间的一个冲洗气体注入单元150d形成冲洗气体注入块180e， 而在第一源气体注入块180a和蚀刻气体注入块180c间的剩下的两个冲洗气体注入单元 150d相邻设置以形成冲洗气体注入块180f。结果，在气体注入组件130中总共形成三个冲 洗气体注入块180d、180e及180f。在第二源气体的饱和时间很短时上述实施例是有用的。虽然以上实施例介绍了采用第一源气体和第二源气体的两个源气体来沉积薄膜， 但对本领域熟知此项技艺者而言源气体的类型为三个或多个是显而易见的，因此气体注入 组件130可配置为包括至少一个第一源气体注入单元、一个第二源气体注入单元及一个第 三气体注入单元。气体注入单元150可制成如图6所示的莲蓬头(showerhead)形状。除了供应的 气体类型不相同外，第一源气体注入单元150a、第二源气体注入单元150b、蚀刻气体注入 单元150c及冲洗气体注入单元150d具有相同的机械构造。参照图6，气体注入单元150包括主体210和气体注入板220。该主体210包括具 有扇状的盖板211和侧壁212，此侧壁212自盖板211的周界向下延伸。盖板211具有穿过 此盖板211的气体供应孔240，以便可将气体引入至其内。气体注入板220具有扇状并耦接于侧壁212的底部。气体注入板220具有穿过此 气体注入板220的多个注入孔250，使得可向下注入气体。在气体注入单元内形成气体扩散 空间230，此气体扩散空间230借由主体210的盖板211、主体210的侧壁212及气体注入 板220所包围以扩散所供应的气体。除了气体注入板及主体的上板具有圆板形状之外，中央冲洗气体注入单元155具 有与气体注入单元150相同的构造。虽然以上的实施例显示并且介绍了具有图6的构造的两个或多个气体注入单元 耦接至气体注入组件130的上板131，但本发明并不局限于此。举例来说，气体注入组件130 可配置为包括多个气体供应孔240、对应于前述盖板211的圆板型上板131以及具有扇状 的两个或多个气体注入板220。气体扩散空间230在两个或多个气体注入板220中的一者 与上板131间形成。对应于该两个或多个气体注入板220的两个或多个气体扩散空间230是借由气体注入板220和/或上板131所隔离。对应于扇状气体注入板220的部分为气体注入单元150。等离子体产生单元140将蚀刻气体变为等离子体并且将此等离子体供应至反应 器110。等离子体产生单元140可具有一装置以将除蚀刻气体外的第一源气体、第二源气 体及冲洗气体变为等离子体。在此实施例中，等离子体产生单元140可具有作为产生等离 子体的装置的等离子体产生器170。等离子体产生器170是远程等离子体产生器(remote plasma generator)，其安装于反应器110之外。等离子体产生器170连接于气体注入组件 130，在薄膜形成制造工艺中，可接收RF功率以将气体变为等离子体并且将此等离子体供 应至反应器110。除了上述的等离子体产生器170将气体变为等离子体并且将此等离子体供应至 反应器110的构造外，等离子体可在气体注入组件130内产生并且被供应至基板支承板120 上。在此情况下，等离子体可在所有的气体注入组件130内产生并且被供应至基板支承板 120上，或在一部分气体注入组件130内产生并且被供应至基板支承板120上。或者，借由 施加功率(power)至气体注入组件130或基板支承板120，则可在气体注入组件130和基板 支承板120间的空间(诸如此实施例中的薄膜沉积空间160)中产生等离子体。同样地，可 在气体注入组件130及基板支承板120间的所有空间中产生等离子体，或者可在气体注入 组件130及基板支承板120间的一部分空间中产生等离子体。图7是根据示例性实施例介绍沉积薄膜的方法的流程图。作为参考，根据本发明 如下将要介绍的沉积薄膜的方法可理解为使用了沉积薄膜的装置100。然而，若使用了旋 转基板支承板的操作，则可应用除该装置外的其它装置于该些方法中，使得两个或多个基 板依序暴露于径向设置的第一源气体注入块、冲洗气体注入块、第二气体注入块、冲洗气体 注入块、蚀刻气体注入块及冲洗气体注入块。举例来说，当如图2所示的薄膜沉积装置100 配置为包括制造成莲蓬头类型的气体注入块180时，借由使用具有径向设置的气体注入器 (injector)的装置来采用根据本发明的薄膜沉积方法。参照图2和图7，在操作S810中，在安装于反应器110中的基板支承板120的基板 装载部122上装载多个基板W。在操作S820中，使用加热器将基板W的温度调整至制造工 艺温度，并且旋转基板支承板120，使得多个基板W依序暴露于依序且径向地设置的第一源 气体注入块180a、冲洗气体注入块180d、第二源气体注入块180b、冲洗气体注入块180e、蚀 刻气体注入块180c及冲洗气体注入块180f。可仅供应可变为等离子体的蚀刻气体以移除 形成于基板W上的自然(native)氧化物。在操作S830中，透过各自的气体注入块180a_180f同时(together)供应第一源 气体、第二源气体、冲洗气体及蚀刻气体以形成薄膜。因此，借由旋转基板支承板120来实 施原子层沉积，使得在基板支承板120的基板装载部122上的基板W在预定的时间间隔穿 过第一源气体注入块180a、冲洗气体注入块180d、第二源气体注入块180b及冲洗气体注入 块180e的下方。当基板W穿过蚀刻气体注入块180c的下方时，可蚀刻一部分已沉积的原 子层。因此，当借由利用以上方法同时实施沉积及蚀刻来形成薄膜时，可形成带有优良填隙 性能的薄膜。由于不需要在所有周期中进行蚀刻，故可在一预定时间中停止供应该蚀刻气体。 同时，在完成薄膜的沉积后，可在反应器110的内表面上沉积薄膜。因此，在完成预定数量的制造工艺后，可将清洁气体供应至反应器110内部以实施原位(in-situ)清洁。清洁气体是可变为等离子体的蚀刻气体或冲洗气体。借由将各气体注入块180a-180f组成为莲蓬 头类型，流程控制可变得简单并且可增强已沉积的层的均勻度。根据配方及源气体的类型，源气体的饱和时间可以不相同。在此情况下，若该配方 设置为与具有最长饱和时间的源气体匹配，则会浪费源气体并且降低生产率。借由调整基 板支承板120的旋转率或使用阀来停止供应具有较短饱和时间的源气体可解决该些问题。 然而，以上的解决方法使得该制造工艺变得复杂，故不是较佳的。因此，增加第一源气体和 第二源气体中具有较长饱和时间者的气体注入面积或增加第一源气体和第二源气体中具 有较长饱和时间者的流率以解决以上的问题。第一源气体、第二源气体及冲洗气体可变为用于沉积薄膜的等离子体。用于将第 一源气体、第二源气体及冲洗气体变为等离子体的等离子体为远程等离子体或自各气体注 入块180a-180f产生的等离子体。用于将第一源气体、第二源气体及冲洗气体变为等离子 体的等离子体为在当供应功率至气体注入块180a-180f或基板支承板120时所产生的直接 等离子体。用于此情况下的等离子体为在各气体注入块180a-180f与基板支承板120间的 全部空间或一部分空间中所产生的等离子体。图8是根据另一示例性实施例绘示了沉积薄膜的方法的流程图。作为参考，如下 将要介绍的沉积薄膜方法可理解为使用了根据本发明的沉积薄膜装置100。然而，若使用 了旋转基板支承板的操作，则可应用除此装置外的其它装置于该些方法中，使得两个或多 个基板依序暴露于径向设置的第一源气体注入块、冲洗气体注入块、第二气体注入块、冲洗 气体注入块、蚀刻气体注入块及冲洗气体注入块。举例来说，当如图2所示的薄膜沉积装置 100配置为包括制造成莲蓬头类型的气体注入块180时，借由使用具有径向设置的气体注 入器的装置可使用根据本发明的薄膜沉积方法。参照图2和图8，在操作S910中，在安装于反应器110中的基板支承板120的基板 装载部122上装载多个基板W。在操作S920中，使用加热器将基板W的温度调整至制造工 艺温度，并且旋转基板支承板120，使得多个基板W依序暴露于依序且径向地设置的第一源 气体注入块180a、冲洗气体注入块180d、第二源气体注入块180b、冲洗气体注入块180e、蚀 刻气体注入块180c及冲洗气体注入块180f。可首先供应可变为等离子体的蚀刻气体以移 除形成于基板W上的自然氧化物。在操作S930中，停止供应蚀刻气体，透过第一源气体注入块180a、冲洗气体注入 块180d、第二源气体注入块180b及冲洗气体注入块180e将第一源气体、第二源气体及冲 洗气体同时供应至基板支承板120上以形成薄膜。如前所述，借由旋转基板支承板120来 实施原子层沉积，使得基板支承板120的基板装载部122上的基板W在预定时间间隔穿过 第一源气体注入块180a、冲洗气体注入块180d、第二源气体注入块180b及冲洗气体注入块 180e的下方。在操作S940中，在将薄膜沉积至一预定厚度之后，停止供应第一源气体和第二源 气体，并且透过蚀刻气体注入块180c而供应可变为等离子体的蚀刻气体。在此时间中，继 续供应冲洗气体。在操作950中，蚀刻薄膜一预定时间后，停止供应蚀刻气体并且透过第一 源气体注入块180a和第二源气体注入块180b而将第一源气体和第二源气体同时供应至基 板支承板120上以沉积薄膜。在此时间中，继续供应冲洗气体。
在操作S960中，判定薄膜是否被沉积至所希望的厚度。当判定该薄膜并未达到所 希望的厚度时，重复进行操作S940和S950直至将该薄膜沉积至所希望的厚度为止。因此， 在借由交替地重复仅供应源气体而不供应任何蚀刻气体的操作以及仅供应蚀刻气体而不 供应源气体的操作来形成薄膜的情况下，所形成的薄膜可具有优良的填隙性能。
在此实施例中，在完成预定数量的制造工艺后，可使用清洁气体来实施反应器110 内部的原位清洁(in-situ cleaning)。可将第一源气体、第二源气体或冲洗气体变为用于 沉积薄膜的等离子体。所使用的等离子体可为远程等离子体或在各气体注入块180a-180f 内部产生的等离子体或在将功率供应至气体注入块180a-180f或基板支承板120时所产生 的直接等离子体。并且，为了防止浪费源气体并且增加生产率，增加第一源气体和第二源气 体中的具有较长饱和时间者的气体注入面积或者增加第一源气体和第二源气体中的具有 较长饱和时间者的流率是较佳的。图9至图11是根据本发明显示了在沉积薄膜的方法中第一源气体、第二源气体、 蚀刻气体及冲洗气体的流率对时间的图表。图9是显示了在沉积薄膜的方法中供应气体的流率对时间的图表，在该图中借由 对应于所有时间标度(time scale)而同时供应第一源气体、第二源气体、蚀刻气体及冲洗 气体来同时实施薄膜的沉积和蚀刻。因此，借由同时实施沉积及蚀刻来形成薄膜是为了可 沉积具有优良填容(cap-fill)性能的薄膜。图10是显示了在沉积薄膜的方法中供应气体的流率对时间的图表，在该图中继 续供应第一源气体和第二源气体并且周期地供应蚀刻气体和用以冲洗该蚀刻气体的冲洗 气体。换言之，在此方法中，在数个或数十个周期期间仅实施沉积而不供应蚀刻气体，并且 借由在数个周期期间供应第一源气体、第二源气体及蚀刻气体来同时实施沉积和蚀刻。此 方法对应于蚀刻率高于沉积率的情况或甚至是当在每个周期中薄膜不被蚀刻时薄膜仍具 有优良填隙性能的情况。在此实施例中，甚至在停止供应蚀刻气体时还供应用以冲洗蚀刻 气体的冲洗气体一预定时间是较佳的，其可防止蚀刻气体及源气体的混合。图11是显示了在沉积薄膜的方法中供应气体的流率对时间的图表，在该图中交 替地在数个或数十个周期期间实施沉积和在数个周期期间实施蚀刻。借由供应第一源气体 和第二源气体而不供应蚀刻气体来实施薄膜沉积，并且借由供应蚀刻气体而不供应第一源 气体和第二源气体来实施蚀刻。交替地供应源气体及蚀刻气体以形成薄膜的方法，亦即，借 由在数个周期期间停止供应蚀刻气体以仅实施沉积且其后停止供应源气体以仅实施蚀刻 来形成薄膜并且重复进行该些操作的方法，会有利于过程控制(processcontrol)。在这种 情况下，形成具有优良填隙性能的薄膜是理所当然的。在此实施例中，在停止供应蚀刻气体 后还供应用于冲洗蚀刻气体的冲洗气体一预定时间是较佳的。因此，可借由根据源气体和蚀刻气体的类型以及配方适当地调整第一源气体、第 二源气体、蚀刻气体及冲洗气体的流率以交替地实施沉积和蚀刻来形成具有优良填隙性能 的薄膜。图12是显示了薄膜形成制造工艺的图表，在该图中选择地实施沉积和蚀刻。从图 12的图表可以了解到可借由在预定的时间周期期间的沉积和在预定的时间周期期间的蚀 刻来形成薄膜。图12的薄膜形成方法可用于沉积SiO2层。在此情况下，第一源气体可为含硅源，举例来说，可为从由硅烷(SiH4)、TEOS(四乙基正硅酸盐)、TEMASi (四甲乙氨基硅，Tetra ethyl methyl amino silicon)、TMDS0(四甲基二硅氧烷)及HMDSO(六甲基二硅氧烷)所 构成的族群中选出的一者。第二源气体可为含氧气体，举例来说，可为从由队0、吐0、02及03 所构成的族群中选出的至少一者。蚀刻气体可为由Ar、CF4、CHF3、CH2F2、C2F6、C3F8、D4F8、SF6、 NF3及C4F6构成的族群中选出的至少一者。 除氧化硅(SiO2)外，前述的薄膜形成方法可用于形成与氧化硅、氮化硅(Si3N4)及 多晶硅(poly Si)相比具有更高介电常数的高介电常数氧化物。以上方法还可用于沉积诸 如Cu、W等的金属层，或可用于沉积诸如TiN的金属氮化层。在制造半导体元件的过程中，前述的根据本发明的薄膜形成方法在基板上沉积氧 化层或氮化层时尤其有用，其中该基板具有带有较高的高宽比的沟渠或间隙。图13至图16是绘示了在基板上形成沟渠及填隙此沟渠的制造工艺的剖视图。氧化垫720及氮化层730在硅基板710上形成，并且被选择地蚀刻以形成沟渠罩 (trench mask) 0其后，如图13所示使用已图案化的氮化层作为蚀刻罩来对硅基板710进 行干式蚀刻以形成沟渠700。然后，如图14所示使用前述的薄膜形成方法在沟渠700中形成氧化层740以填隙 该沟渠700。前述的薄膜形成方法可用于在沟渠700中形成氧化层740。即，借由供应氧化 物形成源作为第一源气体、供应含氧反应气体作为第二源气体及供应氧化物蚀刻气体作为 蚀刻气体以同时地或交替地实施沉积和蚀刻。在填隙该沟渠700时，精确控制边角上的沉 积以防止突出(overhang)。根据填隙的进行程度(progressive degree)，可控制该蚀刻气 体的供应以增加填隙速度。如图15所示在将氧化层740沉积于基板上形成的沟渠或间隙中之后，沉积其它氧 化层750于氧化层740上。在此时间中，可借由仅供应源气体而不供应蚀刻气体来增加其 它氧化层750的沉积率。如图16所示在完成其它氧化层750的沉积后，实施化学机械研磨(CMP)以平坦化 所得的基板。虽然本实施例显示并介绍了利用氧化层来填隙该沟渠700的方法，应该了解到此 方法可应用于氮化层的情况。就氮化层而言，根据本发明可供应一种氮化层形成源气体作 为第一源气体、供应一种含氮反应气体作为第二源气体并且供应一种氮化物蚀刻气体作为 蚀刻气体以实施薄膜形成方法。并且，可对形成于金属互连线之间的间隙采用以上方法。再者，可对借由金属层或金属氮化层来填隙一接触窗或介层窗的情况采用前述的 方法。此时，根据本发明供应一种金属源气体作为第一源气体、供应一种反应气体作为第二 源气体并且供应一种金属蚀刻气体或金属氮化物蚀刻气体作为蚀刻气体以实施薄膜形成 方法。图17和图18是绘示了形成带有优良填隙性能的薄膜的制造工艺的剖视图，其中 借由使用根据本发明填隙一薄膜的形成方法中的蚀刻(etchingin gap-filling a thin film forming method)来控制沟渠边角部而实施此制造工艺。使用根据本发明的薄膜形成方法于沟渠700中形成一种填隙氧化层。若借由仅供 应第一源气体和第二源气体而不供应蚀刻气体来沉积该填隙氧化层，如图17所示会于沟 渠700的边角部B上产生突出。尽管前述的薄膜形成方法可实施ALD，但会在沟渠700中产生部分突出。其后，对于具有非常高的高宽比的沟渠700的情况，该些突出可导致产生空隙或接缝，使得不可顺利实施填隙制造工艺。在前述的薄膜沉积方法中，若在源气体的供应的 期间不供应冲洗气体，借由循环式CVD来沉积薄膜可导致突出问题的发生。此时，由于供应了蚀刻气体而增加了边角部C中的蚀刻选择性以对边角部C进行 过蚀刻(over-etch)，故不会产生突出。因此，根据本发明借由使用薄膜沉积方法而同时地 或交替地实施沉积和蚀刻可控制突出，因此可沉积具有优良填隙性能的薄膜。图19是绘示了使用根据本发明的薄膜沉积法的半导体元件的填隙方法的实施例 的流程图。参照图19，在操作S310中，将多个基板W装载至安装于反应器110内的基板支承 板120的基板装载部124上，其中此多个基板W中的每一者均具有形成于其上的沟渠700 或间隙。在操作S320中，使用加热器将多个基板W的温度调整至制造工艺温度，其后旋转 基板支承板120，使得该多个基板W暴露于依序及径向地设置的第一源气体注入块180a、冲 洗气体注入块180d、第二源气体注入块180b、冲洗气体注入块180e、蚀刻气体注入块180c 及冲洗气体注入块180f。然后，首先仅供应可变为等离子体的蚀刻气体以移除在多个基板 W上形成的自然氧化物。然后，在操作S330中，透过各自的气体注入块180a_180f而同时地或交替地供应 第一源气体、第二源气体、冲洗气体及蚀刻气体以沉积氧化层740于多个基板W上形成的沟 渠或间隙中。使用前述的薄膜沉积方法来形成用于填隙的氧化层740，使得在沟渠700或间 隙的边角B、C上不会产生突出。在操作S340中，在氧化层740上沉积其它氧化层750。在 此时间中，仅供应源气体而不供应蚀刻气体。在操作S350中，实施CMP以平坦化所得的基板。尽管参考特定实施例介绍了一种在晶圆上沉积薄膜的装置及其方法以及填隙一 沟渠的方法，但其并不局限于此。因此，彼等本领域熟知此项技艺者应该易于了解到在不背 离借由附加的申请专利范围所限定的本发明的精神和范围的前提下，可对其作出各种修改 及改变。举例来说，尽管实施例介绍了借由依序地供应源气体和冲洗气体来实施ALD，但可 将其修改为具有一种构造，在此构造中安装有冲洗气体注入块但不供应冲洗气体。举例来 说，还可借由以第一源气体供应、第二源气体供应(及蚀刻气体供应)的顺序而设定气体供 应周期来实现循环式CVD。有利的效果根据示例性实施例，可同时地或交替地实施薄膜的沉积和蚀刻，使得可沉积具有 优良填隙性能的薄膜。并且，根据本发明用于沉积薄膜的装置并不要求在实施原子层沉积 时对阀进行频繁的操作，并且可减少对源气体的浪费，因此可增加生产率。
权利要求
一种用于沉积薄膜的装置，其特征在于，包括反应器；以及多个基板，配备于所述反应器内的相同空间上，其中借由当旋转所述多个基板时在时间间隔上将所述多个基板暴露于两个或多个源气体及同时供应的蚀刻气体，来重复所述薄膜的沉积以及对所述已沉积的薄膜的部分蚀刻，以在所述多个基板上形成所述薄膜。
2.如权利要求1所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述装置包括基板支承板，配备有多个基板装载部，在所述多个基板装载部上装载所述多个基板，并 且将所述多个基板装载部可旋转地安装至所述反应器内；以及气体注入组件，配备于所述反应器中的所述基板支承板上以将气体注入至所述基板支 承板上，并且包括径向设置的多个气体注入单元，其中所述多个气体注入单元包括至少一个第一源气体注入单元，配置为将第一源气 体注入至所述基板支承板上；至少一个第二源气体注入单元，配置为将与所述第一源气体 不同的第二源气体注入至所述基板支承板上；至少一个蚀刻气体注入单元，配置为将蚀刻 气体注入至所述基板支承板上，其中所述蚀刻气体用于蚀刻借由所述第一源气体和所述第 二源气体所沉积的薄膜；以及至少一个冲洗气体注入单元，配置为将用于冲洗所述第一源 气体、所述第二源气体及所述蚀刻气体的冲洗气体注入至所述基板支承板上。
3.如权利要求2所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述多个气体注入单 元每一者均包括主体，具有气体供应孔，透过所述气体供应孔而供应气体；以及气体注入板，安装于所述主体中，相对于所述主体的上表面而向下相隔一预定的距离， 使得所述气体注入板与所述主体一同形成气体扩散空间，在所述气体扩散空间中使透过所 述气体供应孔而供应的所述气体扩散，所述气体注入板具有多个注入孔，所述多个注入孔 穿过所述注入板的上表面和下表面，以便向下注入所述气体。
4.如权利要求2所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述气体注入组件的 所述第一源气体注入单元中的一者或至少两者相邻设置并且分组形成第一源气体注入块， 所述气体注入组件的所述第二源气体注入单元中的一者或至少两者相邻设置并且分组形 成第二源气体注入块，所述气体注入组件的所述蚀刻气体注入单元中的一者或至少两者相 邻设置并且分组形成蚀刻气体注入块，所述冲洗气体注入单元中的一者或两者相邻设置并 且分组形成冲洗气体注入块。
5.如权利要求4所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述冲洗气体注入块 分别配备于所述第一源气体注入块和所述第二源气体注入块之间、所述第二源气体注入块 和所述蚀刻气体注入块之间及所述蚀刻气体注入块和所述第一源气体注入块之间。
6.如权利要求4所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述气体注入组件还 包括中央冲洗气体注入单元，其配备于所述气体注入组件的中心部处以将用于冲洗所述第 一源气体、所述第二源气体及所述蚀刻气体的冲洗气体供应至所述基板支承板上，其中所述各气体注入块围绕所述中央冲洗气体注入单元而径向设置着。
7.如权利要求4所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，还包括等离子体产生单元， 可将所述第一源气体、所述第二源气体、所述蚀刻气体及所述冲洗气体中的至少一者变为等离子体。
8.如权利要求7所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述等离子体产生单 元是能够在所述气体注入单元内产生等离子体的装置。
9.如权利要求7所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述等离子体产生单 元是能够在所述气体注入组件内的一部分中产生等离子体的装置。
10.如权利要求7所述的用于沉积薄膜的装置，其特征在于，其中所述等离子体产生单 元是远程等离子体产生器。
11.一种用于沉积薄膜的方法，其特征在于，包括(al)装载多个基板于基板支承板上，所述基板支承板配备有多个基板装载部并且将所 述多个基板装载部可旋转地安装于反应器内；(a2)旋转所述基板支承板，使得所述多个基板依序暴露于径向设置的第一源气体注入 块、冲洗气体注入块、第二源气体注入块、冲洗气体注入块、蚀刻气体注入块及冲洗气体注 入块；(a3)借由将第一源气体、第二源气体、冲洗气体及蚀刻气体透过各所述气体注入块而 同时供应至所述基板支承板上来沉积薄膜。
12.如权利要求11所述的用于沉积薄膜的方法，其特征在于，其中在所述操作(a3)中， 借由重复对所述蚀刻气体的供应及停止来沉积所述薄膜。
13.一种用于沉积薄膜的方法，其特征在于，包括(bl)装载多个基板于基板支承板上，所述基板支承板配备有多个基板装载部并且将所 述多个基板装载部可旋转地安装于反应器内；(b2)旋转所述基板支承板，使得所述多个基板依序暴露于径向设置的第一源气体注入 块、冲洗气体注入块、第二源气体注入块、冲洗气体注入块、蚀刻气体注入块及冲洗气体注 入块；(b3)借由透过所述第一源气体注入块、所述第二源气体注入块及所述冲洗气体注入块 而将第一源气体、第二源气体及冲洗气体同时供应至所述基板支承板上来沉积薄膜；(b4)在将所述薄膜沉积至一预定厚度后，停止所述第一源气体和所述第二源气体的所 述供应，并且透过所述蚀刻气体注入块来供应蚀刻气体以蚀刻所述已沉积的薄膜；(b5)在经过一预定时间后，停止所述蚀刻气体的所述供应并且透过所述第一源气体注 入块和所述第二源气体注入块而将所述第一源气体和所述第二源气体供应至所述基板支 承板上以沉积所述薄膜；以及(b6)依序重复所述操作(b4)和所述操作(b5)至少一次。
14.如权利要求11或12所述的用于沉积薄膜的方法，其特征在于，在所述操作(a2)和 所述操作(a3)之间，还包括透过所述蚀刻气体注入块来供应所述蚀刻气体，而不进行对所 述第一源气体和所述第二源气体的所述供应以移除所述基板上的自然氧化物。
15.如权利要求13所述的用于沉积薄膜的方法，其特征在于，在所述操作(b2)和所述 操作(b3)之间，还包括透过所述蚀刻气体注入块来供应所述蚀刻气体，而不进行所述第一 源气体和所述第二源气体的所述供应以移除所述基板上的自然氧化物。
16.如权利要求11或12所述的用于沉积薄膜的方法，其特征在于，其中在所述操作 (a3)中，所述第一源气体、所述第二源气体、所述蚀刻气体及所述冲洗气体中的至少一者变为等离子体并且所述已改变的等离子体被供应至所述基板支承板上。
17.如权利要求13所述的用于沉积薄膜的方法，其特征在于，其中在所述操作(b4)中， 所述蚀刻气体变为等离子体并且所述已改变的等离子体被供应至所述基板支承板上。
18.如权利要求13所述的用于沉积薄膜的方法，其特征在于，其中在所述操作(b3)或 所述操作(b5)中，所述第一源气体、所述第二源气体及所述冲洗气体中的至少一者变为等 离子体并且所述等离子体被供应至所述基板支承板上。
19.如权利要求11至13中任一项所述的用于沉积薄膜的方法，其特征在于，其中在所 述基板表面上的所述第一源气体及所述第二源气体中的具有较长饱和时间者相对另一者 而言具有较高的流率。
20.如权利要求11至13中任一项所述的用于沉积薄膜的方法，其特征在于，其中在沉 积所述薄膜后，对所述反应器的内部进行原位清洁。
21.一种根据权利要求11至13中任一项所述的用于沉积薄膜的方法来沉积氧化层、氮 化层、多晶硅层、及金属层的方法。
22.—种填隙一在基板上形成的沟渠或间隙的方法，其特征在于，所述方法借由使用权 利要求11至13中任一项所述的方法来在所述基板上沉积薄膜，其中使用氧化物或氮化物形成源作为所述第一源气体、含氧气体或含氮气体作为所述 第二源气体、以及氧化物或氮化物蚀刻气体作为所述蚀刻气体，同时地或交替地实施沉积 和蚀刻，以在所述沟渠或间隙中形成第一氧化层或第一氮化层，其中所述沟渠或间隙在所 述基板上形成。
23.如权利要求22所述的填隙一在基板上形成的沟渠或间隙的方法，其特征在于，其 中在所述基板上形成的所述沟渠或间隙中形成所述氧化层或氮化层之后，还包括不供应所 述蚀刻气体而另外形成第二氧化层或第二氮化层于所述第一氧化层或第一氮化层上。
24.一种填隙一在基板上形成的接触窗或介层窗的方法，其特征在于，其中所述方法借 由使用权利要求11至13中任一项所述的用于沉积薄膜的方法于所述基板上沉积薄膜，其中使用金属源气体作为所述第一源气体、使用反应气体作为所述第二源气体、以及 使用金属蚀刻气体或金属氮化物蚀刻气体作为所述蚀刻气体，同时地或交替地实施沉积和 蚀刻，以在所述接触窗或介层窗中形成金属层或金属氮化层，其中所述接触窗或介层窗在 所述基板上形成。
全文摘要
提供一种沉积薄膜的装置及其方法，以及一种填隙半导体元件中的沟渠的方法。该薄膜沉积装置包括多个基板，其配备于反应器内的相同空间上，其中借由当旋转基板时在预定的时间间隔上将基板暴露于同时供应的两个或多个源气体及蚀刻气体，来重复薄膜的沉积和对已沉积薄膜的部分蚀刻以在多个基板上形成薄膜。根据示例性实施例，可同时地或选择地实施薄膜的沉积和蚀刻，以便沉积具有优良填隙性能的薄膜。
文档编号H01L21/205GK101809711SQ200880025045
公开日2010年8月18日 申请日期2008年7月14日 优先权日2007年7月19日
发明者朴相俊, 李昊荣, 郑成会, 韩昌熙 申请人:Ips股份有限公司